Транзисторы для аппаратуры широкого применения
Построение вольт-амперной характеристики идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения и принципиальной схемы усилителя. Принципы работы и параметры фотодиода. Определение величины сопротивления ограничительного резистора.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | контрольная работа |
Язык | русский |
Дата добавления | 17.12.2011 |
Размер файла | 361,6 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Задание 1
Рассчитать и построить ВАХ идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения от -10 до +0,7 В при Т=300К и обратном токе насыщения, равном I0. Величина константы kT/q для Т=300 К будет 0,026 В.
Определить дифференциальное сопротивление Rдиф, сопротивление диода постоянному току R0 для заданных значений Uпр. Величины I0, Uпр приведены в таблице 1.
Для варианта 17 значения: Uпр = 0,2 В, I0 = 1.2 нА.
Рассчитаем ВАХ в соответствии с выражением :
Для прямой ветви (U > 0):
Uпр, В |
0 |
0,05 |
0,1 |
0,15 |
0,2 |
0,25 |
0,3 |
0,35 |
|
Iпр, А |
0 |
7,01?10-9 |
5,5?10-8 |
3,83?10-7 |
2,63?10-6 |
1,8?10-5 |
1,23?10-4 |
8,42?10-4 |
Uпр, В |
0,4 |
0,45 |
0,5 |
0,55 |
0,6 |
0,65 |
0,7 |
|
Iпр, А |
5,76?10-3 |
0,039 |
0,27 |
1,85 |
12,63 |
86,4 |
591,2 |
Для обратной ветви (U < 0):
Uобр, В |
0 |
-0,05 |
-0,1 |
-0,2 |
-0,5 |
-1 |
|
Iобр, А |
0 |
-1,025?10-9 |
-1,174?10-9 |
-1,199?10-9 |
-1,2?10-9 |
-1,2?10-9 |
Так как в масштабе U[-10;0,7] линия значения тока резко уходит вверх на довольно большие значения, уменьшим масштаб до U[-0,5;0,4] для обеспечения возможности определения дифференциального сопротивления диода в точке Uпр = 0,2 В.
Рис.1. График построенной ВАХ диода представлен на рис. 1.
Для определения дифференциального сопротивления диода в заданной точке Uпр=0,2В, отметим на характеристике рабочую точку А, соответствующую данному значению прямого напряжения.
Зададим приращение ?U = 0,03 В. При этом, приращение тока будет составлять:
?I = 8,34•10-6 - 2,63•10-6 =5,71•10-6 А; (1)
Таким образом, дифференциальное сопротивление диода равно:
(2)
Сопротивление постоянному току диода в рабочей точке А:
;(3)
Таким образом, условие, при котором R0 > rдиф выполняется.
Задание 2
Стабилитрон подключен для стабилизации напряжения параллельно резистору нагрузки RH. Параметры стабилитрона Uст, Iст.min, Iст.max и сопротивление нагрузки Rн приведены в таблице 2. Определите величину сопротивления ограничительного резистора Rогр, если напряжение источника Е0 изменяется от Emin=20 В до Emax=30 B. Будет ли обеспечена стабилизация во всем диапазоне изменений напряжения источника Е?
Параметры стабилитрона для 17 варианта:
Uст=9 В, Iст min=5мА, Iст max=30 мА, RН=1 кОм.
Решение
Средний ток стабилитрона равен:
мА;(4)
Средняя величина питающего напряжения будет равна:
;(5)
Ток нагрузки:
А;(6)
Величина ограничивающего резистора находится из выражения:
, откуда
Ом;(7)
Определим границы допустимого диапазона изменения входного напряжения:
В;
В;
Таким образом, в данном случае, стабилизация будет осуществляться во всем диапазоне Uвх, поскольку Uвх min доп < Uвх min зад.
Задание 3
Усилительный каскад выполнен на полевом транзисторе типа 2П302А по схеме с общим источником и резистором нагрузки Rc в цепи стока. Напряжение смещения на затворе создается за счет включения в цепь истока резистора Ru. Значения сопротивления резистора Rc, напряжения на затворе в режиме покоя Uзио и ЭДС источника Ес приведены в таблице 3.
Необходимо:
а) нарисовать принципиальную схему усилителя;
б) пользуясь статическими характеристиками транзистора, определить положение рабочей точки;
в) в найденной рабочей точке определить сопротивление резистора в цепи истока Ru и малосигнальные параметры S, Ri и ;
г) графоаналитическим методом определить параметры режима усиления Sp, K и Р при амплитуде входного сигнала Umзu=0,25 B.
RС= 0,35кОм, UЗИ0= -0,5В, Ec = 16 В.
1. Принципиальная схема усилителя представлена на рис. 2:
Рис. 2
2. При напряжении питания усилителя Ec = 16 В:
Тогда А;(8)
Рис.3.
Построим нагрузочную прямую через точки [IC = 44 мА, Ec = 0 В] и [IC = 0 мА, Ec = 16 В] (рис. 3).
Рабочей точкой будет являться точка «О» на пересечении нагрузочной прямой и характеристики, соответствующей заданному значению
В.
IC0 = 22 мА; UСИ0 = 10 В;
3. Сопротивление резистора в цепи истока находим по формуле:
4.
Ом;(9)
Малосигнальные параметры:
;(10)
Ом;(11)
;(12)
5. Коэффициент усиления по напряжению:
(13)
Выходная мощность:
Вт;(14)
Задание 4
Фотодиод включен последовательно с источником питания и нагрузочным резистором RH. Обратный ток насыщения затемненного фотодиода (темновой ток) равен I0.
