Вибір елементної бази УКВ радіоприймача та проектування смугового фільтру
Принципи вибору елементної бази з урахуванням схемно-функціонального призначення, експлуатаційних, конструкторсько-технологічних та економічних показників. Мети розрахунку та проектування спеціального електрорадіоелемента. Параметри кварцового резонатору.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | курсовая работа |
Язык | украинский |
Дата добавления | 19.10.2010 |
Размер файла | 482,6 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Зміст
Вступ
1. Вибір елементної бази ЕА з урахуванням заданих вимог
1.1 Вибір ЕБ з урахуванням схемно-функціонального призначення та надійно-експлуатаційних показників
1.2 Вибір ЕБ з урахуванням конструкторсько-технологічних та економічних показників
2. Проектування спеціального електрорадіоелемента
2.1 Загальні положення
2.2 Методика проектування спеціального ЕРЕ
2.3 Функціональні та конструктивно-технологічні параметри кварцового резонатору
3. Спеціальні розрахунки з вибору ЕБ і проектування заданого ЕРЕ
3.1 Термокомпенсація заданого фрагмента схеми ЕА
3.2 Розрахунок допусків основного параметра заданого ЕРЕ з урахуванням впливу вологості, температури та старіння
Висновки
Вступ
Дана курсова робота націлена на закріплення знань у галузі сучасної елементної бази (ЕБ), спеціальних елементів та пристроїв функціональної електроніки, а також отримання практичних навиків використання, та застосування вказаних елементів та проектування спеціальних типів для електронних апаратів різного призначення з урахуванням технічних, експлуатаційних та економічних характеристик.
Вхідною інформацією для цієї курсової роботи є принципова електрична схема та її експлуатаційні характеристики.
Усі супутні розрахунки під час виконання роботи передбачається проводити із використанням ЕОМ. Спеціальні розрахунки, які передбачені у роботі, присвячені термокомпенсації заданого фрагменту схемотехнічної реалізації ЕА, а також аналізу відхилень та забезпеченню стабільності основних параметрів спроектованих елементів. Методику розрахунку спеціального ЕРЕ слід реалізувати у вигляді програми та навести приклад розрахунку.
1. Вибір елементної бази ЕА з урахуванням заданих вимог
1.1 Вибір ЕБ з урахуванням схемно-функціонального призначення та надійно-експлуатаційних характеристик
Вимоги, що ставляться до параметрів, властивостей та характеристик електрорадіоелементів, і, як наслідок, обмеження на їхні типи, визначаються функціональним призначенням схем та ланцюгів, у яких вони використовуються. При виборі елементної бази до певного ЕА також необхідно враховувати умови експлуатації цього ЕА. Для даного варіанту курсової роботи задані наступні умови експлуатації:
- умови експлуатації - літакові;
- відносна вологість - 90% при 40° С;
- висота над рівнем моря - до 20 км;
- діапазон робочих температур: -60 … +80° С.
Вибір елементної бази слід виконати для певної частини схеми любительської УКВ радіостанції (принципова схема наведена у додатку
Вибір ЕБ ЕА з урахуванням надійно-експлуатаційних показників заснований на схемно-функціональному аналізі та відповідних обмеженнях типів елементів і представляє собою ітераційний процес. На кожному кроці цього процесу проводиться розрахунок наступного основного показника надійності ЕБ ЕА
(1.1)
де - сумарна інтенсивність відмов вибраного комплексу компонентів ЕБ ЕА;
- відповідно кількість в ЕА: резисторів, конденсаторів, напівпровідникових приладів, моточних виробів, інших елементів схеми (фільтрів, ліній затримки, елементів пам'яті, пристроїв індикації, пристроїв функціональної електроніки, комутуючих пристроїв, джерел живлення, тощо);
1/год - інтенсивність відказів з'єднання пайкою;
- інтенсивність відказів у номінальному режимі і-го відповідно: резистора, конденсатора, напівпровідникового приладу, моточного виробу, іншого елемента схеми;
- кількість виводів і-го відповідно: резистора, конденсатора, напівпровідникового приладу, моточного виробу, іншого елемента схеми ;
- коректуючи коефіцієнти, які враховують умови експлуатації ЕА.
Поправочні коефіцієнти, що залежать від Кн (коефіцієнта навантаження) та t (температури) відповідно для резисторів, конденсаторів, напівпровідникових приладів, моточних виробів та інших елементів схеми ЕА
;
;
;
;
Ітераційний процес базується на величину сумарної інтенсивності відказів впливають значення коефіцієнтів навантаження Кн компонентів ЕБ ЕА, та можна змінювати, вибираючи інші типи елементів ().
