Получение композиционных материалов с использованием фотохромных и светоизлучающих соединений и применение многослойных структур на их основе в устройствах хранения и обработки информации
Изучение материалов и устройств оптической памяти, нейросетевой обработки информации. Функциональные преимущества и перспективность применения бактериородопсина (БР) в приборах электронной техники. Требования к параметрам БР-содержащих полимерных пленок.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | дипломная работа |
Язык | русский |
Дата добавления | 30.01.2018 |
Размер файла | 2,7 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
БР-содержащие полимерные пленки формировались поливом полимерной смеси при температуре 34-35°С на подложку, нагретую до 35-36°С. Экспериментально установлено, что введение в полимерную смесь этиленгликоля в соотношении 0,025 мл на каждые 100 мг желатины существенно снижает поверхностное натяжение и миграцию БР по объему пленки, увеличивает прочность, пластичность и адгезию.
Получены прозрачные и оптически однородные БР-содержащие полимерные пленки (толщиной 6-14 мкм с оптической плотностью 0,8-1,3 D на л = 570 нм) на подложках из стекла К_8 и плавленого кварца на площади до 60ґ48 мм2, а также на Si-пластинах диаметром 76 мм. Установлено, что характерное отклонение толщины от среднего значения получаемых по разработанной технологии БР-содержащих полимерных пленок менее 50 нм на длине 10 мм (<1% при толщине пленки >5 мкм). Отклонение от среднего значения по распределению объемной концентрации БР не превышает 3%.
Для согласования показателей преломления различных слоев измерялись показатели преломления БР, желатины и полимерных БР-содержащих пленок (рефрактометр ИРФ-454Б). Для белого света получено значение n = 1,534±0,002. Показатель преломления желатиновых пленок составил 1,543±0,001. Значения n БР-содержащей желатиновой пленки толщиной 50±10 мкм лежали в пределах 1,539-1,542 в зависимости от концентрации БР.
Синтез гибридных наноструктур и получение функциональных слоев на их основе. Исследовались пути расширения функциональных возможностей композиционных материалов для информационных систем на основе создания гибридных структур, представляющих собой, в общем случае, систему из трех компонентов - коллоидные наночастицы, промежуточные сшивающие (спейсеры) и функциональные фотохромные и флуорофорные молекулы (рис. 9).
Рис. 9. Схематическое изображение фрагмента гибридной наноструктуры
Предложены и экспериментально обоснованы технологические методы синтеза и стабилизации гибридных наноструктур, на основе механизмов специфического связывания и самоорганизации, обеспечиваемых подбором спейсеров с соответствующими функциональными группами. Получены наноструктуры различного состава на базе функциональных молекул БР, синтетических флуорофоров класса феналенонов (рис. 10, а), коллоидных металлических (Au и Ag) и полупроводниковых (CdSe/ZnS _ ядро/оболочка) наночастиц, с использованием в качестве сшивающих молекул-спейсеров 11-меркаптоундекановой кислоты; аминокислот цистеина, лизина и аргинина; ряда соединений класса алифатических симметричных диаминов; поливинилового спирта и полилизина, а также фотохромных соединений класса дигетарилэтенов (рис. 10, б).
а)
б)
Рис. 10. Структурные формулы применяемых в работе феналенона (а) и дигетарилэтена (б).
Предварительная отработка технологических методов выполнена на основе коллоидных наночастиц Au (диаметр в диапазоне 38,5-40,5 нм для ?90% частиц, оценены методом фотонно-корреляционной спектроскопии на установке PhotoCor Complex), полученных методом восстановления водорастворимых соединений Au боргидридом натрия с последующим концентрированием на центрифуге Jouan-KR25i. Использовались молекулы-спейсеры (1,6_диаминогексан, 1,7_диаминогептан, 2,5_диаминопентановая кислота), в составе которых присутствуют свободные алифатические аминогруппы, способные эффективно взаимодействовать как с молекулами БР, так и поверхностью наночастиц. Функционализация поверхности наночастиц осуществлялась диализом суспензии против водного раствора (?5Ч103-6Ч103 молекул-спейсеров на 1 наночастицу), одновременно удалялись непрореагировавшие в процессе синтеза наночастиц компоненты, разрушающие молекулы БР. Затем, при постоянном перемешивании в систему добавлялась суспензия БР из расчета 1 молекула БР на 1 молекулу-спейсер. Установлена стабильность полученных гибридных наноструктур в составе суспензии в течение >4-х лет.
Успешное формирование гибридных наноструктур демонстрирует сравнение данных исследований методами атомносиловой микроскопии (АСМ) и спектрометрии пленок, полученных из суспензии. Смещение положения максимума поглощения, характеризующего разобщенные наночастицы Au, с 520 нм до 610 нм свидетельствует о формировании кластерной структуры (рис. 11). В спектре поглощения пленки гибридных наноструктур Au - 1,6-диаминогексан - БР присутствуют только полосы поглощения отдельных компонентов на =520 нм и = 570 нм. Таким образом, наличие БР в составе гибридной наноструктуры препятствует агрегации наночастиц, что подтверждается исследованиями методом АСМ (рис. 12).
Рис. 11. Поверхность пленки наночастиц Au-1,6 диаминогексан (АСМ).
Рис. 12. Поверхность пленки гибридных наноструктур Au _1,6_диаминогексан _БР.
Получены гибридные структуры на основе наночастиц Ag, обеспечивающих оптимальное сочетание оптических свойств в системе с БР (характеристические максимумы в спектрах поглощения компонентов разнесены на 160-170 нм). Наночастицы Ag проявляют значительную химическую и фотохимическую активность в водной суспензии, поэтому введение сшивающих молекул-спейсеров осуществлялось непосредственно в реакционную систему для синтеза наночастиц, что обеспечивало в ходе единой технологической операции как формирование и стабилизацию наночастиц, так и функционализацию их поверхности.
Водные суспензии коллоидных наночастиц Ag (диаметр в диапазоне 4,5-6,4 нм для ?90% частиц, оценены методом фотонно-корреляционной спектроскопии на установке Zetatrac) получены с использованием в качестве спейсеров цистеина, аргинина, лизина и полилизина. Молекулы-спейсеры связываются с поверхностью с помощью функциональных групп: -SH (цистеин), -C(NH)NH2 (аргинин) или -NH2 (лизин и полилизин). В 100 мл водного раствора AgNO3 (с = 1,4Ч10-3 М) вводился раствор вещества-спейсера (с = 7,4Ч10-3 М) в количестве от 0,05% до 1% от суммарного объема, затем при интенсивном перемешивании в раствор добавлялось 120 мкл 0,1М раствора NaBH4.
