Физика процессов на СВЧ

Размещено на http://www.allbest.ru

Контрольная работа

ФИЗИКА ПРОЦЕССОВ НА СВЧ



СОДЕРЖАНИЕ

1. Общие сведения об электровакуумных приборах СВЧ

1.1 Особенности электронных приборов СВЧ

1.2 Время и угол пролета электронов

1.3 Наведение тока в плоском зазоре при прохождении промодулированного по плотности электронного потока

1.4 Общая классификация электронных приборов СВЧ

1.5 Применение метода эквивалентных схем для анализа СВЧ приборов

2. Приборы с электростатическим управлением электронным потоком

2.1 Теория диода на СВЧ

2.2 Эквивалентная схема диода на СВЧ

2.3 Диод в качестве СВЧ генератора. Монотрон

Литература



1. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ ОБ ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ПРИБОРАХ СВЧ

1.1 Особенности электронных приборов СВЧ

Электронные приборы СВЧ предназначены для усиления и генерирования колебаний диапазона частот 300 МГц - 300 ГГц (1м -1мм). На работу приборов СВЧ существенно влияют следующие факторы:

1) В диапазоне СВЧ период колебаний соизмерим со временем пролета электронов между электродами прибора, поэтому электроны нельзя считать безинерционными носителями заряда.

2) Длина волны колебаний становится соизмеримой с геометрическими размерами прибора. При этом индуктивности выводов и межэлектродные емкости ламп оказываются сравнимыми по величине с параметрами внешних контуров. Это приводит к ограничению рабочей частоты ламп и необходимости проектировать электронные приборы и подключенные к ним колебательные системы как единое целое.

В обычных электронных лампах используется принцип электростатического управления электронным потоком, при котором изменение переменного напряжения на сетке меняет плотность электронов в пучке. При этом высокочастотный ток создается за счет изменения количества электронов, выходящих из облака пространственного заряда у катода. Время пролета электронов в рабочем пространстве электронной лампы определяется расстоянием между электродами и действующими на них напряжениями. Так как невозможно бесконечно уменьшать расстояние между электродами и увеличивать действующие на них напряжения, то при некоторых достаточно высоких частотах время пролета электронов становится сравнимым с периодом высокочастотных колебаний. В этом случае лампа уже не может рассматриваться как безинерционный прибор и возникает необходимость исследовать влияние инерции электронов на работу лампы на СВЧ.

Чтобы охарактеризовать инерционность прибора на СВЧ вводится понятие угла пролета электронов

Где - время пролета; Т - период колебаний.

Физически угол пролета показывает насколько градусов или радиан изменится фаза переменного напряжения за время пролета электрона.

Если угол пролета , т.е. , говорят о стационарных токах в лампах, т.е. в каждый момент времени можно вычислить ток, протекающий через лампу, считая мгновенные напряжения постоянными.

При мы имеем нестационарные токи. При этом нельзя воспользоваться статическими характеристиками лампы потому, что в одно и тоже значение времени в различных сечениях лампы текут разные конвекционные электронные токи. Полный ток в зазоре складывается из конвекционного тока и тока смещения .

Полный ток в зазоре или во внешней цепи всегда остается неизменной величиной. В результате миниатюризации и выбора рациональной конструкции удается, не меняя принципа действия ламп, создать за счет повышения эффективности электростатического управления приборы малой мощности, работающие вплоть до сантиметрового диапазона длин волн.

Другой путь повышения рабочей частоты прибора связан с реализацией принципа динамического управления электронным потоком, рационально использующего эффект инерции электронов. При динамическом управлении электрическое СВЧ поле изменяет скорость электронного потока на входе прибора, а не его плотность, и лишь со временем в процессе движения электронов, имеющие разные скорости образуют сгущения и разряжения пространственного заряда в пучке. Таким образом, непрерывный электронный поток разбирается на группы электронов, которые и взаимодействуют с электрическим полем выходного устройства прибора СВЧ. электровакуумный СВЧ прибор диод монотрон

Задача электроники СВЧ состоит в том, чтобы электрические параметры и геометрические размеры прибора выдать таким образом, чтобы в момент пролета «сгустками» выходного устройства этого прибора электрическое СВЧ поле, связанное с этим устройством, оказывало тормозящее воздействие на сгустки, а ускоряющим было в момент разряжения пространственного заряда. В этом случае электронный поток будет отдавать больше своей кинетической энергии СВЧ полю, чем отбирать у него за чсет ускорения электронов, и осуществляется преобразование энергии источника питания в энергию электромагнитных колебаний.

