Особливості магнітоопору мікрокристалів InSb за кріогенних температур
Дослідження магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb з концентрацією домішки поблизу переходу метал-діелектрик в інтервалі низьких температур 4,2-77 К в полях з індукцією до 14 Тл. Осциляції Шубнікова-де-Гааза. Ефективна циклотронна маса електронів.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | статья |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 29.09.2016 |
| Размер файла | 384,9 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
HTML-версии работы пока нет.
Cкачать архив работы можно перейдя по ссылке, которая находятся ниже.
Подобные документы
Полупроводниковые соединения, получившие широкое применение в электронной технике. Тонкие пленки и поликристаллические слои халькогенидов свинца (PbSe). Контроль электрофизических свойств, основные свойства и методы выращивания монокристаллов PbSe.
курсовая работа [35,2 K], добавлен 29.11.2010Температура — важнейший параметр всех технологических процессов. Основные группы методов измерения, различаемые в зависимости от диапазона измеряемых температур. Манометрические термометры, их виды. Конструкции и материалы для изготовления термопар.
презентация [4,3 M], добавлен 14.10.2013Проект изготовления модулей системы контроля и регулирования температур для производства изделий вертолета из композиционных материалов. Калибровка технологического оборудования и измерительных средств. Неисправности и их устранение. Проверка качества.
курсовая работа [924,3 K], добавлен 23.04.2011Проведение испытания ЭС на воздействие ультранизких давлений. Параметры вакуумных испытательных установок. Испытание ЭС на воздействие криогенных температур. Выбор типа хладагента. Виды космических испытаний. Работа измерителей парциальных давлений.
реферат [1,1 M], добавлен 25.01.2009Робота виходу електронів з металу. Методи виміру роботи виходу електронів: по величині густини струму термоеміссії, за допомогою явища фотоефекту, через контактну різницю потенціалів, методами динамічного та статичного конденсатора, електронного пучка.
курсовая работа [171,7 K], добавлен 24.12.2009Принципи отримання тонких плівок, вирощування кристалів методом Чохральського, обробка кристалів. Огляд технологій, які використовуються на підприємстві НВО "Термоприлад" під час виготовлення різноманітних електронних пристроїв вимірювання температури.
отчет по практике [1,0 M], добавлен 02.10.2014Группы метрологических характеристик. Относительная и абсолютная погрешность. Принцип действия и конструкция термопары, его достоинства и недостатки. Причины возникновения систематических погрешности измерений, способы их обнаружения и исключения.
контрольная работа [1,2 M], добавлен 16.06.2014Параметры интегральных полупроводниковых диодов и биполярных транзисторов в интервале температур 250-400К. Величина контактной разности потенциалов. Толщина квазинейтральной области. Глубина залегания эмиттерного перехода. Транзисторы с p-n переходом.
курсовая работа [270,1 K], добавлен 19.02.2013Работа терморезисторов в цепях постоянного, пульсирующего и переменного тока для температурной компенсации различных элементов электрической цепи с положительным температурным коэффициентом сопротивления. Определение температур бесконтактными методами.
курсовая работа [956,5 K], добавлен 30.12.2014Конструирование микросхемы по электрической принципиальной схеме. Обоснование выбора материала подложки. Расчет тонкопленочных конденсаторов, резисторов. Диапазон рабочих температур. Выбор навесных элементов. Расчет показателя надежности микросхемы.
контрольная работа [48,2 K], добавлен 28.09.2012
