Вибір робочої точки напівпровідникового сенсора температури
Вплив рентгенівського опромінення та слабких магнітних полів на електрофізичні показники термосенсорів. Причини збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду. Зменшення величини прямого струму вольт-амперних характеристик.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | статья |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 10.12.2016 |
| Размер файла | 243,2 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
HTML-версии работы пока нет.
Cкачать архив работы можно перейдя по ссылке, которая находятся ниже.
Подобные документы
Магнітні властивості речовин, визначення магнітних характеристик феромагнетиків. Магнітна індукція як силова характеристика магнітного поля, розрахунки магнітних кіл. Опис лабораторної установки, приладів для вимірювання, порядок виконання роботи.
лабораторная работа [971,1 K], добавлен 13.09.2009Аналіз схеми електричної принципової та елементної бази напівпровідникового сенсора температури. Вибір характерного блоку схеми для моделювання. Розробка друкованої плати. Розрахунок діаметру монтажних отворів, контактних площадок і ширини провідників.
курсовая работа [910,7 K], добавлен 09.06.2013Дослідження характеру залежності струму колектора від напруги на колекторно-емітерному переході і струму бази для вихідних вольт-амперних характеристик транзистора. Використання досліджуваного транзистора 2Т909Б у широкосмугових підсилювачах потужності.
контрольная работа [1,0 M], добавлен 31.07.2010Тунельний механізм переходу носіїв заряду. Розрахунок параметрів випрямного діода і біполярного транзистора, статичних характеристик польового транзистора з керуючим переходом. Визначення залежності генераційного струму p-n переходу від зворотної напруги.
курсовая работа [902,9 K], добавлен 23.01.2012Дослідження характеристик та роботи напівпровідникового діоду, біполярного транзистора, напівпровідникового тиристора, фоторезистора, операційного підсилювача, мультивібраторів, логічних інтегральних схем, малопотужних випрямлячів і згладжуючих фільтрів.
методичка [5,3 M], добавлен 02.12.2010Властивості напівпровідникового матеріалу в транзисторах Шотткі. Структура, принцип дії польових транзисторів із затвором. Підсилювачі потужності, генератори. Електрофізичні параметри елементів приладу. Розрахунок напруги відсікання і насичення.
курсовая работа [640,7 K], добавлен 13.12.2011Зонна структура напівпровідників. Електричний струм в напівпровідникових діодах. Зняття вольт-амперної характеристики діодів в пропускному та в запірному напрямах. Електропровідність і концентрація носіїв струму. Відмінність металів від напівпровідників.
лабораторная работа [100,5 K], добавлен 22.06.2011Методи контролю розподілу температурних полів. Методи контролю якості інтегральних мікросхем. Особливості фотоакустичной спектроскопії. Випробування інтегральної мікросхеми К155 ЛА7 на багатократні удари. Вплив на неї зміни температури середовища.
курсовая работа [3,2 M], добавлен 18.12.2009Розробка інформаційно-вимірювальної системи визначення температури. Методи вимірювання температури, вибір оптимальної структурної схеми. Електрична принципова схема, розрахунок вузлів системи. Визначення основної похибки перетворювача–датчика KTY81-121.
курсовая работа [991,6 K], добавлен 24.01.2011Розрахунок потужності вхідного сигналу. Вибір схеми, типу підсилюючих приладів, орієнтовної величини коефіцієнту підсилення за потужністю вихідного каскаду. Максимальне значення колекторного струму кінцевих транзисторів. Розрахунок третього каскаду ПНЧ.
курсовая работа [261,3 K], добавлен 23.05.2012