На цьому етапі мета курсової роботи полягає у забезпеченні оговореного співвідношення між та величиною часу наробки на відмову ЕА, яку задано.
Час наробки на відмову складає 24 000 годин.
При коефіцієнті навантаження на елементи kн=0,5 в результаті розрахунків отримали час наробки на відмову приблизно 76563 годин. Що значно перевищує час встановлений умовами експлуатації. Збільшення коефіцієнту навантаження до kн=1 значно зменшило час наробки, проте отримане значення 28507 все ще залишається досить великим. Тому коефіцієнт навантаження для резисторів і конденсаторів було збільшено до значення kн=1,2 , а для діодів та транзисторів kн=1,1 . Дані дії дозволили одержати часу наробки на відмову рівним 25800, що задовольняє умові Т0 [T0З; T0З+20%].
1.2 Вибір ЕБ з урахуванням конструктивно-технологічних та економічних показників
Конструктивно-технологічні показники складаються з конструктивних параметрів ЕБ ЕА (- сумарна маса та об'єм комплексу) і технологічних параметрів (i = 1,…5).
Сумарна маса ЕБ ЕА визначається формулою
(1.2)
де - маса і-го елемента відповідно: резистора, конденсатора, напівпровідникового приладу, моточного виробу, іншого елемента схеми.
г
Сумарний об'єм знаходиться за наступною формулою
(1.3)
де - об'єм і-го елемента відповідно: резистора, конденсатора, напівпровідникового приладу, моточного виробу, іншого елемента схеми.
= 3392,205
Технологічні показники визначаються наступним чином. Коефіцієнт застосування компонентів ЕБ ЕА () має вигляд
(1.4)
де - сумарна кількість типорозмірів оригінальних компонентів ЕБ ЕА для усіх п'яти типів ( резисторів, конденсаторів і т.д.);
- сумарна кількість типорозмірів компонентів ЕБ ЕА для усіх п'яти типів компонентів.
К1=1-9/12=0,25
Коефіцієнт повторення компонентів ЕБ ЕА () визначається за формулою
(1.5)
де - загальна кількість компонентів комплексу ЕБ ЕА.
К2=1-12/33=0,64
Коефіцієнт повторення мікросхем і мікрозбірок у ЕБ ЕА () має вигляд
(1.6)
де - кількість типорозмірів корпусів мікросхем і мікрозбірок в ЕБ ЕА;
- загальна кількість мікросхем і мікрозбірок в ЕБ ЕА.
К3=1-2/2=0
Коефіцієнт установочних розмірів компонентів ЕБ ЕА () представляється виразом
(1.7)
де - кількість видів установочних розмірів компонентів ЕБ ЕА.
К4=1-8/33=0,76
Коефіцієнт автоматизації і механізації підготовки компонентів ЕБ ЕА до монтажу () можна описати наступним чином
(1.8)
де - кількість компонентів ЕБ ЕА, підготовка котрих до монтажу здійснюється механічним та автоматизованим методом.
К5=31/33=0,94
Економічний показник представляє собою сумарну вартість усіх компонентів ЕБ ЕА ()
(1.9)
де - вартість і-го відповідно: резистора, конденсатора, напівпровідникового приладу, моточного елемента, іншого елемента схеми.
грн..
Результати програмного розрахунку цього етапу вибору ЕБ наведені у таблицях 1-3.
