Выбор трансформатора

Размещено на http://www.allbest.ru/

Министерство образования Республики Беларусь

Учреждение образования

Гомельский государственный технический университет имени П.О. Сухого

Факультет автоматизированных и информационных систем

Кафедра «Промышленная электроника»

Расчетно-пояснительная записка

Исполнитель:

студент гр. ПЭ-31

Пекурин А.В.

Руководитель:

ст. преподаватель

Козусев Ю.А.

Гомель 2013

Содержание

выпрямитель сигнал усилитель

Введение

1. Выбор схемы выходного каскада

2. Расчет напряжений питания Е, потребляемой мощности Ро, КПД, мощности на коллекторах оконечных транзисторов Рк

3. Выбор оконечных транзисторов, расчет площади теплоотводов

4. Расчет элементов усилителя мощности

5. Выбор ОУ для усилителя мощности, расчет элементов цепи ООС

6. Расчет предварительного усилителя

7. Проектирование блока питания

8. Выбор и расчет выпрямителя и схемы фильтра

9. Выбор трансформатора

Заключение

Литература

Введение

Усилитель - это активный четырехполюсник (Рис. 1), к входным зажимам которого подводится входной сигнал U1,а к выходным присоединено сопротивление нагрузки Rн.

Мощность сигнала, выделяющаяся в нагрузке усилителя, представляет собой преобразованную энергию источников питания, управляемую входным напряжением или входным током.

Мощность сигнала на выходе усилителя больше, чем мощность на его входе. Это и отличает усилители от пассивных четырехполюсников, таких, как, например, трансформаторы, с помощью которых можно повысить напряжение или ток, но нельзя повысить мощность.

Источником входного сигнала может служить звукосниматель, фотоэлемент, микрофон, термопара и др. Нагрузкой усилителя обычно бывает громкоговоритель, записывающая головка магнитофона, электроннолучевая трубка и др.

Усилители можно разделить на различные типы по ряду признаков.

По роду усиливаемых электрических сигналов [1]:

Усилители гармонических сигналов.

Усилители импульсных сигналов.

К усилителям гармонических сигналов относятся микрофонные, магнитофонные, граммофонные записи звука и др.

К усилителям импульсных сигналов относятся усилители, предназначенные для усиления импульсных сигналов связи, радиолокации, телевидения, счетно-решающих устройств и др.

По ширине полосы частот входного сигнала:

Усилители постоянного тока.

Усилители переменного тока низкой и высокой частоты.

Усилители постоянного тока предназначаются для усиления постоянного или медленно меняющегося напряжения (тока) в пределах от частоты Fн=0 до частоты Fв, т.е. для усиления как постоянной, так и переменной составляющих входного сигнала.

Усилители переменного тока низкой и высокой частоты предназначаются для усиления сигнала с частотой от Fн до Fв. К таким усилителям относятся усилители гармонических и импульсных сигналов. В зависимости от диапазона частот входного сигнала усилители могут быть узкополосными и широкополосными [1].

Узкополосные усилители предназначаются для усиления сигналов в узкой полосе частот, например, от десятков герц до 15 кГц. Такие усилители часто называют усилителями низкой частоты. К узкополосным усилителям можно отнести и специальные избирательные усилители с полосой частот в несколько сот герц.

Широкополосные усилители предназначаются для усиления сигналов с более широким спектром частот, например, от нескольких десятков герц до нескольких мегагерц, и используются в качестве видеоусилителей, усилителей счетно-решающих устройств, усилителей радиолокационных устройств и др.

Усилители высокой частоты (УВЧ) или резонансные усилители применяются для усиления сигналов несущей частоты (как модулированных, так и немодулированных), например, принимаемых приемной антенной радиоприемного устройства. Кроме того, такие усилители используются для усиления промежуточной частоты в супергетеродинных приемниках.

Нагрузкой усилителей обычно являются колебательные контуры. Полоса частот, пропускаемая такими усилителями, зависит от параметров колебательных контуров и резонансной частоты и измеряется единицами, десятками и сотнями килогерц.

Основные показатели усилителей.

Усилители имеют показатели, характеризующие их свойства [1]. К таким показателям относятся:

Коэффициент усиления.

Диапазон частот входного сигнала.

Выходная мощность.

Коэффициент полезного действия.

Чувствительность.

Искажения.

Собственные помехи.

1. Коэффициент усиления.

Коэффициент усиления усилителя может быть по напряжению Кu, по току Ki, по мощности Kp.

Коэффициент усиления показывает, во сколько раз напряжение, ток или мощность на выходе усилителя больше соответствующих значений на его входе. Коэффициент усиления может быть выражен в отвлеченных или в логарифмических единицах.

В отвлеченных единицах:

Ku=Uвых/Uвх Ki=Iвых/Iвх Kp=Pвых/Pвх

Для многокаскадных усилителей общий коэффициент усиления равен произведению коэффициентов усиления отдельных каскадов.

2. Диапазон частот входного сигнала.

