Главная Коллекция "Otherreferats" Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника Разработка технологической инструкции на изготовление устройства барьерного автогенератора

Разработка технологической инструкции на изготовление устройства барьерного автогенератора

Исходные данные для изготовления барьерного автогенератора (топологический чертеж, подложка, резисторы, защитный слой). Визуальный контроль под микроскопом на наличие дефектов. Изготовление слоев диэлектрика, технологических перемычек и резисторов.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид курсовая работа
Язык русский
Дата добавления 19.09.2015
Размер файла 133,5 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Страница:

Размещено на http://www.allbest.ru/

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение

Высшего профессионального образования

"СИБИРСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"

Институт инженерной физики и радиоэлектроники

Кафедра "Приборостроение и наноэлектроника"

КУРСОВАЯ РАБОТА

Разработка технологической инструкции на изготовление устройства барьерного автогенератора

Преподаватель Н.Б. Фенькова

Красноярск 2015

Техническое задание

Разработать технологическую инструкции на изготовление барьерного автогенератора.

ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ

Топологический чертеж: РГЗ-21100.62-051100233-ТЧ

Подложка: Ситалл СТ50-1-1

Слой 1: Резисторы 1 гр. (Кермет - 50С, с = 5000 Ом/квадрат)

Слой 2: Нижние обкладки конденсаторов (Cr-Al, А99, с = 0,1 Ом/квадрат)

Слой 3: Диэлектрик (Al2O3, E = 5·106 В/см, C0 = 3·104 пФ/см2)

Слой 4: Резисторы 2 гр. (Хром, с = 100 Ом/квадрат), верхние обкладки конденсаторов (Cr-Al, А99, с = 100 Ом/квадрат)

Слой 5: Защитный слой (ФН-11, d=1 мкм)

Содержание

  • Техническое задание
  • 1. Входной контроль подложек
  • 1.1 Визуальный контроль под микроскопом на наличие дефектов (царапин, сколов, пятен, трещин)
  • 2. Подготовка поверхности подложки
  • 2.1 Очистка подложек
  • 3. Изготовление слоя резисторов i группы
  • 3.1 Общие положения
  • 3.2 Напыление слоя кермет К50-С
  • 3.3 Фотолитография и травление
  • 3.4 Контроль
  • 3.4 Межоперационная очистка
  • 4. Изготовление слоя нижних обкладок конденсаторов
  • 4.1 Напыление слоя Cr-Al
  • 4.2 Фотолитография и травление
  • 4.3 Контроль
  • 4.4 Межоперационная очистка
  • 5. Изготовление слоя диэлектрика
  • 5.1 Изготовление слоя технологических перемычек
  • 5.2 Электрохимическое анодирование Al
  • 5.3 Травление технологических перемычек
  • 5.3 Контроль
  • 5.4 Межоперационная очистка
  • 6. Изготовление слоя резисторов II группы, верхних обкладок конденсаторов, контактных площадок и проводников
  • 6.1 Изготовление слоя Cr (), Al, Ni
  • 6.2 Фотолитография №1, травление №1 (для верхних обкладок конденсаторов, проводников и контактных площадок)
  • 6.3 Фотолитография №2, травление №2 (для слоя резисторов)
  • 6.4 Контроль
  • 6.5 Межоперационная очистка
  • 7. Изготовление защитного слоя
  • 7.1 Поместить пластину на столик центрифуги
  • 8. Контроль параметров плёночных элементов
  • 9. Монтажно-сборочные операции
  • 9.1 Резка пластин на модули
  • 9.2 Установка платы на монтажную площадку корпуса
  • 9.3 Установка навесных элементов
  • 9.4 Монтаж выводов навесных элементов
  • 9.5 Монтаж выводов микросхемы на ножки корпуса
  • 9.6 Проверка работы микросхемы
  • 9.7 Герметизация корпуса
  • 9.8 Маркировка
  • 10. Список используемой литературы

1. Входной контроль подложек

1.1 Визуальный контроль под микроскопом на наличие дефектов (царапин, сколов, пятен, трещин)

При наличии дефектов произвести отбраковку.

Подложки, прошедшие контроль поместить в тару для транспортировки.

Оборудование: Микроскоп МБС-9 ТУ 3-3.201-71.

Инструмент: Пинцет МН 500-60.

Оснастка: Фторопластовая кассета для подложек УЭ 7893-4411, тара для транспортировки и хранения УЭ 7893-4380.

Материалы: Спирт ГОСТ 10157-73, батист ГОСТ 8474-72.

барьерный автогенератор резистор диэлектрик

2. Подготовка поверхности подложки

2.1 Очистка подложек

Промыть пластины в растворе моющего средства, используя ватный тампон.

Промыть проточной дистиллированной водой в течение 1 мин.

Поместить в моющий раствор (насыщенный раствор хромового ангидрида в концентрированной азотной кислоте), выдержать в течение 1 часа, используя магнитную мешалку.

Промыть дистиллированной проточной водой в течение 1 мин.

Поместить подложку в штатив термостата.

Сушить при температуре 120 0С до исчезновения следов влаги.

Извлечь подложку из термостата.

Контролировать одну подложку из партии на смачиваемость.

Поместить в тару для хранения и транспортировки очищенных подложек.

Оборудование: Вытяжной шкаф 2ШНЖ - ТУ 95.7028-73, дистиллятор Д-4, магнитная мешалка msh-300, установка сушки и дубления фоторезиста УСДФ-1 92М2.250.00Ф.

Инструмент: Пинцет МП500-60.

Оснастка: Ванна для отмывки УЭ7893-4380, химическая посуда ГОСТ 9147-73, кассеты для отмывки подложек УЭ 7893-4412, тара для транспортировки и хранения чистых подложек УЭ7893-4412-01, эксикатор 2-250 ГОСТ 6371-73.

Материалы: Вата ГОСТ 10447-75, фильтры бумажные ТУ 609-1678-72, напальчники ГОСТ 1481-69, моющее средство, хромовый ангидрид (CrO3) ГОСТ 3776-68, концентрированная HNO3 ГОСТ 4461-62, дистиллированная вода ГОСТ 6709-72, батист отбельный 1402 1с ГОСТ 8474-72, напальчники ГОСТ 14681-69, перчатки хирургические ГОСТ 3-75.

3. Изготовление слоя резисторов i группы

3.1 Общие положения

При работе с подложками пользоваться напальчниками, которые периодически протираются батистом, смоченным спиртом.

Спирт хранить в закрытой колбе.

Контрольные образцы хранить в бюксе. Перед установкой в вакуумную камеру контрольные образцы протереть батистом, смоченным спиртом.

Резистивный сплав хранить в бюксе.

Испарители до момента установки их в вакуумную камеру хранить в бюксе.

После напыления сплошного слоя сплава РС-3001 производить контроль удельного поверхностного сопротивления напылённых пленок, контроль по внешнему виду на присутствие инородных включений.

Максимальная загрузка резистивного сплава в корпус вибропитателя составляет 5 .

Подложки после операции химической очистки допускается хранить перед напылением резистивного слоя не более 16 часов. Подложки, срок хранения которых превышает 16 часов, должны быть вновь очищены. Не допускается повторную очистку подложку производить более двух раз.