Наиболее однородные по размерам наночастицы наблюдаются для соотношения масс Ag и вещества спейсера 1:150, о чем свидетельствует меньшая полуширина характеристических пиков в спектрах. Наночастицы, стабилизированные аминокислотами, обладают меньшими размерами по сравнению с наночастицами, стабилизированными полилизином: спектральный максимум поглощения (рис. 13, а) для наночастиц с полилизином расположен в более длинноволновой области на l = 398 нм, тогда как для наночастиц с аминокислотами - на l = 390-392 нм.
Формирование гибридных наноструктур достигалось в процессе интенсивного перемешивания (2 час.) водных суспензий функционализированных наночастиц Ag (100 мл) и БР (100 мкл, с = 5 мг/мл) при температуре реакционной смеси 22-25?С.
а)
б)
Рис. 13. Спектры поглощения наночастиц Ag (а) и гибридных наноструктур на их основе с бактериородопсином (б). В качестве молекул-спейсеров использованы лизин (1) и полилизин (2).
Спектрофотометрические исследования продемонстрировали наличие двух характеристических максимумов, соответствующих отдельным компонентам гибридной наноструктуры (рис. 13, б), что свидетельствует об отсутствии деградации наночастиц Ag и сохранении функциональности молекул БР. Для суспензии гибридных наноструктур на основе лизина или полилизина наблюдается смещение максимума поглощения, характеризующего наночастицы Ag: с лизином - от 391 нм до 405 нм (рис. 13, б), с полилизином - от 398 нм до 403 нм. В случае использования цистеина, положения максимумов поглощения, характеризующих наночастицы Ag и БР не изменяются. Смещение в коротковолновую область на 8-10 нм или 4-6 нм максимума поглощения БР, характерно для суспензий с использованием, соответственно, полилизина или лизина.
Возможным объяснением полученных результатов является различие в расстояниях между компонентами наноструктуры (?0,4 нм для цистеина, ?0,8 нм и ?1,4 нм для лизина и полилизина, соответственно), определяемыми различными длиной и расположением функциональных заместителей относительно друг друга в молекулах спейсеров и, как следствие, характером формируемой ими лигандной оболочки и типом связывания с поверхностью наночастицы и БР.
Смещение положения характеристических спектральных максимумов в результате синтеза гибридной структуры демонстрирует взаимное влияние компонентов наноструктуры, что подтверждается увеличением поглощения в характерных максимумах для Ag на 8-10% (полилизин) и 13-15% (цистеин), для БР - на 4-6% (полилизин) и 24-26% (цистеин) по сравнению со значениями, полученными в результате простого сложения спектров отдельных компонентов при таких же концентрациях (рис. 14).
Рис. 14. Спектр поглощения: гибридных наноструктур Ag - цистеин _ БР (1); суммарный спектр компонентов _ БР и Ag (2), спектры БР (3) и наночастиц Ag (4).
Установлено: наночастицы в составе гибридной наноструктуры резко усиливают влияние веществ, воздействующих на фотоцикл БР, что представляет дополнительные возможности управления эффективностью фотореакции и временем жизни спектральных интермедиатов. Эксперименты показали значительное (?40 раз) замедление фотоцикла в пленках, полученных на основе БР при добавлении (Na,K)2SiO3-x в количестве 5_8% от массы всей пленки, при этом изменения спектральных характеристик белка в суспензии не столь значительны (рис. 15). Введение (Na,K)2SiO3-x в суспензию гибридных наноструктур (Ag-полилизин-БР при массовом отношении Ag:БР = 1:5) в концентрациях 210_5_710_4 %, масс. радикально меняет спектр БР и соотношение спектральных интермедиатов, преобладающей формой становится М412 (рис. 16). Для наночастиц Au подобные эффекты не наблюдаются, что косвенно свидетельствует о вероятном влиянии на время жизни М412 наночастиц Ag на длине волны плазмонного резонанса ?400 нм.
Рис. 15. Спектры поглощения:
1 - суспензия БР; 2 - суспензия БР с добавлением (Na,K)2SiO3-x. Рис. 16. Спектры поглощения суспензий гибридных наноструктур Ag - полилизин - БР с концентрацией (Na,K)2SiO3-x: 1 - 7,18·10_4%, масс; 2 - 7,18·10_5%, масс; 3 - 1,90·10_5%, масс; 4 - без (Na,K)2SiO3-x.
Существенно иной характер носит влияние гибридной наноструктуры на усиление воздействия азида натрия (NaN3) на фотоцикл БР. Известно, что NaN3 оказывает заметное воздействие на фотоцикл только мутантных штаммов (для D96N ускоряется распад интермедиата M412 в ?500 раз). Изменения в спектре суспензии БР штамма ЕТ1001 (дикая форма), модифицированной в результате присутствия NaN3 (0,1%, масс) в течение ?6 мес., незначительны. Однако, использование, модифицированной таким способом, суспензии при формировании гибридных наноструктур Ag-полилизин-БР показало появление дополнительной полосы поглощения с максимумом =350-353 нм, увеличение поглощения в области л = 280-570 нм по сравнению с суммарным спектром поглощения отдельных компонентов (например, для l = 280 нм >65%). Сопоставимый результат получен для гибридных наноструктур на основе наночастиц Ag при использовании лизина или 11-меркаптоундекановой кислоты (линейный размер ?1,4 нм). Увеличение поглощения на = 400 нм и =568 нм составило для Ag 15%, для БР - 33%. Для всех перечисленных вариантов гибридных структур характерно возникновение новой полосы поглощения на л ? 360-365 нм, величина которого прямо пропорционально зависит от концентрации БР, модифицированного NaN3, и свидетельствует об изменении времени жизни отдельных спектральных интермедиатов фотоцикла БР.
Гибридные структуры на основе полупроводниковых наночастиц CdSe/ZnS сформированы замещением монослоя триоктилфосфина оксида на поверхности наночастиц флуорофорным веществом класса феналенонов (рис. 10, а). Получены суспензии в хлорбензоле с массовыми отношениями компонентов CdSe/ZnS к феналенону - 1:1, 3:1, 10:1, 30:1 и 100:1.