Диапазон частот входного сигнала зависит от назначения усилителя. Узкополосные усилители обычно предназначаются для усиления гармонических сигналов с частотным спектром от десятков герц до 10-15 кГц.

Широкополосные усилители предназначаются для более широкой полосы частот, например, от десятков герц до нескольких мегагерц. Это объясняется тем, что в большинстве случаев широкополосные усилители усиливают импульсные сигналы, которые можно представить в виде суммы гармонических составляющих. Спектральный состав импульсов зависит от формы и длительности импульсов. Спектр импульсов безграничен, но с увеличением номера гармоник их амплитуда убывает. Для практического воспроизведения формы импульсов можно ограничится лишь частью спектра. Так, для прямоугольного импульса за ширину полосы входного сигнала принимают полосу частот П, определяемую выражением:

П=2/tи,

где tи- длительность импульса.

3. Выходная мощность.

Выходная мощность усилителя в зависимости от его назначения может быть от сотых долей ватта до сотен ватт. Максимальная мощность, которую можно получить на выходе усилителя при условии, что величина искажений сигнала на выходе не превысит заданной величины, называется номинальной мощностью. Эта мощность указывается в техническом паспорте прибора. При электрических испытаниях усилителей номинальная мощность определяется по величине выходного напряжения усилителя. Для этого на вход усилителя от звукового генератора подается напряжение с частотой 400 или 1000 Гц. Величина входного напряжения должна быть такой, чтобы на выходе усилителя установилось напряжение, равное значению: Uвых= Pвых Rн.

4. Коэффициент полезного действия.

Коэффициент полезного действия (КПД) усилителя представляет собой отношение мощности, отдаваемой усилителем в нагрузку, к суммарной мощности, потребляемой усилителем от источников питания.

Для ламповых усилителей КПД может определятся с учетом и без учета мощности, потребляемой цепями накала. Наиболее часто КПД усилителя рассчитывается без учета мощности, потребляемой цепями накала Рн, так как это дает возможность сравнивать экономичность работы ламп и транзисторов при различных электрических режимах работы.

5. Чувствительность.

Чувствительность усилителя характеризуется наименьшей величиной напряжения или тока входного сигнала при постоянной его частоте, при которой на выходе усилителя создается номинальная мощность или заданное напряжение. Чувствительность усилителя можно определить по амплитудной характеристике, показывающей зависимость выходного напряжения от входного.

Блок-схема усилителя.

В большинстве случаев усиление одного усилительного элемента бывает недостаточно, и в усилителе применяют несколько таких элементов, которые включаются так, чтобы электрические колебания, усиленные первым элементом, подводились ко второму, затем к третьему и т.д., т.е. чтобы сигнал усиливался отдельными ступенями. Часть схемы усилителя, составляющая одну ступень усиления, называется усилительной ступенью или усилительным каскадом.

Для наглядного изображения устройство усилителя применяют блок-схему, на которой прямоугольниками обозначают основные части (узлы) усилителя (Рис. 1).

Размещено на http://www.allbest.ru/

Рис. 1. Блок-схема усилителя

Рассмотрим название отдельных частей (узлов) схемы [1]. Источником сигнала может являться любой источник тока, например, микрофон, звукосниматель, фотоэлемент и др. Предварительный усилитель усиливает напряжение, ток или мощность входного сигнала до необходимой величины, при которой будет нормально работать оконечный каскад усилителя. Предварительный усилитель может состоять из одного или нескольких каскадов предварительный усиления, количество которых будет определятся необходимым усилением сигнала. Если напряжение, ток или мощность, отдаваемые источником сигнала, достаточны для нормальной работы оконечного каскада, предварительный усилитель в составе усилителя не нужен. В каскадах предварительного усиления обычно применяются маломощные ламповые триоды и пентоды, а также транзисторы малой мощности.

Оконечный каскад усилителя предназначен для передачи в нагрузку заданной мощности или заданного напряжения сигнала. Нагрузкой усилителя в зависимости от его назначения может быть громкоговоритель, электроннолучевая трубка, реле или другие исполнительные устройства. В оконечном каскаде усилителя применяются так называемые выходные лампы - триоды и пентоды, рассчитанные на получение нужной выходной мощности или напряжения, а также транзисторы средней и большой мощности.

Исходные данные:

Uнm = 16 (В) - амплитуда напряжения на нагрузке;

Pн = 70 (Вт) - мощность на нагрузке;

Rн = 1,83 (Ом) - сопротивление нагрузки;

Iнm = 8,75 (А) - амплитуда тока на нагрузке;

Uвхm = 81 (мВ) - амплитуда входного напряжения;

fн = 60 (Гц) - низшая частота усиливаемых сигналов;

fв = 30 (кГц) - высшая частота усиливаемых сигналов.

1. Выбор схемы выходного каскада

Мощный выходной каскад [2] является основным потребителем энергии. Он вносит основную часть нелинейных искажений, поэтому при выборе и проектировании выходного каскада основное внимание обращают на возможность получить наибольший КПД и малые нелинейные искажения.