При проведении процесса пользоваться инструкцией по эксплуатации вакуумной установки и используемых приборов.

3.2 Напыление слоя кермет К50-С

Включить вакуумную установку в соответствии с инструкцией по ее эксплуатации.

Подготовить вакуумную камеру к напылению в соответствии с УЭ 25200.00121.

Установить испаритель на позицию напыления.

Засыпать резистивный сплав кермет К50-С в корпус вибропитателя примерно на 2/3 его объема.

Подготовить подложкодержатель и контрольный образец - "Свидетель" к установке в вакуумную камеру в следующем порядке:

а) протереть подложкодержатель батистом, смоченным спиртом и уложить их на столе;

б) достать пинцетом контрольный образец из бюкса и установить его на по подложкодержатель.

Установить и закрепить подложки в подложкодержатель пользуясь пинцетом.

Проверить цепь контрольного образца-свидетеля на отсутствие обрывов и коротких замыканий.

Проверить работу заслонки. Заслонка должна свободно открываться и закрываться.

Определить сопротивление, которое необходимо напылить по формуле , где - удельное поверхностное сопротивление резистивной пленки, n-число квадратов. При напылении резистивных слоев на подложки из ситалла , должно быть меньше заданного по чертежу на 17-22%.

Включить генератор ГЗ-33.

Отпустить колпак. Произвести откачку воздуха из камеры до давления 20-30 делений по термопарному вакуумметру.

Включить нагрев подложек. Установить ток накала нагревателя, обеспечивающий нагрев подложек до температуры 20010°С.

Включить питание испарителя. Установить ток через испаритель 15030А и отжечь испаритель в течение 5 минут.

Установить рабочую частоту вибропитателя 235 Гц по указателю на генератор Г3-33.

Плавно установить напряжение на входе вибропитателя в пределах 30-34В по прибору на генераторе Г3-33.

Открыть заслонку.

Произвести напыление резистивной пленки, контролируя изменение сопротивления свидетеля. В процессе напыления следить, чтобы на испарителе не образовывалась горка резистивного сплава.

Закрыть заслонку и снять напряжение на входе вибропитателя по прибору на генераторе ГЗ-33 при достижении расчетной величины сопротивления "свидетеля" (=5000 Ом/?).

Выключить все источники питания напылительного блока.

Продолжать нагрев подложки в течении 40 минут, затем выключить нагрев, студить подколпачное устройство до Т=80°С (при откачке на высокий вакуум).

Студить подколпачное устройство до T=50°С на подложке, закрыть затвор разгерметизировать колпак.

Поднять колпак, вынуть подложки, уложить их в тару.

Проверить адгезию напыленного слоя.

Измерить удельное поверхностное сопротивление напыленных пленок.

Опустить колпак, откачать воздух из камеры до давления 15-20 делений по термопарному вакуумметру и выключить установку согласно инструкции по ее эксплуатации.

Требования безопасности

1. Установка и приборы, используемые при напылении, должны быть заземлены.

2. Установка, находящаяся под напряжением, должна быть под постоянным наблюдением.

3. Во избежание ожогов соблюдать осторожность при работе с нагретыми частями установки (нагреватель паромасляного насоса, подложки, нагреватель подложек, экраны).

4. При работе на установке пользоваться инструкцией по технике безопасности и промышленной санитарии УЭ0.019.230 и для операторов вакуумных напылительных процессов.

Оборудование: Установка вакуумного напыления УВН-71р-3 УРМ3.279.017, вибропитатель НТО.599.000, генератор сигналов звуковых частот Г3-33.

Инструмент: Плоскогубцы ГОСТ 547-52, отвертки ГОСТ 17199-71, ключи, потенциометр КСМ 2-004, пинцет МН 500-60.

Оснастка: Тара для подложек УЭ 7878-4229, испаритель УЭ 7893-4263, контрольный образец ("свидетель”) УЭ 7893-4263.

Материалы: Спирт этиловый ректификованный высшего сорта ГОСТ 5962-67, батист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-72, резистивный сплав К50-С ЕТО.021.013 ТУ, напальчники ГОСТ 14681-69, перчатки хирургические ГОСТ 3-75.

3.3 Фотолитография и травление

Поместить подложку на столик центрифуги.

Нанести фоторезист, включить вакуумный прижим, включить центрифугу. Скорость вращения центрифуги 2500 об/мин, время вращения - одна минута.

Повторить операцию для всех пластин.

Сушить подложки в термостате в течение 15 мин, при Т = 900С.

Совместить подложку с фотошаблоном №1, экспонировать в течении 1 мин.

Приготовить раствор проявителя: 1% KOH, 99% H2O.

Проявить изображение схемы, поместив подложку в держателе в фарфоровую чашку с раствором проявителя. При непрерывном покачивании чашки следить за проявлением, время проявления 60-120 сек.

Промыть подложку в потоке дистиллированной воды в течение 1 минуты.

Сушить подложку до полного высыхания струей сжатого воздуха пропущенного через фильтр ''Фасто''.

Произвести контроль изображения. Изображение должно быть четким с ровными краями без разрывов.

Поместить пластину в термостат, дубить в течение 5 мин при Т=1200С.

Извлечь подложку из шкафа и охладить в течение 10 мин в темном месте.

Проверить качество фоторезистивного слоя под микроскопом при 25-кратном увеличении. Слой должен быть гладким, равномерным, глянцевым, без пузырей и отслоений.

Произвести травление пленки в травителе (1% HF, 99% H2O).

Затем промыть дистиллированной водой, сушить при комнатной температуре.

Проверка качества, при необходимости повторить операцию для дефектных участков.

Смыть фоторезистивную маску в диоксане, проверить качество удаления маски фоторезиста, при необходимости повторить операцию.

Провести окончательную очистку подложки. Поместить подложку в посуду с этиловым спиртом, кипятить 1 мин, сушить в парах спирта.

Требования безопасности

1. Все работы выполнять в белых халатах шапочках и тапочках.

2. При выполнении данного техпроцесса необходимо выполнять правила по технике безопасности согласно следующим инструкциям:

а) УЭ0.019.111И "Инструкция по технике безопасности и производственной санитарии для лаборатории и микроэлектроники”.

б)"Инструкция по эксплуатации установки проявления фоторезиста ПФ”.

в)"Инструкция по эксплуатации установки нанесения фоторезиста ПНФ”.

3. Диоксан - бесцветная прозрачная жидкость со слабым приятным запахом. Ядовит. Легко воспламеняется. С водой и органическими растворителями смешивается во всех соотношениях. Проникает в организм человека через дыхательные пути и кожу.

Меры предосторожности

1. Работать только в перчатках и напальчниках.

2. Проверять исправность приточно-вытяжной вентиляции.

3. Все работы с диоксаном производить в вытяжном шкафу.

Оборудование: Микроскоп тип МБС-1 ТУ3-3.201-71, установка нанесения фоторезиста ПНФ-1, установка сушки и дубления фоторезиста УСДФ-192М2.250.00Ф, шкаф вытяжной 2ШНЖТУ 95.7028-73, весы лабораторные квадратные модели ВЛК-500гТУ 25-06-1101-72, установка совмещения и экспонирования ЭМ-526Я2М2.252.05 ФО, дистиллятор Д-4.

