Расчёт импульсного усилителя
Проектирование импульсного усилителя обладающий заданными параметрами. Расчет импульсного усилителя напряжения с определенным коэффициентом усиления. Выбор схемы усилителя и транзистора. Рабочая точка оконечного каскада. Расчет емкостей усилителя.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | курсовая работа |
Язык | русский |
Дата добавления | 06.05.2010 |
Размер файла | 888,0 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Задание
Спроектировать импульсный усилитель обладающий следующими параметрами.
амплитуда выходных импульсов Uвых = 12В;
полярность выходных и входных импульсов положительная;
сопротивление нагрузки RH = 75Ом;
ёмкость нагрузки СН = 50 пФ;
скважность следования импульсов S=5;
длительность импульсов tи = 20мкс;
время нарастания фронта импульса tф = 2мкс;
спад или подъём плоской части импульса д =5%;
относительный выброс на вершине импульса ?=2%;
амплитуда входных импульсов Uвх = 0,2В;
внутреннее сопротивление источника сигналов Rвн = 100 Ом;
Температура окружающей среды 10 - 50 С0.
Содержание
- Введение
- 1. Расчёт импульсного усилителя
- 1.1 Выбор схемы усилителя
- 1.2 Выбор транзистора
- 1.3 Расчет второго каскада
- 1.4 Расчет входного каскада усилителя
- 1.5 Расчет ёмкостей усилителя
- Введение
- В настоящее время нет ни одной области науки и техники, где не применялась бы электроника. А основой электроники на сегодняшний день является усилительный каскад, основанный на применении транзистора. Они могут быть успешно использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но и во многих других устройствах.
- В электронных устройствах транзисторы могут включаться по схеме с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). Наилучшими усилительными свойствами (усиление тока, напряжения и мощности) обладает транзистор в схеме с ОЭ. В схеме с ОБ усиление мощности сравнительно меньше, чем в схеме с ОЭ. Кроме того, в схеме с ОБ транзистор имеет сравнительно малое входное и большое выходное сопротивление, что затрудняет согласование каскадов.
- В схеме с ОК транзистор тоже обеспечивает меньшее усиление мощности. Однако в схеме с ОК транзистор имеет сравнительно большое входное и небольшое выходное сопротивления, и поэтому схема с ОК часто применяется в качестве согласующего каскада между источником сигнала с высокоомным выходным сопротивлением и низкоомной нагрузкой. Наиболее же часто в электронных устройствах применяется включение транзистора по схеме с ОЭ.
- При разработке, изготовлении и эксплуатации полупроводниковых приборов следует принимать во внимание их специфические особенности. Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс параметров транзисторов, их температурная нестабильность и зависимость параметров от режима работы, а также изменение параметров транзисторов в процессе эксплуатации.
- Под воздействием различных факторов окружающей среды некоторые параметры, характеристики и свойства транзисторов могут изменяться. Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних воздействий служат корпуса приборов.
- Все большее распространение получают так называемые бескорпусные транзисторы, предназначенные для использования в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких транзисторов защищены специальным покрытием, но оно не дает дополнительной защиты от воздействия окружающей среды.
- При конструировании устройств необходимо стремиться обеспечить их работоспособность в возможно более широких интервалах изменений важнейших параметров транзисторов. Разброс параметров и их изменение во времени при конструировании могут быть учтены расчетными методами или экспериментально - методом граничных испытаний.
1. Расчёт импульсного усилителя
1.1 Выбор схемы усилителя
Общий требуемый коэффициент усиления:
K= Uвых / Uвх = 12/0,2=60;
Данный усилитель работает в широком диапазоне температур, поэтому он должен иметь глубокую обратную отрицательную связь и , т.к. выходное сопротивление мало, то оконечный каскад служит для согласования и у него должно быть высокое входное и низкое выходное сопротивление - это каскад с общим коллектором. Итак, импульсный усилитель состоит из 3 каскадов (2 ОЭ, и ОК). 2 каскада с общим эмиттером (ОЭ) обеспечивают усиление напряжения входного сигнала.