Нелинейные искажения для мощных транзисторных каскадов обусловлены зависимостью h21б или h21э от режима работы, нелинейностью характеристик Iэ(Uэб) или Iб(Uэб), а также нелинейностью характеристик намагничивания магнитной системы трансформатора, часто используемого для согласования выходного каскада с нагрузкой.

Транзисторные выходные каскады выполняют однотактными и двухтактными, причем полевые транзисторы в мощных выходных каскадах, как правило, не используют вследствие малой допустимой мощности рассеяния.

Активные элементы в усилителях мощности могут работать в режимах А, В или АВ. Для создания мощных выходных каскадов используют схемы с ОЭ, ОБ и ОК.

Однотактные выходные каскады обычно работают в режиме А. При их создании используют все три схемы включения транзисторов. Для согласования нагрузки с выходным каскадом иногда применяют трансформаторы, которые, обеспечивая высокий КПД, существенно ухудшают его частотные характеристики.

В связи с тем, что КПД однотактных выходных каскадов в режиме А меньше 0.5, в мощных выходных каскадах часто используют двухтактные выходные каскады, которые работают в режиме В или АВ. Применяются все три схемы включения транзисторов: с ОБ, ОЭ, ОК. Двухтактные выходные каскады можно подразделить на каскады с согласующими выходными трансформаторами и безтрансформаторные выходные каскады.

В трансформаторных каскадах удается, как правило, получать лучшее согласование каскада и нагрузки, легче получить требуемую температурную стабильность. Они являются классическими схемами, обеспечивающими большую мощность. Недостаток их - наличие громоздких трансформаторов и значительные нелинейные и частотные искажения.

Безтрансформаторные мощные выходные каскады в последнее время получают все более широкое распространение. Они позволяют осуществить непосредственную связь с нагрузкой, что дает возможность обойтись без громоздких трансформаторов и разделительных конденсаторов, имеют хорошие частотные и амплитудные характеристики, легко могут быть выполнены по интегральной технологии. Кроме того, отсутствие частотно-зависимых элементов в цепях связи между каскадами позволяет вводить глубокие общие отрицательные ОС как по переменному, так и по постоянному току, что существенно улучшает характеристики преобразования всего устройства. При этом обеспечение устойчивости всего устройства может быть достигнуто путем введения простейших корректирующих цепей.

Безтрансформаторные мощные выходные каскады собирают в основном по двукратным схемам на транзисторах, работающих в режиме В или АВ и включенных по схемам с ОЭ или ОК. В этих схемах возможно сочетание в одном каскаде либо одинаковых транзисторов, либо транзисторов с разным типом электропроводности (p-n-p и n-p-n), носят название каскадов с дополнительной симметрией.

Рассмотрев все вышесказанное, в качестве мощного выходного каскада выберем безтрансформаторный мощный выходной каскад по двухтактной схеме на транзисторах работающих в режиме АВ (рис. 2).

В связи со сложностью подобрать комплементарную пару по требуемым параметрам (см. п. 3) применяем квазикомплементарный эмитерный повторитель (рис. 2), где маломощный n-p-n транзистор VT4 и мощный p-n-p VT6 образуют мощный составной n-p-n транзистор.



Рис. 2. Схема усилителя мощности класса АВ

Составные транзисторы VT6-VT8 и VT7-VT9 (схема Дарлингтона) образуют комплементарный эмиттерный повторитель. Цепь смещения, содержащая источники тока Io и транзистор VT4, обеспечивают класс АВ выходных транзисторов.

2. Расчет напряжений питания Еп, потребляемой мощности Ро, КПД, мощности на коллекторах оконечных транзисторов Рк

Напряжения питания выходного каскада выбирают из условия

Е=Uнm + U, (2.1)

где U равно сумме минимального напряжения на источнике тока Iо (1-2В) и напряжений Uбэ транзисторов. Типовые значения U =(35)В и должны уточняться для каждой схемы ВК.

(В) (2.2)

На рис. 3 построены линии нагрузки выходных (оконечных) транзисторов. Нумерация транзисторов дана для рис. 2.

Рис. 3. Линии нагрузки выходных транзисторов

Рассчитаем энергетические параметры усилителя класса АВ:

Для класса АВ значения Po и Рк должны учитывать дополнительные потери мощности в точке покоя, потребляемая мощность в классе АВ с ненулевым током.

Среднее значение потребляемого тока:

(А) (2.2)

Потребляемая мощность:

(Вт), (2.3)

где Iок=550мА - ток покоя оконечных транзисторов.