Инструмент: Термометр ртутный стеклянный до 1500С ГОСТ 9871-75, секундомер ГОСТ 5072-72, пинцет МН 500-60.

Оснастка: Фильтр "Факто" УЭ 7887-4165, кассета для подложек УЭ 7893-4411, фторопластовая ванна для травления УЭ 5682-4694.

Материалы: Фоторезист ФН-11 ТУ 6-14-631-71, спирт этиловый ректификованный 1 сорт, диоксан сцинтилляционный ГОСТ 10455-75, батист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-64, вода дистиллированная ГОСТ 6709-72, плавиковая кислота ГОСТ 10484-73, перчатки хирургические ГОСТ 3-75, напальчники резиновые ГОСТ 14681-69, калий едкий чешуированный ТУ 6-18-5О-86.

3.4 Контроль

Контролировать качество полученной структуры под микроскопом МБС-1.

Отбраковывать подложки с дефектами.

Оборудование: Микроскоп МБС-1.

Инструмент: Пинцет МН500-60, эксикатор 2-250 ГОСТ 6371-73.

Материалы: Спирт этиловый ГОСТ 10157-73.

3.4 Межоперационная очистка

Поместить подложку в посуду с этиловым спиртом, кипятить в течение 5 мин.

Сушить подложку в парах спирта в течении 2-3 мин.

Поместить подложку в тару для хранения и транспортирования.

Оборудование: Электрическая плитка ЭПК-7А ГОСТ 306-69,

Инструмент: Пинцет МН500-60.

Оснастка: Кассета для подложек УЭ 7893-4411, эксикатор 2-250 ГОСТ 6371-73, тара для хранения и транспортирования УЭ 78934412-01, ванна для отмывки УЭ 7893-4380.

Материалы: Спирт этиловый ГОСТ 10157-73, батист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-64, напальчники резиновые ГОСТ 14681-69.

4. Изготовление слоя нижних обкладок конденсаторов

4.1 Напыление слоя Cr-Al

Включить вакуумную установку в соответствии с инструкцией по ее эксплуатации.

Подготовить вакуумную камеру к напылению в соответствии с УЭ.25200.00121.

Установить испарители на позицию напыления:

для первого слоя (хром) - испаритель из молибденовой ленты;

для второго слоя (алюминий) - испаритель из 6-и вольфрамовых проволок.

Проверить работу заслонки. Заслонка должна свободно открываться и закрываться.

Определить сопротивление, которое необходимо напылить по формуле , где - удельное поверхностное сопротивление резистивной пленки, n-число квадратов.

Опустить колпак.

Откачать рабочую камеру до давления 510-5 мм. рт. ст. согласно инструкции по эксплуатации.

Произвести отжиг испарителей.

Студить рабочую камеру в течение 1 часа при открытом затворе.

Закрыть затвор, разгерметизировать, поднять колпак.

Поместить на первый испаритель хром, на второй алюминий.

Подготовить подложкодержатель и контрольный образец - "Свидетель" к установке в вакуумную камеру в следующем порядке:

а) протереть подложкодержатель батистом, смоченным спиртом и уложить их на столе;

б) достать пинцетом контрольный образец из бюкса и установить его на подложкодержатель.

Установить и закрепить подложки в подложкодержатель пользуясь пинцетом.

Проверить цепь контрольного образца - "Свидетеля" на отсутствие обрывов и коротких замыканий.

Опустить колпак. Произвести откачку воздуха из камеры до давления 20-30 делений по термопарному вакуумметру.

Включить нагрев подложек. Установить ток накала нагревателя, обеспечивающий нагрев подложек до температуры 200100С.

Подать ток на молибденовый испаритель, наблюдать через смотровое окно и в момент, когда хром раскалится до бела открыть заслонку, толщину слоя нихром отслеживаем по свидетелю при достижении требуемого сопротивления закрыть заслонку.

Передвинуть карусель с испарителем на следующую позицию.

Подать на вольфрамовый испаритель ток, открыть заслонку, напылять алюминий в течение 1 минуты, закрыть заслонку.

Выключить все источники питания напылительного блока.

Продолжать нагрев подложки в течении 10 мин., затем выключить нагрев, студить подколпачное устройство до Т=80°С (при откачке на высокий вакуум).

Студить подколпачное устройство до Т=50°С на подложке, закрыть затвор, разгерметизировать колпак.

Поднять колпак, вынуть подложку, поместить ее в специальную тару.

Проверить адгезию напыленного слоя.

Измерить удельное поверхностное сопротивление напыленных пленок.

Опустить колпак, откачать воздух из камеры до давления 15-20 делений по термопарному вакуумметру и выключить установку согласно инструкции по ее эксплуатации.

Требования безопасности

1. Установка и приборы, используемые при напылении, должны быть заземлены.

2. Установка находящаяся под напряжением должна быть под постоянным наблюдением.

3. Во избежание ожогов соблюдать осторожность при работе с нагретыми частями установки (нагреватель паромасляного насоса, подложки, нагреватель подложек, экраны).

4. При работе на установке пользоваться инструкцией по технике безопасности и промышленной санитарии УЭ0.019.230 и для операторов вакуумных напылительных процессов.

Оборудование: Установка вакуумного напыления УВН-71р-3 УРМ3.279.017, вибропитатель НТО.599.000, генератор сигналов звуковых частот Г3-33, омметр В7-15 ГОСТ 4235-80.

Инструмент: Пинцет МН 500-60, плоскогубцы ГОСТ 547-52, отвертки ГОСТ 17199-71, ключи, потенциометр КСМ 2-004.

Оснастка: Тара для подложек УЭ 7878-4229, испаритель УЭ 7893-4263, контрольный образец ("свидетель”) УЭ 7893-4263.

Материалы: Спирт этиловый ректификованный высшего сорта ГОСТ 5962-67, батист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-72, хром ГОСТ 12766-67, алюминий ГОСТ 11069-84, напальчники ГОСТ 14681-69, перчатки хирургические ГОСТ 3-75.

4.2 Фотолитография и травление

Поместить подложку на столик центрифуги.

Нанести фоторезист, включить вакуумный прижим, включить центрифугу. Скорость вращения центрифуги 2500 об/мин, время вращения - 1 минута.

Повторить операцию для всех пластин.

Сушить подложки в термостате в течение 15 минут при.

Совместить подложку с фотошаблоном №2, экспонировать в течение 1 минуты.

Приготовить раствор проявителя: 1% KOH, 99% H2O.

Проявить изображение схемы, поместив подложку в держателе в фарфоровую чашку с раствором проявления.

Промыть подложку в потоке дистиллированной воды в течение 1 минуты.

Сушить подложку до полного высыхания струей сжатого воздуха, пропущенного через фильтр "Фасто".

Произвести контроль изображения. Изображение должно быть четким с ровными краями, без разрывов.

Поместить пластину в термостат, дубить в течение 5 минут при.

Извлечь подложку из шкафа и охладить в течение 10 минут в темном месте.