Спектры поглощения (рис. 17, а) гибридных наноструктур CdSe/ZnS (диаметр ядра dCdSe = 2,5 нм, длина волны эмиссии лЭ = 530±5 нм) для отношения CdSe/ZnS к феналенону 100:1, во всей измеряемой области спектра (300-700 нм) демонстрируют оптическое просветление суспензии. Напротив, спектры поглощения (рис. 17, б) гибридных наноструктур CdSe/ZnS (dCdSe = 3,5 нм, лЭ=560?5 нм) для отношения CdSe/ZnS к феналенону 100:1 во всей измеряемой области спектра (300-700 нм) демонстрируют увеличение оптической плотности суспензии. В первом случае значение линейного показателя поглощения на 46% меньше (в максимуме поглощения л = 510 нм), а во втором - на 100% больше (в максимуме поглощения 540 нм) суммарного значения, полученного в результате простого сложения соответствующих показателей отдельных компонентов при эквивалентных концентрациях.
а)
б)
Рис. 17. Спектры поглощения суспензий гибридных наноструктур на основе наночастиц CdSe/ZnS (dCdSe= 3,5 нм (а) и dCdSe = 2,5 нм (б) и феналенона при отношении компонентов CdSe/ZnS к феналенону 100:1. 1 - гибридные наноструктуры; 2 - наночастицы CdSe/ZnS; 3 - феналенон.
Спектры люминесценции гибридных наноструктур CdSe/ZnS (dCdSe = 2,5 нм, лЭ = 530±5 нм), для отношения CdSe/ZnS к феналенону 10_100:1 и длины волны возбуждения лвозб. = 375 нм демонстрируют снижение интенсивности люминесценции на лЭ = 530 нм в ?1,5 раза. Напротив, спектры люминесценции гибридных наноструктур CdSe/ZnS (dCdSe = 3,5 нм, лЭ = 560?5 нм), для отношения CdSe/ZnS к феналенону 100:1, для лвозб .= 530 нм демонстрируют увеличение интенсивности люминесценции на л = 570 нм на ?20% по сравнению с суммарным значением, полученным в результате простого сложения значений интенсивностей для отдельных компонентов при соответствующих концентрациях.
Обратимое фотоуправляемое изменение интенсивности люминесценции гибридных структур CdSe/ZnS-дигетарилэтен-феналенон. Сформированы и исследованы гибридные структуры на основе полупроводниковых наночастиц CdSe/ZnS и феналенона с применением вещества-спейсера класса дигетарилэтенов (рис. 10, б). Получены суспензии в хлорбензоле с массовыми отношениями компонентов CdSe/ZnS к феналенону - 1:1, 10:1 и 100:1. Молярное соотношение между феналеноном и дигетарилэтеном - 1:1. Для гибридных наноструктур на основе CdSe/ZnS (dCdSe = 3,5 нм и dCdSe = 2,5 нм) наблюдается эффект обратимого фотоуправляемого изменения интенсивности люминесценции (на 10% и 75%, соответственно) поочередным облучением УФ (Р ?7 мВт/см2) и л = 532 нм (Р ?200 мВт/см2).
Металлизация пленок БР. Металлизация пленок БР представляет собой достаточно сложную задачу, поскольку при использовании стандартного оборудования неизбежно их повреждение. В работе использована модернизированная установка магнетронного распыления. Модернизация установки заключалась в монтаже охлаждаемого жидким азотом подложкодержателя (рис. 18). Разработанный подложкодержатель необходим для поддержания температуры пленки БР в процессе осаждения металлов при температуре <0°С, что предотвращает ее разрушение. Рассмотрена конструкция внутрикамерной оснастки модернизированной установки, а также системы управления нагревателем.
Рис. 18. Схема установки
Помимо установки магнетронного распыления для осаждения на поверхность БР пленок металлов использовалась специально разработанная установка электронно-лучевого испарения. С целью улучшения чистоты осаждаемых материалов и упрощения возможности изготовления многослойных структур была выбрана конструкция испарителя с электронным нагревом, в которой отсутствует тигель. Источником испаряемого материала служили стержни диаметром ?3 мм. В процессе формирования пленок капля расплава держится на стержне за счет сил поверхностного натяжения, поэтому достигается высокая чистота, так как загрязнение материалом тигля невозможно. Максимальная скорость осаждения пленок составляет ?5 нм/с.
Установка состоит из вакуумного поста и стойки управления. Представлена конструкция испарителя с электронным нагревом, с использованием которого осаждали пленки Ta, W, C и др. Разработанный испаритель имеет следующие характеристики: ускоряющее напряжение ? 2500 В; максимальный ток эмиссии ? 300 мА; напряжение накала 0?15 В; ток накала до 18 А; количество испаряемых материалов ? 2. Осаждение пленок производилось при давлении в вакуумной камере 1,33·10?4 Па. При токе эмиссии 200 мА скорости осаждения составляли для: Ta ? 0,6?10,0 нм/с; W ? 0,5?0,8 нм/c; С - 2,0?3,0 нм/с. Разработана и представлена конструкция блока питания испарителя с электронным нагревом. С целью получения воспроизводимых толщин осажденных пленок использовался разработанный кварцевый измеритель толщины, в котором для повышения стабильности применяется двойное преобразование частоты.
Изготовление волноводных слоев для многослойных структур на основе БР-содержащих сред для формирования устройств нейросетевой обработки информации. Для получения центрального слоя волновода использовался фотополимер ФП-1 с n = 1,55 на основе эпоксиакрилатов с добавлением моноэтиленгликольметакрилата или стирола и фотоинициирующего вещества (2,2 -диметоксин -2 -финилацетофенона). В качестве разбавителя, необходимого для регулирования вязкости раствора, использовались бутанол или этилцеллозольв. Центральные слои волноводов изготавливались центрифугированием ((4-12)·103 об/мин, 22-24°С), обеспечивающим необходимые толщины 0,5-1,2 мкм для выполнения требования одномодовости волновода. Для получения граничных слоев применялись фотополимер ФП-2 с n = 1,50 на основе олигокарбонатметакрилатов с добавлением изобутилового эфира и фотоинициирующего вещества. Экспериментально установленная экспозиция УФ_излучения, необходимая для отверждения одного слоя фотополимера, составляет <1мДж/см2. Необходимые толщины граничных слоев (5_7 мкм) ФП-2 получены при усилиях прижима стекла ?100 г/см2.
