Сегнетоэлектричество в полярных диэлектриках
Характеристика специфических особенностей доменной структуры сегнетоэлектриков. Анализ закономерностей процесса переполяризации сегнетоэлектрического кристалла. Домен - макроскопическая область с одинаковым направлением дипольных моментов всех ячеек.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | статья |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 18.09.2015 |
| Размер файла | 41,0 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Определение возможности генерации на кристалле Tm:CaF2 в области 2 мкм в схемах лазеров с продольной диодной накачкой. Физические свойства кристалла. Спектры пропускания образцов кристалла CaF2. Расчет квантового генератора на лазерном кристалле.
курсовая работа [4,9 M], добавлен 14.07.2012Основные этапы проектирования контрольной аппаратуры. Анализ цифрового вычислительного комплекса. Разработка устройства контроля ячеек постоянного запоминающего устройства с использованием ЭВМ. Описание функциональной схемы устройства сопряжения.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 24.09.2012Расчет полупроводниковой лазерной структуры на основе соединений третей и пятой групп для волоконно-оптических линий связи III поколения. Выбор структуры кристалла. Расчет параметров, РОС-резонатора, внутреннего квантового выхода, оптического ограничения.
курсовая работа [803,5 K], добавлен 05.11.2015Расчет допустимой конфигурации домена коллизий для локальной сети. Проектирование горизонтальных и вертикальных линий, магистральная проводка. Разработка плана кабельной системы для связи в сеть всех компьютеров. Выбор местоположения аппаратных комнат.
контрольная работа [650,8 K], добавлен 26.01.2011Основные принципы построения АМ-ЧМ приемников. Анализ схемы электрической принципиальной ИМС TA2003. Разработка физической структуры кристалла, технологического маршрута изготовления и топологии интегральной микросхемы. Компоновка элементов и блоков.
дипломная работа [2,0 M], добавлен 01.11.2010Физическая сущность и области практического использования физического эффекта электростатической эмиссии. Модель структуры кристалла, статические характеристики и условное графическое обозначение дрейфового транзистора. Расчет резисторного каскада УНЧ.
контрольная работа [631,7 K], добавлен 30.05.2015Разработка конструкции, топологии и технологического процесса интегральной микросхемы по заданной электрической схеме. Топологический расчет транзистора и полупроводникового кристалла. Расчет геометрических размеров резисторов и конденсаторов.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 18.02.2010Строение твердых тел, их энергетические уровни. Оптические и электрические свойства полупроводников. Физические эффекты в твердых и газообразных диэлектриках, проводниках, магнитных и полупроводниковых материалах. Токи в электронно-дырочном переходе.
курс лекций [1,7 M], добавлен 11.01.2013Краткие сведения о дипольных помехах и связанные с ними особенности. Введение частотной поправки Доплера непосредственным изменением частоты когерентного гетеродина. Требования, предъявляемые к системе автоматической компенсации доплеровской частоты.
дипломная работа [2,3 M], добавлен 28.11.2013Рассмотрение и характеристика особенностей беспилотных мультироторных летательных аппаратов. Исследование технологии компьютерного зрения. Анализ процесса передачи данных на бортовой контроллер. Ознакомление с базовыми принципами полета квадрокоптера.
дипломная работа [1,2 M], добавлен 25.06.2017Чиповая скорость как скорость следования элементов сигнала с расширенным спектром. Характеристика концепции W-CDMA, основное предназначение. Рассмотрение особенностей процесса преобразования сигнала. Анализ принципов работы при приеме сигналов CDMA.
презентация [1,7 M], добавлен 16.03.2014Воздействие на сигнал искусственных спутников Земли возмущений в полярной ионосфере. Анализ геомагнитных возмущений на сети станций Баренц-региона и вариаций отклонений в координатах, определяемых GPS-приёмником по радиосигналам искусственных спутников.
дипломная работа [3,0 M], добавлен 14.03.2013Разработка пакета программ, позволяющего рассчитать полевые и импедансные характеристики плоской двумерной фазированной антенной решетки. Определение зависимости взаимного сопротивления от расстояния между излучателями при различных диэлектриках.
дипломная работа [897,1 K], добавлен 07.07.2009Изучение этапов развития информатики. Характеристика структуры, информационных средств, функций и назначения информатики. Общее понятие об информатике, как о науке, анализ составляющих элементов информационного процесса и ее связи с другими науками.
реферат [57,8 K], добавлен 17.02.2010Характеристика и область применения сигналов в системах цифровой обработки. Специализированный процессор цифровой обработки сигналов СПФ СМ: разработчики и история, структура и характеристики, область применения, алгоритмы и программное обеспечение.
курсовая работа [224,9 K], добавлен 06.12.2010Определение передаточных функций разомкнутой и замкнутой систем. Оптимизация следящей системы по параметру, с использованием критерия минимума среднего квадрата ошибки. Построение логарифмической амплитудно-частотной и фазочастотной характеристик системы.
курсовая работа [394,7 K], добавлен 05.06.2011Характеристика системы электроснабжения подстанции. Разработка проекта устройства релейной защиты отходящих ячеек, вводных и межсекционных выключателей нагрузки, асинхронных двигателей. Токовая защита трансформаторов подстанции; автоматика энергосистемы.
курсовая работа [399,2 K], добавлен 06.11.2014Особенности проектирования малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки, определение толщины его обедненной области, значения порогового напряжения перекрытия канала и геометрических размеров. Разработка конструкции и топологии кристалла.
курсовая работа [748,2 K], добавлен 22.08.2013Технические характеристики и требования к качеству резистора проволочного, его назначение и область применения. Указания по эксплуатации и гарантии изготовителя. Проведение контроля качества заданных параметров, выбор автоматизированных средств.
курсовая работа [290,1 K], добавлен 14.09.2010Разработка конструкций и технологического процесса изготовления печатной платы устройства, расчетное обоснование выбора элементной базы и разработка структуры технологического процесса. Схемотехническое решение и конструктивное исполнение устройства.
курсовая работа [117,3 K], добавлен 11.05.2009
