Управление электронным потоком в приборах СВЧ. Детекторные и смесительные диоды. Квантовые парамагнитные усилители

Изучение принципа динамического управления электронным потоком и его применения в приборах СВЧ. Исследование характеристик и параметров ЛБВ-О. Изучение устройства детекторных и смесительных диодов СВЧ. Характеристики квантовых парамагнитных усилителей.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид контрольная работа
Язык русский
Дата добавления 27.03.2012
Размер файла 32,8 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Размещено на http://www.allbest.ru/

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА

на тему: «Управление электронным потоком в приборах СВЧ. Детекторные и смесительные диоды. Квантовые парамагнитные усилители»

Содержание

1. Принцип динамического управления электронным потоком и его применение в приборах СВЧ. Необходимые и достаточные условия энергообмена между электронами и полем СВЧ в таких приборах

2. Основные характеристики и параметры ЛБВ-О, особенности их применения

3. Детекторные и смесительные диоды СВЧ. Устройство, принцип действия, эквивалентные параметры, характеристики, область применения

4. Квантовые парамагнитные усилители (КПУ). Активные вещества, методы издания инверсии населенностей, типы КПУ, их параметры и характеристики, применение КПУ

Список использованной литературы

1. Принцип динамического управления электронным потоком и его применение в приборах СВЧ. Необходимые и достаточные условия энергообмена между электронами и полем СВЧ в таких приборах

Известно, что обычные лампы характеризуются некоторым верхним частотным пределом, за которым работа ламп резко ухудшается: резко падает выходная мощность генераторов, коэффициент усиления усилителей, падает их эффективность. Происходит это из-за двух основных причин: во-первых, паразитные межэлектродные емкости и индуктивности лампы в диапазоне СВЧ становятся сравнимыми с реактивными параметрами внешнего анодного контура, а также с паразитными реактивными параметрами его монтажа, вследствие чего возрастают потери из-за нарушений работы схемы, утечки тока и излучения самого контура, проявляющего на высоких частотах свойства антенны. Во-вторых, это происходит из-за соизмеримости времени пролета электроном межэлектродного пространства с периодом колебаний. Известно, что частота резонансного радиочастотного контура, являющегося обязательным атрибутом усилителя или генератора связана с общими параметрами емкости и идуктивности C и L выражением:

электронный поток диод усилитель

= (LC)-1/2,

которое указывает на то, что увеличение резонансной частоты контуров при переходе от УВЧ к СВЧ возможно лишь с уменьшением их индуктивности и емкости. Простым и наглядным примером предельного вида радиочастотного контура при переходе к СВЧ является тороидальный резонатор (Рис.0-1а), у которого узкий зазор в его центральной части - емкость, а тороидальный виток вокруг емкости - индуктивность. Такие резонаторы в первых СВЧ приборах (триодах, тетродах, клистронах) стали частью самих приборов: емкость в виде параллельных проницаемых для электронов сеток монтировалась внутри вакуумной колбы лампы, их выводы представляли собой диски, которые гальванически замыкались на внешнюю индуктивную часть резонаторного контура в виде тороидальной полости (Рис.0-1б). Применение полых резонаторов, заключающих внутри себя поле электромагнитных колебаний решило одну часть проблемы продвижения в область СВЧ. Что же касается времени пролета электрона через межэлектродное пространство , то для большинства обычных ламп оно составляет порядок 10-9с. Действительно, электрон с энергией 100 В пролетает плоский зазор 0,2 см за 0,710-9с. Если период колебаний поля в зазоре много больше времени пролета , что соответствует малым углам пролета :

= << 1, (0-1)