Проверить качество фоторезистивного слоя под микроскопом при 25-кратном увеличении. Слой должен быть гладким, равномерным, глянцевым, без пузырей и отслоений.

Произвести травление алюминия в растворе (6: 4).

Промыть проточной дистиллированной водой в течение 1 минуты.

Проконтролировать качество травления визуально под микроскопом.

Произвести травление хрома в растворе концентрированной соляной кислоты с присадкой Al.

Промыть проточной дистиллированной водой.

Проконтролировать качество проявление визуально под микроскопом.

Удалить фоторезистивную маску в диоксане.

Промыть дистиллированной водой в течение 1 минуты.

Контролировать качество удаления фоторезиста визуально под микроскопом.

При необходимости повторить операцию удаления фоторезиста.

Провести окончательную очистку подложки. Поместить подложку в посуду с этиловым спиртом, кипятить 1 минуту, сушить в парах спирта.

Поместить подложки в тару для хранения и транспортировки.

Требования безопасности

1. Все работы выполнять в белых халатах шапочках и тапочках.

2. При выполнении данного техпроцесса необходимо выполнять правила по технике безопасности согласно следующим инструкциям:

а) УЭ0.019.111И "Инструкция по технике безопасности и производственной санитарии для лаборатории и микроэлектроники”.

б)"Инструкция по эксплуатации установки проявления фоторезиста ПФ”.

в)"Инструкция по эксплуатации установки нанесения фоторезиста ПНФ”.

3. Диоксан - бесцветная прозрачная жидкость со слабым приятным запахом. Ядовит. Легко воспламеняется. С водой и органическими растворителями смешивается во всех соотношениях. Проникает в организм человека через дыхательные пути и кожу.

Меры предосторожности

1. Работать только в перчатках и напальчниках.

2. Проверять исправность приточно-вытяжной вентиляции.

3. Все работы с диоксаном производить в вытяжном шкафу.

Оборудование: Микроскоп тип МБС-1 ТУ3-3.201-71, установка нанесения фоторезиста ПНФ-1, установка сушки и дубления фоторезиста УСДФ-192М2.250.00Ф, шкаф вытяжной 2ШНЖТУ 95.7028-73, весы лабораторные квадратные модели ВЛК-500гТУ 25-06-1101-72, установка совмещения и экспонирования ЭМ-526Я2М2.252.05 ФО, дистиллятор Д-4.

Инструмент: Термометр ртутный стеклянный до 1500С ГОСТ 9871-75, секундомер ГОСТ 5072-72, пинцет МН 500-60.

Оснастка: Фильтр "Факто" УЭ 7887-4165, кассета для подложек УЭ 7893-4411, фторопластовая ванна для травления УЭ 5682-4694.

Материалы: Фоторезист ФН-11 ТУ 6-14-631-71, спирт этиловый ректификованный 1 сорт, диоксан сцинтилляционный ГОСТ 10455-75, батист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-64, вода дистиллированная ГОСТ 6709-72, плавиковая кислота ГОСТ 10484-73, перчатки хирургические ГОСТ 3-75, напальчники резиновые ГОСТ 14681-69, калий едкий чешуированный ТУ 6-18-5О-86, кислота ортофосфорная ГОСТ 6552-80.

4.3 Контроль

Контролировать качество полученной структуры под микроскопом МБС-1.

Отбраковывать подложки с дефектами.

Оборудование: Микроскоп МБС-1.

Инструмент: Пинцет МН500-60, эксикатор 2-250 ГОСТ 6371-73.

Материалы: Спирт этиловый ГОСТ 10157-73.

4.4 Межоперационная очистка

Поместить подложку в посуду с этиловым спиртом, кипятить в течение 5 мин.

Сушить подложку в парах спирта в течении 2-3 мин.

Поместить подложку в тару для хранения и транспортирования.

Оборудование: Электрическая плитка ЭПК-7А ГОСТ 306-69,

Инструмент: Пинцет МН500-60.

Оснастка: Кассета для подложек УЭ 7893-4411, эксикатор 2-250 ГОСТ 6371-73, тара для хранения и транспортирования УЭ 78934412-01, ванна для отмывки УЭ 7893-4380.

Материалы: Спирт этиловый ГОСТ 10157-73, батист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-64, напальчники резиновые ГОСТ 14681-69.

5. Изготовление слоя диэлектрика

5.1 Изготовление слоя технологических перемычек

Напыление слоя Cr-Cu

Включить вакуумную установку в соответствии с инструкцией по ее эксплуатации.

Подготовить вакуумную камеру к напылению в соответствии с УЭ.25200.00121.

Установить испарители на позицию напыления:

для первого слоя (хром) - испаритель из молибденовой ленты;

для второго слоя (медь) - испаритель из 6-и вольфрамовых проволок.

Проверить работу заслонки. Заслонка должна свободно открываться и закрываться.

Опустить колпак.

Откачать рабочую камеру до давления 510-5 мм. рт. ст. согласно инструкции по эксплуатации.

Произвести отжиг испарителей.

Студить рабочую камеру в течение 1 часа при открытом затворе.

Закрыть затвор, разгерметизировать, поднять колпак.

Поместить на первый испаритель хром, на второй медь.

Подготовить подложкодержатель и контрольный образец - "Свидетель" к установке в вакуумную камеру в следующем порядке:

а) протереть подложкодержатель батистом, смоченным спиртом и уложить их на столе;

б) достать пинцетом контрольный образец из бюкса и установить его на подложкодержатель.

Установить и закрепить подложки в подложкодержатель пользуясь пинцетом.

Проверить цепь контрольного образца - "Свидетеля" на отсутствие обрывов и коротких замыканий.

Опустить колпак. Произвести откачку воздуха из камеры до давления 20-30 делений по термопарному вакуумметру.

Включить нагрев подложек. Установить ток накала нагревателя, обеспечивающий нагрев подложек до температуры 200100С.

Подать ток на молибденовый испаритель, наблюдать через смотровое окно и в момент, когда хром раскалится до бела открыть заслонку, толщину слоя отслеживаем по свидетелю при достижении требуемого сопротивления закрыть заслонку.

Передвинуть карусель с испарителем на следующую позицию.

Подать на вольфрамовый испаритель ток, открыть заслонку, напылять медь в течение 1 минуты, закрыть заслонку.

Выключить все источники питания напылительного блока.

Продолжать нагрев подложки в течении 10 мин., затем выключить нагрев, студить подколпачное устройство до Т=80°С (при откачке на высокий вакуум).

Студить подколпачное устройство до Т=50°С на подложке, закрыть затвор, разгерметизировать колпак.

Поднять колпак, вынуть подложку, поместить ее в специальную тару.

Проверить адгезию напыленного слоя.

Измерить удельное поверхностное сопротивление напыленных пленок.

Опустить колпак, откачать воздух из камеры до давления 15-20 делений по термопарному вакуумметру и выключить установку согласно инструкции по ее эксплуатации.

Требования безопасности

1. Установка и приборы, используемые при напылении, должны быть заземлены.

2. Установка находящаяся под напряжением должна быть под постоянным наблюдением.