Принцип динамического управления электронным потоком впервые был предложен российским ученым Д.А. Рожанским.

Практическое использование динамического принципа управления электронным потоком привело к созданию большого числа различных типов электронных приборов СВЧ: пролетных клистронов, отражательных клистронов, ламп бегущей и обратной волны (ЛБВ и ЛОВ).

Во всех этих приборах используется электронный поток, прирост электромагнитной энергии происходит в результате преимущественного торможения промодулированного по плотности электронного потока переменным электрическим полем.

Основными элементами СВЧ прибора являются:

1) колебательная или замедляющая система, связанная с высокочастотным полем;

2) источник электронного потока для передачи энергии источника питания ускоренным электронам, т.е. превращающий энергию источника питания в кинетическую энергию электронов;

3) устройство, модулирующее электронный поток;

4) пространство взаимодействия сгруппированного электронного потока с СВЧ электрическим полем.

В пространстве взаимодействия может действовать и постоянное м переменное электрические поля (диоды, триоды, магнетроны, амплитроны, и т.д.)

Области действия постоянного и переменного полей могут быть отделены друг от друга (клистроны, ЛБВ).

Взаимодействие электронов с электрическим полем.

Предположим, что в некоторый момент времени между катодом и анодом СВЧ диода существует однородное электрическое поле Е, состоящее из постоянной Е₀ и переменной Е_~ составляющих. Схема взаимодействия электрона с электрическим полем имеет вид рис. 1.1.

Рис 1.1.

Сила, действующая на электрон в этом поле

Работа dW силы, затраченная на перемещение электрона на расстояние dx, равна

, (1.1)

где dW₀ - работа постоянной составляющей силы F₀; dW_~ - работа переменной составляющей силы .

Если электрон ускоряется электрическим полем, его кинетическая энергия возрастает (m - масса, V - скорость электрона), так как растет скорость

и аккумулируется в виде энергии движения. Если электрон тормозится электрическим полем, то его кинетическая энергия убывает, и электрон отдает запасенную ранее энергию электрическому полю.

- представляет собой результат взаимодействия электрона с постоянным электрическим полем Е₀. Обычно это поле ускоряющее, следовательно, в процессе перемещения электрона между катодом и анодом он отбирает энергию от постоянного электрического поля.

- отражает результат взаимодействия движущихся электронов с переменным электрическим полем. Поскольку направление переменного поля во времени изменяется, то оно может быть ускоряющим, при и тормозящим при .

В первом случае () энергия переменного поля уменьшается, так как тратится на ускорение электронов. Ускоренные СВЧ полем электроны называют электронами неправильной фазы.

Во втором случае () электроны отдают свою кинетическую энергию переменному полю и энергия переменного поля возрастает.

Для усиления электромагнитных колебаний необходимо, что бы за период колебаний в пространстве взаимодействия прибора число электронов правильной фазы превышало количество электронов, находящихся в неправильной фазе.

Обычно в электронных приборах СВЧ только часть энергии, приобретенной от источника питания, выделяется в виде тепла при попадании электронов на управляющий электрод коллектор.

Таким образом, в электронных приборах необходимо создать такое управление электронным потоком, при котором в пространстве взаимодействия тормозящее переменное поле будет оказывать преобладающее воздействие на электронный поток.

1.2 Время и угол пролета электронов

Важным параметром, характеризующим электронные приборы СВЧ, является время пролета электрона между двумя заданными электродами лампы, например между катодом и анодом в диоде, между катодом и сеткой в триоде, между двумя сетками в многосеточной лампе или в зазоре взаимодействия клистрона.

Вычислим время пролета электрона от катода до анода в диоде. Будем полагать, что начальные скорости электронов, вылетающих из катода, близки к нулю и ими можно пренебречь по сравнению с конечной скоростью, получаемой электроном у анода. Тогда , где U₀ - напряжение между катодом и анодом. Когда диод работает в режиме насыщения, поле в промежутке анод-катод будет равномерным и при отсутствии переменного поля движение электрона будет равноускоренным. Средняя скорость движения электрона между катодом и анодом будет равна



Время пролета (1.2)

Учет влияния объемного заряда электронов усложняет расчет времени пролета. Пространственный заряд уменьшает ускоряющее поле и время пролета увеличивается. Расчеты показывают, что в этом случае

(1.3)

Для электронов имеющих скорость V₀ и пролетающих между двумя сетками с равными потенциалами U₀, например в зазоре резонатора клистрона, время пролета равно

Если к электродам одновременно приложены постоянное и переменное напряжения

,

То в общем случае при соизмеримых величинах U₀ и U₁ время пролета будет сильно зависеть от момента влета электрона в пролетный участок.

