Метод моделирования чувствительных элементов датчиков на основе фрактального подхода

Разработка методов и инструментальных средств для анализа и синтеза физического принципа действия чувствительных элементов датчиков на основе фрактального подхода к описанию процессов. Оценка качества синтезируемых ЧЭД и соотношения для их вычисления.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид автореферат
Язык русский
Дата добавления 13.02.2018
Размер файла 875,0 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Практическими результатами для этапа эскизного проектирования являются алгоритм итерационного построения ФФ по ЭИМЦ преобразователя (см. гл. 2), инженерные методики, алгоритмы и программное обеспечение для расчета деформации плоской мембраны.

Фрактальная интерпретация ФПД преобразователей позволяет использовать циклические (на основе итерационных процедур) и рекурсивные алгоритмы для расчета их выходных параметров. Кроме того, был разработан численный метод расчета элемента с распределенными параметрами и распределенными величинами на основе использования матриц с элементами фрактальной структуры. Рекурсивные алгоритмы являются более предпочтительными для машинной обработки, но не эффективны при отсутствии средств автоматизации. Циклические алгоритмы (на основе итерационных процедур) могут быть использованы как для машинной обработки данных, так и при отсутствии средств автоматизации. Но они достаточно сложны. Использование матриц с элементами фрактальной структуры для расчета может быть реализовано на основе стандартного программного обеспечения -- табличного процессора (рис. 13).

Рис. 13. Иллюстрация инженерной методики расчета деформации плоской мембраны на основе использования матриц с элементами фрактальной структуры в MS Excel

Разработанные методики являются универсальными: позволяют учесть различные варианты нагрузки, а также анизотропность полупроводниковых материалов. На основе разработанных методик созданы алгоритмы и система автоматизированного расчета микроэлектронных датчиков давления. С использованием этой системы выполнена оптимизация топологии расположения тензорезисторов на поверхности плоской мембраны микроэлектронного тензорезисторного датчика давления с максимальной чувствительностью измерения и линейностью выходных характеристик.

Результаты диссертации внедрены в Научно-исследовательском институте физических измерений и вычислительной техники (г. Пенза), в ОАО КБЭ XXI века (г. Сарапул), в ФГУП ПКТБ «Вихрь». Внедрение программного обеспечения позволяет автоматизировать синтез ФПД датчиков нового поколения, сократить время проектирования датчиков давления и их элементов в несколько раз с соответствующим повышением производительности труда, повысить качество научных изысканий и сократить время проведения научно-исследовательских работ. Разработки автора используются в учебном процессе в Астраханском государственном университете (АГУ) при подготовке студентов по специальности «Инженерное дело в медико-биологической практике» по курсам «Узлы и элементы медицинской техники», «Проектирование медицинского оборудования и медицинской техники», «Системный анализ и принятие решений», а также в Московском государственном институте электроники и математики (МИЭМ) на кафедре «Радиоэлектронные и телекоммуникационные приборы и устройства» при проведении всех видов занятий по дисциплинам «Управление качеством ЭС», «Надежность ЭС» со студентами, обучающимися по направлению подготовки «Проектирование и технология электронных средств», а также по дисциплине «Теоретические основы обеспечения надежности ЭС» с магистрами, обучающимися по направлению подготовки «Радиоэлектронные средства специального назначения и технология их производства».

В шестой главе выполнена проверка адекватности разработанных моделей.

С целью проверки полученных теоретических положений и определения эффективности разработанных алгоритмов для этапа поискового проектирования были проведены два эксперимента:

синтез ФПД традиционных датчиков с использованием двух автоматизированных систем (известной Системы синтеза чувствительных элементов -- на основе энерго-информационного метода, и новой Автоматизированной системы синтеза новых технических решений -- на основе фрактального подхода)

синтез ФПД многофункциональных датчиков, который нельзя реализовать на основе использования известной системы синтеза ЧЭ.

Для проведения первого эксперимента было разработано 50 тестовых заданий. В результате количество полученных решений при использовании новой системы, позволяющей синтезировать системы сложной структуры, увеличилось, в среднем, на 20%. Для проведения второго эксперимента были разработаны два задания на синтез ФПД многофункциональных датчиков (таблица 2).