Изготовление дифракционных решеток ввода и вывода излучения для многослойных структур на основе БР-содержащих сред для формирования устройств нейросетевой обработки информации. Матрицы дифракционных решеток с шагом 0,4-0,8 мкм, глубиной 0,1?0,3 мкм и формой, близкой к синусоидальной, изготавливались на кварце, прозрачном для УФ-излучения, интерференционным методом с использованием фотолитографии. Дифракционные решетки в фотополимерном слое формировались прижимом подготовленной матрицы к слою неотвержденного фотополимера ФП-2 и экспонированием в УФ-излучении.
Изготовление волноводных слоев для многослойных структур 3D оптических носителей информации. Выполнены требования по согласованию показателей преломления материалов, образующих систему планарных волноводов многослойной структуры, обеспечена совместимость спектральных характеристик центрального (фоточувствительного) и граничных слоев для условий технологических процессов получения и функционирования.
Среди большой группы фоточувствительных веществ (производные 2_гетарил_3_ацилхромонов, лейкокрасителей, дигетарилэтенов) подобрано функциональное соединение и разработана композиция на его основе для формирования центрального волноводного слоя. Использован хромон 2_(фуран_2_ил)_3_(тиофен_2-карбонил) _4Н_хромен _4 _он (рис. 19), обладающий достаточно высокими фоточувствительностью, интенсивностью флуоресценции и лучшими спектральными характеристиками (рис. 20).
а) б)
Рис. 19. Структурные формулы хромона LHC_480 (а) и продукта его фотоперегруппировки (б).
Рис. 20. Спектры поглощения и флуоресценции хромона в ПММА до облучения (1) и после (2 _ поглощение, 3 _ флуоресценция).
Экспериментально установлено, что вещества класса хромонов демонстрируют наиболее высокую флуоресценцию в полиметилметакрилате (ПММА) со средней молекулярной массой Mw?120000 и показателем преломления n = 1,49 (измерен на рефрактометре Abbe NAR-4T). Экспериментально определено оптимальное содержание хромона в композиции ?2%, масс.
Граничные слои волноводов образуются фотоотверждаемой полимерной композицией, в состав которой входит фотоинициатор. Хромон, используемый при формировании центральных волноводных слоев, эффективно поглощает в области 250-300 нм, в которой работают большинство широко используемых фотоинициаторов. Избежать в ходе технологического процесса фотоиндуцированного необратимого перехода молекул хромона с образованием флуоресцентной формы позволяет применение фотоинициатора Darocur 4265 (рабочая область поглощения = 370-400 нм). Экспериментально определены оптимальные вязкость (h = 1450 мПа?с) и состав фотополимерной композиции: олигокарбонатметакрилат (64%, масс), 1Н,1Н-перфторгептилакрилат (35%, масс) и фотоинициатор (1%, масс). Показатель преломления измерен на рефрактометре Abbe NAR-4T: неотвержденная композиция - n = 1,425, отвержденная - n = 1,457.
Для возбуждения процессов фотополимеризации при формировании граничных слоев использована осветительная система на основе твердотельных полупроводниковых светодиодов (InGaN, max = 395 нм и полуширина 30 нм). Экспериментально установлено, что воздействие на хромон в ПММА сфокусированного света ( = 395 нм) с плотностью энергии 100 Дж/см2 не приводит к аппаратно-определяемому изменению спектральных характеристик фоточувствительного слоя. Экспозиция, необходимая для отверждения фотополимерной композиции и полного разложения фотоинициатора, составляет 7,2 Дж/см2 на max= 395 нм. В этом случае остаточное поглощение пленки в области 320-400 нм близко к уровню шума. Центральные слои толщиной ?1 мкм получены центрифугированием из растворов ПММА в хлороформе и хлорбензоле с содержанием полимера 8-9%, масс при скорости ?7000 об/мин.
В четвертой главе рассмотрены результаты исследований по определению конструктивных и функциональных параметров отдельных слоев на основе композитных материалов в зависимости от технологии получения, состава и строения; представлены стенд для исследования и метод комплексной оценки функциональных параметров материалов на основе БР.
Строение БР-содержащих полимерных пленок. Исследовались БР-содержащие полимерные пленки, сформированные на подложках из стекла К-8 при различных параметрах. Установлено, что строение поверхности БР-содержащих полимерных пленок (растровый электронный микроскоп HITACHI S-405A) зависит от условий получения. В зависимости от показателя рН поверхность является либо гладкой (рис. 21, а), либо имеет точечные (100 -300 нм) и прямолинейные (протяженность 400-1000 нм при ширине 100-200 нм) выступы (рис. 21, б, в). На элементах рельефа обнаружена огранка (рис. 21, б).
Рис. 21. Строение поверхности БР-содержащей полимерной пленки, сформированной из полимерной смеси: а) рН = 4,2-4,5; б) рН = 3,8_4,0 (на врезке представлен увеличенный фрагмент поверхности); в) рН = 3,5_3,7.
Шероховатость поверхности (перепад высот рельефа Rz) пленки с размером частиц БР-фазы <10 нм составляет Rz ? 0,1 мкм, при размере частиц БР-фазы ?100-1000 нм Rz ?0,6_3,8 мкм. Анализ пленок толщиной 20 мкм, содержащих БР-фазу с огранкой, методом рентгеновской дифрактометрии (рентгеновский дифрактометр ДРОН-2), показал отсутствие кристаллических фаз. Методом электронно-зондового спектрального микроанализа (установка САМЕВАХ) в БР-содержащих полимерных пленках определены введенные Cu, Ba и Pb в количестве 0,1-1,82 %, масс. Методами электронно-зондового спектрального микроанализа, оже-электронной спектроскопии (оже-электронный микроанализатор установки ВS-350) и инверсионной вольтамперометрии (вольтамперометрическая система СВА 1БM, применялась методика контролируемого селективного растворения фаз пленки) установлено распределение примесей металлов между фазами пленки. Отношение концентраций Pb в желатине и БР в зависимости от условий формирования пленки составляло ?1,15; Ва - 1,67-6,3 и Cu - 2,1-4,8.
Электропроводность. Исследована температурная зависимость электропроводности, а также получены вольт-амперные характеристики БР-содержащих полимерных пленок, в том числе с примесями Cu, Ba и Pb (Cu - 0,1-0,8%, масс, Ba - 0,20-1,62%, масс и Рb - 1,25-1,82%, масс). Измерялось сопротивление БР-содержащих полимерных пленок толщиной ?10 мкм, расположенных между контактной площадкой InSnОх и слоистой подложкой стекло/InSnОх. Контактные площадки (пленки InSnОх) получены методом ВЧ-магнетронного распыления сплава In-Sn в Ar+O2 - газовой смеси. Рассчитанные значения удельного сопротивления r всех исследованных БР-содержащих полимерных пленок лежат в пределах (0,4-1,2)Ч10-6 Омм (рис. 22). С повышением температуры r падает со средним температурным коэффициентом равным _5Ч10_3 град_1, что характерно для ионной проводимости. Введение в БР-содержащую пленку Cu и Рb в концентрации 0,12 и 1,36%, масс, масс соответственно, не меняет вида кривых r(Т) (рис. 23, БР(Cu) и БР(Рb)).