Однако при можно пренебречь малыми измерениями времени пролета, обусловленными переменной составляющей поля. Это широко используется в теории электронных приборов СВЧ.

Зная время пролета и рабочую частоту, нетрудно вычислить угол пролета.

В случае плоского диода

,

в случае зазора резонатора при .

1.3 Наведение тока в плоском зазоре при прохождении промодулированного по плотности электронного потока

Рассмотрим короткозамкнутый плоский зазор резонатора, пронизываемый объемным зарядом q (рис 1.2)

Рис 1.2

При внесении в зазор заряда q на электродах по закону электростатической индукции наводятся поверхностные заряды -q₁ и -q₂, связанные с величиной q уравнением сохранения заряда q - q₁ - q₂ = 0.

В процессе переноса заряда внутри зазора наведенные заряды меняются: q₁ - от до 0 и q₂ - от 0 до q, что вызывает в случае соединенных друг с другом пластин наведенный ток во внешней цепи:

, (1.4)

Где d - расстояние между электродами, - скорость электронов, - время пролета электроном расстояния d.

Пусть через зазор проходит конвекционный ток

Найдем наведенный ток, протекающий во внешней цепи. Если время пролета пренебрежимо мало по сравнению с периодом изменения конвекционного тока , конвекционный ток можно считать не меняющимся за время пролета между сетками резонатора

.

При этом полный заряд, находящийся между сетками, в любой момент времени равен:

Согласно соотношению (1.4) наведенный ток

,

в точности равен конвекционному току, проходящему через зазор.

Выражение (1.4) является простейшей формой более общего уравнения наведенного тока



(1.5)

Согласно формуле (1.5) наведенный ток в данный момент времени t равен среднему по зазору значению конвекционного тока в этот момент времени.

В случае конечного угла пролета электронами зазора наведенный ток равен

, (1.6)

где - коэффициент взаимодействия электронного потока с электрическим полем зазора.

Наведенный ток не связан с попаданием электронов на электроды. При сетчатых электродах можно добиться того, что число электронов, попадающих на сетки, пренебрежимо мало.

Полный ток во внешней цепи должен быть равен сумме наведенного и емкостного токов

.

1.4 Общая классификация электронных приборов СВЧ

В зависимости от характера взаимодействия электронов с электромагнитным полем все электронные приборы СВЧ делятся на приборы обычного и магнетронного типов.

СВЧ приборы О - типа - это приборы, у которых электронный поток и фиксирующее его магнитное или электростатическое поле в пространстве взаимодействия параллельны и кинетическая энергия электронного потока передается электромагнитной волне.

К приборам типа - О относятся: пролетные и отражательные клистроны, лампы бегущей и обратно волны О - типа и др.

Приборы М - типа - это приборы, в которых преобразование энергии источников питания в энергию высокочастотных колебаний происходит в результате взаимодействия электронного потока с волной в постоянных скрещенных электрическом и магнитном полях. В этих приборах электроны передают полю СВЧ потенциальную энергию.

К приборам М типа относятся: магнетроны, ЛОВ и ЛБВ типа М, амплитроны, стабилитроны, карматроны и т.д., всего около 30 разновидностей.

1.5 Применение метода эквивалентных схем для анализа СВЧ приборов

Режим работы электронных генераторов и усилителей определяется тремя основными факторами: свойствами электронного потока, параметрами колебательной системы и параметрами нагрузки.

Генераторы и усилители СВЧ по свойствам их высокочастотной цепи можно разделить на две группы:

1) приборы резонансного типа, высокочастотная цепь которых обладает в некотором диапазоне частот свойствами одиночного колебательного контура. В эту группу входят приборы, основанные на кратковременном взаимодействии электронов с зазором и содержащие полые резонаторы, а так же приборы с распределительным взаимодействием, замедляющая система которых работает в режиме стоячей волны и образует колебательную цепь с дискретными видами колебаний;

2) приборы нерезонансного типа с длительным взаимодействием, у которых колебательная система не обладает резонансными свойствами и возбуждается в режиме бегущей электромагнитной волны.