3. Во избежание ожогов соблюдать осторожность при работе с нагретыми частями установки (нагреватель паромасляного насоса, подложки, нагреватель подложек, экраны).

4. При работе на установке пользоваться инструкцией по технике безопасности и промышленной санитарии УЭ0.019.230 и для операторов вакуумных напылительных процессов.

Оборудование: Установка вакуумного напыления УВН-71р-3 УРМ3.279.017, вибропитатель НТО.599.000, генератор сигналов звуковых частот Г3-33, омметр В7-15 ГОСТ 4235-80.

Инструмент: Пинцет МН 500-60, плоскогубцы ГОСТ 547-52, отвертки ГОСТ 17199-71, ключи, потенциометр КСМ 2-004.

Оснастка: Тара для подложек УЭ 7878-4229, испаритель УЭ 7893-4263, контрольный образец ("свидетель”) УЭ 7893-4263.

Материалы: Спирт этиловый ректификованный высшего сорта ГОСТ 5962-67, батист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-72, хром ГОСТ 12766-67, медь ГОСТ 3547-68, напальчники ГОСТ 14681-69, перчатки хирургические ГОСТ 3-75.

Фотолитография и травление

Поместить подложку на столик центрифуги.

Нанести фоторезист, включить вакуумный прижим, включить центрифугу. Скорость вращения центрифуги 2500 об/мин, время вращения - 1 минута.

Повторить операцию для всех пластин.

Сушить подложки в термостате в течение 15 минут при.

Совместить подложку с фотошаблоном №3, экспонировать в течение 1 минуты.

Приготовить раствор проявителя: 1% KOH, 99% H2O.

Проявить изображение схемы, поместив подложку в держателе в фарфоровую чашку с раствором проявления.

Промыть подложку в потоке дистиллированной воды в течение 1 минуты.

Сушить подложку до полного высыхания струей сжатого воздуха, пропущенного через фильтр "Фасто".

Произвести контроль изображения. Изображение должно быть четким с ровными краями, без разрывов.

Поместить пластину в термостат, дубить в течение 5 минут при.

Извлечь подложку из шкафа и охладить в течение 10 минут в темном месте.

Проверить качество фоторезистивного слоя под микроскопом при 25-кратном увеличении. Слой должен быть гладким, равномерным, глянцевым, без пузырей и отслоений.

Произвести травление меди в растворе (состав: хромовый ангидрид - 450 г; серная кислота 160 мл; дистиллированная вода - 450 мл).

Промыть проточной дистиллированной водой в течение 1 минуты.

Проконтролировать качество травления визуально под микроскопом.

Произвести травление хрома в растворе концентрированной соляной кислоты с присадкой Al.

Промыть проточной дистиллированной водой.

Проконтролировать качество проявление визуально под микроскопом.

Удалить фоторезистивную маску в диоксане.

Промыть дистиллированной водой в течение 1 минуты.

Контролировать качество удаления фоторезиста визуально под микроскопом.

При необходимости повторить операцию удаления фоторезиста.

Провести окончательную очистку подложки. Поместить подложку в посуду с этиловым спиртом, кипятить 1 минуту, сушить в парах спирта.

Поместить подложки в тару для хранения и транспортировки.

Требования безопасности

1. Все работы выполнять в белых халатах шапочках и тапочках.

2. При выполнении данного техпроцесса необходимо выполнять правила по технике безопасности согласно следующим инструкциям:

а) УЭ0.019.111И "Инструкция по технике безопасности и производственной санитарии для лаборатории и микроэлектроники”.

б)"Инструкция по эксплуатации установки проявления фоторезиста ПФ”.

в)"Инструкция по эксплуатации установки нанесения фоторезиста ПНФ”.

3. Диоксан - бесцветная прозрачная жидкость со слабым приятным запахом. Ядовит. Легко воспламеняется. С водой и органическими растворителями смешивается во всех соотношениях. Проникает в организм человека через дыхательные пути и кожу.

Меры предосторожности

1. Работать только в перчатках и напальчниках.

2. Проверять исправность приточно-вытяжной вентиляции.

3. Все работы с диоксаном производить в вытяжном шкафу.

Оборудование: Микроскоп тип МБС-1 ТУ3-3.201-71, установка нанесения фоторезиста ПНФ-1, установка сушки и дубления фоторезиста УСДФ-192М2.250.00Ф, шкаф вытяжной 2ШНЖТУ 95.7028-73, весы лабораторные квадратные модели ВЛК-500гТУ 25-06-1101-72, установка совмещения и экспонирования ЭМ-526Я2М2.252.05 ФО, дистиллятор Д-4.

Инструмент: Термометр ртутный стеклянный до 1500С ГОСТ 9871-75, секундомер ГОСТ 5072-72, пинцет МН 500-60.

Оснастка: Фильтр "Факто" УЭ 7887-4165, кассета для подложек УЭ 7893-4411, фторопластовая ванна для травления УЭ 5682-4694.

Материалы: Фоторезист ФН-11 ТУ 6-14-631-71, спирт этиловый ректификованный 1 сорт, диоксан сцинтилляционный ГОСТ 10455-75, батист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-64, вода дистиллированная ГОСТ 6709-72, плавиковая кислота ГОСТ 10484-73, перчатки хирургические ГОСТ 3-75, напальчники резиновые ГОСТ 14681-69, калий едкий чешуированный ТУ 6-18-5О-86, кислота соляная ГОСТ 3118-77, хромовый ангидрид (CrO3) ГОСТ 3776-68, кислота серная ГОСТ 2184-77.

Контроль

Контролировать качество полученной структуры под микроскопом МБС-1.

Отбраковывать подложки с дефектами.

Оборудование: Микроскоп МБС-1.

Инструмент: Пинцет МН500-60, эксикатор 2-250 ГОСТ 6371-73.

Материалы: Спирт этиловый ГОСТ 10157-73.

Оборудование: Электрическая плитка ЭПК-7А ГОСТ 306-69,Инструмент: Пинцет МН500-60.

Оснастка: Кассета для подложек УЭ 7893-4411, эксикатор 2-250 ГОСТ 6371-73, тара для хранения и транспортирования УЭ 78934412-01, ванна для отмывки УЭ 7893-4380.

Материалы: Спирт этиловый ГОСТ 10157-73, батист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-64, напальчники резиновые ГОСТ 14681-69.

5.2 Электрохимическое анодирование Al

Подложку поместить в ванну с электролитом (состав: 100 гр. сульфосалициловой кислоты C7H6O6S·2H2O, 10 гр. борной кислоты H3BO3, 0,1 гр. уксусной кислоты CH3COOH, 40 гр. этилового спирта, 10 гр. малоновой кислоты HOOCCH2COOH в расчете на литр дистиллированной воды).

На зажимы подать напряжение необходимое для окисления алюминия (плотность тока на одну подложку 1 А/дм2, температура электролита 20-40°С).

Окислять подложку на глубину 0,1 мкм.

Выключить напряжение.

Подложку промыть дистиллированной водой.

Сушить подложку центрифугированием.

Проверить качество слоя диэлектрика визуально под микроскопом и отбраковать некачественные подложки.

Поместить подложку в специальную тару.

Требования безопасности

1. Все работы выполнять в белых халатах шапочках и тапочках.