Таблица 2. Задания на синтез

№ задания

Вход

Выход

Условия эксплуатации

Улучшаемые эксплуатационные характеристики

1

ускорение, угол наклона

электрический ток

чувствительность, габариты, цена

2

давление, температура

электрический ток

Температура среды -- (200-300)С

точность, цена

При реализации первого задания синтезирован интегральный микромеханический тензорезисторный акселерометр-клинометр (патент № 71167 от 27.02.2008) с улучшенными по сравнению с аналогом эксплуатационными характеристиками (более высокой чувствительностью, меньшими габаритами и ценой). Результатом синтеза является многофункциональный датчик с непересекающимися цепями ФПД по каждой измеряемой величине и общими конструктивными элементами для их реализации.

При реализации второго задания синтезирован совмещенный волоконно-оптический датчик давления и температуры (патент № № 81323 от 10.03.2009). При синтезе учтены условия эксплуатации (высокая температура контролируемого объекта). Повышение точности измерений давления по сравнению с аналогом достигнуто за счет учета дополнительной погрешности от температуры. Результатом синтеза является многофункциональный датчик с пересекающимися цепями ФПД по каждой измеряемой величине (мультисенсор).

Адекватность моделей для этапа поискового проектирования доказывается совпадением результатов синтеза (интегральный микромеханический тензорезисторный акселерометр-клинометр, совмещенный волоконно-оптический датчик давления и температуры) с ФПД известных технических устройств (Semiconductor acceleration sensor автора Nishimura Hitoshi и Self-excitation in fibre-optic microresonator sensors авторов N. A. D. Stokes, R. M. A. Fatah and S. Venkatesh, соответственно).

Для этапа эскизного проектирования адекватность модели деформации плоской мембраны для разных вариантов ее нагрузки устанавливается на основе сравнения результатов ее расчета с использованием разработанных моделей с результатами применения классических методов расчета:

определена погрешность расчета плоской мембраны, нагруженной сосредоточенной в центре силой, на основе разработанной модели линии с распределенными параметрами по сравнению с классическим методом расчета длинных линий (рис. 14);

определена погрешность расчета плоской мембраны из изотропного материала под давлением на основе разработанной модели идеальной упругой линии с распределенными параметрами и распределенными величинами по сравнению с результатами расчета на основе классического метода (рис. 15).

Для проведения вычислительного эксперимента было разработано алгоритмическое и программное обеспечение.

Рис. 14. График зависимости выходной величины U вых-- от коэффициента b

Рис. 15. Графики деформаций плоской мембраны

По результатам вычислительного эксперимента погрешность расчета является приемлемой на ранних стадиях проектирования (до 30%).

Основные результаты работы и выводы

Главным итогом диссертационной работы является решение комплексной научно-технической проблемы поискового проектирования ЧЭД на основе теоретических положений моделирования их ФПД, инвариантного к физической природе и степени детализации процессов, протекающих в ТУст, позволяющего алгоритмизировать процесс поиска новых технических решений. При решении данной проблемы получены следующие основные результаты:

Создана концепция моделирования ФПД ЧЭД на основе фрактального подхода к описанию явлений и процессов, позволяющая повысить качество и эффективность их проектирования за счет расширения области синтезируемых решений, повышения точности вычисления критериев выбора и сокращения объема макетирования и натурных испытаний при проектировании.

На основе развития общей теории ЧЭ создана концептуальная модель преобразователей информации для формализованного описания явлений и процессов различной физической природы, отличительной особенностью которой является инвариантность к степени их детализации, что позволило разработать эффективную структуру базы данных, алгоритмы для машинного синтеза новых технических решений и расчета их выходных параметров, а также модели конкретных преобразователей.

Получены новые расчетные соотношения для определения критериев качества, отождествляемых с эксплуатационными характеристиками, для элементарных типовых соединений звеньев, используемые в эффективном универсальном рекурсивном алгоритме расчета выходных параметров преобразователя.

Разработан новый комплексный метод фрактальной интерпретации ФПД датчиков и их элементов на основе анализа ретроспективной и текущей информации, который позволил создать модели плоской мембраны и ВОД ФМ давления на основе фрактального подхода.

Разработана универсальная модель плоской мембраны, учитывающая различные виды нагрузки и анизотропность свойств материала, на основе которой создано алгоритмическое и программное обеспечение для ее расчета.