Выходная мощность (на нагрузке):

(Вт) (2.4)

Мощность, рассеиваемая на коллекторах выходных (оконечных) транзисторов:

(Вт) (2.5)

Коэффициент полезного действия:

(2.6)

Мощность, рассеиваемая на коллекторах выходных транзисторов, имеет максимум:

(Вт), (2.7)

при (В). (2.8)



Рис. 4. Графики зависимостей , ,

Рис. 5. График зависимости КПД(Uнm)

3. Выбор оконечных транзисторов, расчет площади теплоотводов

Выходные транзисторы выбираем по предельно-допустимым параметрам:

(А) (3.1)

(В) (3.2)

(Вт) (3.3)

Выбираем 2 p-n-p транзистора [3]:

VT8: КТ712А

VT9: КТ712А

Параметры выбранных транзисторов:

Uкэmax =200 (В);

Iкmax = 10 (А);

Pкmax = 50 (Вт);

Pкmax т. = 60 (Вт);

= h21э = 500;

Тпmax = 150⁰С - максимально-допустимая температура коллекторного перехода.

Тп = +25 - +100 ⁰С уменьшается линейно до 20 Вт.

Расчёт площади теплоотвода:

Определим требуемое общее тепловое сопротивление:

 (град/Вт) (3.4)

где Тс = (35 40) ⁰С - температура окружающей среды,

Т = (510) ⁰С - температурный запас.

Общее тепловое сопротивление складывается из составляющих:

RТ = RТП-к + RТк?Т + RТТ?с, (3.5)

где RТк?Т - тепловое сопротивление корпус транзистора - теплоотвод;

RТТ?с - тепловое сопротивление теплоотвод - окружающая среда;

RТП-к - тепловое сопротивление коллекторный переход - корпус.

Для определения RТП-к построим график рис. 6:

Рис. 6. Зависимость Ркмакс (Т)

Величина RТк?Т определяется качеством теплового контакта корпус - теплоотвод. При отсутствии электрической изоляции между корпусом и радиатором можно принять RТк?Т = (00,2) град/Вт.

Если применяется электрическая изоляция, когда на общий радиатор устанавливаются два или более транзисторов, имеющих разные потенциалы коллекторов (корпусов), или по конструктивным требованиям на теплоотводе нулевой потенциал, то принимают RТк-Т =(0,20,5) град/Вт. Выбираем RТк-Т =0,2 град/Вт

Тепловое сопротивления теплоотвод - окружающая среда RТТ?с является характеристикой теплоотвода (радиатора), которая позволяет определить его минимально-допустимую площадь Sт.

, (3.6)

где Кт - коэффициент, зависящий от условий теплообмена радиатора с окружающей средой. Для черненого алюминиевого ребристого теплоотвода без принудительной вентиляции на основе эмпирических данных можно принять .

Из (3.6) выражаем Sт учитывая Кт:

. (3.7)

Из (3.5) выражаем:

RТТ?с=RТ? RТП-к ? RТк?Т = 4,5 - 2,5 - 0,2 = 1,8 (град/Вт) (3.8)

Рассчитываем искомую величину Sт:

. (3.9)

Т.к. транзисторов 2, то площадь теплоотвода необходимо удвоить:

(см²). (3.10)

4. Расчет элементов усилителя мощности

Резисторы, включенные параллельно эмиттерным переходам предоконечных транзисторов, предотвращают режим обрыва базы выходных транзисторов при запирании предоконечных транзисторов и и выбираются в пределах 100-500 Ом;

R22 = R23 = 300 Ом;

Выбираем R22,R23 - МЛТ резисторы [4]:

МЛТ- 0.5 - 300 Ом 5%.

Определим входной ток выходных транзисторов VT8-9:

(мА) (4.4)

Выберем предоконечные транзисторы по предельно-допустимым параметрам:

(мА) (4.5)

Uкэ макс 2Е=40 (В) (4.6)

(Вт) (4.7)

Выбираем комплементарную пару n-p-n и p-n-p транзисторов [5], имеющих близкие параметры:

VT6: КТ503Е (n-p-n) VT7: КТ502Е (p-n-p)

Параметры выбранных транзисторов:

Uкэmax = 80 (В);

Iкmax = 300 (мА);

Pкmax = 0,5 (Вт);

= h21э = 40.

После выбора предоконечных транзисторов определяем входной ток усилителя мощности:

(мA), (4.8)

где R - сопротивление резистора, включенного параллельно эмиттерному переходу.

Достаточным усиление по току можно считать в том случае, если Iвхm 5мА, что соответствует типовому значению выходного тока ОУ.

Iвхm1=0,604 мA 5 мА

Назначение цепи смещения - уменьшение свойственных классу В переходных искажений путем нейтрализация зоны нечувствительности двухтактных выходных каскадов.



Рис. 7. Схема усилителя мощности класса АВ с цепью смещения

Выбираем транзистор VT4 [3]:

КТ316А (n-p-n)

Параметры выбранного транзистора:

Uкэmax =10 (В);

Iкmax = 10 (мА);

Pкmax = 150 (мВт);

= h21э = 50 - статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.

Uбэ = 0.55 (В)

Напряжение Uкэ транзистора VT4 (рис. 4.2) устанавливаем равным

Uкэ1=Uсм = UБЭотп2 + UБЭотп3 + UБЭотп4 + UБЭотп5+

+ UБЭотп6, (4.13)

где UБЭотп - напряжение отпирания транзисторов.