Анализ приборов первой группы удобно проводить, используя метод эквивалентных схем. По этому методу колебательная система, внешняя нагрузка и электронный поток представляются в виде параллельного контура с сосредоточенными элементами. Это позволяет исследовать многие важные общие свойства электронных приборов СВЧ независимо от их конкретного устройства и назначения. При этом эквивалентная схема любого электронного прибора СВЧ резонансного типа имеет вид (Рис.1.3),

Рис.1.3

где Y_e - проводимость, вносимая электронным потоком

Y_e = G_е + jB_e;

Y_полн - полная проводимость резонансной системы и нагрузки

Y_полн = G_н + G_п + jB_полн,

где G_н - проводимость нагрузки, пересчитанная к зазору выходного резонатора; G_п - проводимость потерь резонатора; jB_полн - реактивная часть полной проводимости.

Величины активной G_e и реактивной B_e составляющих проводимости, вносимой электронным потоком в выходной резонатор, являются в общем случае сложными функциями угла пролета электронов в зазоре , постоянного напряжения , постоянной составляющей тока , амплитуды высокочастотного напряжения и т.д:

Проводимости G_н, G_п, jB_полн являются функциями частоты.

В случае автогенератора в установившемся режиме на резонансной частоте контура вносимая электронным потоком отрицательная проводимость полностью компенсирует проводимость потерь и нагрузки

(1.7)

Решив систему уравнений (1.7), можно определить амплитуду колебаний и частоту в стационарном (установившемся) режиме.

Для самовозбуждения, т.е. нарастания во времени любых сколь угодно малых первоначальных колебаний необходимо, чтобы сумма активных проводимостей для малых флюктуаций имела отрицательный знак:

(1.8)

Величина пускового тока , при которой начинается самовозбуждение колебаний, определяется из уравнения

(1.9).

При этом условие самовозбуждения приобретает вид

.

Система уравнений (1.7) позволяет найти зависимости частоты и выходной мощности от параметров электронного потока, колебательной системы и нагрузки.

Полный анализ поведения схемы может быть проведен, если при рассмотрении электроники прибора удалось получить выражение для проводимости, вносимой электронным потоком в контур (Y_e).

В приборах резонансного типа высшие гармоники тока и напряжения значительно ослабляются, т.е. при расчете можно использовать квазилинейный метод расчета нелинейных цепей, в котором пренебрегают влиянием высших гармоник.

Для определения Y_e используется два метода:

1. Метод заданного напряжения (поля)

2. Метод заданного тока

,

где - комплексная амплитуда первой гармоники наведенного тока; - комплексная амплитуда первой гармоники напряжения на зазоре.

Таким образом, одной из основных задач электроники приборов СВЧ является нахождение величины наведенного тока в зазоре выходного резонатора ().



2. ПРИБОРЫ С ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИМ УПРАВЛЕНИЕМ ЭЛЕКТРОННЫМ ПОТОКОМ

2.1 Теория диода на СВЧ

Электронная проводимость диода. Зависимость активной и реактивной составляющих проводимости диода от величины угла пролета.

Будем рассматривать нестационарные процессы в диоде плоской конструкции при .

Упрощающие допущения:

1. Рассмотрим случай малых амплитуд переменных составляющих, значительно меньших постоянных составляющих

2. Не будем учитывать краевых эффектов (траектории электронов перпендикулярны плоскости электродов)

3. Напряженность электрического поля у катода Е_к = 0 и у катода имеется облако пространственного заряда.

4. Скорости электронов значительно меньше скорости света (нерелятивистская задача).

Рассмотрим объем abdc (рис 2.1)

Рис 2.1.

Заполненный электронным потоком и содержащий заряд Q. Пусть через диод протекает полный ток

,

где I₀ - постоянная составляющая тока; I_m - амплитуда тока; - угловая частота.

Для упрощения записей введем условное обозначение тока:

,

где и

За время этот ток можно считать неизменным и найти элементарный заряд , поступающий из катода в объем abdc:

Весь заряд поступающий в объем abdc за время

Учитывая, что текущее время пролета , где t - текущее время, t₀ - время вылета рассматриваемого электронного слоя из катода, получим:



(2.1)

На основании теоремы Остроградского - Гаусса:

,

где Е - электрическое поле на границе cd; F - площадь электродов, откуда:

(2.2)

Подставляя (2.2) в уравнение движения электрона:

(2.3)

Уравнение (2.3) можно дважды проинтегрировать, получив:

,

из которого определяется время пролета :

.