Фототок диода в фотогальваническом режиме при коротком замыкании перехода составляет Iф1 при потоке световой энергии Ф1; Iф2 при потоке световой энергии Ф2; Iф3=0 при потоке световой энергии Ф3=0.
Вычислить и построить семейство ВАХ идеализированного фотодиода для световых потоков Ф1, Ф2. и Ф3 в области напряжений U от 0 до - 10 В (при расчетах принять, что фототок не зависит от напряжения на запертом переходе; Т = 300 К). усилитель фотодиод резистор кремниевый диод
Определить напряжение холостого хода Uxx перехода диода для Ф1, Ф2 и Ф3 и значения Ф1,2 (лм), считая токовую чувствительность при монохроматическом световом потоке равной Si=1,510-2 мкА/лм.
Описать принцип работы, характеристики и параметры фотодиода. Значения, I0, Iф1, Iф2 приведены в таблице 4.
Для варианта 17:
I0= 20 мкА, R= 90 кОм, IЦ1 = 20 мкА, IЦ2 = 50 мкА
Фотодиоды могут работать в одном из двух режимов:
1) без внешнего источника электрической энергии (вентильный, фотогенераторный или фотогальвонический режим);
2) с внешним источником электрической энергии (фотодиодный или фотопреобразовательный режим).
Напряжение холостого хода фотодиода для Ф1, Ф2, Ф3:
В;
В; (15)
В;
Потоки световой энергии Ф1 и Ф2:
лм;(16)
лм;
Построим ВАХ идеализированного фотодиода для световых потоков Ф1, Ф2, Ф3 в диапазоне напряжений U от Uхх до -10В (рис. 10):
; (17)
Из данных характеристик видим, что при увеличении светового потока растет обратная проводимость фотодиода. Прямая проводимость не зависит от светового потока.
Список использованной литературы
1. Транзисторы для аппаратуры широкого применения (справочник); под ред. Б.Л. Перельмана - М: Радио и связь, 1981.
2. Булычев А.Л., Лямин П.М., Тулинов Е.С. Электронные приборы. - Мн. Выш. Шк. 1999
3. Ткаченко Ф.А. Техническая электроника: Уч. пособие, Мн.: Дизайн ПРО, 2000.
4. Электронные приборы/Под ред. Г.Г. Шишкина. - М.: Энергоатомиздат, 1989.
5. Терехов В.А. Задачник по электронным приборам. - СПб.: Лань, 2003.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Расчет мощности сигнала на входе усилителя низкой частоты, значения коллекторного тока оконечных транзисторов, емкости разделительного конденсатора, сопротивления резистора, напряжения на входе усилителя. Разработка и анализ принципиальной схемы.
курсовая работа [111,1 K], добавлен 13.02.2015Составление эквивалентной схемы усилителя для области средних частот, расчет его параметров. Определение сопротивления резистора, мощности, рассеиваемой им для выбора транзистора. Вычисление полного тока, потребляемого усилителем и к.п.д. усилителя.
контрольная работа [133,5 K], добавлен 04.01.2011Зависимость кондактанса от напряжения смещения для двухбарьерной гетероструктуры. Размеры слоев двухбарьерной квантовой структуры. Энергетическая диаграмма резонансно-туннельного диода с приложенным напряжением смещения. Методы измерения ВФХ РТД.
контрольная работа [1,6 M], добавлен 01.02.2012Изучение свойств германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды. Измерение их вольт-амперных характеристик и определение основных параметров. Расчет дифференциального сопротивления диода.
лабораторная работа [29,7 K], добавлен 13.03.2013Закономерности протекания тока в p–n переходе полупроводников. Построение вольтамперных характеристик стабилитрона, определение тока насыщения диода и напряжения пробоя (напряжения стабилизации). Расчет концентрации основных носителей в базе диода.
лабораторная работа [171,4 K], добавлен 27.07.2013Исследование особенностей операционного усилителя. Расчет пропорционально-интегрального и пропорционально-дифференциального звена. Определение минимально возможного значения сопротивления резистора. Схема неинвертируемого усилителя переменного напряжения.
контрольная работа [266,5 K], добавлен 05.01.2015Типы биполярных транзисторов и их диодные схемы замещения. Кремниевые и германиевые транзисторы. Физические явления в транзисторах. Схемы включения и статические параметры. Влияние температуры на статистические характеристики, динамические параметры.
реферат [116,3 K], добавлен 05.08.2009Расчет предварительного усилителя. Выбор типа операционного усилителя и схемы выпрямителя. Расчёт фильтра и буферного каскада. Определение расчётного значения общего коэффициента передачи. Выбор стабилизатора напряжения. Описание принципиальной схемы.
курсовая работа [644,5 K], добавлен 04.05.2012Расчет характеристик параметров кремниевого диода. Составление и характеристика элементов схемной модели для малых переменных сигналов. Структура диода и краткое описание его получения, особенности исследования зависимости барьерной ёмкости от Uобр.
курсовая работа [80,1 K], добавлен 24.01.2012Описание принципиальной схемы. Расчет элементов схемы по постоянному току. Проверка расчета по постоянному току с помощью компьютера. Расчет усилителя на переменном токе. Построение амплитудно-частотной характеристики. Определение сопротивления передачи.
курсовая работа [579,9 K], добавлен 26.02.2014