Разработан новый численный метод расчета линии с распределенными величинами и распределенными параметрами на основе использования матриц с элементами фрактальной структуры, позволивший применить табличный процессор.

Разработано информационное, алгоритмическое и программное обеспечение для анализа и синтеза ФПД ЧЭД, позволяющее повысить качество научных изысканий и сократить время проведения научно-исследовательских работ.

Использование новой информационной технологии поискового проектирования позволило разработать конструкции преобразователей с улучшенными эксплуатационными характеристиками: интегральный микромеханический тензорезисторный акселерометр-клинометр и совмещенный волоконно-оптический датчик давления и температуры.

Основные публикации автора по теме диссертации

1. Шикульская О.М. Фрактальное моделирование упругих элементов микроэлектронных преобразователей с учетом распределенных параметров: мoнoгр. / О.М. Шикульская; Астрахан. гoс. тeхн. ун-т. - Астрахань: Изд-вo АГТУ, 2006, - 128 с. -- ISBN 5-89154-202-1.

2. Шикульский М.И. Фрактальное моделирование микроэлектронных датчиков давления: моногр. / М.И. Шикульский, О.М. Шикульская; Астрахан. гос. техн. ун-т. - Астрахань: Изд-во АГТУ, 2008. - 144 с. -- ISBN 978-5-89154-261-7.

3. Шикульская О.М. Анализ и синтез преобразователей информации на основе фрактального подхода: моногр. / О.М. Шикульская. - Астрахань: ООО «Типография «Нова», 2009. - 309 с. - ISBN 978-5-902175-39-1.

4. Петрова И.Ю. Универсальная структурно-параметрическая модель плоской мембраны / Петрова И.Ю., Шикульская О.М. // Датчики и системы. 2000 № 2- с.14-16. -- ISBN 1992-7185.

5. Шикульская О.М. Математическая модель расчета микроэлектронных емкостных датчиков давления. / Шикульская О.М., Шикульский М.И. // Известия вузов. Сев.-Кавк. Регион Техн. Науки-2005г.- Приложение № 1- с.23-26 -- ISSN 0321-2653.

6. Шикульская О.М. Разработка энерго-информационной модели цепи микроэлектронных тензорезисторных датчиков давления / Шикульская О.М., Шикульский М.И. // Известия вузов. Сев.-Кавк. Регион Техн. Науки-2005 г. - Приложение № 1- с. 27-30 -- ISSN 0321-2653.

7. Шикульская О.М. Структурно-параметрическое моделирование микроэлектронных резонаторных датчиков давления / Шикульская О.М., Шикульский М.И. // Известия вузов. Сев.-Кавк. Регион Техн. Науки-2005 г. - Приложение № 1- с. 30-33 -- ISSN 0321-2653.

8. Шикульская О.М. Концептуальное моделирование принципа действия преобразователя на основе SADT-технологии / Шикульская О.М., Шикульский М.И. // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки.-2005.-Приложение 2.- c. 52-54 -- ISSN 0321-2653.

9. Шикульская О.М. Система автоматизированного расчета микроэлектронных датчиков давления / Шикульская О.М., Шикульский М.И. // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки.-2005.-Приложение 3.-с. 3-5 -- ISSN 0321-2653.

10. Шикульская О.М. Определение погрешностей длинной линии по параметрической структурной схеме (ПСС)/ Шикульская О.М. // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки.-2006.-Приложение 5.-с. 7-10 -- ISSN 0321-2653.

11. Шикульская. О.М. Определение погрешностей различных структур цепей с применением аппарата параметрических структурных схем / О.М. Шикульская, Э.Р. Незаметдинова // Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Технические науки. -- 2006. -- Прил. № 5. -- с. 11--14. -- ISSN 0321-2653.

12. Шикульская О.М. Расчет погрешностей линии с распределенными параметрами и величинами методом параметрических структурных схем / Шикульская О.М. Плешакова Л.А. // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки.-2006.-Приложение 5 - с. 14-17-- ISSN 0321-2653.

13. Шикульская О.М. Анализ алгоритмов расчета однородных длинных линий / Шикульская О.М. // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки.-2006 - Специальный выпуск. Математическое моделирование и компьютерные технологии - с. 35-37-- ISSN 0321-2653.

