Общая классификация методов очистки подложек, их назначение и возможности. Преимущества и недостатки различных методов очистки подложек
Понятие подложки в микроэлектронике. Развитие и производство полупроводниковых изделий и подложек на сегодняшний день. Источники загрязнения и важность снижения уровня загрязнений подложек. Классификация жидкостных и сухих методов очистки подложки.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | реферат |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 18.08.2014 |
| Размер файла | 196,6 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Идея создания и применения оптронов. Физические основы оптронной техники. Измерения оптоэлектронными многоканальными системами. Изготовление подложек из монокристаллов Bi12GeO20 и подготовка поверхности подложек к эпитаксии. Структура германата висмута.
дипломная работа [1,1 M], добавлен 25.10.2012Концентрация основных носителей заряда. Сравнение рассчитанных величин со справочными. Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом. Главные преимущества полевых транзисторов. Проверка на кристаллографическую ориентацию.
курсовая работа [3,1 M], добавлен 22.05.2015Сущность и классификация методов обработки поверхности. Методы сухой очистки. Процесс плазмохимического травления. Схема вакуумной камеры диодного типа для плазмохимического травления непосредственно в плазме. Очистка поверхности газовым травлением.
реферат [536,7 K], добавлен 15.01.2009Стадии производства микросхем. Электрический ток в полупроводнике. Структура элемента микросхемы ЭВМ. Изготовление кремниевых пластин. Контроль загрязнений и дефектности подложек. Контроль поверхности и слоев. Процессы травления в газовой среде.
презентация [1,2 M], добавлен 24.05.2014Производство полупроводникового кремния. Действие кремниевой пыли на организм. Защита органов дыхания. Литография как формирование в активночувствительном слое, нанесенном на поверхность подложек, рельефного рисунка. Параметры и свойства фоторезистов.
курсовая работа [23,8 K], добавлен 09.03.2009Упрощенная модель кремниевого биполярного транзистора. Частичная схема для расчета тока при комбинации заданных входных сигналов "1110". Максимальные мощности резисторов. Разработка топологии интегральной микросхемы, рекомендуемые размеры подложек.
контрольная работа [1,5 M], добавлен 15.01.2015Полупроводниковая пластина поступающая на операцию разделения и аккумулирующая значительные трудовые и материальные' затраты, обладает большой стоимостью. Требования к операции разделения пластин формируются в соответствии с требованиями к кристаллу.
реферат [448,4 K], добавлен 09.01.2009Пористая матрица арсенида галлия и ее структурные свойства. Формирование низкоразмерной среды в арсениде галлия. Определение кристаллографической ориентации подложек. Определение концентрации носителей заряда. Оптическая и электронная микроскопия.
дипломная работа [2,9 M], добавлен 02.06.2011Комплексная классификация технологий и общая характеристика типов беспроводных сетей. Оценка факторов и анализ методов повышения производительности в Ad-Hoc сетях. Описание методов повышения производительности Ad-Hoc сетей на основе различных технологий.
дипломная работа [1,8 M], добавлен 28.12.2011Интроскопия - внутривидение, визуальное наблюдение объектов, явлений и процессов в оптически непрозрачных телах и средах, в условиях плохой видимости. Классификация методов диагностики. Общность методов и средств обработки иитроскопических изображений.
реферат [265,7 K], добавлен 01.02.2009Параметры, определяющие качество циркулятора. Факторы, которые рассматривают при выборе ферромагнитного материала в качестве подложки для полосковой системы. Технические характеристики Y-циркулятора. Проницаемость размагниченной ферритовой подложки.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 24.05.2014Технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на применении в качестве подложки трехслойной структуры кремний-диэлектрик-кремний (КНИ): преимущества, конструктивное исполнение и операции получения методом управляемого скалывания.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 30.04.2011Анализ технологии изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем – такого рода микросхем, элементы которых выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Характеристика монокристаллического кремния. Выращивание монокристаллов.
курсовая работа [2,0 M], добавлен 03.12.2010Элементная база и расчет передаточных функций для автоматизации системы очистки стекла спортивного самолета. Деление ЛСУ на изменяемую и неизменяемую части. Построение логарифмических характеристик. Разработка аналогового корректирующего устройства.
курсовая работа [325,5 K], добавлен 20.10.2013Эксплуатация полупроводниковых преобразователей и устройств: недостатки полупроводниковых приборов, виды защит. Статические преобразователи электроэнергии: трансформаторы. Назначение, классификация, виды, конструкция. Работа трансформатора под нагрузкой.
лекция [190,2 K], добавлен 20.01.2010Определения в области испытаний и контроля качества продукции, понятие и контроль. Проверка показателей качества технических устройств. Цель технического контроля. Классификация видов и методов неразрушающего контроля. Электромагнитные излучения.
реферат [552,7 K], добавлен 03.02.2009Классификация методов радиоволнового контроля диэлектрических изделий и материалов. Измеряемые параметры и принципы измерений РВК. Возможности метода модулированного отражения при технологическом контроле. Элементы и устройства волноводных трактов.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 07.03.2011Анализ основных тенденций в современных полупроводниковых интегральных микросхемах (ИМС). Структурная схема блока компаратора. Физическая структура и топология биполярного n-p-n транзистора на основе подложки p-типа с эпитаксиальным и скрытым слоем.
курсовая работа [214,9 K], добавлен 01.11.2010Устройство и принцип действия биполярных транзисторов. Структура и технология изготовления полупроводниковых интегральных микросхем на основе биполярного транзистора с помощью метода диэлектрической изоляции; подготовка полупроводниковой подложки.
контрольная работа [710,2 K], добавлен 10.06.2013Назначение, классификация и основные характеристики оптических средств обнаружения, принцип действия, универсальность и особенности применения. Сущность сигналообразования, классификация помех, сравнительный анализ методов повышения помехоустойчивости.
реферат [1,8 M], добавлен 27.08.2009
