Характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером
Определение параметров и характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Дифференциальные параметры входного и выходного сопротивлений. Определение величины крутизны транзистора, которая связывает напряжение базы с током коллектора.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | лабораторная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 22.10.2012 |
| Размер файла | 78,0 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ
ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра ЭВМ
ОТЧЕТ
О ВЫПОЛНЕНИИ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ №3
Донецк 2006 г.
Цель работы
Экспериментальное определение параметров транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.
Время выполнения: 2 часа.
Оборудование: транзистор КТ 315, набор резисторов, резисторы 4.7 кОм и 1 кОм, потенциометр 3,3 кОм.
Выполнение работы
Для определения выходных характеристик для двух различных базовых токов собираем схему, показанную на рисунке 1. Устанавливая Rm=100 КОм и Rm=68 Ком, измерим напряжения базы и определим соответствующие им токи базы. Для каждого тока базы снимем значения напряжений в точке A и на коллекторе. Отсюда определим токи коллектора и внесем полученные данные в таблицы 1 и 2. Для определения перечисленных величин воспользуемся следующими формулами:
Таблица 1. Выходная характеристика для Iб1
|
Rm=100 КОм |
Uбэ=0,67 В |
Iб1=41 мкА |
|||||||||||
|
UA |
0,3 |
0,6 |
0,9 |
2,0 |
3,0 |
4,0 |
5,0 |
6,0 |
7,0 |
8,0 |
9,0 |
10,0 |
|
|
Uкэ |
3,15 |
4,0 |
4,94 |
5,9 |
6,9 |
7,9 |
|||||||
|
URk |
1,85 |
2 |
2,06 |
2,1 |
2,1 |
2,1 |
|||||||
|
Iк,мкА |
18,5 |
20 |
20,6 |
21 |
21 |
21 |
Таблица 2. Выходная характеристика для Iб2
|
Rm=68 КОм |
Uбэ=0,68 В |
Iб2=59,4 мкА |
|||||||||||
|
UA |
0,3 |
0,6 |
0,9 |
2,0 |
3,0 |
4,0 |
5,0 |
6,0 |
7,0 |
8,0 |
9,0 |
10,0 |
|
|
Uкэ |
0,25 |
0,73 |
1,59 |
2,6 |
3,5 |
4,4 |
5,4 |
6,2 |
|||||
|
URk |
2,75 |
3,27 |
3,41 |
3,4 |
3,5 |
3,6 |
3,6 |
3,8 |
|||||
|
Iк,мкА |
40,4 |
48,1 |
50,1 |
50,0 |
51,5 |
52,9 |
52,9 |
55,9 |
2. Убрав потенциометр и меняя сопротивление в цепи эмиттера, снимем входную и передаточную характеристики. Результаты этого опыта приведены в таблице 3
Таблица 3. Таблица значений входной и передаточной характеристик
|
N |
Rm,кОм |
Uбэ, В |
Uкэ, В |
Iб, мА |
Iк, мА |
? |
|
|
1 |
36 |
0,69 |
0,211 |
0,1059 |
14,7890 |
140 |
|
|
2 |
51 |
0,68 |
0,270 |
0,0776 |
14,7300 |
190 |
|
|
3 |
68 |
0,67 |
8,60 |
0,0596 |
6,4000 |
112 |
|
|
4 |
100 |
0,65 |
10,90 |
0,0415 |
4,1000 |
99 |
|
|
5 |
200 |
0,64 |
13,00 |
0,0213 |
2,0000 |
94 |
|
|
6 |
560 |
0,62 |
14,50 |
0,0078 |
0,5000 |
64 |
|
|
7 |
910 |
0,60 |
15,00 |
0,0048 |
0,0000 |
0 |
3. Все экспериментальные графики и определение величин rбэ, rкэ, S по ним приведены в конце отчета.