14. О.М. Шикульская. Математическая модель оптоволоконной линии с распределенными параметрами / О.М. Шикульская // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки.-2006 - Специальный выпуск. Математическое моделирование и компьютерные технологии - с. 37-39 -- ISSN 0321-2653.

15. Шикульская О.М. Анализ достоверности расчета линии с распределенными параметрами методом параметрических структурных схем / Шикульская О.М. // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки.-2006 - Специальный выпуск. Математическое моделирование и компьютерные технологии - с. 39-40 -- ISSN 0321-2653.

16. Шикульская О.М. Концепция блочного синтеза новых технических решений. / Шикульская О. М. // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки.-2006.-Приложение 7-с. 30-32 -- ISSN 0321-2653.

17. Шикульская О.М. Математическая модель определения чувствительности элементов по линии с распределенными параметрами и величинами / Шикульская О.М., Незаметдинова Э.Р. // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки.-2006.-Приложение 8-с. 14-16 -- ISSN 0321-2653.

18. О.М. Шикульская. Классификация методов достижения требуемых эксплуатационных характеристик микроэлектронных датчиков параметров движения / О.М. Шикульская, Незаметдинова // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. - 2006. - № 11. - С. 63-65.

19. Шикульская О.М. Модернизация концептуальной модели банка данных по физико-техническим эффектам на базе современных информационных технологий / Шикульская О.М., Незаметдинова Э.Р.//Измерительная техника - 2007 - № 1. с. 7-9.

20. Шикульская О.М. Рекурентная модель линии с распределенными параметрами и величинами / Шикульская О. М. // Измерительная техника - 2007. - № 3. с. 20-22.

21. Шикульская О.М. Блочный анализ и синтез новых технических решений на основе энерго-информационного метода / Шикульская О.М. // Изв. вузов. Поволж. регион. Техн. науки.-2006.- № 6.- с. 287-292 - ISSN 1728-628X

22. Шикульская О.М. Расчет диапазона измерения преобразователей и их элементов / Шикульская О.М., Незаметдинова Э.Р. // Изв. вузов. Поволж. регион. Техн. науки.-2006.- № 6 - с. 263-270 - ISSN 1728-628X.

23. О.М. Шикульская/ Расчет чувствительности элементов с распределенными параметрами / О.М. Шикульская, Л.А. Плешакова // Авиакосмическое приборостроение,-2006.- № 11- с. 17-18.

24. Шикульская. О.М. Расчет чувствительности энергоинформационных моделей цепей произвольной структуры / О.М. Шикульская, Э.Р. Незаметдинова // Авиакосмическое приборостроение. - 2006. - № 12. - С. 59-60.

25. О.М. Шикульская. Моделирование коррекции аддитивной температурной погрешности / О.М. Шикульская, А.И. Куксин // Авиакосмическое приборостроение. - 2007. - № 8. - С. 27-29.

26. Шикульская О.М. Расчет погрешности и чувствительности полупроводникового тензорезистора на основе энерго-информационного метода // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки.-2009 - № 2 - с. 44-47 -- ISSN 0321-2653.

27. О.М. Шикульская. Концепция автоматизированного синтеза физического принципа действия датчиков нового поколения / О.М. Шикульская, Константинова О.С. // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. - 2009 - № 5. - С. 27-29 --ISSN 2073-0004.

28. О.М. Шикульская. Расчет погрешности и чувствительности моста Уитстона на основе энерго-информационного метода // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. - 2009 - № 7. - С. 33-35 --ISSN 2073-0004.

29. Петрова И.Ю. Анализ погрешности расчета упругих элементов микроэлектронных преобразователей методом ПСС. / Петрова И.Ю., Шикульская О.М. // Новые информационные технологии в региональной инфраструктуре НИТ РИ 97: Материалы III Международной науч. - тех конф./Астрахан. Гос. тех. Ун-т. -- Астрахань: изд-во АГТУ, 1997, с. 221-225.

30. Петрова И.Ю. Анализ состояния, тенденций развития и методов достижения требуемых эксплуатационных характеристик микроэлектронных датчиков давления. // Петрова И.Ю., Шикульская О.М. // Вестник АГТУ. 3/96 Автоматика и прикладные вопросы математики и физики / Астрахань, 1997 г. с. 83-89.