то мы имеем случай т.н. электростатического управления электронным потоком лампы, когда электрон в процессе своего движения испытывает на себе действие почти постоянного поля. Ситуация усложняется, когда 1 и затем превосходит ее. За время пролета электрона поле может изменить знак и даже не один раз. На Рис.0-2 представлены пространственно-временные диаграммы движения электронов в плоском диоде с накаленным катодом при нулевых начальных скоростях (а) в постоянном ускоряющем поле (здесь не учитывается роль пространственного заряда) и (б) - в переменном ускоряющем поле в плоском насыщенном диоде (электроны набирают энергию в области катодного падения, прижатой к катоду). Если в первом случае движение электронов, эмитированных в разное время, изображается одинаковыми параболами, то во втором случае электроны, эмитированные в разных фазах колебаний поля, ведут себя по разному: часть из них тормозится и возвращается на катод, некоторая их часть достигает анода в благоприятной фазе, остальная же часть электронов достигает анода после нескольких возвратно-поступательных движений. Пространственно-временные диаграммы, построенные для большого ансамбля электронов, эмитированных катодом через равные короткие интервалы времени, могут дать картину мгновенной плотности конвекционного тока на любом расстоянии от катода, по густоте линий, пересекающих заданную координату x = const. Касательная к любой из кривых в точке (x,t) дает мгновенную скорость (энергию), что позволяет, в частности, судить о мощности, выделяемой как на аноде, так и на катоде. Если анод плоского диода заменить прозрачной сеткой, за которой создать эквипотенциальное пространство для свободного дрейфа электронов, то в пространстве дрейфа возникнут периодические сгущения и разрежения плотности электронного потока, связанные с модуляцией электронов по скорости. Наиболее ясно этот эффект иллюстрирует диаграмма Рис.2в для электронов, попадающих в ускоряющее поле в зазоре между двумя сетками, разделяющими два эквипотенциальных пространства: до сеток и после них. До сеток все электроны движутся с постоянной скоростью (их траектории параллельны). Пусть в интервале времени t1 t t2 происходит нарастание напряжения, приложенного к сеткам. Проходя через сетки, электроны получают прирост энергии (скорости), соответствующий мгновенной разности потенциалов. Так как электроны, прошедшие через сетки в более ранние моменты времени, медленнее прошедших позднее, последние догоняют первых пока не сойдутся в точке xф, которую называют фазовым фокусом. Для схождения всех электронов в одной точке нужно возрастание напряжения на указанном временном интервале по определенному закону. Периодически создавая такие импульсы напряжения, можно вызвать на определенном расстоянии от сеток периодическое изменение плотности электронного потока, что в отличие от электростатического управления получило название динамического управления электронным потоком. Принцип динамического управления электронным потоком был предложен в 1932 г. советским физиком Д.А.Рожанским. Благодаря использованию этого принципа было разработано множество современных и эффективных приборов СВЧ диапазона.

Зачем нужна модуляция электронного потока станет понятным из последующего рассмотрения того, как происходит преобразование энергии электронного потока в высокочастотную энергию. Вопрос о связи между движением электронов и током, протекающем во внешней цепи, находится в основе действия СВЧ лампы. Ток во внешней цепи какого-либо электрода низкочастотной лампы отождествляется с конвекционным током электронов на этот электрод. Если этим электродом является прозрачная сетка, на которой не оседают пролетающие мимо нее электроны, то ток в его цепи отсутствует. В электронике низких частот это подтверждается и на практике. Если учитывать конечное время пролета электронов, то возникает вопрос: когда во внешней цепи диода начинает протекать ток (?), в момент ли выхода электрона из катода, в момент ли его вхождения в анод или во время движения в межэлектродном пространстве. Ответ на этот вопрос надо искать в явлении электростатической индукции, в том, что на поверхности электродов лампы движущиеся свободные заряды (электроны) создают наведенные ими заряды. Плотность поверхностного заряда будет больше на том электроде, к которому свободный заряд будет ближе: вначале на катоде, на подлете к аноду - на аноде. Наведенные заряды по мере приближения свободного электрона к аноду будут по внешней цепи перетекать от катода к аноду, создавая в ней наведенный ток.

