Дослідження активних елементів метал-діелектрик-напівпровідник інтегральних схем
Види топології метал-діелектрик-напівпровідник транзисторів в цифрових та аналогових інтегральних схемах. Практичне дослідження основних параметрів транзисторів і транзисторних ключів. Геометричні розміри областей витоку, стоку і затвору транзистора.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | лабораторная работа |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 18.04.2014 |
| Размер файла | 94,6 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ УКРАЇНИ
Харківський Національний Технічний Університет Радіолектроніки
Кафедра МЕПП
ЗВІТ
з лабораторної роботи на тему:
“Дослідження активних елементів МДН ІС”
з курсу: “Основи мікроелектроніки”
Харків 2003
Мета роботи: Ознайомитися з різновидами топології МДН транзисторів в цифрових та аналогових ІС. Провисти практичне дослідження основних параметрів МДН транзисторів та транзисторних ключів.
Опис лабораторної установки:
В лабораторну установку входять:
* комплекти зі зразками гібридних ІС зі вскритими кришками кор-пусів для вивчення топології та лабораторний макет з комплектом ІС для вимірювання електричних параметрів елементів мікросхем;
* мікроскоп МБС-9 з вимірювальним окуляром для візуального вив-чення топології ІС та оцінки геометричних розмірів досліджуваних еле-ментів;
* осцилограф та генератор типу С1-112
* мультиметр типу ВР-11А;
* планшети зі схемами електричними принциповими і фотографіями топології ІС.
За допомогою вказаних приладів та обладнання проводимо вимірю-вання і дослідження електричних параметрів елементів гібридно-плівкових ІС.
Виконання роботи
1 Вимірюємо геометричні розміри областей витоку, стоку та затвору МДН транзистора. Та замальовуємо фрагменти топології ІС.
транзистор інтегральний схема цифровий
Размещено на http://www.allbest.ru/
Sнагруз=2352мкм2
Sраб=1960мкм2
Размещено на http://www.allbest.ru/
2 Досліджуємо параметри активного транизистора МДН ключа.
Порогову напругу можна визначити, вимірявши залишкову напругу Uзал на стоці.
Uзат=15В UCU=0.08 В Ic=13.7мА
Uзат=7В UCU=0.2 В
3 Досліджуємо параметри пасивного транизистора МДН ключа.
Uзат=15В UCU=0.7 В Ic=10мА
Uзат=7В UCU=1.25 В
Размещено на http://www.allbest.ru/
4 Досліджуємо параметри пасивного транизистора КМДН ключа.
Uзат=9.8В UCU=0.15 В Ic=0.9мА Uзат=5В UCU=0.33 В
5 Досліджуємо швидкодію МДН та КМДН транзистора
Uзат=7В UCU=0.98 В Ic=10мА
Uзат=3В UCU=0.94 В
Висновок: ознайомилися з різновидами топології МДН транзисторів в цифрових та аналогових ІС. Провили практичне дослідження основних параметрів МДН транзисторів та транзисторних ключів.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Розгляд будови та принципу роботи ключів на прикладі біполярного транзистора із спільним емітером. Вивчення особливостей МДН-транзисторів із резистивним, динамічним та комплементарним навантаженням. Аналіз режимів автоколивального мультивібратора.
реферат [509,5 K], добавлен 30.01.2010Принцип роботи біполярного транзистора, його вхідна та вихідна характеристики. Динамічні характеристики транзистора на прикладі схеми залежності напруги живлення ЕЖ від режиму роботи транзистора. Динамічний режим роботи біполярного транзистора.
лабораторная работа [263,7 K], добавлен 22.06.2011Дослідження характеристик та роботи напівпровідникового діоду, біполярного транзистора, напівпровідникового тиристора, фоторезистора, операційного підсилювача, мультивібраторів, логічних інтегральних схем, малопотужних випрямлячів і згладжуючих фільтрів.
методичка [5,3 M], добавлен 02.12.2010Теоретичний аналіз існуючих технологій гібридних інтегральних мікросхем, особливості їх конструювання, позначення параметрів, вибір матеріалів, переваги і недоліки, технології виробництва. Розробка комутаційної схеми, розрахунок елементів мікросхеми.
курсовая работа [1004,7 K], добавлен 18.09.2010Дослідження основних способів подання логічної функції: аналітичний і табличний. Мінімізація логічних функцій та карта Карно. Синтез комбінаційного пристрою на базисі Шеффера та Пірса. Побудова принципової схеми, виконаної на інтегральних мікросхемах.
курсовая работа [891,4 K], добавлен 06.08.2013Історія та походження назви золота, його хімічні властивості. Поширення в природі золота, його одержання, переваги, використання в промисловості. Розподіл електричного поля і контактні явища в широкозонних напівпровідниках і вузькозонних діелектриках.
курсовая работа [2,1 M], добавлен 30.01.2014Вивчення конструкції інтегрального транзистора. Дослідження засобів проектування та технології виготовлення інвертора позитивних імпульсів. Визначення габаритних розмірів мікросхеми. Огляд параметрів інтегральних діодів. Розрахунок дифузійних резисторів.
курсовая работа [209,3 K], добавлен 07.10.2014Принципова відмінність польових транзисторів від біполярних. Фізичні фактори,відповідальні за нелінійність ВАХ. Опір ділянки кола стік-витік транзистора у відкритому стані при концентрації донорів в каналі Nd.
курсовая работа [119,0 K], добавлен 08.08.2007Розрахунок і розробка топології і конструкції функціональних вузлів радіоелектронної апаратури (РЕА) у виді гібридних інтегральних схем (ГІС) і мікро збірок (МЗБ). Визначення розмірів плати. Вибір матеріалу, розрахунок товстоплівкових резисторів.
курсовая работа [571,9 K], добавлен 27.11.2010Класифікація та умовні позначення польових транзисторів. Конструкція пристроїв з ізольованим затвором. Схема МДН-транзистора з вбудованим або індукованим каналом. Розрахунок електричних параметрів і передаточних характеристик польового транзистора КП301.
контрольная работа [510,5 K], добавлен 16.12.2013