31. Зарипов М.Ф. Описание модели плоской мембраны как линии с распределенными параметрами / Зарипов М.Ф., Шикульская О.М.// Труды Международного форума по проблемам науки, техники и образования, под ред. Савиных В.П. и Вишневского В.В. // М.: 1999 г. с. 78-79.

32. Шикульская О.М. Математическое моделирование деформации плоской мембраны с применением метода ПСС / Шикульская О.М. // Вестник АГТУ. Телекоммуникации, новые информационные технологии и связь Астрахань.2000, с. 112-115.

33. Шикульская О.М. Автоматизация расчета деформации плоской мембраны на начальном этапе проектирования датчиков давления. / Шикульская О.М. // Материалы четвертой международной научно-методической конференции Новые информационные технологии в региональной инфраструктуре и образовании. Астрахань-2001 с. 191-193.

34. Шикульская О.М. Математическая модель прогиба плоской мембраны. / Шикульская О.М., Шикульский М.И. // Математические методы в технике и технологиях -- ММТТ-17: Сб. трудов XVII Международ. научн. конф.: В 10 т., Т.8 Секции 9, 10 / Под общ. ред. В.С. Балакирева. -- Кострома: Изд-во Костромского гос. технол. ун-та, 2004. 243 с.

35. Шикульская О.М. Концептуальная модель деформации плоской мембраны как линии с распределенными параметрами / Шикульская О.М., Шикульский М.И. // Информационные технологии в образовании, технике и медицине: Материалы международной конференции. В 3-х томах/ ВолгГТУ. - Волгоград, 2004.-333с. т. 2 с. 308-313. . - ISBN 5-230-04819-0.

36. Шикульская О.М. Анализ волоконно-оптических датчиков, используемых в интеллектуальных системах. / Шикульская О.М., Плешакова Л.А. // Информационные технологии в образовании, технике и медицине: Материалы международной конференции. В 3-х томах / ВолгГТУ.-Волгоград, 2004.-333с. т. 2, с. 303-307. - ISBN 5-230-04819-0.

37. Шикульская О.М. Исследование современного состояния волоконно-оптических датчиков и влияние используемых материалов на достижения требуемых характеристик/ Шикульская О.М., Плешакова Л.А.// Информационные технологии в образовании, технике и медицине. Сб. материалов Международн. науч. конф.: В. 3 т. Т.2. - Волгоград. - 2004.- С. 303-304. - ISBN 5-230-04819-0.

38. О.М. Шикульская. Моделирование прогиба плоской мембраны методом параметрических структурных схем / О.М. Шикульская, М.И. Шикульский // Технологии информатизации профессиональной деятельности (в науке, образовании, промышленности): Сб. трудов науч.-техн. конференции с междунар. участием в рамках форума «Высокие технологии-2004» Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2005. 408 с.

39. Шикульская О.М. Энерго-информационный метод моделирования емкостных датчиков давления / О.М. Шикульская, М.И. Шикульский // Математические методы в технике и технологиях -- ММТТ-18: Сб. трудов XVIII Международ. научн. конф.: В 10 т. Т. 8 Секции 4, 9 / Под общ. ред. В.С. Балакирева. -- Казань: Изд-во Казанского гос. технол. ун-та, 2005. 220 с. - ISBN 5-7882-0253-1.

40. Шикульская О.М. Анализ методов поиска новых технических решений / Шикульская О.М., Мухина Т.П. // Информационные технологии и математическое моделирование (ИТММ-2005): Материалы IV Всероссийской научн.-практ. Конф. (18-19 нояб. 2005 г.) - Томск: Изд-во Том. ун-та, 2005. Ч. 1. -с.25-27 - ISBN 5-7511-1869-3-3.

41. Шикульская О.М. Анализ физико-технических эффектов с учетом свойств полупроводниковых материалов / Шикульская О.М., Незаметдинова Э.Р. // Информационные технологии и математическое моделирование (ИТММ-2005): Материалы IV Всероссийской научн.-практ. Конф. (18-19 нояб. 2005 г.). - Томск: Изд-во Том. ун-та, 2005. Ч. 1. - с. 121-124 - ISBN 5-7511-1869-3-3.

42. Шикульская О.М., Энергоинформационная модель фазовых волоконно-оптических датчиков / Шикульская О.М., Плешакова Л.А. // Информационные технологии и математическое моделирование (ИТММ-2005): Материалы IV Всероссийской науч.-практ. Конф. (18-19 нояб. 2005 г.). - Томск: Изд-во Том. ун-та, 2005. Ч. 1. - с. 124-125 - ISBN 5-7511-1869-3-3.