Если ограничиться режимом малых переменных токов I_m<<I₀,то

,

где зависит только от координаты Z.

При I_m = 0 , где .

При I_m ? 0 электроны проходят расстояние Z за время , отличное от , однако малость позволяет трансцендентное уравнение для Z превратить в линейное относительно .

Напряжение на диоде с учетом (2.2)

Значение соответствует закону степени трех вторых:

(2.4)

А переменная составляющая напряжения

, (2.5)



где

На основании (2.5) можно найти активную и реактивную составляющие сопротивления диода:

Представление диода последовательной эквивалентной схемой (рис 2.2) неудобно для анализа процессов в диоде.

Рис 2.2

Удобнее представить диод в виде параллельного соединения проводимостей (рис 2.3):

Рис 2.3.

Значение реактивной составляющей b целесообразно выразить через «холодную» емкость диода

.

Для этого величину крутизны S выразим через С_хол и угол пролета

(2.6)

Теперь

Рис 2.4

Из рассмотрения графиков (рис 2.4) можно сделать следующие выводы:

1. Активная проводимость диода с ростом угла пролета уменьшается, приближаясь с колебаниями к нулю.

2. Активная проводимость принимает периодически отрицательные значения. Самая большая по модулю величина отрицательной проводимости находится вблизи первого минимума . В пределах углов пролета возможно использование диода для генерации СВЧ колебаний.

3. При углах пролета меньше активная проводимость , так как (с точностью до 10%).

4. Коэффициент, определяющий изменение емкости диода при углах пролета практически оказывается постоянным и равным .

При возрастании угла пролета емкость постепенно увеличивается, достигается при и далее слегка колеблется вокруг этого значения.

Отвлекаясь от математики, попробуем объяснить физику процессов в диоде:

При относительно небольших углах пролета в положительный полупериод переменного напряжения на аноде электронов ускоряется больше, чем тормозится в отрицательный полупериод, так как при большем напряжении на аноде, больше ток катода. При увеличении угла пролета переменный электронный ток будет все больше отставать от вызвавшего его переменного напряжения.

В определенный момент времени каждый последовательно вылетевший с катода слой электронов имеет свой угол пролета. Возрастание угла пролета слоев, по мере удаления от катода, будет происходить медленнее, чем по закону , так как с ростом Z увеличивается скорость электронов, а . Угол пролета для последовательных электронных слоев в межэлектродном промежутке изменяется по мере движения от катода к аноду от 0 до . Для получения отрицательной проводимости усредненный по всему межэлектродному промежутку ток (наведенный ток) должен быть в противофазе с напряжением. Значит, угол пролета до анода должен быть .

2.2 Эквивалентная схема диода на СВЧ

Холодная емкость диода при отсутствии электронного потока равна

.

При заполнении диода электронами в статическом режиме через него протекает ток

,

время пролета диода электронами

.

Накопленный в диоде заряд равен

Дифференциальная емкость диода

(2.7)



Однако кривая функции показывает, что при прохождении переменного тока емкость обычно меньше (при ). Это объясняется тем, что вследствие конечного времени пролета электронов, электронный ток отстает по фазе на некоторый угол от подведенного к диоду переменного напряжения. Этот ток можно разложить на две составляющих: одна из них совпадает по фазе с напряжением, а вторая, отстает на угол , представляя собой как бы ток через индуктивность (рис 2.5).

Это позволяет представить эквивалентную схему диода в виде (рис 2.6), где параллельно соединены активная проводимость g, емкость и индуктивность, учитывающая реактивную составляющую переменного тока.

Рис 2.5

Рис 2.6

Параллельное соединение индуктивности L с емкостью С дает кажущееся уменьшение емкости между электродами до значения .

Откуда

Если использовать ограничения угла пролета , то можно считать

и полагать

g ? S и .

При этом фазовый угол, на который полный ток диода должен опережать напряжение на диоде, будет равен



и погрешность расчета не превышает 2%.

с погрешностью < 13%.

В комплексной форме связь между полным током и напряжением запишется в виде

(2.8)

Полный ток через диод , равный сумме

,

где - электронный ток,

,

должен не зависеть от координаты Z.