2. При выполнении данного техпроцесса необходимо выполнять правила по технике безопасности согласно УЭ0.019.111И "Инструкция по технике безопасности и производственной санитарии для лаборатории и микроэлектроники”.

Меры предосторожности

1. Работать только в перчатках и напальчниках.

2. Проверять исправность приточно-вытяжной вентиляции.

Оборудование: Микроскоп тип МБС-1 ТУ3-3.201-71, шкаф вытяжной 2ШНЖТУ 95.7028-73, весы лабораторные квадратные модели ВЛК-500гТУ 25-06-1101-72, ванна электролитическая КВУ-19, блок питания GPR-3520HD.

Инструмент: Термометр ртутный стеклянный до 1500С ГОСТ 9871-75, секундомер ГОСТ 5072-72, пинцет МН 500-60.

Оснастка: Фильтр "Факто" УЭ 7887-4165, кассета для подложек УЭ 7893-4411, ванна для отмывки УЭ 7893-4380.

Материалы: Спирт этиловый ректификованный 1 сорт, сульфосалициловая кислота ГОСТ 4478-78, кислота борная ГОСТ 18704-78, кислота уксусная ГОСТ 19814-74, малоновая кислота ТУ 6-09-2608-77, перчатки хирургические ГОСТ 3-75, напальчники резиновые ГОСТ 14681-69.

5.3 Травление технологических перемычек

Погрузить подложку в раствор с травителем (состав: хромовый ангидрид - 450 г; серная кислота 160 мл; дистиллированная вода - 450 мл).

Произвести травление меди в растворе.

Вынуть подложку из раствора, промыть дистиллированной водой.

Контролировать качество травления визуально под микроскопом МБС-9, при необходимости произвести повторное травление.

Погрузить подложку в посуду с травителем (состав: соляная кислота HCl, дистиллированная вода, соотношение 1: 1, с присадкой алюминия)

Произвести травление хрома в растворе.

Вынуть подложку из раствора, промыть дистиллированной водой.

Контролировать качество травления визуально под микроскопом МБС-9, при необходимости произвести повторное травление.

Промыть подложку дистиллированной водой.

Сушить подложку центрифугированием.

Поместить подложку в тару для транспортировки и хранения.

Требования безопасности

1. Все работы выполнять в белых халатах шапочках и тапочках.

2. При выполнении данного техпроцесса необходимо выполнять правила по технике безопасности согласно УЭ0.019.111И "Инструкция по технике безопасности и производственной санитарии для лаборатории и микроэлектроники”.

Меры предосторожности

1. Работать только в перчатках и напальчниках.

2. Проверять исправность приточно-вытяжной вентиляции.

Оборудование: Микроскоп тип МБС-1 ТУ3-3.201-71, шкаф вытяжной 2ШНЖТУ 95.7028-73, весы лабораторные квадратные модели ВЛК-500гТУ 25-06-1101-72, центрифуга, дистиллятор Д-4.

Инструмент: Термометр ртутный стеклянный до 1500С ГОСТ 9871-75, секундомер ГОСТ 5072-72, пинцет МН 500-60.

Оснастка: Фильтр "Факто" УЭ 7887-4165, кассета для подложек УЭ 7893-4411, ванна для отмывки УЭ 7893-4380.

Материалы: Спирт этиловый ректификованный 1 сорт, соляная кислота ТУ 6-01-04689381-85-92, батист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-64, вода дистиллированная ГОСТ 6709-72, алюминий ГОСТ 11069-84, перчатки хирургические ГОСТ 3-75, напальчники резиновые ГОСТ 14681-69, хромовый ангидрид (CrO3) ГОСТ 3776-68, кислота серная ГОСТ 2184-77.

5.3 Контроль

Контролировать качество полученной структуры под микроскопом МБС-1.

Отбраковывать подложки с дефектами.

Оборудование: Микроскоп МБС-1.

Инструмент: Пинцет МН500-60, эксикатор 2-250 ГОСТ 6371-73.

Материалы: Спирт этиловый ГОСТ 10157-73.

5.4 Межоперационная очистка

Поместить подложку в посуду с этиловым спиртом, кипятить в течение 5 мин.

Сушить подложку в парах спирта в течении 2-3 мин.

Поместить подложку в тару для хранения и транспортирования.

Оборудование: Электрическая плитка ЭПК-7А ГОСТ 306-69,

Инструмент: Пинцет МН500-60.

Оснастка: Кассета для подложек УЭ 7893-4411, эксикатор 2-250 ГОСТ 6371-73, тара для хранения и транспортирования УЭ 78934412-01, ванна для отмывки УЭ 7893-4380.

Материалы: Спирт этиловый ГОСТ 10157-73, батист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-64, напальчники резиновые ГОСТ 14681-69.

6. Изготовление слоя резисторов II группы, верхних обкладок конденсаторов, контактных площадок и проводников

6.1 Изготовление слоя Cr (), Al, Ni

Включить вакуумную установку в соответствии с инструкцией ее эксплуатации.

Подготовить вакуумную камеру к напылению в соответствии УЭ.25200.000121.

Установить испаритель на место.

Для первого слоя (Cr) - испаритель из молибденовой ленты.

Для второго слоя (Al) - испаритель из шести вольфрамовых проволок.

Для третьего слоя (Ni) - испаритель из четырех вольфрамовых проволок.

Протереть подложкодержатель батистом, смоченным спиртом и уложить их на столе.

Проверить работу заслонки. Заслонка должна свободно открываться и закрываться.

Опустить колпак.

Откачать рабочую камеру до давления мм. рт. ст. согласно инструкции по эксплуатации.

Произвести отжиг испарителей при максимальном токе в течение 1 минуты.

Закрыть затвор и остудить до , затем разгерметизировать и поднять колпак.

Поместить на первый испаритель Cr, на второй - Al, на третий - Ni.

Установить подложкодержатель в вакуумную камеру.

Установить и закрепить подложки в подложкодержатель, пользуясь пинцетом.

Установить свидетель по месту крепления.

Установить датчик температуры на подложкодержатель.

Опустить колпак.

Откачать рабочую камеру до давления мм. рт. ст., включить кварцевый нагреватель, нагреть подложки до и подготовить к напылению согласно инструкции по эксплуатации.

Подать на молибденовый испаритель ток, открыть заслонку, напылять Cr по свидетелю , закрыть заслонку.

Передвинуть карусель с испарителем на следующую позицию.

Подать на вольфрамовый испаритель ток, открыть заслонку, напылять Al в течение 1 минуты, закрыть заслонку.

Перевести карусель с испарителем на следующую позицию, т.к. Ni пылится взрывом, заслонку открыть заранее.

Выключить все источники питания напылительного блока.

Продолжить нагрев подложки в течение 10 минут, затем выключить нагрев, остудить подколпачное устройство до (при откачке на высокий вакуум).

Остудить подколпачное устройство до на подложке, закрыть затвор, разгерметизировать колпак.

Вынуть подложку, поместить ее в специальную тару.

Опустить колпак, откачать воздух из камеры до давления 15-20 делений по термопарному вакуумметру и выключить установку согласно инструкции по ее эксплуатации.

