Вхідні імпедансні характеристики двобар’єрних структур
Знайомство з вхідними імпедансними характеристиками двобар’єрних структур. Розгляд головних способів встановлення імпедансних умов резонансного проходження для двобар’єрної структури, розміщеної між хвильовими середовищами з різними імпедансами.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | статья |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 29.09.2016 |
| Размер файла | 566,9 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
HTML-версии работы пока нет.
Cкачать архив работы можно перейдя по ссылке, которая находятся ниже.
Подобные документы
Призначення, характеристики, основні вимоги до проектування та вибір режиму роботи резонансного підсилювача потужності. Вибір транзистора та схеми підсилювача, вольт-амперні характеристики транзистора. Схема резонансного підсилювача та його розрахунок.
курсовая работа [87,2 K], добавлен 30.01.2010Характеристика основных вопросов, связанных с частотными характеристиками электроцепей ОУ. Передаточные функции активных цепей и каскадно-развязанных структур. Функция чувствительности частотных характеристик электрических цепей, селективные устройства.
реферат [134,3 K], добавлен 25.04.2009Системний підхід до аналізу структур існуючих систем мікропроцесорних централізацій. Структури систем керування на основі графоаналітичного методу. Дослідження впливу періоду контролю справності каналів резервування на показники функційної безпечності.
дипломная работа [16,9 M], добавлен 15.02.2021Методи вирощування плівок термічного SiO2. Основні властивості диоксиду кремнію та меж розділу з напівпровідником та металом. Дослідження пористості плівок термічного SiO2. Електрофізичні характеристики структур.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 08.08.2007Понятие и методы исследования квантово-размерных структур, их типы и получение. Классификация гетероструктур. Методы изготовления квантовых нитей, их плотность и предъявляемые требования. Порядок создания приборов на системах с размерным квантованием.
дипломная работа [1,2 M], добавлен 02.02.2015Базовая структура нестационарных устройств. Обобщенный алгоритм решения задачи синтеза структур нестационарных ARC-схем. Пример синтеза структуры аналоговой части циклического фильтра Калмана-Бьюси. Параметры схемы циклического ФКБ второго порядка.
курсовая работа [605,4 K], добавлен 05.03.2011Исследование основных характеристик избирательных усилителей с различными типами резонансной нагрузки. Измерение избирательности, коэффициента усиления и крутизны АЧХ резонансного усилителя с двойной автотрансформаторной связью контура с транзисторами.
лабораторная работа [441,1 K], добавлен 03.06.2014Електродинамічні характеристики імпедансних поверхонь. Математична модель задачі аналізу. Методи чисельного розв`язання інтегральних рівнянь Фредгольма другого роду. Характеристика впливу приймальної антени на розв'язуючі властивості імпедансної смуги.
дипломная работа [505,1 K], добавлен 12.11.2012Розрахунок драйвера світлодіодів. Цифро-буквенні світлодіодні індикатори. Типи світлодіодних структур. Основні типи речовин у сучасних світлодіодах. Електролюмінісценці та інжекційна люмінесценція. Характеристики кольорових люмінофорів та плазмові панелі.
курсовая работа [6,1 M], добавлен 29.06.2010Отклик на выходе резонансного усилителя и детектора радиотехнического звена при воздействии радиоимпульса. Спектральная плотность радиоимпульса на входе и выходе резонансного усилителя. Плотность мощности и корреляционная функция шума усилителя.
курсовая работа [363,1 K], добавлен 09.05.2011