Uкэ1=Uсм =0.6+0.6+2+2=3,2 (В) (4.14)

Транзистор VT1 включен по схеме с коллекторной стабилизацией - с отрицательной обратной связью по напряжению Uкэ. Напряжение на нем:

. (4.15)

Определив требуемое значение Uсм и задавшись R18=1кОм, рассчитываем R17. В качестве R17 выбираем подстроечные резисторы примерно удвоенного номинала, чтобы иметь возможность перекрыть погрешности расчетов, вызванные неопределенностью учитываемых характеристик транзисторов.

(Ом) 4.7 (кОм) (4.16)

Выбираем R18 - МЛТ резистор [6]:

МЛТ- 0.125 - 1 кОм 5%.

Выбираем R17- подстроечный резистор [6]:

СП3 - 16В - 4.7кОм10%

Выбор источника тока:

Источники тока Io обеспечивают режим стабилизации Uсм и их величина должна быть не менее тока (4.8):

Io Iвхm. (4.17)

Схема источника тока приведена на рис. 8. Ток Io - это ток коллектора VT1, включенного по схеме с фиксированным потенциалом базы (резисторы R14-R15), эмиттерной стабилизацией (R16) и термокомпенсацией (VD1). Потенциал базы UБ для сохранения активного режима транзистора должен удовлетворять условию:

Uб Uнm+0,5Uсм. (4.18)

Uб 16+0,53,2=17,6 (В) (4.19)

Рис. 8. Схема источника тока

Выбираем транзистор VT3(рис. 8) по предельным параметрам:

Uкэ > 2Е = 40(В) (4.20)

Iк > Iо = 0,5 (мА) (4.21)

Рк > EIo =20=0.1 (Вт) (4.22)

Выбираем транзистор VT3 [5]: КТ203А (p-n-p)

Параметры выбранного транзистора:

Uкэmax =60 (В);

Iкmax = 10 (мА);

Pкmax = 150 (Вт);

= h21э = 9.

Выбираем ток делителя:

Iдел = (510)IоБ = (510)Iо/= (мА) (4.23)

и рассчитываем резисторы:

(Ом) (4.24)

(кОм) (4.25)

(Ом) (4.26)

Выбираем МЛТ резисторы [6]:

R14: МЛТ- 0.125 - 4 кОм 5%.

R16: МЛТ- 0.125 - 4 кОм 5%.

R15: МЛТ- 0.125 - 32 кОм 5%.

Выбираем диод VD9 [7] из условия, что Iпр > Iдел = 0,5 мА.

VD9: Д2Г

Параметры выбранного диода:

Iпр = 0,5 мА;

Uпр = 1 В.

В связи со сложностями в подборе ОУ для предварусилителя (требуемого быстродействия и нужного выходного напряжения, см. п. 5) произведем дополнительное усиление по напряжению в цепи смещения (рис. 9):

Рис. 9.Схема с дополнительным усилением по напряжению

Выбираем транзистор VT5(рис. 9) по предельным параметрам:

Uкэ > 2Е = 40(В)

Iк > Iо = 0.5 (мА)

Рк > EIo =20=0.1 (Вт)

Выбираем транзистор VT5 [5]: КТ503Е (n-p-n)

Параметры выбранного транзистора:

Uкэmax = 80 (В);

Iкmax = 300 (мА);

Pкmax = 0,5 (Вт);

 = h21э = 40.

h11э = 1,4 кОм

Возьмем R20 = 1кОм, R21 = 2.1кОм

в₅в₇ )//R17= кОм

Кu ? =

R19 выбираем в пределах 100-500 Ом; R20 и R21 МЛТ резисторы[4]:

R19: МЛТ- 0.5 - 300 Ом 5%.

R20: МЛТ- 0.5 - 1 кОм 5%.

R21: МЛТ- 0.5 - 2.1 кОм 5%.

Стабилитрон выбираем 2С220Ж [9]:

Uст = 20 В; Uст max = 21 В; Uст min = 19 В;

P = 150 мВт; Iст min = 0.5 мА; Iст max = 7.5 мА.

5. Выбор ОУ для усилителя мощности, расчет элементов цепи ООС

Рис. 10. Усилитель мощности на основе повторителя - применена последовательная единичная ООС по напряжению

 (5.1)

Операционный усилитель DA5 (рис. 10) обеспечивает требуемые амплитуды тока и напряжения на входе ВК. Поэтому параметры ОУ должны удовлетворять условиям

IвыхОУ = (мА) (5.2)

Uвых ОУ > Uнm = 16 (В) (5.3)

Vuвых 2fвUнm = (В/мкс) (5.4)

Выбираем ОУ [8]: КР14УД23

Параметры выбранного ОУ:

Uвых =10 (В);

Iвых = 8 (мА);

Vuвых = 30 (В/мкс);

Кус = 25000

f1 = 10 (Гц)

Необходимое значение глубины обратной связи достигается применением операционных усилителей (ОУ) с большим коэффициентом усиления. Для сохранения значения глубины ООС на частотах десятки килогерц общее усиление замкнутого усилителя рекомендуется выбирать из условия

Кум = (13). (5.5)

Выберем Кум = 1.