Требования безопасности

1. Установка и приборы, используемые при напылении, должны быть заземлены.

2. Установка находящаяся под напряжением должна быть под постоянным наблюдением.

3. Во избежание ожогов соблюдать осторожность при работе с нагретыми частями установки (нагреватель паромасляного насоса, подложки, нагреватель подложек, экраны).

4. При работе на установке пользоваться инструкцией по технике безопасности и промышленной санитарии УЭ0.019.230 и для операторов вакуумных напылительных процессов.

Оборудование: Установка вакуумного напыления УВН-71р-3 УРМЗ.279.017, микроскоп МБС-9 ТУ 3-3.201-71.

Инструмент: Пинцет МН500-60.

Оснастка: Тара для хранения и транспортировки УЭ7893-4411.

Материалы: Спирт этиловый ГОСТ 5962-67, перчатки резиновые ГОСТ 3-75, батист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-72, хром ГОСТ 2238-58, алюминий ГОСТ 11069-58, никель ГОСТ 2238-58.

6.2 Фотолитография №1, травление №1 (для верхних обкладок конденсаторов, проводников и контактных площадок)

Поместить подложку на столик центрифуги;

Нанести фоторезист ФН-11, включить вакуумный прижим, включить центрифугу. Скорость вращения центрифуги 2500 об/мин, время вращения - 1 минута;

Повторить операцию для всех пластин;

Сушить подложки в термостате в течение 15 мин, при Т = 90°С;

Совместить подложку с фотошаблоном №4, экспонировать в течении 1 мин;

Приготовить раствор проявителя: 1% KOH, 99% H2O.

Проявить изображение схемы, поместив подложку в держателе в фарфоровую чашку с раствором проявителя. При непрерывном покачивании чашки следить за проявлением, время проявления 60-120 сек;

Промыть подложку в потоке дистиллированной воды в течение 1 минуты;

Сушить подложку до полного высыхания струей сжатого воздуха, пропущенного через фильтр "Фасто";

Произвести контроль изображения. Изображение должно быть четким с ровными краями, без разрывов;

Поместить пластину в термостат, дубить в течение 5 минут при 120°С.

Извлечь подложку из шкафа и охладить в течение 10 мин в темном месте;

Проверить качество фоторезистивного слоя под микроскопом при 25-кратном увеличении. Слой должен быть гладким, равномерным, глянцевым, без пузырей и отслоений;

Произвести травление никеля (Ni) в растворе: НNО3: Н2О (1:

1);

Промыть проточной дистиллированной водой;

Проконтролировать качество травления визуально под микроскопом;

Произвести травление алюминия (Al) в растворе: Н3РО4: Н2О (6: 4);

Промыть проточной дистиллированной водой;

Произвести травление хрома (Cr) в растворе: НС1 с присадкой Al;

Промыть проточной дистиллированной водой;

Проконтролировать качество травления визуально под микроскопом. В случае необходимости повторить предыдущие два пункта;

Удалить фоторезистивную маску в диоксане;

Промыть дистиллированной водой в течение 1 мин;

Контролировать качество удаления фоторезиста визуально под микроскопом;

При необходимости повторить операцию удаления фоторезиста;

6.3 Фотолитография №2, травление №2 (для слоя резисторов)

Поместить подложку на столик центрифуги;

Нанести фоторизист, включить вакуумный прижим, включить центрифугу. Скорость вращения центрифуги 2500 об/мин, время вращения - 1 минута;

Повторить операцию для всех пластин;

Сушить подложки в термостате в течение 15 мин, при Т = 90°С;

Совместить подложку с фотошаблоном №5, экспонировать в течении 1 мин;

Приготовить раствор проявителя: 1% KOH, 99% H2O.

Проявить изображение схемы, поместив подложку в держателе в фарфоровую чашку с раствором проявителя. При непрерывном покачивании чашки следить за проявлением, время проявления 60-120 сек;

Промыть подложку в потоке дистиллированной воды в течение 1 минуты;

Сушить подложку до полного высыхания струей сжатого воздуха, пропущенного через фильтр "Фасто";

Произвести контроль изображения. Изображение должно быть четким с ровными краями, без разрывов;

Поместить пластину в термостат, дубить в течение 5 минут при 120°С.

Извлечь подложку из шкафа и охладить в течение 10 мин в темном месте;

Проверить качество фоторезистивного слоя под микроскопом при 25-кратном увеличении. Слой должен быть гладким, равномерным, глянцевым, без пузырей и отслоений;

Произвести травление никеля (Ni) в растворе: НNО3: Н2О (1:

1);

Промыть проточной дистиллированной водой;

Проконтролировать качество травления визуально под микроскопом;

Произвести травление алюминия (Al) в растворе: Н3РО4: Н2О (6: 4);

Промыть проточной дистиллированной водой;

Проконтролировать качество травления визуально под микроскопом. В случае необходимости повторить предыдущие два пункта;

Удалить фоторезистивную маску в диоксане;

Промыть дистиллированной водой в течение 1 мин;

Контролировать качество удаления фоторезиста визуально под микроскопом;

При необходимости повторить операцию удаления фоторезиста;

Провести окончательную очистку подложки. Поместить подложку в посуду с этиловым спиртом, кипятить 1 мин, сушить в парах спирта.

Поместить подложки в тару для хранения и транспортировки.

Требования безопасности

1. Все работы выполнять в белых халатах шапочках и тапочках.

2. При выполнении данного техпроцесса необходимо выполнять правила по технике безопасности согласно следующим инструкциям:

а) УЭ0.019.111И "Инструкция по технике безопасности и производственной санитарии для лаборатории и микроэлектроники”.

б)"Инструкция по эксплуатации установки проявления фоторезиста ПФ”.

в)"Инструкция по эксплуатации установки нанесения фоторезиста ПНФ”.

3. Диоксан - бесцветная прозрачная жидкость со слабым приятным запахом. Ядовит. Легко воспламеняется. С водой и органическими растворителями смешивается во всех соотношениях. Проникает в организм человека через дыхательные пути и кожу.

Меры предосторожности

1. Работать только в перчатках и напальчниках.

2. Проверять исправность приточно-вытяжной вентиляции.

3. Все работы с диоксаном производить в вытяжном шкафу.

Оборудование: Микроскоп тип МБС-1 ТУ3-3.201-71, установка нанесения фоторезиста ПНФ-1, установка сушки и дубления фоторезиста УСДФ-192М2.250.00Ф, шкаф вытяжной 2ШНЖТУ 95.7028-73, весы лабораторные квадратные модели ВЛК-500гТУ 25-06-1101-72, установка совмещения и экспонирования ЭМ-526Я2М2.252.05 ФО, дистиллятор Д-4.

Инструмент: Термометр ртутный стеклянный до 1500С ГОСТ 9871-75, секундомер ГОСТ 5072-72, пинцет МН 500-60, перчатки хирургические ГОСТ 3-75, напальчники резиновые ГОСТ 14681-69.

Оснастка: Фильтр "Факто" УЭ 7887-4165, кассета для подложек УЭ 7893-4411, фторопластовая ванна для травления УЭ 5682-4694.