Для количественного описания наведенного тока обратимся снова к плоскому диоду, представляющему собой одномерную модель (Рис.0-3). Пусть между катодом и анодом находится тонкий плоскопараллельный слой заряда с поверхностной плотностью , движущийся к аноду со скоростью v. Во внешней цепи диода включен источник постоянного (переменного) напряжения U, имеющий нулевое внутреннее сопротивление. В отсутствие свободного заряда на электродах как в плоском конденсаторе образуются поверхностные заряды с плотностью к, а, определяемой по теореме Гаусса:

к = а = 0 = 0E0, (0-2)

где 0 - диэлектрическая постоянная, E0 = U/d - напряженность электрического поля. При внесении свободного отрицательного заряда с удельной плотностью - на электродах по закону электростатической индукции появятся дополнительные поверхностные заряды 1, 2, связанные с - условием сохранения заряда:

- + 1 + 2 = 0. (0-3)

Напряженность поля слева и справа от заряда изменяется относительно E0:

E1 = - (0 - 1) / 0 ; E2 = (0 + 2) / 0. (0-4)

Так как к электродам приложено напряжение U, его можно представить в виде суммы напряжений на участках, разделяемых слоем свободного заряда:

E1x + E2(d - x) = U = E0d, (0-5)

где x - текущая координата слоя. Подставляя (0-4) и (0-2) в (0-5), получаем:

(0 - 1)x / 0 + (0 + 2)(d - x) / 0 = 0d/0 . (0-6)

После простых преобразований приходим к выражению:

1x + 2(d - x) = 0. (0-7)

Наведенные заряды в рассматриваемом одномерном случае изменяются линейно с координатой слоя x, граничные условия требуют, чтобы на границах наведенные заряды принимали значение внесенного заряда с обратным знаком, т.е. 1(0) = 2(d) = . Используя (0-3), приходим к выражениям для плотности наведенных зарядов:

1 = (1 - x/d); 2 = x/d. (0-8)

Полные мгновенные значения плотности зарядов катода и анода:

К = -0 + (1 - x/d); А = 0 + x/d. (0-9)

Найдем теперь мгновенную плотность тока на анод путем дифференцирования

(0-9) по времени:

j = dA/dt = d0/dt + (/d)dx/dt = d0/dt + v/d. (0-10)

Первое слагаемое представляет собой плотность емкостного тока в диоде, а второе - плотность наведенного тока. Умножив (0-10) на площадь электродов S, получим ток во внешней цепи диода в виде суммы емкостного и наведенного токов. Для бесконечно тонкого слоя внесенного заряда выражение (0-10) можно представить в дифференциальной форме (емкостную составляющую тока далее опускаем):

djнав = (d/dx)(v/d)dx = (v/d)dx = (1/d) jк dx, (0-11)

где = d/dx - объемная плотность пространственного заряда; jк = v - плотность конвекционного тока в слое. В общем случае движущиеся заряды могут иметь функциональные зависимости параметров и v от координаты x. Тогда плотность наведенного тока может быть представлена в интегральной форме:

jнав = (1/d)(x)v(x)dx = (1/d)jк(x) dx. (0-12)

Смысл выражения (0-12) заключается в том, что плотность наведенного тока есть усредненное значение конвекционного тока по межэлектродному промежутку (0,d).

Проведенный анализ имеет одно важнейшее следствие - в цепи электродов, находящихся под воздействием электрических полей движущихся зарядов, протекает наведенный ток даже тогда, когда заряды не попадают на эти электроды.

Приведем пример: электрон пролетает мимо заземленного электрода (Рис.0-4). По мере приближения к электроду в его цепи возникнет импульс наведенного тока положительной полярности, который в момент прохождения над электродом меняет знак. При удалении от электрода наведенный заряд стекает и формирует импульс тока отрицательной полярности. Пространственно однородный поток электронов не создает наведенных токов на электродах, поскольку токи, наводимые электронами, приближающимися к электроду, компенсируются токами другого знака, наводимыми удаляющимися электронами. Лишь потоки электронов, модулированные по плотности, способны возбуждать наведенные токи.

Переменные электрические поля возбуждаются в СВЧ контурах благодаря источникам, роль которых исполняют токи, наведенные в этих контурах модулированными электронными потоками.

