Основы электротехники
Условное обозначение, направления токов и полярности напряжения на электродах полевого транзистора КП301Б. Методика построения фрагмента выходной сток-истоковой характеристики в окрестности рабочей точки. Анализ эквивалентной схемы для низких частот.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | контрольная работа |
Язык | русский |
Дата добавления | 04.02.2016 |
Размер файла | 543,1 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru
Размещено на http://www.allbest.ru
1. Выполнить графоаналитические расчеты по данным из таблиц 1,2 и по заданным стоковым характеристикам полевого транзистора:
1) построить сток-затворную характеристику;
2) Определить тип заданного полевого транзистора;
3) рассчитать малосигнальные параметры транзистора;
4) нарисовать эквивалентную схему полевого транзистора для заданного режима на низкой частоте и для области высоких частот;
5) рассчитать и построить характеристику полевого транзистора в режиме переменного сопротивления.
Решение.
Исходные данные: Z=0, следует: транзистор КП301Б.
Рабочая точка О: N=2, n=6; Uзи=15 В, Uси=25 В.
Судя по величине напряжения отсечки затвор-стоковой статической характеристики транзистор КП301Б должен быть с индуцированным каналом p-типа, то есть полярность напряжения Uзи на характеристике должна быть отрицательной.
Рис. 1. Условное обозначение, направления токов и полярности напряжения на электродах транзистора КП301Б
Рис. 2. Выходные сток-истоковые характеристики
Рис. 3. Проходная затвор-стоковая характеристика
Для построения заданной сток-затворной характеристики проводим линию UCИ=25 В (Рис. 2) и в точках пересечения её с характеристиками транзистора определим ток стока IC, соответствующий различным напряжениям затвора (табл. 1). Начальную точку найдём из рис.3 при Ic=0, Uзи= Uзи пор= 4 В.
Табл. 1
-Uзи, В |
4 |
10 |
13 |
16 |
19 |
22 |
|
Iс, мА |
0 |
4,0 |
7,3 |
11,5 |
16,6 |
22,5 |
По данным таблицы 1 строим затвор-стоковую характеристику:
Рис. 4. Проходная характеристика КП301Б для Uси=-25 В
Определим малосигнальные параметры транзистора.
S-крутизну передаточной характеристики, Ri - выходное сопротивление, µ - коэффициент усиления напряжения в заданной рабочей точке. S определяется по затвор-стоковой характеристике, Ri - по сток-истоковой, а µ определяется расчётным путём:
µ=S*Ri
Рис. 5. Расчёт крутизны транзистора КП301Б .
Берём приращение тока стока ДIc/2=2мА симметрично относительно рабочей точки, получаем |ДUзи|=2,8 В, следовательно:
S= = 1.428*10-3 А/В.
Для определения выходного сопротивления Ri в рабочей точке О построим фрагмент выходной сток-истоковой характеристики в окрестности рабочей точки.
Рис. 5. Расчёт Ri транзистора КП301Б
Задаёмся приращением выходного напряжения ДUси=(30-20)=10 В; при этом определяем по сток-истоковой характеристике приращение тока стока:ДIc= (9.65-9.35) =0.3 мА.
Ri= ДUси / ДIc =10 / 0.3*10-3 = 33,3 кОм.
Определяем коэффициент усиления:
µ= S* Ri=1,428*10-3*33,3*103= 47,6 раз.
Эквивалентная схема для низких частот будет выглядеть следующим образом:
Рис. 6. Эквивалентная схема для низких частот
полевой электрод транзистор
Здесь: rд - сопротивление диэлектрика затвора; это сопротивление очень велико - 1010-1013 Ом и его часто не учитывают в расчётах.
На высоких частотах начинают влиять междуэлектродные ёмкости транзистора. Цепь затвора моделируется с помощью сопротивления канала rk и ёмкости Сзи. Выходная цепь моделируется с помощью сопротивления канала переменному току Ri и эквивалентного генератора тока . Обратная связь между выходом и входом определяется емкостью СЗС.
Величина rk находится по формуле:
где So - крутизна прибора в заданной рабочей точке на низкой частоте. Важнейшей особенностью схемы является зависимость эквивалентного генератора тока не от входного напряжения , а от напряжения .
Предельная частота крутизны определяется соотношением:
fs=1/(2*р* rk* Сз-и)=1/(2*3.14*1100*3.5*10-12)= 45.2*106 Гц.