Усредним постоянный ток по межэлектродному расстоянию



Откуда

Таким образом, для внешней цепи полный ток может быть разложен на наведенный и ток «холодной» емкости (рис 2.7) наведенный ток включает в себя все, что связано с перемещением объемного заряда между электродами.

Рис 2.7.

2.3 Диод в качестве СВЧ генератора. Монотрон

В плоском диоде с полым резонатором, включенным между катодом и анодом (рис. 2.8), при угле пролета возможно возбуждение автоколебаний.



Рис 2.8

1 - катод, 2 - полый резонатор, 3 - вывод энергии, 4 - коллектор, 5 - анод, 6 - разделительный конденсатор.

Подобно диоду монотрон (рис 2.9) обладает отрицательной проводимостью при .

Рис 2.9

Частота колебаний определяется из уравнения

для монотрона.

Переходя от частоты к длине волны

,

получим: .

Несмотря на простоту конструкций, ни диод, ни монотрон широкого применения не нашли из-за низкого К.П.Д. генераторов.



ЛИТЕРАТУРА

Волокитин А.И.: Тепловое излучение на наноуровне. Теория и приложения. - Самара: Самарский университет, 2008

Всероссийский НИИ авиационных материалов ; под общ. ред. Е.Н. Каблова: Авиационные материалы. - М.: ВИАМ, 2008

Всероссийский НИИ авиационных материалов ; под общ. ред. Е.Н. Каблова: Авиационные материалы. - М.: ВИАМ, 2008

Колпаков А.Я.: Тонкие твердые покрытия . - Белгород: БелГУ, 2008

Кубанский гос. ун-т, ЦКП "Эколого-аналитический центр: Развитие сети центров коллективного пользования научным оборудованием. - Краснодар: Биотех-Юг, 2008

Марголин В.И.: Физические основы микроэлектроники. - М.: Академия, 2008

М-во образования и науки РФ, БелГУ, Национальная академия наук Украины, М-во образования и науки Украины ; В.И. Ляшенко и др. ; рец.: Е.Ф. Прокушев и др. : Большая книга о малом наномире. - Луганск: Альма-матер, 2008

Надеждин С.В.: Теоретические основы современных методов микроскопии. - Белгород: БелГУ, 2008

Окрепилов В.В.: Словарь терминов и определений по стандартизации и метрологии в области нанотехнологий. - СПб.: Наука, 2008

Окрепилов В.В.: Стандартизация и метрология в нанотехнологиях. - СПб.: Наука, 2008

Павлов К.В.: Наноэкология как перспективное научное направление: проблемы, тенденции, перспективы. - Мурманск: Кольский НЦ РАН, 2008

Под ред. Л.А. Михайлова ; Рец.: И.Е. Погодин, И.М. Кузинец, М.А. Арефьев: Концепции современного естествознания. - СПб.: Питер, 2008

под ред. Л.А. Михайлова: Концепции современного естествознания. - СПб.: Питер, 2008

под ред. П.П. Мальцева: Нанотехнологии. Наноматериалы. Наносистемная техника. Мировые достижения - 2008 год. - М.: Техносфера, 2008

Старостин В.В.: Материалы и методы нанотехнологии. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2008

Федеральное агентство по науке и инновациям РФ, РФФИ, Группа компаний "НТ-МТД", Компания "Science Global Management", М-во образования и науки РФ, РАН, Гос. корпорация "Росатом", БелГУ, МИФИ (гос. ун-т): Функциональные и конструкционные наноматериалы . - Белгород: БелГУ, 2008

БелГУ, Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере, Студенческое научное общество БелГУ ; под ред.: С.Ю. Борухи, В.М. Геращенко ; рец. В.М. Московкин: Инновационные исследования в сфере критических технологий. - Белгород: БелГУ, 2007

Головин Ю.И.: Введение в нанотехнику. - М.: Машиностроение, 2007

Гусев А.И.: Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2007

Московский гос. ин-т стали и сплавов, Саратовский гос. ун-т им. Н.Г. Чернышевского ; под ред. Л.В. Кожитова: Оборудование, технологии и аналитические системы для материаловедения, микро- и наноэлектроники. - М.: МИСиС, 2007

Рамбиди Н.Г.: Нанотехнологии и молекулярные компьютеры. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2007

Солнцев Ю.П.: Нанотехнологии и специальные материалы. - СПб.: Химиздат, 2007

Размещено на Allbest.ru