Как происходит отбор энергии из контуров? Рассмотрим это на примере прохождения одиночного электрона или сгустка электронов сквозь сеточный зазор, являющийся частью тороидального резонатора (Рис.0-5). Если внешняя часть контура - короткозамкнутая цепь, то рассеиваемая мощность от тока, наведенного проходящим зарядом, отсутствует. Если в цепь включить активное сопротивление (Рис.0-5а), то в нем выделится джоулево тепло. Однако, как от электронов отобрать энергию в виде СВЧ колебаний? Движущийся в зазоре заряд наводит во внешней цепи ток, который, проходя по сопротивлению, создает падение напряжения с полярностью, тормозящей электроны (Рис.0-5а). Заметим, что тормозящее электрическое поле создается автоматически. Электроны теряют часть своей кинетической энергии на торможение, которая может быть отобрана в виде СВЧ колебаний, если роль активного сопротивления внешней нагрузки R играет тороидальный резонатор, имеющий чисто активное полное сопротивление на частоте собственного резонанса (Рис.0-5б). Резонатор имеет свойство накапливать энергию колебаний, если сгустки электронов будут периодически попадать в его зазор в тормозящей фазе поля. Энергия колебаний отводится из резонатора к нагрузке по коаксиальному фидеру через индуктивную связь как показано на рисунке. Нужно иметь в виду, что наиболее эффективный отбор энергии от электронов достигается при коллинеарности векторов E и v, т.е. когда электроны движутся в продольном тормозящем электрическом поле.

2. Основные характеристики и параметры ЛБВ-О, особенности их применения

Принцип действия ламп бегущей волны (ЛБВ) основан на механизме длительного взаимодействия электронного потока с полем бегущей электромагнитной волны. На рисунке схематично представлено устройство ЛБВ. Электронная пушка формирует электронный пучок с определенным сечением и интенсивностью. Скорость электронов определяется ускоряющим напряжением. С помощью фокусирующей системы, создающей продольное магнитное поле, обеспечивается необходимое поперечное сечение пучка на всем пути вдоль замедляющей системы. В ЛБВ электронная пушка, спиральная замедляющая система и коллектор размещаются в металлостеклянном или металлическом баллоне, а фокусирующий соленоид располагается снаружи. Спираль крепится между диэлектрическими стержнями, которые должны обладать малыми потерями на СВЧ и хорошей теплопроводностью. Последнее требование важно для ламп средней и большой выходной мощности, когда спираль нагревается из-за оседания электронов и нужно отводить это тепло, чтобы не было прогорания спирали.

На входе и выходе замедляющей системы есть специальные устройства для согласования ее с линиями передачи. Последние могут быть либо волноводными, либо коаксиальными. На вход поступает СВЧ сигнал, который усиливается в приборе и с выхода передается в нагрузку.

Трудно получить хорошее согласование во всей полосе усиления лампы. Поэтому есть опасность возникновения внутренней обратной связи из-за отражения электромагнитной волны на концах замедляющей системы, при этом ЛБВ может перестать выполнять свои функции усилителя. Для устранения самовозбуждения вводится поглотитель, который может быть выполнен в виде стержня из поглощающей керамики или в виде поглощающих плёнок.

Параметр усиления

Параметр усиления -- безразмерный коэффициент:

,

где RCB -- сопротивление связи, I0 -- ток катода и U0 -- потенциал последнего анода электронной пушки ЛБВ.

Значения С составляют ~0,1--0,01.

Коэффициент усиления

Коэффициент усиления ЛБВ в линейном режиме прямо пропорционален параметру C.

Реально достижимое значение коэффициента усиления ЛБВО средней и большой мощности составляет 25-40 дБ, то есть несколько ниже, чем у многорезонаторных клистронов (60 дБ). В маломощных ЛБВО коэффициент усиления может достигать 60 дБ.

Диапазон частот

Особенно ценным свойством ЛБВ является их широкополосность. Коэффициент усиления ЛБВ при неизменном ускоряющем напряжении может оставаться почти неизменным в широкой полосе частот -- порядка 20 -- 50 % от средней частоты. В этом отношении ЛБВ значительно превосходят усилительные клистроны, которые могут обеспечивать весьма высокое усиление, но имеют значительно более узкую полосу частот.

Выходная мощность

В зависимости от назначения ЛБВ выпускаются на выходные мощности от долей мВт (входные маломощные и малошумящие ЛБВ в усилителях СВЧ) до десятков кВт (выходные мощные ЛБВ в передающих устройствах СВЧ) в непрерывном режиме и до нескольких МВт в импульсном режиме работы.

В ЛБВО малой и средней мощности применяют спиральные замедляющие системы, в мощных ЛБВО -- цепочки связанных резонаторов.