Таблиця 1. Загальна маса елементів
Тип ЕРЕ |
n |
Масса 1шт,гр |
? масса,гр |
Общая масса, гр |
|
Резистор СП2-5-0,5 |
1 |
15 |
15 |
24,67 |
|
Резистори С1-4 |
12 |
0,18 |
2,16 |
||
Конденсатори К53-1A-16В 0,1мкФ ± 5% |
7 |
0,6 |
4,2 |
||
Конденсатори К10-23-16В ± 5% |
5 |
0,36 |
1,8 |
||
Діод КД521А |
1 |
0,25 |
0,25 |
||
Варикап КВ132А |
1 |
0,3 |
0,3 |
||
Транзистор КТ3130-А9 |
1 |
0,3 |
0,3 |
||
Транзистор BF998 |
1 |
0,18 |
0,18 |
||
Фільтр LT455GW |
1 |
6 |
6 |
||
Мікросхема MC3371 |
1 |
1,5 |
1,5 |
Таблиця 2. Загальний об'єм елементів
Тип ЕРЕ |
n |
Об`єм 1шт, мм3 |
? об`єм, мм3 |
Загальний V,мм3 |
|
Резистор СП2-5-0,5 |
1 |
132 |
132 |
3392,20533 |
|
Резистори С1-4 |
12 |
8,591 |
103,092 |
||
Конденсатори К53-1A-16В 0,1мкФ ± 5% |
7 |
60,288 |
422,016 |
||
Конденсатори К10-23-16В ± 5% |
5 |
263,25 |
1316,25 |
||
Діод КД521А |
1 |
10,76863 |
10,76863 |
||
Варикап КВ132А |
1 |
24 |
24 |
||
Транзистор КТ3130-А9 |
1 |
94,985 |
94,985 |
||
Транзистор BF998 |
1 |
78,5 |
78,5 |
||
Фільтр LT455GW |
1 |
616 |
616 |
||
Мікросхема MC3371 |
1 |
594,5937 |
594,5937 |
Таблиця 3. Загальна вартість елементів
Тип ЕРЕ |
n |
Вартість 1 шт, грн. |
? вартість, грн |
Загальна ?,грн |
|
Резистор СП2-5-0,5 |
1 |
6,25 |
6,25 |
42,87 |
|
Резистори С1-4 |
12 |
0,13 |
1,56 |
||
Конденсатори К53-1A-16В 0,1мкФ ± 5% |
7 |
0,35 |
2,45 |
||
Конденсатори К10-23-16В ± 5% |
5 |
0,32 |
1,6 |
||
Діод КД521А |
1 |
0,19 |
0,19 |
||
Варикап КВ132А |
1 |
6,65 |
6,65 |
||
Транзистор КТ3130-А9 |
1 |
0,23 |
0,23 |
||
Транзистор BF998 |
1 |
1,71 |
1,71 |
||
Фільтр LT455GW |
1 |
1,9 |
1,9 |
||
Мікросхема MC3371 |
1 |
20,33 |
20,33 |
2. Проектування спеціального електрорадіоелемента
2.1 Загальні положення
П'єзоелектричними називають фільтри, що складаються з п'єзоелектричного резонатора, індуктивностей і ємностей. Застосовуються в діапазоні частот від десятків кілогерц до 20 МГц. При роботі на гармоніках можуть застосовуватися до 100 Мгц. Фільтри відносяться до вузькосмугових із відносною смугою пропускання = 0.1% - 2%. Основна їх гідність - висока вибірковість і висока стабільність характеристик.
П'єзоелектричний резонатор - основний елемент фільтру, складається з п'єзоелектричної пластини з електродами і утримувачем.
У п'єзоелектричному резонаторі мають місце як прямий, так і зворотний п'єзоелектричні ефекти. Прямий п'єзоелектричний ефект полягає в тому, що при підведенні до п'єзоелементу механічної дії на гранях його виникають електричні заряди. Зворотний п'єзоелектричний ефект полягає в тому, що при підведенні електричної напруги до п'єзоелементу в ньому виникають механічні напруження. У якості п'єзоелектрика застосовуються кристали кварцу, кристали виннокислого калія і п'єзокераміки.
При розрахунку фільтрів п'єзоелектричний резонатор замінюється еквівалентною електричною схемою, що складається з послідовно з'єднаних індуктивності Ls, ємкості Сs і опору Rs, зашунтованих ємкістю Ср
а) б)
Рис.2.1
Послідовну ємкість Cs називають динамічною ємкістю, у відмінності від статичної ємкості Cр, що є ємкістю конденсатора, утвореного електродами з п'єзоелектричною пластиною.
Залежно від діапазону частот використовується той або інший тип коливань пластини. Для частот нижче 40 кГц застосовуються бруски з коливаннями вигину. Для частот 40 200 кГц використовуються пластини з повздовжніми коливаннями по довжині на основній частоті. У діапазоні 200 800 кГц застосовуються резонатори з коливаннями по довжині на гармоніках, а так само з коливаннями зсуву по товщині. У діапазоні 0,6 20 Мгц застосовуються резонатори з коливаннями зсуву по товщині на основній частоті і на гармоніках, а для частот вище 20 МГц - резонатори з коливаннями зсуву по товщині на гармоніках.