Рис. 22. Зависимость удельного сопротивления БР-содержащих полимерных пленок от температуры.
Рис. 23. Вольт-амперные характеристики БР-содержащих полимерных пленок.
Зависимость I(U) (рис. 23) имеет отклонение от омического закона, обнаруживается нелинейный рост и перегиб на начальном (?5 В) участке. При напряжениях >60 В наблюдается резкое увеличение скорости роста проводимости, обусловленное тепловым пробоем, сопровождающимся разрушением пленки.
Влияние технологических факторов на оптические свойства БР-содержащих полимерных пленок. Исследовано изменение пропускания (рис. 24, а) и чувствительности (рис. 24, б) БР-содержащих полимерных пленок при нагревании.
(а) (б)
Рис. 24. Обратимые изменения БР-содержащих полимерных пленок под действием температуры: а) пропускание; б) чувствительность.
Нагретая до (25-95) ±0,5°С) БР-содержащая полимерная пленка подвергалась воздействию (0,25-20 с) излучения HeNe-лазера с Р = 300 мВт/см2. Установлено, что при нагревании пропускание образцов изменяется: при л = 565 нм увеличивается >20%, а при л = 410 нм уменьшается почти на 10% при температуре 95°С. Чувствительность БР уменьшается на обеих длинах волн почти в 5 раз, причем на длине волны 565 нм - быстрее.
Восстановление чувствительности и пропускания БР-содержащих полимерных пленок после длительного нагревания. Предварительно осуществлялась оценка чувствительности образцов на длине волны л = 570 нм при воздействии излучения HeNe-лазера с Р ?200 мВт/см2. БР-содержащие полимерные пленки выдерживались при температуре 60-80°С в течение 30 мин, а затем охлаждались до 22?С. В начальный момент после нагрева наблюдалось падение чувствительности, а затем, по мере остывания и 30_минутной выдержке - полное восстановление свойств БР. Необратимое уменьшение чувствительности начиналось при 90°С. После 30-минутной выдержки при 130°С и охлаждения до 22°С чувствительность БР-содержащих пленок составила 50%, а после 30 минут при 140°С - 15% от начальной.
Изменение поглощения и чувствительности БР-содержащих полимерных пленок после воздействия УФ-излучения (рис. 25). В процессе изготовления многослойных структур БР-содержащие полимерные пленки подвергаются действию интенсивного УФ-излучения. Определена максимально допустимая экспозиция, при которой необратимые изменения в БР не приводят к существенному уменьшению чувствительности.
Рис. 25. Необратимые изменения поглощения (T) и чувствительности (f) БР-содержащих полимерных пленок под действием УФ-излучения.
Установлено, что совместное воздействие температуры и УФ-излучения ускоряет процесс разрушения БР. Для устранения теплового нагрева пленок БР применялись теплоотводящий подложкодержатель и светофильтр УФС5 толщиной 5 мм. Результаты испытаний показали, что при экспозиции УФ-излучения 20 Дж/см2 чувствительность БР-содержащих полимерных пленок при л = 565 нм падает по сравнению с необлученными пленками в 1,6 раза, а при экспозиции 200 Дж/см2 - более чем в 2,5 раза. Экспозиция УФ-излучения ?600 Дж/см2 приводит к снижению поглощения в 3 раза, а чувствительности - в 10 раз. Предельно допустимой экспозицией УФ-излучения следует считать, по-видимому, 10 Дж/см2, при которой уменьшение чувствительности составляет ?20%.
Определение функциональных характеристик БР-содержащих полимерных пленок при нормальных условиях эксплуатации. Исследована рабочая область плотности мощности излучения для л = 630 нм и л = 530 нм. Установлен порог чувствительности БР-содержащих полимерных пленок 0,1 мВт/см2. Максимальная использованная Р = 400 мВт/см2 на л = 630 нм приводила к нагреву образцов на 3-4°С за время измерения (5-6 с). При Р = 100 мВт/см2 (л = 630 нм) пропускание БР на л = 570 и 610 нм увеличивается в 4,5 и 3 раза соответственно, а при л = 410 нм - уменьшается в 2,5 раза по сравнению с пропусканием необлученного БР. Рабочая область Р: 1_100 мВт/см2 для л = 630 нм и 0,25-30 мВт/см2 на л = 530 нм.
Исследованы временные характеристики изменения пропускания тестирующего излучения (при л = 370-610 нм) БР-содержащими полимерными пленками при включении и выключении излучения HeNe-лазера (Р ?100 мВт/см2). Длительность облучения менялась от 0,25 до 50 с. В спектральной области 370-450 нм при действии излучения лазера увеличивалось поглощение тестирующего излучения (максимально - вблизи 410 нм); в области 455-460 нм изменений не наблюдалось; в области 460-610 нм увеличивалось пропускание тестирующего излучения (наиболее сильно вблизи 570 нм). В кривых фотоотклика наблюдаются фазы быстрого (десятые доли секунды) и медленного (десятки секунд) роста (и спада) пропускания.
Проведена оценка увеличения контраста амплитудной картины светового фронта, проходящего через БР-содержащую пленку, обусловленного ростом пропускания образца на длине волны 630 нм при увеличении Р лазерного излучения. В рабочей области контраст g определяется соотношением Р1 и Р2 в двух разных участках на поверхности БР-содержащей среды:
g = |(Р1 - Р2)/(Р1 + Р2)|.
После прохождения световым фронтом БР-содержащего слоя контраст изменяется от исходного 0,82 (для Р1 = 100 мВт/см2 и Р2 = 10 мВт/см2) до 0,84.
Метод комплексной оценки функциональных параметров материалов на основе БР. Для оптимизации экспериментальных исследований функциональных параметров пленок БР разработана математическая модель фотозависимых процессов и определен характеризующий чувствительность материалов на основе БР, k570(t) - коэффициент фотоиндуцированного перехода молекул БР из основного состояния БР570:
,
где N1 - концентрация БР570, N2 - концентрация М412,
N0 = N1 + N2 - общая концентрация молекул БР.