6. Расчет предварительного усилителя

а) Подбор ОУ.

Предварительный усилитель должен быть двухкаскадным, причем один из каскадов инвертирующий, а другой - неинвертирующий, в любой последовательности. Общее усиление распределяется примерно поровну между первым и вторым каскадами.

(6.1)

Общее усиление:

(6.2)

Рис. 11. Двухкаскадный предварительный усилитель

Выберем DA1 и DA2 [9]: КР1408УД7

Ku = 50000

Uсм = 4 мВ

Iвх = 200 нА

Iвх = 50 нА

f1 = 0.8 МГц

Rнмин = 2к

б) Расчет элементов цепей ООС [10].

Определяем Ku:

(6.4)

Допустим, что К1 и К2 имеют одинаковые значения. В этом случае:

K1= (6.5)

Выбираем резисторы R1 = 1 кОм и R3 = 15 кОм.

(6.6)

При помощи расчета (6.6) получили Кус1 = 16.

Тогда

(6.7)

Выберем резисторы: R4 = 1 кОм, R5 = 7.5 кОм, R6 = 5.1 кОм.

Выбираем МЛТ резисторы [6]:

R1: МЛТ- 0.125 - 1 кОм 5%;

R3: МЛТ- 0.125 - 15 кОм 5%;

R4: МЛТ- 0.125 - 1 кОм 5%;

R5: МЛТ- 0.125 - 7.5 кОм 5%;

R6: МЛТ- 0.125 - 5 кОм 5%.

R2: МЛТ- 0.125 - 47 кОм 5%;

R9: МЛТ- 0.125 - 47 кОм 5%;

Рассчитываем емкость конденсатора С5:

(пФ)

Выбираем конденсаторы [4]:

С5: КМ - (М75) - 50 В - 430 пФ 10%

в) Расчет режима покоя предварительного усилителя с учетом напряжения смещения и входных токов ОУ [10].

Из справочных данных имеем Iвх = 200 нА, Uсм = 4 мВ.

Тогда

(мВ) (6.9)

(мВ) (6.10)

В результате получаем:

(В) (6.11)

г) Расчет разделительных конденсаторов исходя из заданной нижней частоты [10].

Так как уход напряжения достаточно высок, то необходимо на выходе и между каскадами предусилителя поставить разделительные конденсаторы.

Производим расчет конденсаторов:

(мкФ) (6.12)

(нФ) (6.13)

(нФ) (6.14)

Выбираем конденсаторы С1,C2,С8 [4]:

C2: К50 - 35 - 40 В - 2.7 мкФ 10%;

C1: К50 - 35 - 40 В - 56 мкФ 10%.

C8: К50 - 35 - 40 В - 56 мкФ 10%.

д) Построение асимптотических ЛАЧХ каскадов и усилителя в целом [10].

Данные для построения:

Коу = 50000 = 93,9 дБ;

f1 = Гц;

К1 = 16 = 24.082 дБ;

К2 = 12,5 = 21.938 дБ;

Кум = 1 = 0 дБ;

fн = 60 Гц;

fн = 30 кГц.

(Гц) (6.14)

(кГц) (6.15)

 (кГц) (6.16)

7. Проектирование блока питания

Блок питания в общем случае содержит 4 канала: источники Е⁺ и Е^?? для питания выходного каскада и источники U⁺ и U^?? питания ОУ. Стабилизаторы рассчитываются на выходное напряжение и ток. При проектировании стабилизаторов необходимо определить средний ток потребления Iп и максимальный ток Iпмакс по каждому каналу путем суммирования токов всех нагрузок данного канала - Iнm, Iо, Iп ОУ и др. Для определения среднего тока учитывается ток (2.2).

Стабилизаторы могут быть выполнены на интегральных микросхемах. Входное (выпрямленное) напряжение выбирают из условия:

Uв = Uвх = (Uвых+Uмин) (1+ Кн +Кп) (7.1)

где Кн =0,1 - коэффициент нестабильности сети,

Кп - коэффициент пульсаций,

Uмин - минимальное напряжение на стабилизаторе.

Uв = Uвх = (В) (7.2)



Рис. 12. Интегральный стабилизатор КР1179 с повышенным выходным током и регулируемым выходным напряжением (для -Е).

Выбираем интегральный стабилизатор DA4 [9]: КР1179ЕН18.

Параметры выбранного интегрального стабилизатора:

Uвых = -180.48 (В);

Uмин = 2.5 (В);

Iпст 3 (мА);

Uвх (В) = 27(В);

Iвых = 1.5 (А).