Материалы: Фоторезист ФН-11 ТУ 6-14-631-71, спирт этиловый ректификованный 1 сорт, диоксан сцинтилляционный ГОСТ 10455-75, батист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-64, вода дистиллированная ГОСТ 6709-72, натрий фосфорнокислый трехзамещенный ГОСТ 9337-74, плавиковая кислота ГОСТ 10484-73, азотная кислота ГОСТ 5962-67, фосфорная кислота, алюминий для присадки ГОСТ 11069-58.

6.4 Контроль

Контролировать качество полученной структуры под микроскопом МБС-1.

Отбраковывать подложки с дефектами.

Оборудование: Микроскоп МБС-1.

Инструмент: Пинцет МН500-60, эксикатор 2-250 ГОСТ 6371-73.

Материалы: Спирт этиловый ГОСТ 10157-73.

6.5 Межоперационная очистка

Поместить подложку в посуду с этиловым спиртом, кипятить в течение 5 мин.

Сушить подложку в парах спирта в течении 2-3 мин.

Поместить подложку в тару для хранения и транспортирования.

Оборудование: Электрическая плитка ЭПК-7А ГОСТ 306-69,

Инструмент: Пинцет МН500-60.

Оснастка: Кассета для подложек УЭ 7893-4411, эксикатор 2-250 ГОСТ 6371-73, тара для хранения и транспортирования УЭ 78934412-01, ванна для отмывки УЭ 7893-4380.

Материалы: Спирт этиловый ГОСТ 10157-73, батист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-64, напальчники резиновые ГОСТ 14681-69.

7. Изготовление защитного слоя

7.1 Поместить пластину на столик центрифуги

Нанести фоторезист (скорость вращения центрифуги 2000 об/мин, время вращения 1 мин);

Сушить фоторезистивную пленку в термостате при температуре 90° С в течении 15 мин;

Совместить пластину с фотошаблоном №6;

Экспонировать в течении 1 мин;

Проявлять в растворе толуола до полного проявления, но не более 3 мин;

Промыть в проточной дистиллированной воде;

Проверить качество проявления под микроскопом, в случае необходимости допроявить;

Дубить фоторезистивную маску в термостате при температуре 160° С в течение 15 мин.

Оборудование: Полуавтомат по нанесению фоторезиста ПНФ-108, установка сушки и дубления фоторезиста УСДФ-1, установка совмещения и экспонирования ЭМ-526, вытяжной шкаф 2ШНЖ-ТУ95.7028-73, микроскоп МБС-9 ТУ 3-3.201-71, весы лабораторные квадрантные ВЛК-500г ТУ 25-06-1101-72.

Инструмент: Пинцет МН500-60.

Оснастка: Кассеты фторопластовые для подложек УЭ 7893-4411, эксикатор 2-250 ГОСТ 6371-73.

Материалы: Фоторезист ФН-11 ТУ 6-14-631-71, дистиллированная вода ГОСТ 3424-62, перчатки резиновые ГОСТ 3-75, батист отбеленный 1402 1с ГОСТ 8474-64, Na3PO4 ГОСТ 9337-79.

8. Контроль параметров плёночных элементов

Проверить значения параметров пленочных резисторов и конденсаторов на соответствие номинальным значениям. Значения параметров должны соответствовать таблице 2 на топологическом чертеже.

Оборудование: тестер универсальный UT70A.

9. Монтажно-сборочные операции

9.1 Резка пластин на модули

Установить на предметный столик скрайбируемую пластину, зафиксировать ее, включив клапан "Фиксация пластин".

Установить функциональный переключатель в положение "Быстро".

Страница:


Подобные документы

  • Расчёт автогенератора на диоде Ганна

    Разработка и расчет автогенератора на диоде Ганна с варакторной перестройкой частоты в заданном диапазоне. Структура автогенератора и тип диода. Расчет автогенератора и резонансной системы. Оптимальное сопротивление нагрузки и КПД резонансной системы.

    курсовая работа [581,7 K], добавлен 27.08.2010

  • Резисторы

    Классификация резисторов. Обозначения и типы резисторов. Резисторы, выпускаемые промышленностью. Маркировка резисторов с проволочными выводами и SMD-резисторов. Дополнительные свойства резисторов. Зависимость сопротивления от температуры. Шум резисторов.

    лекция [131,5 K], добавлен 19.11.2008

  • Проектирование радиопередающего устройства

    Проект коротковолнового радиопередающего устройства с амплитудной модуляцией. Расчёт усилителя мощности, кварцевого автогенератора и цепи согласования активного элемента с нагрузкой. Выбор конденсаторов, резисторов, составление схемы радиопередатчика.

    курсовая работа [4,6 M], добавлен 19.09.2019

  • Разработка конструкции передатчика частотно-модулированных колебаний

    Выбор оптимального варианта структурной схемы передатчика, синтез его функциональной схемы. Характеристика транзисторного автогенератора, фазового детектора, усилителей постоянного тока и мощности, опорного генератора. Расчет автогенератора и модулятора.

    курсовая работа [133,3 K], добавлен 16.01.2013

  • Структурная схема автогенератора

    Проектирование усилителя мощности: выбор режима работы транзистора, синтез согласующих цепей. Конструирование фильтра и направленного ответвителя. Анализ, настройка схемы и характеристика автогенератора с замкнутой и разомкнутой цепью обратной связи.

    дипломная работа [1,6 M], добавлен 08.08.2013

  • Теория электрических цепей

    Расчет реакции цепи на воздействие произвольной формы. Импульсная характеристика цепи. Cхема автогенератора и график колебательной характеристики. Крутизна характеристики транзистора, при которой наступит самовозбуждение автогенератора. Частота генерации.

    аттестационная работа [461,5 K], добавлен 20.02.2009

  • Передатчик связной радиостанции

    Расчёт передатчика и цепи согласования. Расчёт структурной схемы и каскада радиопередатчика, величин элементов и энергетических показателей кварцевого автогенератора. Нестабильность кварцевого автогенератора и проектирование радиопередающих устройств.

    курсовая работа [291,9 K], добавлен 03.12.2010

  • Базовые схемы режимов самовозбуждения

    Анализ режимов самовозбуждения при использовании различных характеристик автогенератора: мягкий, жесткий режим, автоматическое смещение. Особенности упрощенной схемы транзисторного автогенератора гармонических колебаний с трансформаторной обратной связью.

    реферат [78,8 K], добавлен 15.03.2010

  • Проектирование радиопередающего устройства

    Разработка структурной схемы радиопередающего устройства для однополосной телефонии. Расчет выходного каскада, коллекторной цепи, выходного согласующего устройства, транзисторного автогенератора. Выбор транзистора. Обзор требований к источнику питания.

    курсовая работа [282,6 K], добавлен 02.04.2013

  • Линейная теория и условия самовозбуждения автогенератора

    Понятие и принципы получения незатухающих гармонических колебаний. Сущность задачи исследования генераторов, условия и возможности их возбуждения, общие принципы работы. Линейная теория автогенератора, порядок составление дифференциального уравнения.

    реферат [81,2 K], добавлен 22.03.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.

© 2000 — 2023, ООО «Олбест» Все права защищены