Предложенный метод комплексной оценки основан на кинетическом уравнении, отражающем распределение концентраций между молекулами в состояниях БР570 и М412:
,
где s1 - сечение поглощения БР570 (на длине волны воздействующего излучения); А1 - квантовый выход фотореакции; Р - плотность мощности воздействующего излучения; t - время жизни М412; h - постоянная Планка; n - частота возбуждающего света.
На основании закона Бугера-Ламберта-Бера с учетом фотоиндуцированного изменения концентрации N1 и N2 получено выражение, позволяющее рассчитать значение k570(t) из экспериментальных данных регистрации изменения пропускания пленками БР тестирующего излучения l = 570 нм при освещении возбуждающим излучением:
,
где I0 - интенсивность падающего тестирующего излучения, I1 - интенсивность прошедшего тестирующего излучения в отсутствии возбуждающего излучения, I(t) - интенсивность прошедшего тестирующего излучения при действии возбуждающего излучения в момент времени t.
Из тех же экспериментальных данных на основе решения уравнения, отражающего распределение концентраций между молекулами в состояниях БР570 и М412, для производной в точке t = 0 (начало действия возбуждающего излучения) может быть получена оценка квантового выхода А1, а для производной в точке t = t*(окончание действия возбуждающего излучения) - оценка t. Для получения сравнительной количественной характеристики функциональных свойств материалов на основе БР расчет k570(t) проводился для момента окончания действия возбуждающего излучения на l = 530 нм, Р = 23,2 мВт/см2 с длительностью импульса 10 с.
Для проведения комплексной оценки функциональных параметров БР-содержащих материалов на основе определения k570(t) создана специализированная установка.
Исследование функциональных параметров пленок БР с модифицированной хромофорной частью. Замена хромофорной части приводит к значительным изменениям в спектре БР и кардинальным образом влияет на фотохимические и фотоэлектрические свойства материала. На рис. 29 приведены структурные формулы хромофорных частей и спектры оптического поглощения ряда БР с модифицированной хромофорной частью.
Для пленок БР штамма ЕТ1001 и D96N k570(t) = 0,25-0,3. Для образцов, полученных из БР штамма JW5 + 4-оксоретиналь, после окончания действия возбуждающего излучения значение k570(t) остается на постоянном уровне 0,35. Это свойство может быть использовано при создании элементов памяти, в которых начальное состояние можно принять за логический «0», а полученное под действием света на l = 530 нм - за логическую «1». Для пленок БР с 3,4-дидегидроретиналем получены временные зависимости k570(t), схожие с зависимостями, определенными для материалов с природным ретиналем, но с заметно худшими значениями k570(t) < 0,2.
Рис. 29. Структура хромофорной части природного БР, ее модификации и спектры оптического поглощения БР ET1001 с различными хромофорными частями. 1 - ЕТ1001; 2 - ЕТ1001+3,4_дидегидроретиналь; 3 - ЕТ1001+4_оксоретиналь.
Исследование функциональных параметров пленок БР, модифицированных бифункциональными молекулами и аминокислотами. В результате исследований немодифицированных пленок БР установлено, что значения k570(t) сразу после получения лежат в диапазоне 0,5-0,7 и за 3-5 ч снижаются до 0,2. Вероятно, в первоначально сформированных пленках молекулы БР образуют структуру, которая со временем разрушается. Возможным решением является создание дополнительных связей (ковалентных или водородных) между молекулами белка при использовании химических реагентов.
Исследовано влияние С6H8N2 на свойства пленок БР штамма ЕТ1001. Образцы БР:С6H8N2 = 1:3, 1:6 и 1:9 характеризуются повышенными значениями k570(t) (0,35-0,5) по сравнению с немодифицированными пленками (0,25-0,33) в течение 12 сут.
Изучено влияние С5H8O2 на свойства пленок БР. Для щелочного катализа реакции образования связей между аминогруппами лизина молекул БР и альдегидными группами С5H8O2 (основания Шиффа) в исходную суспензию вводился Na2B4O7 в соотношении БР и Na2B4O7 1:100. Образцы БР:С5H8O2 = 1:5 имеют наиболее высокие значения k570(t) = 0,35, в то время как БР:С5H8O2 = 1:10 и 1:30 меньшими (k570(t) = 0,31), что объяснятся высоким содержанием продукта окисления С5H8O2 атмосферным О2 (глутаровой кислоты), частично разрушающего молекулы БР. Была исследована динамика изменения значений k570(t) для пленок БР:С5H8O2 в течение года. Образцы БР:С5H8O2 = 1:5 сохраняют высокие значения k570(t) і 0,35 на протяжении 120 сут. Спустя 330 сут. для всех образцов БР:С5H8O2 k570(t) = 0,3.
Получены пленки БР:С2Н5NO2, БР:С6Н13NO2 и БР:С6H14N2O2 = 1:1 - 1:25. Пленки БР:С6H14N2O2 были оптически прозрачными и однородными. Образцы на протяжении не менее 50 сут стабильно сохраняли более высокие значения k570(t) (0,45-0,50) по сравнению с контрольным образцом (0,15-0,2).
Строение пленок БР. Зависимость между изменением строения и функциональными параметрами пленок БР в процессе эксплуатации. Исследовались пленки БР и БР:С6H14N2O2. Методом спектроскопии комбинационного рассеивания (спектрометр S3000, Instruments SA, для возбуждения использовался Ar-лазер с l = 514,5 нм) показано, что структура молекул БР в пленках сохраняется. Морфология поверхности пленок исследовалась методом растровой электронной микроскопии (РЭМ, установка CARL ZEISS LEO 1430 VP). Для обеспечения отвода заряда с поверхности пленок на них методом магнетронного распыления наносили проводящее покрытие из Ti толщиной <90 нм. На рис. 26, а представлены результаты РЭМ. Структура пленок БР состоит из участков с определенной упорядоченностью - доменов, которые разделены междоменными границами. Прямолинейный характер границ позволил предположить, что домены имеют кристаллическую структуру, образованную БР.
Рис. 26. а) Строение пленки БР толщиной 9 мкм, сформированной на подложке из стекла К-8 (центральная область) (РЭМ). б) Схема направления сколов при образовании доменов в пленках БР. в) Диаграмма распределения углов сколов доменов в пленках БР.