П'єзоелектрична пластина має прямокутну або круглу форму. Електродами є тонкі плівки металу, нанесені на великі грані пластини. Залежно від вимог до фільтру в ньому використовуються пластини різних зрізів. Зріз пластини кварцу визначається по куту розпилювання кристала п'єзоелектрики відносно його осей XYZ. Найбільш споживаними є зрізи XY, GT, AT, BT.
Еквівалентні параметри п'єзоелектричного резонатора розраховуються по формулах, залежно від типу коливання і зрізу. У таблиці 4 наведені формули для розрахунку параметрів резонатора з коливаннями зсуву по товщині. Як матеріал в даному випадку найчастіше використовується кварц. Товщина пластини t (см), площа пластини S (см2), частота f (МГц).
Таблиця 4
Характеристика |
Зріз АТ |
Зріз ВТ |
|
Діапазон частот, МГц |
0,6 20 |
5 20 |
|
Частота fs, МГц |
|||
Індуктивність Ls, Гн |
|||
Ємкість Cs, нФ| |
10-2 . S . fs |
0,263 . 10-2 . S . fs |
|
Відношення ємностей |
240 |
600 |
|
Температурний коефіцієнт Тс |
2 . 10-4 на 1оС |
-8 . 10-4 на 1оС |
Схеми, що містять п'єзоелектричні резонатори і конденсатори називають вузькосмуговими. Еквівалентна електрична схема показана на рисунку (симетрична частина схеми не показана)
Рис.2.2
Ємність С01 рівна сумі статичної ємкості резонатора Cp і ємкості додаткового конденсатора CH , тобто
Ls і Cs - динамічні параметри кварцу.
Проаналізуємо схему, припускаючи, що втрати в елементах схеми відсутні. Частотні графіки опорів плечей дані в таблиці 6 для трьох випадків
1)С01 < С02 ;
2)С01 = С02;
3)С01 > С02
Таблиця 5
Нижче приведена схема дволанкового мостового фільтру
Рис.2.3
2.2 Методика проектування спеціального ЕРЕ
Послідовність розрахунку наступна:
1. Визначають параметри, які повинен мати спроектований ЕРЕ: смуга пропускання фільтру
= fa - fв,
середня частота настройки фільтру
,
опір навантаження Rн , мінімальне затухання на певній частоті;
2. Розраховують відносну смугу пропускання і відповідно їй обирають схему фільтру;
3. Обирають параметри С01, С02 та розраховують
;
4. Далі, відповідно до формул розраховують елементи фільтру
; (2.1)
; (2.2)
; (2.3)
; (2.4)
(2.5)
5. Розраховують параметри кварцового резонатору.
Довжина п'єзоелементів обчислюється по формулах:
x1 = (1338,5/f) п1 ± 0,5,
x2 = (2541/f) п2 ± 0,5, (2.6)
де х1 і х2 - розрахункові значення ширини п'єзоелементу;
п1 і п2 -цілі числа.
Значення п1 і п2 вибираються так, щоб величини х1 і х2 збігалися, тобто х1 рівнялося х2 , або було близьким за значенням, остаточно прийняте значення ширини п'єзоелементу:
x= x1± Д x1 = x2± Д x2 , (2.7)
де Д х1 і Д х2 - відхилення обраного значення ширини елемента від розрахункових значень:
Д х1 ?0,25*1338,5/f;
Д х2 ?0,25*2541/f. (2.8)
Ширина п'єзоелементів визначається по формулі:
(2.9)
Частотний коефіцієнт п'єзоелементу розраховується по формулі:
(2.10)
де - частотний коефіцієнт п'єзоелементу нескінченно більших його розмірах (тобто зневажаємо контурними коливаннями), що береться рівним 1660 кГцмм; f-частота.
Товщина п'єзоелементу визначається по формулі:
(2.11)
Розрахунок ведеться так само, як для п'єзоелементів зрізу ух1/+35°.
Програма, блок-схема та тестовий приклад розрахунку кварцового резонатору приведені у додатку 2,3,4 відповідно.
Програма, розроблена для розрахунку одно- та дволанкового мостового фільтру. Вона розраховує параметри самого фільтру і геометричні розміри прямокутного кварцового резонатору.
2.3 Функціональні та конструктивно-технологічні параметри кварцового резонатору
Кварцова сировина, використовувана промисловістю для виготовлення п'єзокварцевих пластин резонаторів по сортності ділиться на кілька груп.
1. Сорт «Екстра». До цього сорту відносяться кристали, їхні уламки або галька з монообластю, тобто бездефектною ділянкою кристала кварцу, від 30% і вище при вазі не менш 1000 г. Сорт «Екстра» прирівнюється до оптичного кварцу.
