Теоретичні положення і методичні вказівки до виконання лабораторних робіт

Основні параметри і властивості германієвих і кремнієвих діодів та дослідження їх вольт-амперних характеристик. Напівпровідниковий діод як електроперетворюючий напівпровідниковий прилад з дірково-слектронним переходом і двома металевими виводами.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид учебное пособие
Язык украинский
Дата добавления 04.11.2015
Размер файла 698,9 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Магнітні властивості речовин, визначення магнітних характеристик феромагнетиків. Магнітна індукція як силова характеристика магнітного поля, розрахунки магнітних кіл. Опис лабораторної установки, приладів для вимірювання, порядок виконання роботи.

    лабораторная работа [971,1 K], добавлен 13.09.2009

  • Використання вентильних властивостей випрямляючих контактів. Перетворення змінного струму у постійний. Принцип дії кремнієвого і германієвого діодів. Подача на діод зворотної напруги. Концентрація генерованих носіїв заряду. Зворотний струм діода.

    дипломная работа [83,6 K], добавлен 01.12.2012

  • Властивості, характеристики та параметри сучасних електронних приладів. Принципи побудови найпростіших електронних пристроїв. Властивості та способи розрахунку схем. Вольтамперні характеристики напівпровідникових діодів, біполярних та польових транзисторі

    контрольная работа [282,4 K], добавлен 27.04.2011

  • Зонна структура напівпровідників. Електричний струм в напівпровідникових діодах. Зняття вольт-амперної характеристики діодів в пропускному та в запірному напрямах. Електропровідність і концентрація носіїв струму. Відмінність металів від напівпровідників.

    лабораторная работа [100,5 K], добавлен 22.06.2011

  • Історія назви кремнію, його поширення в природі, хімічні та фізичні властивості. Основні властивості діелектрика. Отримання промислового кремнію. Виробництво напівпровідникової техніки. Розрахунок кількості заряду в залежності від площі та густини заряду.

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 13.12.2013

  • Неравновесные электронные процессы в структурах металл-туннельно-прозрачный-окисел-полупроводник. Исследование вольт-амперных характеристик и физических процессов, протекающих в транзисторных структурах с распределенным p-n переходом. Методы их расчета.

    курсовая работа [745,2 K], добавлен 11.12.2015

  • Захист інтегральних напівпровідникових та гібридних мікросхем, основні види та призначення процесу герметизації. Суть корпусної та безкорпусної герметизації, особливості та характеристика методів її виконання, їх порівняльний аналіз, переваги і недоліки.

    курсовая работа [5,5 M], добавлен 09.04.2010

  • Ефекти в напівпровідникових матеріалах, що виникають у магнітному полі. Геометрія зразків і положення контактів. Методи дослідження ефекту Холла. Магніторезистивний ефект. Універсальна установка для вимірювання параметрів напівмагнітних напівпровідників.

    дипломная работа [2,6 M], добавлен 13.05.2012

  • Дослідження характеру залежності струму колектора від напруги на колекторно-емітерному переході і струму бази для вихідних вольт-амперних характеристик транзистора. Використання досліджуваного транзистора 2Т909Б у широкосмугових підсилювачах потужності.

    контрольная работа [1,0 M], добавлен 31.07.2010

  • Фізичні основи будови та принцип дії напівпровідникових приладів. Класифікація та характеристики підсилювальних каскадів. Структурна схема та параметри операційних підсилювачів. Класифікація генеруючих пристроїв. Функціональні вузли цифрової електроніки.

    курсовая работа [845,3 K], добавлен 14.04.2010

  • Актуальність застосування напівпровідникових кристалів в сучасній твердотілій електроніці. Метод Чохральського - технологія вирощування монокристалів з тигля витягуванням із розплаву при повільному обертанні. Кристалографічні властивості сполук.

    курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.06.2014

  • Основні параметри конденсаторів змінної ємності з плоскими пластинами. Параметри котушки електромагнітного апарата при сталому й змінному струмах. Розрахунок трифазного силового трансформатора. Характеристики випрямного діода і біполярного транзистора.

    методичка [2,3 M], добавлен 26.05.2013

  • Тунельний механізм переходу носіїв заряду. Розрахунок параметрів випрямного діода і біполярного транзистора, статичних характеристик польового транзистора з керуючим переходом. Визначення залежності генераційного струму p-n переходу від зворотної напруги.

    курсовая работа [902,9 K], добавлен 23.01.2012

  • Основні властивості й функціональне призначення елементів системи автоматичного керування (САК). Принцип дії та структурна схема САК. Дослідження стійкості початкової САК. Синтез коректувального пристрою методом логарифмічних частотних характеристик.

    контрольная работа [937,5 K], добавлен 19.05.2014

  • Технічна характеристика будови, принципу роботи і сфера застосування діодів – двоелектродного електронного приладу що володіє різною провідністю залежно від напряму струму. Пристрій і характеристика транзисторів і їх активної міжелектродної провідності.

    реферат [420,1 K], добавлен 14.10.2010

  • Розробка топологічних креслень пускового генератора двополярного сигналу в напівпровідниковому та гібридному варіантах з врахування конструктивно-технологічних вимог та обмежень. Побудова комутаційної схеми та розрахунок паразитних зв'язків мікросхеми.

    курсовая работа [1,7 M], добавлен 30.04.2011

  • Сутність і властивості напівпровідників, їх види. Основні недоліки напівпровідникових приладів, їх типи. Характеристика двохелектродної лампи-діода, її принцип роботи. Опис тріода, транзистора. Сфера використання фоторезистора, тетрода, світлодіода.

    презентация [2,5 M], добавлен 06.06.2013

  • Дослідження характеристик та роботи напівпровідникового діоду, біполярного транзистора, напівпровідникового тиристора, фоторезистора, операційного підсилювача, мультивібраторів, логічних інтегральних схем, малопотужних випрямлячів і згладжуючих фільтрів.

    методичка [5,3 M], добавлен 02.12.2010

  • Фізичні властивості електроніки. Електрофізичні властивості напівпровідників. Пасивні елементи електроніки, коливальні контури, їх використання. Кремнієві стабілітрони: будова, принцип дії, галузі використання. Напівпровідникові діоди, схеми з’єднання.

    учебное пособие [7,5 M], добавлен 16.10.2009

  • Основні характеристики, термінологія, види, системи одиниць і методи вимірювання. Класифікація і характеристика вимірювальних приладів. Практичні аспекти при виконанні робіт, зміст та визначення похибки вимірювання, класи точності вимірювальної техніки.

    реферат [234,2 K], добавлен 28.03.2009

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.