История развития электроники
Исторические вехи становления электроники как технической науки. Прогрессивное значение изобретения радиолампы. Основная конструкция транзистора. Сплавная и диффузионная технология производства полупроводникового триода. Цикл изготовления микросхемы.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | лекция |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 26.10.2013 |
| Размер файла | 110,9 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Понятие, области, основные разделы и направления развития электроники. Общая характеристика квантовой, твердотельной и вакуумной электроники, направления их развития и применения в современном обществе. Достоинства и недостатки плазменной электроники.
реферат [344,7 K], добавлен 08.02.2013Исследование зарождения и этапов развития твердотельной электроники. Научные открытия Майкла Фарадея, Фердинанда Брауна (создание беспроволочной телеграфии). Кристаллический детектор Пикарда - "кошачий ус". Разработка детектора-генератора О.В. Лосевым.
реферат [177,5 K], добавлен 09.12.2010Разработка конструкции, топологии и технологического процесса интегральной микросхемы по заданной электрической схеме. Топологический расчет транзистора и полупроводникового кристалла. Расчет геометрических размеров резисторов и конденсаторов.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 18.02.2010История становления электроники. Перспективы науки микроэлектроники. Двухэлектродная лампа Флеминга. Термоэлектронная эмиссия. Управление током между катодом и анодом. Создание специальных электронных приборов для сверхвысоких частот. Первый транзистор.
презентация [3,6 M], добавлен 20.05.2014Этапы развития информационной электроники. Усилители электрических сигналов. Развитие полупроводниковой информационной техники. Интегральные логические и аналоговые микросхемы. Электронные автоматы с памятью. Микропроцессоры и микроконтроллеры.
реферат [1,0 M], добавлен 27.10.2011Усилительный каскад с применением транзистора как основа электроники. Расчет импульсного усилителя напряжения с определенным коэффициентом усиления. Выбор схемы усилителя и транзистора. Рабочая точка оконечного каскада. Расчет емкостей усилителя.
курсовая работа [497,5 K], добавлен 13.11.2009Разработка транзистора большой мощности, высоковольтного. Напряжение пробоя перехода коллектор-база. Планарно-эпитаксиальная технология изготовления транзистора. Подготовка подложки к технологической операции. Технология фотолитографического процесса.
курсовая работа [310,4 K], добавлен 21.10.2012Расчет контактной разности потенциалов для р-n перехода. Вычисление сопротивления полупроводникового диода постоянному току. Балластное сопротивление и изменение напряжения источника питания. Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона.
практическая работа [25,9 K], добавлен 07.03.2013Виды электроники, история ее развития. Строение двухполупериодной схемы. Расчет значений напряжения, тока и коэффициента пульсации в выпрямителе. Конструкция Г-образного индуктивно-емкостного фильтра, определение величины балластного сопротивления.
контрольная работа [725,7 K], добавлен 23.01.2013Разработка конструкции и технологии изготовления полупроводниковой микросхемы выполненной в интегральном исполнении. Обоснование выбора технологии изготовления микросхемы, на основании которого разработан технологический процесс, топология кристалла.
курсовая работа [708,7 K], добавлен 13.07.2008История создания первого транзистора, а также полевого, биполярного и точечного, их принцип действия, схемы изображения и область применения. Возникновение и развитие полупроводниковой промышленности в СССР. "Холодная война" и ее влияние на электронику.
реферат [106,1 K], добавлен 15.11.2009Определение радио как технологии беспроводной передачи информации посредством электромагнитных волн диапазона. Понятие электронной эмиссии. Полупроводник как основа технической базы. Рассмотрение транзистора - полупроводникового диода в радиоприемнике.
реферат [324,2 K], добавлен 29.10.2011Электрические параметры интегральной микросхемы (ИМС). Расчет параметров модели полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Моделирование схемы включения истокового повторителя. Разработка топологии и технологического маршрута изготовления ИМС.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 29.09.2010История развития нанотехнологии. Наноэлектронные приборы и устройства. Разработка основ работы активных приборов с нанометровыми размерами, в первую очередь квантовых. Проблемы и перспективы развития нанонауки (электроники и оптоэлектроники) в России.
реферат [964,0 K], добавлен 12.11.2016Тенденции развития мировой микроэлектроники. Новые методы оценки сегментации рынка. Проблемы кремниевых заводов. Развитие традиционных технологий корпусирования. Системы на кристалле. Технология сборки на пластине. Органическая и печатная электроника.
реферат [22,8 K], добавлен 10.03.2013Использование параметрических феррорезонансных стабилизаторов напряжения. Конструктивно-технологическое исполнение интегральной микросхемы. Расчет интегрального транзистора и его характеристики. Разработка технических требований и топологии микросхемы.
курсовая работа [140,6 K], добавлен 15.07.2012Технологический процесс создания матриц для производства DVD-дисков. Оптические и магнитооптические системы памяти. Намагниченные домены, направление их намагниченности. Зондовые системы памяти компьютеров. Основные возможности зондовых устройств.
презентация [563,2 K], добавлен 24.05.2014Создание полупроводниковых приборов для силовой электроники. Транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Силовые запираемые тиристоры. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Назначение защитной цепи.
реферат [280,5 K], добавлен 03.02.2011Основные этапы проектирования приборов. Роль и место радиоэлектронной промышленности в национальной технологической системе России. Формирование рынка контрактной разработки. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
курсовая работа [3,6 M], добавлен 22.11.2010Топология и элементы МОП-транзистора с диодом Шоттки. Последовательность технологических операций его производства. Разработка технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Характеристика используемых материалов и реактивов.
курсовая работа [666,0 K], добавлен 06.12.2012