43. Шикульская О.М. Классификация ФТЭ в преобразователях из полупроводниковых материалов / О.М. Шикульская, Э.Р. Незаметдинова // Вестник Астраханского государственного технического университета. -- 2005. -- Cпец. прил. к № 5(28). --с. 188--191. -- ISSN 1812-9498.

44. Шикульская О.М. Математический метод синтеза новых технических решений на основе современных технологий / Шикульская О.М., Незаметдинова Э.Р. // Научное творчество молодежи: Материалы X Всероссийской научно-практической конференции (21-22 апреля 2006 г.) Ч. I. - Томск: Изд-во ун-та, 2006. - 192 с. - ISBN 5-7511-1869-3-3.

45. Шикульская О.М. Математическое моделирование оптической цепи / Шикульская О.М., Плешакова Л.А.// Научное творчество молодежи: Материалы X Всероссийской научно-практической конференции (21-22 апреля 2006 г.) Ч. I. - Томск: Изд-во ун-та, 2006. - 192с. - ISBN 5-7511-1869-3-3.

46. Шикульская О.М. Концептуальная модель банка данных по физико-техническим эффектам / Шикульская О.М., Незаметдинова Э.Р. // Надежность и качество. Труды междунарожного симпозиума. В 2-х томах. Том 1. Под. Ред. Н.К. Юркова -- Пенза: Изд-во Пенз. Гос. ун-та, 2006.- с. 184-185 -- ISBN 5-7511-1957-0.

47. Шикульская О.М. Анализ методов достижения требуемых эксплуатационных характеристик / Шикульская О.М., Незаметдинова Э.Р. // Инновации в условиях развития информационно-коммуникационных технологий ИНФО-2006. Материалы научно-практической конференции (1-10 октября 2006 г.) / Под ред. В.Г. Домрачева, С.У. Увайсова. - М.: МИЭМ, 2006, с. 178-182. -- ISBN 5-7511-2015-3.

48. Шикульская О.М. Применение метода параметрических структурных схем для определения погрешностей длинных линий Применение метода параметрических структурных схем для определения погрешностей длинных линий / Шикульская О.М., Плешакова Л.А. // Инновации в условиях развития информационно-коммуникационных технологий ИНФО-2006. Материалы научно-практической конференции / Под ред. В.Г. Домрачева, С.У. Увайсова. - М.: МИЭМ, 2006, с. 184-187. -- ISBN 5-7511-2015-3.

49. Незаметдинова Э.Р. Анализ методов достижения требуемых эксплуатационных характеристик микроэлектронных датчиков параметров движения / Э.Р. Незаметдинова, О.М. Шикульская// Инновации в условиях развития информационно-коммуникационных технологий: Материалы научно-практической конференции-- Москва: МИЭМ, 2006. -- C. 178--182. -- ISBN 5-7511-2015-3.

50. Шикульская О.М. Функциональное моделирование датчиков на основе фрактальной концепции / Шикульская О.М. // Надежность и качество: Труды Международного симпозиума: В 2-х т. / под. ред. Н.К. Юркова -- Пенза: Информационно-издательский центр ПГУ, 2007. -- 1т. - с. 381-382 - ISSN 978-5-94170-136-0.

51. Петрова И.Ю. Новые принципы моделирования датчиков на основе фрактального подхода у описанию процессов / Петрова И.Ю., Шикульская О.М. // Надежность и качество. Труды междунарожного симпозиума. В 2-х томах. Том 1. Под. Ред. Н.К. Юркова -- Пенза: Изд-во Пенз. Гос. ун-та, 2009.- с. 61-63 -- ISBN 5-7511-1957-0.

52. Константинова О.С. Теоретические основы структуризации моделирования энерго-инфомационных моделей преобразователей информации на основе фрактального подхода / Константинова О.С., Шикульская О.М. // Надежность и качество. Труды междунарожного симпозиума. В 2-х томах. Том 1. Под. Ред. Н.К. Юркова -- Пенза: Изд-во Пенз. Гос. ун-та, 2009.- с. 116-119 -- ISBN 5-7511-1957-0.