КПД

Электроны, пролетая сквозь замедляющую систему, отдают часть своей кинетической энергии СВЧ полю, что приводит к уменьшению скорости электронов. Но при этом нарушается условие фазового синхронизма Ve ? Vф. Отсюда вытекает основное ограничение КПД ЛБВО, связанное с невозможностью отдачи всей кинетической энергии электронов СВЧ полю: электронные сгустки смещаются из области тормозящего поля в область ускоряющего.

Нижний предел скорости электронов определяется фазовой скоростью замедленной волны. Поэтому величина КПД должна быть тем больше, чем значительнее превышение начальной скорости электронов над фазовой скоростью волны в замедляющей системе. Однако при увеличении рассинхронизма ухудшается группирование на входном участке замедляющей системы и резко уменьшается коэффициент усиления. Таким образом, требования максимального КПД и высокого коэффициента усиления в ЛБВО оказываются противоречивыми.

Реальная величина КПД у ЛБВО составляет 30--40 %.

Маломощные ЛБВО применяются во входных усилителях, средней мощности -- в промежуточных усилителях, большой -- в выходных усилителях мощности СВЧ колебаний.

3. Детекторные и смесительные диоды СВЧ. Устройство, принцип действия, эквивалентные параметры, характеристики, область применения

Диоды, предназначенные для детектирования, называются детекторными1, а устройство, в котором они осуществляют свою функцию, -- детектором.

Диоды, предназначенные для работы в схеме преобразования частоты, называются смесительными, ' а устройство в целом -- преобразователем частоты или смесителем. Следует подчеркнуть различие между диодом и устройством, в котором диод работает. В то время как диод является по существу двухполюсным прибором, детектор или преобразователь частоты удобнее рассматривать как многополюсник, различные пары полюсов которого соответствуют сигналам различных частот. Разделение сигналов осуществляется системой фильтров, являющейся неотъемлемой частью детектора или смесителя.

Прижимной контакт.

Нелинейное сопротивление в детекторных и смесительных диодах СВЧ в настоящее время создается почти исключительно с помощью прижимного контакта металл -- полупроводник. Выпрямляющий контакт в этих приборах возникает при прижиме к поверхности полупроводника заостренной металлической, проволоки (контактной пружины). Такой контакт в литературе называется точечным.

Вольтамперная характеристика.

Физической основой выпрямляющего действия контакта металл -- полупроводник является наличие под поверхностью полупроводника тонкого (толщиной порядка 10~5 см) запирающего слоя. Свойства этого слоя как нелинейного сопротивления описываются вольтамперной характеристикой (рис. 2.1), аналитическое выражение которой имеет вид [1]

Коэффициент А определяется рядом физических характеристик контакта и его площадью.

Сопротивление растекания. Напряжение U в выражении для вольтамперной характеристики представляет собой напряжение на запирающем слое. Поскольку последовательно с этим слоем всегда включено сопротивление объема полупроводника г, называемое сопротивлением растекания, то полное напряжение на выпрямляющем контакте равно

UK= U+Ir

Таким образом, уравнение вольтамперной характеристики диода принимает вид .

Если толщина полупроводникового кристалла значительно превышает диаметр контакта, а толщина запирающего слоя много меньше его, что обычно выполняется на практике, то последовательное сопротивление будет равно [1]

где й -- диаметр контакта.

Вольтамперные характеристики реальных диодов отличаются от (10.1), (10.2). Они не вполне экспоненциальные, а коэффициент в показателе экспоненты обычно меньше qikT = 40 в-1 и составляет 20 -- 35 е-1. При отрицательных напряжениях ток через диод не постоянен, как это следует из (ЮЛ), но возрастает с увеличением напряжения. Наконец, величина сопротивления г обычно в 3 -- 4 раза превосходит ее расчетное значение (10.3). Практически для кремниевых диодов величина г составляет 10 -- 50 ом. Коэффициент А имеет величину 10~7 -- 10~5а.

