Оптроны. Часть 1
Принцип действия элементарного оптрона. Характеристики. Разновидности оптронов (транзисторные, диодные, резисторные, тиристорные, с составным транзистором). Технология и конструкции. Оптоэлектронные интегральные микросхемы, тенденции их развития.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | лекция |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 17.08.2014 |
| Размер файла | 1,5 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Микроэлектроника - самостоятельное научно-техническое, технологическое направление, исторические этапы. Цифровые интегральные микросхемы: логические основы, кодирование сигналов, классификация; разработка, производство, перспективы развития и применения.
учебное пособие [1,7 M], добавлен 11.11.2010Интегральные микросхемы: сведения, классификация, условно-графическое обозначение, маркировка. Условные обозначения микросхем, основные электрические параметры, базовые логические элементы. Регистры, счетчики, дешифраторы, триггеры, аппараты защиты.
лекция [770,3 K], добавлен 20.01.2010Интегральные микросхемы. Подложки толстопленочных микросхем. Толстопленочные проводники и резисторы. Основные свойства резистивных пленок. Удельное сопротивление сплошной толстой пленки. Перенос электрического тока через толстопленочную структуру.
реферат [1,1 M], добавлен 06.01.2009Конструкция современной ЭВМ. Требования по условиям эксплуатации. Интегральные микросхемы, используемые в печатной плате. Разработка конструкции блока. Задачи компоновки и покрытия. Критерии оптимального размещения модулей. Расчет теплового режима.
курсовая работа [609,6 K], добавлен 16.08.2012История появления и проблемы микроэлектроники. Развитие современных средств вычислительной техники, робототехники, аппаратуры цифровых коммуникаций. Положения и принципы микроэлектроники. Технология толстых пленок. Аналоговые интегральные микросхемы.
курсовая работа [50,8 K], добавлен 12.02.2013Простые схемы дросселей насыщения. Софтстартеры: назначение, область применения. Транзисторные усилители с обратной связью. Тиристорные коммутационные аппараты постоянного тока. Цифровые устройства плавного пуска серии STAT. Основные технические данные.
курсовая работа [1,8 M], добавлен 28.05.2014История развития элементной базы ЭВМ. Механические вычислительные машины Леонардо да Винчи, Блеза Паскаля, Лейбница. Релейные, ламповые, транзисторные дискретные и интегральные ЭВМ. Современная элементная база компьютера и перспективы ее развития.
реферат [369,7 K], добавлен 26.11.2010Разработка конструкции и технологии изготовления полупроводниковой микросхемы выполненной в интегральном исполнении. Обоснование выбора технологии изготовления микросхемы, на основании которого разработан технологический процесс, топология кристалла.
курсовая работа [708,7 K], добавлен 13.07.2008Акселерометр как прибор, измеряющий проекцию кажущегося ускорения. Характеристика микросхемы ADXL150. Основные особенности интегральных и пленочных пьезоэлектрических акселерометров. Анализ конструкции датчика ускорения микросхемы семейства XMMA.
реферат [2,2 M], добавлен 22.10.2012Принцип действия и параметры элементов ПЗС, а также разновидности их конструкций. Распределение поверхностного потенциала в МДП-структуре в направлении, перпендикулярном затвору. Принцип действия ПЗС основан на накоплении и хранении зарядовых пакетов.
реферат [104,5 K], добавлен 11.12.2008Основные активные элементы, применяемые в устройствах, работающих в диапазоне радиоволн. Важные характеристики интегральных микросхем. Полупроводниковые и гибридные интегральные микросхемы. Источники и приемники оптического излучения, модуляторы.
реферат [30,6 K], добавлен 14.02.2016Преобразователи частоты: понятие, функции, достоинства и недостатки использования. Схемы преобразователя на диодах. Транзисторные преобразователи частоты и их преимущества и недостатки. Свойства линейного и активного элемента в биполярном транзисторе.
презентация [127,1 K], добавлен 26.11.2014Использование параметрических феррорезонансных стабилизаторов напряжения. Конструктивно-технологическое исполнение интегральной микросхемы. Расчет интегрального транзистора и его характеристики. Разработка технических требований и топологии микросхемы.
курсовая работа [140,6 K], добавлен 15.07.2012Анализ исходных данных и выбор конструкции. Разработка коммутационной схемы. Расчет параметров элементов. Тепловой расчет микросхемы в корпусе. Расчет паразитных емкостей и параметров надежности микросхемы. Разработка технологии изготовления микросхем.
курсовая работа [150,4 K], добавлен 12.06.2010Определение тока эмиттера и коэффициента усиления по току. Схемы включения пентода и фотоэлектронного умножителя. Структурное устройство МДП-транзистора. Параметры импульсных сигналов. Технологии формирования полупроводниковых интегральных микросхем.
контрольная работа [1,5 M], добавлен 13.11.2012Принцип действия формирователя импульса тока для запуска лазером и требуемые параметры его работы. Принцип работы таймера в схеме одиночного запуска. Каскад Дарлингтона. Операционный усилитель и схема с транзистором VT1. Принципиальная схема устройства.
курсовая работа [119,3 K], добавлен 07.04.2008Технические характеристики, описание конструкции и принцип действия (по схеме электрической принципиальной). Выбор элементной базы. Расчёт печатной платы, обоснование ее компоновки и трассировки. Технология сборки и монтажа устройства. Расчет надежности.
курсовая работа [56,7 K], добавлен 07.06.2010Климатические воздействия при эксплуатации РЭСИ подразделяют на естественные и искусственные. Микроэлементы и интегральные микросхемы, находящиеся в зоне воздействия радиоактивных излучений, могут существенно изменять свои параметры и выходить из строя.
реферат [401,1 K], добавлен 14.01.2009Понятие и некоторые сведения о работе амплитудных ограничителей. Диодные и транзисторные амплитудные ограничители. Методика расчета диодных ограничителей амплитуды, ее основные этапы и назначение. Примеры и анализ расчетов ограничителей амплитуды.
курсовая работа [676,4 K], добавлен 14.11.2010Оценка показателей технологичности конструкции. Производственные погрешности выходных параметров изделий. Схемы ТП герметизации и контроль качества герметизации. Принцип действия, области выгодного применения в производстве РЭА и направления развития.
контрольная работа [431,5 K], добавлен 20.12.2010
