Изучение принципов работы биполярного транзистора
Физические процессы, протекающие в транзисторной структуре биполярного типа. Входные и выходные характеристики транзистора. Характеристикам для прямого тока диода. Увеличение тока базы. Свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | лабораторная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 25.11.2014 |
| Размер файла | 72,1 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Размещено на http://www.allbest.ru/
Федеральное агентство по образованию
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования
Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева
Лабораторная работа
Изучение принципов работы биполярного транзистора
Студентка:
Альдебенева Е.П.
группа 526
Проверил:
Кричевский С.В.
Самара 2013
Цель работы - изучение физических процессов, протекающих в транзисторной структуре биполярного типа, эквивалентных схем транзистора, включённого в электронную схему по схеме с общим эмиттером и соответствующих этой системе параметров и особенностей их описания теорией линейного четырёхполюсника.
Задания.
Снять входные и выходные характеристики транзистора.
Определить основные параметры транзистора.
Провести анализ теоретических и экспериментальных результатов и сделать вывод.
Приборы и принадлежности: электронное устройство, определяющее входные и выходные характеристики.
Входные характеристики.
В табл. 1 показаны экспериментальные данные, на основе которых построен график (рис. 1) зависимости iб = iб (uб-э) при различных uк-э.
График iб =f (uб-э) при uк-э=0 выходит из начала координат, так как при нулевых напряжениях нет тока. Уже при uк-э>0 характеристика сдвигается вправо, ток базы уменьшается и при малых uб-э становится отрицательным, поскольку создаётся обратный ток по сравнению с обычным направлением тока базы. При дальнейшем увеличении uб-э будет возрастать положительный ток базы.
Выходные характеристики.
В табл. 2 даются экспериментальные значения, на основе которых построен график (рис. 2) зависимости iк = iк (uк-э) при различных iб.
При iб=0 кривые выходят из начала координат, при этом через весь транзистор от эмиттера к коллектору проходит сквозной ток iк-э. Если iб>0, то выходная характеристика располагается выше, чем при iб=0, и тем выше, чем больше ток iб. Увеличение тока базы означает, что за счёт повышения напряжения uб-э соответственно увеличился ток эмиттера, частью которого является iб. Следовательно, пропорционально возрастёт ток коллектора.
Расчёт h-параметров.
h11=?uб-э/?iб = (0,9 В - 0,4 В) / 0,1 мА = 5 кОм
h12= ?uб-э/?uк-э = 0,3 В / (0,4 В - 0,16 В) = 1,3
h21= ?iк/?iб = (3,7 мА-2,27мА) / 0,05 мА = 28,6
h22= ?iк/?uк-э= (6,72 мА-2,27мА) / 1 В = 4,45 мСм
Вывод
транзистор диод биполярный
Входные и выходные характеристики транзистора аналогичны характеристикам полупроводникового диода. Входные характеристики относятся к эмиттерному переходу, который работает в прямом напряжении. Выходные характеристики подобны характеристикам для прямого тока диода, т.к. они отображают свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Экспериментальное определение характеристики биполярного транзистора в ключевом режиме, являющегося основой импульсных ключей. Измерение коэффициентов коллекторного тока с использованием мультиметра. Вычисление коэффициента насыщения транзистора.
лабораторная работа [33,1 K], добавлен 18.06.2015Структура биполярного транзистора, сущность явления инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Распределение примесей в активной области транзистора. Топология биполярного транзистора, входные и выходные характеристики, сопротивление коллектора.
курсовая работа [409,8 K], добавлен 01.05.2014Принцип действия и основные физические процессы в транзисторе. Дифференциальные коэффициенты передачи токов транзистора. Вольт-амперные статические характеристики и параметры. Методика снятия семейства статических характеристики биполярного транзистора.
лабораторная работа [142,9 K], добавлен 08.11.2013Модель Эберса-Молла и Гуммеля-Пуна, основанные на суперпозиции нормального и инверсного биполярного транзистора и токовых режимов его работы при инжекции из коллектора. Генераторы тока и их неидеальность в зарядовой модели, резисторные конфликты.
реферат [350,7 K], добавлен 13.06.2009Расчет коллекторного сопротивления транзистора. Расчет выходного, входного и промежуточного каскада усилителя. Входные и выходные характеристики транзистора. Расчет разделительных конденсаторов, тока потребления и мощности, рассеиваемой на резисторах.
курсовая работа [181,8 K], добавлен 17.04.2010Практические навыки схемного введения биполярного транзистора в заданный режим покоя. Определение основных свойств транзистора в усилительном и ключевых режимах. Овладение методикой работы в учебной лаборатории в программно-аппаратной среде NI ELVIS.
лабораторная работа [1,3 M], добавлен 04.03.2015Анализ генератора Колпитца. Исследование биполярного транзистора, зависимости тока коллектора от тока базы и напряжения база-эмиттер. Структура и алгоритмы работы асинхронных и синхронных триггеров. Функции переходов и возбуждения их основных типов.
лабораторная работа [967,1 K], добавлен 11.05.2013Режим работы биполярного транзистора и основные физические процессы. Устройство и способы включения бипролярного транзистора. Определение напряжения источников питания. Расчёт коллекторной цепи транзисторов оконечного каскада и параметров цепей смещения.
курсовая работа [418,8 K], добавлен 09.08.2010Исследование статических характеристик биполярного транзистора, устройство и принцип действия. Схема включения p-n-p транзистора в схеме для снятия статических характеристик. Основные технические характеристики. Коэффициент обратной передачи напряжения.
лабораторная работа [245,9 K], добавлен 05.05.2014Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.
курсовая работа [274,4 K], добавлен 17.03.2015