4. Квантовые парамагнитные усилители (КПУ). Активные вещества, методы издания инверсии населенностей, типы КПУ, их параметры и характеристики, применение КПУ

Работа квантовых парамагнитных усилителей (КПУ) основа на усилении слабых СВЧ-сигналов вынужденным излучением, вызванным электронными переходами между энергетическим л уровнями парамагнитных ионов в диэлектриках, расщепленными внешними или внутренними полями. Как правило, используются квантовые переходы между зеемановскими подуровнями пара магнитных ионов в кристаллах во внешнем магнитном поле.

Напомним, что под действием внешнего магнитного полы происходит квантование магнитного момента атома, в результате чего каждый из уровней с определенным квантовым числом расщепляется на подуровней с разными значениями проекции на направление поля: магнитное поле расщепляет вырожденные по квантовому числу М, уровни.

В отличие от изолированных атомов в кристаллах типа и т. п. орбитальные и спиновые моменты отдельных атомов связаны и взаимно компенсируют друг друга, вследствие чего такие кристаллы являются диамагнетиками. Если в эти кристаллы ввести ионы с незаполненными внутренними оболочками (элементы группы железа: Решили редкоземельные элементы - лантаноиды), то появятся некомпенсированные магнитные моменты (некомпенсированные спины) и кристаллы становятся парамагнетиками.

Именно такие кристаллы используются в качестве активных элементов КПУ. Рабочие переходы осуществляются между зеемановскими подуровнями парамагнитного иона-активатора. Кристаллическая основа, выполняя роль матрицы, со своей стороны влияет как на энергетический спектр иона-активатора, так и на процессы обмена энергией (релаксационные процессы).

Это естественно, поскольку активный ион находится под воздействием сильного внутрикристаллического поля. Это воздействие тем больше, чем слабее экранированы внешними электронами внутренние незаполненные оболочки, внутри которых собственно и происходят рабочие переходы. Накачка, обеспечивающая инверсную населенность между рабочими уровнями КПУ, осуществляется вспомогательным СВЧ-излучением.

Поэтому по двухуровневой схеме, как это было в случае пучковых мазеров, прибор работать не может. Как правило, работа происходит по трехуровневой схеме первого или второго типов. В качестве примера активного диэлектрика КПУ рассмотрим рубин, представляющий собой кристалл окиси алюминия, в котором часть атомов алюминия изоморфно замещена атомами хрома. Чистые бесцветные кристаллы, называемые корундом и иногда не совсем точно сапфиром, обладают кубической симметрией.

Каждый ион алюминия находится в окружении шести ионов кислорода, образующих октаэдр. Окружение иона кислорода составляют четыре иона алюминия, которые образуют тетраэдр. Корунд - бесцветный кристалл, прозрачный в оптической области от 0,17 до 6,5 мкм и в СВЧ-диапазоне. Без легирующих примесей он обладает диамагнитными свойствами. Радиус иона хрома (0,065 нм) больше радиуса иона алюминия (0,057 нм).

Выходная мощность генератора очень мала и не превышает 10 Вт. Она ограничена тем, Что для работы можно использовать пучок очень малой Плотности, чтобы избежать Столкновения частиц между собой и устранить влияние эффекта Доплера (такой пучок называется молекулярным пучком). Минимальный путь, который должен пройти пучок, не разрушаясь, определяется размером Сортирующей системы и резонатором и составляет 20..,30 см. Это вызывает необходимость поддерживать в приборе вакуум на уровне.

Так как собственная частота колебательных К вращательных движений молекулы зависит от ее приведенной Массы, то в качестве рабочих отбираются молекулы NH3, содержащие изотоп. Относительная нестабильность частоты аммиачного Мазера. Мазер на пучке атомов водорода. Принцип действия квантового генератора на пучке атомов водорода аналогичен принципу действия аммиачного мазера, но как стандарт частоты он обладает рядом преимуществ.

В водородном мазере используется магнитный переход между уровнями сверхтонкой Структуры атома водорода. Эта структура обязана своим появлением взаимодействию магнитного момента ядра атома с внутриатомным магнитным моментом, вызванным орбитальным движением электрона. В атоме водорода а результате такого взаимодействия основное состояние расщепляется на два подуровня С расстоянием между ними по частоте.