По данным расчета составлена эквивалентная схема транзистора (Рис. 7).
Рис. 7. Эквивалентная схема для высоких частот
Построим управляющую характеристику транзистора как управляемого напряжением переменного резистора Rси=f(Uзи).
Произведём заданный расчёт для Uси=-2,5 В.
Очевидно, что Rси=|Uси|/ Ic.
Проводим линию UCИ=-2,5 В (Рис.2) и в точках пересечения её с характеристиками транзистора определим ток стока IC, соответствующий различным напряжениям Uзи. Расчет сводим в таблицу 2.
Табл. 2
Uси=-2,5 В |
|||||||
-Uзи, В |
4 |
10 |
13 |
16 |
19 |
22 |
|
Ic,мА |
0,04 |
1,71 |
2,97 |
4,55 |
5,91 |
7,48 |
|
Rси, кОм |
62,5 |
1,46 |
0,84 |
0,55 |
0,42 |
0,33 |
Рис. 8. Зависимость сопротивления транзистора от -Uзи
2. Ток насыщения диода I0 = 10 мкА = 10-5 А; T=300 K.
Рис. 9
Решение
Через диод протекает прямой ток величина которого не превышает:
I= = = 0.002 A = 2 мА.
При этом прямое напряжение на идеальном диоде не может превысить:
U? ?T* , где ?T = ? .
Получаем ?T = = 0,0258; U = 0,0258 * = 0.137 В.
I = = 1.993 мА, то есть Uвых ? U= 0.137 В.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Основные характеристики и параметры разрабатываемого усилителя напряжения низких частот. Обзор существующих устройств аналогичного назначения. Выбор и обоснование функциональной схемы. Расчет входного каскада. Оценка метрологических характеристик.
контрольная работа [1,2 M], добавлен 17.12.2013Исследование структурной схемы импульсного усилителя. Выбор рабочей точки и транзистора. Расчет эквивалентной схемы транзистора, усилительных каскадов, разделительных и блокировочных емкостей. Характеристика особенностей эмиттерной термостабилизации.
курсовая работа [553,4 K], добавлен 23.10.2013Устройство полевого транзистора: схемы включения и параметры. Эквивалентная схема, частотные и шумовые свойства. Устойчивость полевого транзистора при работе в диапазоне температур (тепловые параметры). Вольт-амперные характеристики транзистора.
реферат [174,3 K], добавлен 27.05.2012Выбор варианта построения структурной схемы и его техническое обоснование. Описание принципиальной схемы усилителя низких частот. Расчет выходного и дифференциального, предоконечного каскада. Принципы моделирования в программной среде CircuitMake.
контрольная работа [1,0 M], добавлен 31.01.2016Характеристики интегрального n-канального МДП-транзистора: технологический маршрут, структура, топология. Расчет и корректировка порогового напряжения транзистора с учетом эффектов короткого и узкого канала. Параметры малосигнальной эквивалентной схемы.
курсовая работа [696,8 K], добавлен 25.11.2014Физическая сущность и области практического использования физического эффекта электростатической эмиссии. Модель структуры кристалла, статические характеристики и условное графическое обозначение дрейфового транзистора. Расчет резисторного каскада УНЧ.
контрольная работа [631,7 K], добавлен 30.05.2015Характеристики и параметры разрабатываемого усилителя низких частот. Обзор и анализ устройств аналогичного назначения. Разработка функциональной схемы. Расчет входного, промежуточного, выходного каскада, погрешностей. Схемотехническое моделирование.
курсовая работа [1,5 M], добавлен 10.06.2013Исследование статических характеристик полевого МДП-транзистора с индуцированным каналом и определение его параметров. Снятие передаточной характеристики, семейства выходных характеристик. Определение крутизны транзистора, дифференциального сопротивления.
лабораторная работа [2,6 M], добавлен 21.07.2013Составление эквивалентной схемы усилителя для области средних частот, расчет его параметров. Определение сопротивления резистора, мощности, рассеиваемой им для выбора транзистора. Вычисление полного тока, потребляемого усилителем и к.п.д. усилителя.
контрольная работа [133,5 K], добавлен 04.01.2011Принцип действия npn-транзистора, который усиливает электрические сигналы. Эффекты низких эмиттерных напряжений. Малосигнальные эквивалентные схемы и параметры. Измерение зависимостей базового и коллекторного токов от напряжения на эмиттерном переходе.
курсовая работа [2,7 M], добавлен 12.06.2010