Выберем транзистор VT2 по предельно-допустимым параметрам:

(В) (7.3)

(А) (7.4)

(Вт) (7.5)

Выбираем транзистор VT2 [3]: КТ827В (n-p-n)

Параметры выбранного транзистора:

Uкэmax =60 (В);

Iкmax = 20 (А);

Pкmax = 3 (Вт);

Pкmaxт = 125 (Вт);

Qпер.макс = 200 ();

= h21э = 750.

Определяем значения резисторов.

(Ом) (7.6)

Резисторы R12 и R13 выбираем из соотношений:

(7.7)

R12:

(кОм) Берем R12 = 500 Ом (7.8)

Выразив из выражения (7.7) сопротивление R13, получаем:

(кОм) 6.2(кОм) (7.9)

Выбираем резисторы R8, R12, R13 из ряда Е24 [6]:

R8: МЛТ - 2 - 100 Ом 5%;

R13: МЛТ - 0.125 - 6.2 кОм 5%;

R12: СП3 - 9Б - 510 Ом 10%.

Выбираем конденсаторы С7, С8, С11 [4]:

С7: К50 - 16 - 25 В - 30 мкФ 10%;

C9: К53 - 16 - 32 В - 0.01 мкФ 10%;

C11: К50 - 6 - 25 В - 10 мкФ 10%.

Расчёт площади теплоотвода:

Определим требуемое общее тепловое сопротивление:

(град/Вт) (7.10)

Общее тепловое сопротивление складывается из составляющих:

RТ = RТП-к + RТк?Т + RТТ?с, (7.11)

где RТк?Т - тепловое сопротивление корпус транзистора - теплоотвод;

RТТ?с - тепловое сопротивление теплоотвод - окружающая среда;

RТП-к - тепловое сопротивление коллекторный переход - корпус.

Для определения RТП-к построим график рис. 13:



Рис. 13. Зависимость Ркмакс (Т)

, (7.12)

где Кт - коэффициент, зависящий от условий теплообмена радиатора с окружающей средой.

.

Из (7.12) выражаем Sт учитывая Кт:

. (7.13)

Из (7.11) выражаем:

RТТ?с=RТ? RТП-к ? RТк?Т = 7.617 - 1.4 - 0.2 = 6.017 (град/Вт) (7.14)

Рассчитываем искомую величину Sт:

. (7.15)

Рис. 14. Интегральный стабилизатор КР1180 с повышенным выходным током с регулируемым выходным напряжением (для +Е)

Выбираем интегральный стабилизатор DA3 [9]: КР1180ЕН18.

Параметры выбранного интегрального стабилизатора:

Uвых = 180.36 (В);

Uмин = 2.5 (В);

Iпст 8 (мА);

Uвх (В) = 27 (В);

Iвых = 1.5 (А).

Выберем транзистор VT1 по предельно-допустимым параметрам:

(В) (7.16)

(А) (7.17)

(Вт) (7.18)

Выбираем транзистор VT1 [11]: КТ825Е (p-n-p)

Параметры выбранного транзистора:

Uкэmax =30 (В);

Iкmax = 20 (А);

Pкmax = 3 (Вт);

Pкmaxт = 125 (Вт);

Qпер.макс = 150 ();

= h21э = 750.

Определяем сопротивление R7.

(Ом)(Ом) (7.19)

Выбираем резисторы [6]:

R7: МЛТ - 2 - 39 Ом 5%;

R10: МЛТ - 0.125 - 6.2 кОм 5%;

R11: СП3 - 9Б - 510 Ом 10%.

Выбираем конденсаторы С6 и С10[4]:

С6 К50 - 40 - 63 В - 0.33 мкФ 10%;

C10: К50 - 6 - 25 В - 1 мкФ 10%.

Расчёт площади теплоотвода:

Определим требуемое общее тепловое сопротивление:

 (град/Вт) (7.20)

Общее тепловое сопротивление складывается из составляющих:

RТ = RТП-к + RТк?Т + RТТ?с, (7.21)

где RТк?Т - тепловое сопротивление корпус транзистора - теплоотвод;

RТТ?с - тепловое сопротивление теплоотвод - окружающая среда;

RТП-к - тепловое сопротивление коллекторный переход - корпус.

Для определения RТП-к построим график рис. 15:

Рис. 15. Зависимость Ркмакс (Т)

, (7.22)

где Кт - коэффициент, зависящий от условий теплообмена радиатора с окружающей средой.

.

Из (7.22) выражаем Sт учитывая Кт:

. (7.23)

Из (7.21) выражаем:

RТТ?с=RТ? RТП-к ? RТк?Т = 5.078 - 1 - 0.2 = 3.878 (град/Вт) (7.24)

Рассчитываем искомую величину Sт:

. (7.25)

Рис. 16. Схема включения интегрального стабилизатора КР1180ЕН15 (+U)

Выбираем конденсаторы С12, С15 [4]:

С12: К50 - 40 - 63 В - 0.33 мкФ 10%;

C15: К50 - 6 - 25 В - 1 мкФ 10%.