2. Сорт унікальний «А» -- кристали, їхні уламки або галька вагою понад 500 г, з монообластю від 15% і вище або 50% і вище при вазі не менш 300 г.
3. Сорт унікальний «Б» -- кристали, їхні уламки або галька вагою 150 г і вище, з монообластю від 15% і вище або 10% при вазі 1000 г і більше.
4. 1-й сорт -- кристали, їхні уламки або галька вагою від 100 г і більше, з монообластю 10% і вище.
5. 2-й сорт - кристали, їхні уламки або галька вагою понад 100 г, з монообластю 5%.
6. 3-й сорт, (маломірка). До цього сорту відносяться кристали кварцу, що мають хоча б одну природну грань і вагою від 30 до 100 г, а також що не мають природних граней вагою від 60 до 100 г, з монообластю 5% і вище.
Технологічний процес виготовлення кварцового резонатору можна розбити на такі процеси:
- орієнтація кристалу кварцу;
- розпилювання кварцу;
- шліфування та полірування кристалів кварцу;
- травлення кварцових пластин ;
- металізація кварцових пластин;
- настройка та зборка кварцових пластин.
3. Спеціальні розрахунки з вибору ЕБ і проектування заданого ЕРЕ
3.1 Термокомпенсація заданого фрагмента схеми ЕА
В процесі вибору ЕБ для ЕА часто виникає потреба у забезпеченні температурної стабільності окремих ланцюгів схеми, які є визначальними у формуванні якісних показників функціонування електронного апарату у заданому діапазоні температур із зберіганням відповідних характеристик і параметрів. Тому у даній роботі здійснюється термокомпенсація певного фрагмента схеми ЕА, заданого керівником роботи, з метою забезпечення більш стабільного функціонування ЕА. Для даного варіанту курсової роботи такий ланцюг має наступний вигляд (рис. 3.1):
Рис 3.1 Фрагмент схеми для термокомпенсації
Запишемо номінали елементів фрагменту схеми, для якого необхідно визначити умови термокомпенсації:
R= 33 кОМ
L= 0,68 мГн
C= 180 пФ
Запишемо функцію, яка буде описувати повний опір заданого ланцюга:
(3.1.1)
Розділивши дійсну та уявну частини отримаємо
(3.1.2)
Беремо АЧХ цієї функції:
(3.1.3)
Продиференціюємо отримане рівняння по.
Умовою термокомпенсації є наступний вираз:
(3.1.4)
На основі рівняння (3.1.4) запишемо рівняння наступного вигляду:
(3.1.5)
де , , - температурні коефіцієнти резисторів та конденсаторів;
;
; (3.1.6)
.
Розрахунок проведемо для частоти 455 кГц, пам'ятаючи, що
.
Усі необхідні розрахунки проведемо у середовищі MathCAD 11.
Оскільки нам відомі резистор та конденсатор, що входять до даного фрагменту схеми, то ми можемо задатися значеннями ТКО та ТКЄ взявши їх з довідника:
1/°C, 1/°C.
Підставивши дані значення у розрахунок отримаємо необхідне значення ТКІ :
1/°C
3.2 Розрахунок допусків основного параметра заданого ЕРЕ з урахуванням впливу вологості, температури та старіння
Розрахунок допусків ведемо для одного з основних компонентів спеціального елементу - кварцового резонатора.
Рівнянням похибки заданого параметру ЕА у абсолютних відхиленнях з урахуванням впливу вологості, температури та старіння є
(3.2.1)
де - відхилення і - го чинника під впливом вологості;
- температурний коефіцієнт і - го чинника;
- коефіцієнт старіння і - го чинника;
,- прирощення по температурі та терміну старіння.
Нехай для заданого вихідного параметру N визначений функціональний зв'язок виду:
де (і=1,n) - параметр і - го елементу.
Вказаний зв'язок може бути визначений у вигляді аналітичного виразу, тоді рівнянням похибки для вихідного параметру:
(3.2.2)
де - коефіцієнт впливу, який має вигляд:
(3.2.3)
Для спеціального елемента розраховуються температурні допуски відповідно до наступних положень:
За довідниковою літературою визначають температурні коефіцієнти , для усіх параметрів (і=1,n) , у заданому діапазоні температур.
Вважаючи розподіл похибки температурного коефіцієнта нормальним, знаходимо та , де, відповідно математичним очікуванням та половина поля допуску.