На основании анализа снимков РЭМ построена диаграмма распределения углов между прямолинейными границами контура доменов (рис. 26, в). Предпочтительными углами скола доменов являются 60°, 90° и 120°. Так как молекулы БР образуют белково-липидный комплекс с гексагональной упаковкой, так называемые пурпурные мембраны (ПМ), то такое распределение углов подтверждает, что домены образованы молекулами БР. Раскол пленок происходит по липидной фазе (рис. 26, б).
Методом атомно-силовой микроскопии (АСМ, микроскопы СММ-2000Т и SOLVER NT_MDT) выявлены специфические особенности центральной и периферийной областей. Центральная область пленок имеет шероховатую поверхность с размером бугорков от 50 до 150 нм. Среднее арифметическое отклонение профиля (Ra) на поверхности пленок, измеренное по профилограмме, не превышает 20 нм, а высота неровностей профиля по 10 точкам (Rz) - 30 нм.
На рис. 27, а, б показаны особенности строения пленок БР:С6H14N2O2. На поверхности пленок, исследованных через 60 суток эксплуатации (облучение лазером на l = 532 нм и с плотностью мощности 23,2 мВт/см2), становятся заметными протяженные образования длиной не менее 5 мкм, шириной 20-25 нм и высотой 2-3 нм (рис. 27, б). Главным компонентом протяженных образований являются молекулы или агрегаты С6H14N2O2.
а) б)
Рис. 27. Морфология поверхности пленки БР:С6H14N2O2 толщиной 6 мкм (АСМ): а) сразу после приготовления; б) после эксплуатации в течение 60 суток.
Результаты АСМ подтверждаются данными исследования пленок просвечивающей электронной микроскопией (микроскоп JEM 200CХ) методом платиноугольных реплик. Исследованы свежеизготовленные пленки БР и БР:С6H14N2O2, а также образцы после эксплуатации в течение 80 сут. Для немодифицированных пленок БР характерно хаотическое расположение ПМ с размерами <200 нм. Поверхность пленки БР: С6H14N2O2 = 1:25 представляет собой ориентированное наслоение ПМ с размерами 0,2-1 мкм и толщиной 5-10 нм. Пленки БР:С6H14N2O2 обладают более высокими значениями k570(t) по сравнению с немодифицированными образцами. Разрушение структуры модифицированных пленок БР приводит к миграции молекул вещества-модификатора к поверхности. Спустя 80 сут для образца БР:С6H14N2O2 = 1:25 наблюдается увеличение светорассеивания и уменьшение значений k570(t) (рис. 28), связанные с формированием на поверхности пленки протяженных образований С6H14N2O2. Рассмотрены возможные механизмы указанного процесса.
а) б)
Рис. 28. Зависимость функциональных свойств от строения пленок БР:С6H14N2O2 = 1:25: а) после приготовления; б) после 80 сут. эксплуатации.
Для выяснения и исследования строения кристаллических фаз в пленках БР использована рентгеновская дифрактометрия (РД, установка ДРОН-3, графитовый монохроматор, Cu kб-излучение). Изучены пленки БР и БР:С6H14N2O2 штамма D96N. На дифрактограмме пленки БР: С6H14N2O2 штамма D96N присутствуют отражения, показывающие упорядоченное расположение молекул в пленке. Отражения возникают от наслоения друг на друга фрагментов ПМ. Размер областей когерентного рассеивания рентгеновского излучения составлял ~37,5 нм, что позволяет предположить, что упорядоченная структура образована элементами, содержащими 7 ПМ (межплоскостные расстояния d/n = 7,1150 нм и 3,5786 нм). На дифрактограммах пленок БР: С6H14N2O2 со сроком эксплуатации 4 месяца отражений не обнаружено.
Для определения элементного состава сформированных пленок на основе БР применялся метод рентгеноспектрального микроанализа (установка Camebax Microbeam, Cameca Microprobe). Приведены диаграммы распределения элементов в пленке БР:С6H14N2O2 = 1:25. Элементный состав для всех исследованных пленок на основе БР был одинаковым. Основу сформированных пленок составляют С, О, N. Отмечено, что в периферической области обнаружены S, P и Ca. Перераспределение компонентов по поверхности происходит вследствие миграции несвязанных молекул фосфолипидов и сульфогликолипидов, содержащих S и P, в периферическую область. Такой же механизм имеет место и для ионов Ca2+. Сигналы Al, Si, Na, Mg возникают от материала подложки. Приведены количественные измерения содержания C, O и N, полученные для подложки из стекла К-8 и сформированной на ней пленки БР:С6H14N2O2 = 1:25.
Встроенные в многослойные структуры дифракционные решетки. Исследовались параметры (период, глубина модуляции решетки и профиль) реплик дифракционных решеток (L= 400, 600, 700, 800 нм), встроенных в планарные волноводы и получаемых методом репликации и фотоотверждения в полимерных материалах, а также оценивались наличие, количество и размеры дефектов. Исследования осуществлялись на АСМ Solver Pro и Аgilent 5400 в контактном (для размеров исследуемых областей 1010 мкм, 5Ч5 мкм и 2Ч2 мкм) и акустическом (для размеров 40Ч40 мкм) режимах. Перед каждым измерением проводилась калибровка по сертифицированной мере.
Дефекты реплик, как правило, обусловлены дефектами матрицы дифракционной решетки и имеют характерные размеры ?0,6-1,3 мкм при допустимом размере дефекта ?2,5 мкм (рис. 30, 31). Суммарная площадь дефектов <4Ч10_4% от общей площади дифракционной решетки и не влияет существенно на эффективность ввода и вывода излучения. Отклонение периода реплики от периода матрицы решетки лежит в диапазоне 5_7% при допустимом значении 8% и связано с усадкой в процессе репликации.
а) б)
Рис. 30. Трехмерная реконструкция АСМ-изображения (а) и профиль (б) дифракционной решетки с L = 800 нм (область сканирования 10ґ10 мкм).
Рис. 31. АСМ-изображение реплики дифракционной решетки с = 800 нм (область сканирования 4040 мкм). Области дефектов промаркированы белой границей.
Глубина модуляции решеток составляет 25%-41% от L, что характеризует их как решетки с сильной связью (рис. 32). Отклонение профиля от синусоидальности (рис. 33) обусловлено несовершенством матрицы. Измеренные параметры дифракционных решеток (период, дефектность) подтверждаются экспериментальными данными, полученными методом РЭМ.
а)
б)
Рис. 32. АСМ-изображение (а) и профиль (б) реплики дифракционной решетки с = 800 нм (область сканирования 55 мкм).
а)
б)
Рис. 33. АСМ-изображение (а) и профиль (б) реплики дифракционной решетки с =800 нм (область сканирования 22 мкм).