Рис. 17. Схема включения интегрального стабилизатора КР1179ЕН15 (-U)

Выбираем конденсаторы С13, С14, С16 [4]:

С13: К50 - 16 - 25 В - 30 мкФ 10%;

C14: К53 - 16 - 32 В - 0.01 мкФ 10%;

C16: К50 - 6 - 25 В - 10 мкФ 10%.

8. Выбор и расчет выпрямителя и схемы фильтра

Выберем выпрямитель, выполненный на блоках диодов, т.е. мостах (Рис. 18).

Рис. 18. Схема выпрямителя

U1 = 220 В U2 = В

I2 = А

Uпр = 1 В

Требования к диодам:

(A) (8.1)

(В) (8.2)

Выбираем диоды [12]: КД226А 8 х шт.

Параметры выбранных диодов:

Iпр.ср = 1.7 (А);

Uобр.макс = 100 (В).

Рассчитаем емкость конденсаторов С3 и С4. Т.к. конденсаторы симметричны, то их емкости одинаковы.

Tр = 7 мс

(мкФ) (8.3)

Выбираем С3 и С4 [4]: K50 - 18 - 50 В - 5100 мкФ

9. Выбор трансформатора

Действующие значения напряжений и токов вторичных обмоток трансформатора:

 (В) (9.1)

(А) (9.2) (Вт) (9.3)

Выбираем трансформатор [4]: ТПП321

Параметры выбранного трансформатора

Мощность, В А, тип и размер сердечника, мм	Ток первичной обмотки, А	Напряжение вторичных обмоток, В	Допустимый ток вторичных обмоток, А
		11 - 12 17 - 18	13 - 14 19 - 20	15 - 16 21 -22
200 ПЛМ 274058	2.03 / 1.15	5	20	1,26	4.0

Рис. 19. Трансформатор

При использовании трансформаторов ТПП-127/220 В со стержневыми сердечниками ПЛМ на 220 В необходимо: соединить выводы 3 и 9; подать напряжение 220 В на выводы 2 и 7.

Заключение

В результате проведения курсового проекта была выполнена основная цель:

Закрепление теоретических знаний по дисциплине путем инженерного проектирования электронного аналогового устройства.

Были выполнены следующие конкретные задачи курсового проекта:

Изучение схемотехники мощных выходных каскадов;

Приобретение навыков расчета энергетических параметров усилителей;

Освоение методики расчета тепловых режимов мощных полупроводниковых приборов;

Освоение принципов построения усилительных устройств на интегральных аналоговых микросхемах на основе глубокой отрицательной обратной связи;

Умение проектировать вторичные блоки питания электронных устройств на дискретных и интегральных полупроводниковых приборах.

В соответствии с индивидуальным заданием был спроектирован предварительный усилитель на ОУ и усилитель мощности класса В, включая расчет тепловых режимов дискретных элементов и расчет блока питания.

Литература

1. Буланов Ю.А., Усов С.Н. Усилители и радиоприемные устройства. Изд. 2-е, переработ. и доп. Учебник для радиотехнических специальностей техникумов. - М., Высшая школа, 1971.

2. Остапенко Г.С. Усилительные устройства: Учебное пособие для вузов. - М: Радио и связь, 1989.

3. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник/К.М. Брежнев и др. Под ред. Б.Л. Перельмана.- М.: Радио и связь, 1981.

4. Резисторы, конденсаторы, трансформаторы, дроссели, коммутационные устройства РЭА: Справочник/ Н.Н. Акимов и др. Мн.: Беларусь, 1994.

5. Галкин В.И., Прохоренко В.А. Полупроводниковые приборы: (диоды и транзисторы).-Мн.: Беларусь, 1979.

6. Резисторы: Справочник/ В.В. Дубровский и др.; Под ред. И.И. Четвертакова-2-е изд. М.: Радио и связь, 1991.

7. Диоды: Справочник / О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев. - М.: Радио и связь, 1990.

8. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справочник / C.В. Якубовский и др.- М.: Радио и связь, 1989.

9. Нефедов А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги. Справочник. Т. 9.-М.: ИП РадиоСофт, 1999.- 512 с.

10. Ю.А. Козусев. Методические указания к лабораторным занятиям по курсу "Электронные цепи непрерывного действия", часть 1, для студентов специальности 20.05. Гомель. ГПИ. 1990. N1831.

11. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности. Справочник -2-е изд., стереотип.-/А.А. Зайцев, А.И. Миркин, В.В. Мокряков и др. Под ред. А.В. Голомедова.- М.: Радио и связь, КУбК-а, 1994.

12. Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А. и др.; Под редакцией И.Ф. Николаевского. - М.: Связь, 1979.

13. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А.В. Баюков и др. - М.: Энергоиздат, 1982. 744 с.

14. Гутников В.С. «Интегральная электроника в измерительных устройствах. 2-е изд. - Л.: Энергоатомиздат, 1988.

Размещено на Allbest.ru