53. Константинова О.С. Моделирование автоматизированной системы синтеза преобразователей информации / Константинова О.С., Шикульская О.М. // Научное творчество молодежи: Материалы XIII Всероссийской научно-практической конференции (14-15 мая 2009 г.) - Томск: Изд-во Том. ун-та, 2009. - Ч. 1. - с. 108-111.

54. Шикульская О.М. Концептуальная модель физического принципа действия чувствительного элемента // Прикаспийский журнал: управление и высокие технологии -2009г.- № 1 (5) - с. 35-39.

55. Шикульская О.М. Моделирование физического принципа действия полупроводниковых чувствительных элементов на основе тензоэффекта / Шикульская О.М., Константинова О.С. // Прикаспийский журнал: управление и высокие технологии -2009г.- № 1 (5) - с. 39-42.

56. Shikulskaya O. Structurally-parametrical modeling of the plane membrane used in medical instruments // Proceedings of the 5th Russian-Bavarian Conference on Biomedical Engineering, Munich,Bavaria, July 1/4, 2009 - pp. 236-238.

57. Многоконтактное реле давления: пат. № 2151328 Рос. федерация: МПК 7 F 15 B 5/00 / Шикульская О.М., Ильичев С.А.; заявитель и патентообладатель Астраханский государственный технический университет -- № 96118876/ заявл. 23.09.1996; опубл. 20.06.2000 г., Бюл. № 7.

58. Мостовой индуктивный датчик перемещения: пат. № 2167398 Рос. федерация: МПК 7 G 01 D 5/22 / Шикульская О.М., Скоморохов С.В.; заявитель и патентообладатель Астраханский государственный технический университет -- № 96111290/ заявл. 04.06.1996; опубл. 20.05.2001 г.

59. Система автоматизированного расчета микроэлектронных датчиков давления: св. об офиц. Рег. Прогр для ЭВМ №2005610506, Россия, ФГОУ ВПО «Астраханский государственный технический университет» / О.М. Шикульская, М.И. Шикульский - Заявл.30/12/2004, зарег. в Реестре прог. для ЭВМ 24.02.2005.

60. Автоматизированная система синтеза новых технических решений: Св. об офиц. Рег. Прогр для ЭВМ №2007611079, Россия, ФГОУ ВПО «Астраханский государственный технический университет»/ О.М. Шикульская, Л.А. Плешакова, Э.Р. Незаметдинова. - дата поступления 19.01.2007, 14.03.2007.

61. Программа расчета эксплуатационных характеристик элементов преобразователей сложной структуры: Св. об офиц. рег. прогр. для ЭВМ № 2007611125 Россия, ФГОУВПО «Астраханский государственный технический университет» / Э.Р. Незаметдинова, О.М. Шикульская. - Заявл. 19.01.2007, зарегистрирована в Реестре программ для ЭВМ 19.03.2007.

62. Интегральный микромеханический тензорезисторный акселерометр-клинометр: пат. № 71167 Рос. федерация: МПК G 01 K 11/32 / Шикульская О.М., Незаметдинова Э.Р.; заявитель и патентообладатель Астраханский государственный технический университет -- № 2006142268 / заявл. 29.11.2006; опубл. 27.02.2008г, Бюл. № 6.

63. Графическая инструментальная среда для моделирования чувствительных элементов на основе фрактального подхода: Св. об офиц. рег. прогр. для ЭВМ № 2009610093 Россия, ГОУВПО «Астраханский государственный университет» / О.С. Константинова, О.М. Шикульская. - Заявл. 27.10.2008, зарегистрирована в Реестре программ для ЭВМ 11.01.2009.

64. Автоматизированная система расчета плоской мембраны в макро- и микро-технике: Св. об офиц. рег. прогр. для ЭВМ № 2009610025 Россия, ГОУВПО «Астраханский государственный университет» / О.М. Шикульская, Т.П. Мухина. - Заявл. 27.10.2008, зарегистрирована в Реестре программ для ЭВМ 11.01.2009.

65. Совмещенный волоконно-оптический датчик давления и температуры. № 81323 Рос. федерация: МПК G 01K 11/32 / Шикульская О.М., Л.А. Плешакова, Т.П. Мухина; заявитель и патентообладатель Астраханский государственный университет -- № 2008140903 / заявл. 15.10.2008; опубл. 10.03.2009г, Бюл. № 7.

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.