Тоді:
(3.2.4)
(3.2.5)
де г-коефіцієнт гарантійної надійності (г =0,857).
Температурний допуск та вихідний параметр визначаються :
(3.2.6)
де - заданий інтервал температур.
Параметр кварцового резонатору, це частота :
(3.2.7)
де - розмір кварцу;
- постійна пружність;
с-густина кварцу;
- рівняння похибки;
З довідника визначаємо температурні коефіцієнти та коефіцієнти на старіння:
Знайдемо математичне очікування ,,:
Знайдемо половини поля допуску ,,:
Знайдемо математичне очікування вихідного параметра:
Знайдемо ,,:
Допуск по температурі:
Допуск на старіння:
Допуск на вологість:
де - середина половини поля допуску,
=5.
Тоді :
Звідси
Тоді загальний допуск:
Висновки
В даній курсовій роботі було вибрано елементну базу УКВ радіоприймача з урахуванням заданих вимог. Спроектовано спеціальний ЕРЕ - смуговий фільтр на частоту 455 кГц, реалізований на кварцових резонаторах по мостовій схемі. Було проведено спеціальні розрахунки з вибору елементної бази електронних апаратів і проектування заданого ЕРЕ, які включали у себе термокомпенсацію заданого фрагменту схеми та розрахунок виробничих та експлуатаційних допусків основного параметра кварцового резонатору, що є одним з основних елементів заданого ЕРЕ.
Подобные документы
Проектування електрорадіоелемента системи дистанційного управління на основі радіотелефону. Технологічний процес виготовлення кварцового резонатору. Розрахунок допусків основного параметра ЕРЕ з урахуванням впливу вологості, температури та старіння.
курсовая работа [182,7 K], добавлен 26.04.2012Розробка, коригування електричної схеми. Обґрунтування вибору елементної бази. Вибір пасивних елементів. Проектування друкованої плати. Вибір матеріалу основи друкованого монтажу і провідникового матеріалу. Вибір електричного приєднання друкованої плати.
курсовая работа [3,1 M], добавлен 01.10.2014Огляд елементної бази, що застосовується для побудови логічних керуючих автоматів з паралельною архітектурою. Аналіз систем автоматизованого проектування логічних керуючих автоматів на основі ПЛІС, їх різновиди і відмінні особливості, тенденції розвитку.
курсовая работа [478,2 K], добавлен 25.09.2010Розробка автономного недорогого універсального охоронного пристрою, виконаного на сучасній елементній базі, призначеного для цілодобової охорони об'єктів різного призначення. Принцип роботи охоронної сигналізації. Вибір мікроконтролера, елементної бази.
дипломная работа [356,8 K], добавлен 24.08.2014Початкові етапи проектування оптимальних систем базуються на основних положеннях теорії векторної оптимізації, що визначає правила вибору оптимальних проектних рішень. Особливості та проблеми постановки задачі з урахуванням сукупності показників якості.
реферат [130,4 K], добавлен 13.02.2011Загальні вимоги до волоконно-оптичної системи передачі даних. Послідовність та методика інженерного розрахунку. Вибір елементної бази: оптичного кабелю, з`єднувачів та розгалужувачів, випромінювача, фотодетектора. Розрахунок параметрів цифрових ВОСП.
курсовая работа [142,4 K], добавлен 11.08.2010Технічні засоби міжконтролерного обміну інформацією з визначенням та виправленням помилок: принципи утворення коду, структурна, функціональна та принципова схеми контролера. Обґрунтування вибору елементної бази та мови програмування, розробка програми.
курсовая работа [1,9 M], добавлен 19.01.2010Поняття архітектури і структури комп'ютерів. Основи побудови арифметико-логічних пристроїв. Синтез заданого функціонального вузла. Вибір елементної бази і побудова принципіальної схеми арифметико-логічного пристрою для операцій додавання і віднімання.
курсовая работа [529,3 K], добавлен 17.12.2012Розробка конструкцій і технології процесу виготовлення друкованої плати пристрою. Обґрунтування вибору елементної бази, розрахунок структури технологічного процесу. Монтаж і складання проектованого виробу. Програма спектру для розводки друкованих плат.
дипломная работа [5,5 M], добавлен 19.11.2015Аналіз та забезпечення виробничо-технологічних вимог до виробництва блока живлення. Опис конструкції, оцінка елементної бази та розробка схеми складання. Визначення необхідного технологічного устаткування, оснащення, засобів механізації та автоматизації.
курсовая работа [80,3 K], добавлен 10.01.2011