4. Вычислим rбэ, rкэ, S аналитически для каждой рабочей точки опыта, результат представим в виде таблицы. Для вычисления величин воспользуемся следующими формулами:
|
Iк |
14,7890 |
14,7300 |
6,4000 |
4,1000 |
2,0000 |
0,5000 |
0,0000 |
|
|
S |
579,9608 |
577,6471 |
250,9804 |
160,7843 |
78,43137 |
19,60784 |
0 |
|
|
Iб |
0,1059 |
0,0776 |
0,0596 |
0,0415 |
0,0213 |
0,0078 |
0,0048 |
|
|
rбэ |
0,240793 |
0,328608 |
0,427852 |
0,614458 |
1,197183 |
3,269231 |
5,3125 |
|
|
Iк |
14,7890 |
14,7300 |
6,4000 |
4,1000 |
2,0000 |
0,5000 |
0,0000 |
|
|
Rкэ |
6,761782 |
6,788866 |
15,625 |
24,39024 |
50 |
200 |
5. Кривые характеристик транзистора, полученные в системе MicroCAP, приведены далее:
Диаграмма 1. Передаточная характеристика
Диаграмма 2. Входная характеристика
Диаграмма 3. Семейство выходных характеристик
Данные диаграммы в целом совпадают с полученными экспериментально. Погрешности связаны, прежде всего, с неточностью измерения напряжений, возможно падение напряжения на контактах вследствие частой коммутации. Тем не менее, суть работы транзистора экспериментальные графики отражают.
транзистор ток коллектор сопротивление
Выводы
Таким образом, я экспериментально определил параметры и характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Входная характеристика соответствует ВАХ диода, т.к. цепь база-эмиттер представляет собой pn-переход. Поскольку транзистор обладает свойством линейного усиления по току, передаточная характеристика по форме напоминает входную. Если сигналы, подаваемые во входную и выходную цепи транзистора относительно постоянны и колеблются около некоторых значений, эти значения можно считать рабочей точкой.
Для рабочих точек можно ввести дифференциальные параметры входного и выходного сопротивлений. Это позволяет рассмотреть транзистор как линейный элемент. Поступая аналогично с передаточной характеристикой, можно ввести величину крутизны транзистора, которая связывает напряжение базы с током коллектора. Заметим, что, несмотря на наличие в транзисторе обратной связи, входное сопротивление можно считать независимым от состояния цепи коллектора, в то время как выходное сопротивление сильно зависит от тока (и напряжения) базы.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Выбор транзистора и расчет тока базы и эмиттера в рабочей точке. Эквивалентная схема биполярного транзистора, включенного по схеме общим эмиттером. Вычисление коэффициентов усиления по напряжению, току и мощности; коэффициента полезного действия.
курсовая работа [681,4 K], добавлен 19.09.2012Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.
методичка [178,3 K], добавлен 11.12.2012Статический коэффициент передачи в схеме с общим эмиттером. Аппроксимация вольтамперной характеристики транзистора ГТ311Е. Спектр гармоник напряжения. Расчет входного и выходного каскадов нелинейного резонансного усилителя. Напряжение на сопротивлении.
контрольная работа [171,5 K], добавлен 21.05.2015Определение основных характеристик усилительных каскадов в биполярном транзисторе по схеме с общим эмиттером с температурной стабилизацией. Режим покоя между коллектором и эмиттером. Определение коэффициентов усиления по напряжению. Режим покоя каскада.
лабораторная работа [47,7 K], добавлен 18.06.2015МП 40 - транзисторы германиевые сплавные, усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума на частоте 1кГц. Паспортные данные транзистора. Структурная схема каскада с общим эмиттером. Динамические характеристики усилительного каскада.
курсовая работа [120,0 K], добавлен 19.10.2014Особенности работы биполярного транзистора в режиме общего эмиттера. Измерение зависимостей выходного тока от выходного напряжения при различных фиксированных входных токах. Построение по ним семейства выходных и входных вольтамперных характеристик.
отчет по практике [953,7 K], добавлен 27.06.2015Отличия энергетических диаграмм проводников, полупроводников и диэлектриков. Принцип работы биполярного транзистора. Фотодиод: принцип работы, параметры и назначение. Определение параметров биполярных транзисторов, включенных но схеме с обидим эмиттером.
контрольная работа [1,4 M], добавлен 05.07.2014Аналитические электрические модели. Расчет дрейфового поля, сопротивлений транзистора. Зарядная емкость эмиттера и коллектора. Расчет максимальной частоты. Эквивалентная П-образная схема на низких и высоких частотах для включения с общим эмиттером.
курсовая работа [185,0 K], добавлен 30.01.2016Описание характеристик транзистора. Построение практической схемы каскада с общим эмиттером. Выбор режима работы усилителя. Алгоритм расчета делителя в цепи базы, параметров каскада. Оценка нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов и конденсаторов.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 03.03.2014Расчет параметров резисторов, исходя из заданного положения рабочей точки в классе А и ее нестабильности при определенном напряжении источника питания схемы и выбранном типе транзистора. Упрощённая схема усилителя для расчёта постоянных составляющих.
курсовая работа [768,5 K], добавлен 16.01.2015