В пятой главе рассмотрены технологические методы получения многослойных волноводных структур на основе композитных материалов для оптической нейросетевой обработки информации и 3D запоминающих устройств, контроль модового состава.
Обеспечение технологической совместимости при формировании многослойных структур. Решены проблемы, возникающие вследствие разных адгезионных свойств материалов, и задачи согласования функциональных и технологических требований к спектральным характеристикам различных слоев.
Обеспечение адгезии между подложкой, на поверхности которой находятся гидрофильные силоксановые группы (HO_Si), и пленкой БР, гидрофобного белка, достигалось формированием методом центрифугирования промежуточного адгезионного слоя из 1%, масс раствора мочевино-формальдегидной смолы (Мч-163) в о-ксилоле. Отверждение пленок Мч-163 (толщина <150 нм, интерференционный микроскоп МИИ-4, ЛОМО) проводилось при 50С в течение 20 мин.
Для обеспечения адгезии между подложкой и пленками на основе термически необратимых дигетарилэтенов в полимерной матрице из поливинилкарбазола, формируемых методом центрифугирования, а также адгезии между подложкой и граничными слоями с использованием сополимеров на основе поликарбонатметакрилата и полиперфторгептилакрилата, которые формировались методом радикальной полимеризации при действии УФ-излучения, использовался промежуточный слой адгезионного вещества. Промежуточный слой толщиной <100 нм (интерференционный микроскоп МИИ-4, ЛОМО) получали методом полива из 0,01%, масс раствора метакрилоксипропилтриэтоксисилана в смеси воды и изопропилового спирта в соотношении 1:1. Отверждение проводилось при 40С в течение 1 мин.
Для формирования граничных слоев планарных волноводов использовались формообразующие поверхности (в т.ч. матрицы дифракционных решеток), позволяющие осуществлять отверждение под воздействием УФ излучения в отсутствии кислорода (ингибитора процессов радикальной полимеризации). Решена задача по уменьшению адгезии между полимером граничного слоя планарного волновода и формообразующей поверхностью, которая предварительно выдерживалась последовательно в атмосфере паров раствора смеси диметилдихлорсилана (2%, объем) и триметилхлорсилана (3%, объем) в абсолютированном гексане и в атмосфере паров воды. Каждая стадия занимала 5 мин. Кремнийорганические вещества, адсорбируемые на формообразующей поверхности, гидролизуются под воздействием воды и образуют гидрофильные силоксановые группы.
Для повышения адгезии между слоями фотополимеров и БР-содержащей пленкой формируется слой на основе поливинилбутираля в этилцеллозольве. Указанный адгезионный слой выполняет также и защитные функции. Незащищенная БР-содержащая пленка разрушается при длительном (?20 мин) воздействии температуры >40?С, а защищенная - сохраняет свои строение и свойства при нагревании до 70?С и способна восстанавливать свойства после нагрева до 90°С. Толщина адгезионного слоя составляет ?0,4 мкм. Пленка наносится поверх БР-содержащего слоя на центрифуге при 8000 об/мин и затем отверждается (50°С, 10 мин). Установлено, что воздействие на БР-содержащую полимерную пленку экспозиции УФ_излучения >3 Дж/см2 ведет к снижению чувствительности >10%. Снижение экспозиции УФ_излучения в процессе изготовления многослойной структуры достигается частичной полимеризацией слоев. Экспозиция УФ_излучения, необходимая для полного отверждения, накапливается по мере полимеризации надстраиваемых слоев. Таким образом, суммарная экспозиция УФ_излучения, необходимая для формирования трех полимерных слоев плоского волновода, может быть снижена до ?1,5 Дж/см2.
Подобные документы
Исследование основных типов полимерных композиционных материалов. Анализ современного состояния рынка лазерной техники. Технологические головки для волоконных лазеров. Расчет оптических систем. Оптическое преобразование светового потока лазерной головкой.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 12.10.2013Использование аппаратных и программных средств в устройствах обработки информации. Организация взаимодействия устройств, входящих в систему, при помощи микропроцессора. Описание микроконтроллера, процессорного блока, адаптера параллельного интерфейса.
курсовая работа [515,2 K], добавлен 18.09.2010Сигналы памяти и приемники изображения, устройства их обработки. Основные параметры элементов ПЗС: рабочая амплитуда напряжений, максимальная величина зарядного пакета, предельные тактовые частоты, мощность. Эффективность работы устройств обработки.
реферат [46,4 K], добавлен 13.01.2009Вариант применения персональных компьютеров (ПК) для решения задач вторичной обработки радиолокационной информации. Сравнительный анализ используемых и предлагаемых алгоритмов. Схемы устройств для сопряжения ПК с цифровой станцией 55Ж6; расчет затрат.
дипломная работа [4,3 M], добавлен 27.06.2011Способы контроля информационных слов и адресов в цифровых устройствах автоматики. Структурные и функциональные схемы контролирующих устройств. Обеспечение надежности устройств автоматики и вычислительной техники. Числовой аппаратурный контроль по модулю.
контрольная работа [5,0 M], добавлен 08.06.2009Исследование методов обработки информации в системах технического зрения роботов. Описания искусственных нейронных сетей и их использования при идентификации изображений. Определение порогового уровня изображений, техники обработки визуальной информации.
магистерская работа [2,2 M], добавлен 08.03.2012Выбор методов проектирования устройства обработки и передачи информации. Разработка алгоритма операций для обработки информации, структурной схемы устройства. Временная диаграмма управляющих сигналов. Элементная база для разработки принципиальной схемы.
курсовая работа [1,8 M], добавлен 16.08.2012Микросхема КР 580 ВВ55А как программируемое устройство ввода/вывода параллельной информации, его внутренняя структура и функциональные особенности, сферы практического применения. Методика и этапы настройки контроллера для его нормальной работы.
методичка [157,1 K], добавлен 24.06.2015История развития устройств хранения данных на магнитных носителях. Доменная структура тонких магнитных пленок. Принцип действия запоминающих устройств на магнитных сердечниках. Исследование особенностей использования ЦМД-устройств при создании памяти.
курсовая работа [1,6 M], добавлен 23.12.2012Проектирование функциональных узлов, блоков и устройств вычислительной техники. Разработка устройств и систем. Частота смены элементов. Блок буферной памяти. Обеспечение работы устройства ввода визуальной информации. Последовательность сигналов частоты.
курсовая работа [1,7 M], добавлен 31.01.2011