Переходы между этими подуровнями определяются изменением магнитного дипольного момента, а не электрического, как в аммиачном мазере. Квадрат модуля матричного элемента магнитного дипольного момента примерно в 10 раз меньше, чем Квадрат модуля матричного элемента электрического дипольного момента.

Примерно во столько же раз меньше вероятность перехода и уже естественная ширина спектральной линии, а следовательно, при прочих равных условиях выше стабильность частоты. Повышению стабильности способствует также ТО обстоятельство, что линия рабочего перехода в водородном Мазере "чистая", т, е. не имеет дополнительной структуры.

Список использованной литературы

1. Электронные приборы сверхвысоких частот: Учеб. пособие / Ю.М.Рычков. - Гродно: ГрГУ, 2002. - 103 с.;

2. Трубецков Д.И., Храмов А.Е. Лекции по сверхвысокочастотной электронике для физиков. Том 1. Москва: Физматлит, 2003. 496c.;

3. Проблемы вакуумной СВЧ электроники. Виктор КУЛИГИН, Галина КУЛИГИНА, Мария КОРНЕВА;

4. Федоров Н. Д. Электронные приборы СВЧ и квантовые приборы: Учебник для вузов.-- Изд. 2-е, перераб. и доп. -- М.: Атомиздат, 1979,-- с.288.

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

  • Принципы и условия наблюдения квантово-размерного квантования. Квантово-размерные структуры в приборах микро- и наноэлектроники. Структуры с двумерным и одномерным (квантовые нити) электронным газом. Применение квантово-размерных структур в приборах.

    курсовая работа [900,9 K], добавлен 01.05.2015

  • Траектория движения электрона в скрещенных электрическом и магнитном полях. Ее графическая проекция на плоскость в виде циклоиды, радиус которой зависит от напряжённости и индукции полей. Способ управления электронным потоком с помощью магнитных линз.

    курсовая работа [596,9 K], добавлен 18.04.2015

  • Изучение методов измерения основных параметров операционных усилителей. Исследование особенностей работы операционного усилителя в режимах неинвертирующего и инвертирующего усилителей. Измерение коэффициента усиления инвертирующего усилителя.

    лабораторная работа [751,7 K], добавлен 16.12.2008

  • Исследование параметров и характеристик туннельных диодов, а также принципа их работы и свойств. Анализ способности туннельного диода усиливать, генерировать и преобразовывать электромагнитные колебания. Обзор методов изготовления и применения диодов.

    реферат [712,9 K], добавлен 02.02.2012

  • Устройство и принцип действия пролетного усилительного клистрона. Зависимость выходной мощности от мощности, поступающей на вход усилителя. Амплитудно-частотная характеристика двухрезонаторного клистрона. Особенности конструкций пролетных клистронов.

    курсовая работа [522,5 K], добавлен 20.08.2015

  • Частотные и временные характеристики усилителей непрерывных и импульсных сигналов. Линейные и нелинейные искажения в усилителях. Исследование основных параметров избирательных и многокаскадных усилителей. Усилительные каскады на биполярных транзисторах.

    контрольная работа [492,6 K], добавлен 13.02.2015

  • Виды и обозначение диодов. Основные параметры выпрямительных диодов. Диоды Шоттки в системных блоках питания, характеристики, особенности применения и методы проверки. Проявление неисправностей диодов Шоттки, их достоинства. Оценка возможности отказа.

    курсовая работа [52,6 K], добавлен 14.05.2012

  • Исследование активных висмутовых центров и обзор области применения волоконных висмутовых усилителей. Изучение конструкции современных усилителей на основе висмута, пути их развития в волоконной оптике. Устройство лазера на основе висмутового волокна.

    курсовая работа [1,9 M], добавлен 18.07.2014

  • Анализ конструктивных особенностей полупроводниковых диодов. Диодные матрицы и сборки. Структура диода Ганна с перевернутым монтажом. Основные ограничители напряжения. Расчет характеристик диода Ганна. Смесительные и переключательные СВЧ-диоды.

    курсовая работа [365,9 K], добавлен 18.12.2009

  • Изучение свойств германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды. Измерение их вольт-амперных характеристик и определение основных параметров. Расчет дифференциального сопротивления диода.

    лабораторная работа [29,7 K], добавлен 13.03.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.