Коэффициент усиления каскада характеризует статический коэффициент передачи тока h21Э, который также характеризует усилительные свойства транзистора. Численное значение этого параметра показывает, во сколько раз ток коллектора больше вызвавшего его тока базы. Чем больше коэффициент h21Э, тем большее усиление сигнала может обеспечить данный транзистор.
1.2 Выбор транзистора
Определим период и частоту следования импульсов.
Т = Stи = 5*20 = 100мкс
f= 1/100=10 кГц
Для выбора транзистора также необходимо рассчитать его предельную частоту по фронту импульса:
где tф - длительность фронта импульса
Исходя из этих параметров и учитывая, что на практике транзистор необходимо выбирать с большей предельной частотой, так как с повышением частоты входного сигнала коэффициент h21э транзистора уменьшается, из справочника был выбран транзистор КТ373А малой мощности высокой частоты (зарубежный аналог 2N3393), обладающий следующими характеристиками:
h21Э=70;
fh21гр = 250 (МГц);
РКмакс=200 (мВт) при t=200 C;
tмакс=100 С0;
IКпост=200 (мА);
является транзистором n-p-n типа;
1.3 Расчёт выходного каскада
Принимаем напряжение питания равным Uп = 18В
Максимальный эмиттерный ток транзистора определим по формуле:
(1)
здесь не учтено параллельно включённое сопротивление RЭ3>>Rн, т.к. оно слабо шунтирует нагрузку.
Минимальное падение напряжения на резисторе Rk2:
=18-12-0,8-1,5= 3,7 (2)
Сопротивление резистора Rk2
Rk2 = (h21Э3 + 1) / (3)
Чтобы соблюдалась термостабильность каскада необходимо выполнить условие:
(h21Э3 + 1) / = Rэ3(S - 1) (4)
где S =2..5 - коэффициент нестабильности
Полагая, что UК2 = 1,5В, S=3, Uбэ3=0,8В, с учетом выражения (2) определим сопротивление эмиттера:
(5)
Принимаем Rэ3 = 800 Ом.
Максимальная мощность резистора Rэ3:
P= IR32 Rэ3 = (0.160*75/(800+75))2*800 =0.15Вт (6)
поэтому выбираем сопротивления с номинальной мощностью 0,25Вт.
1.4.Расчёт второго каскада импульсного усилителя
Определим сопротивление Rk2 по формуле (3):
(7)
Принимаем Rk2 = 1500 Ом
Ток покоя транзистора VT2:
(8)
Определим теперь сопротивление эмиттера в цепи ООС:
(9)
Принимаем =150 Ом
Чтобы соблюдалась термостабильность каскада необходимо выполнить равенство:
RБ2 = (S-1) = 150 (5-1) = 600 Ом (10)
Тогда
(Rб3Rб4) / (Rб3 + Rб4)= RБ2 (11)
Uп Rб4 / (Rб3 + Rб4)= U RЭ2 + UБЭ2 = UБ2
Из равенств (11) при условии, что падение напряжения UБЭ2 = 0,8В определим сопротивления:
Rб4 = RБ2UП /( UП - UБ2) = 600*18 / (18-(1,5+0,8))=688Ом (12)
Принимаем Rб4 =750 Ом
Rб3 = Rб4 ( UП - UБ2) / UБ2 = 680*(18-2,3)/2,3 =4641 Ом (13)
Принимаем Rб3 =4,7к Ом
Ток покоя базы транзистора определим по формуле:
IБ2П = / h21 = 0.011/70 = 0.16 мА (14)
Ток делителя на резисторах Rб3 и Rб4:
Iдел2 = UП / (Rб3 +Rб4) = 18 /(4700+750) = 3,3мА (15)
Iдел2 >> IБ2П
это отвечает условию независимости выходного напряжения делителя от тока базы транзистора.
Мощности резисторов:
РRЭ2 = 2 =0,0112*150 = 0,02Вт (16)
РRК2 = 2 =0,0112*1500 = 0,2Вт (17)
РRБ4 = Iдел22 Rб3 = 0,00332 *4700 = 0,05Вт (18)
У Rб4 ещё меньше поэтому выбираем сопротивления с номинальной мощностью 0,25Вт.
Коэффициент усиления второго каскада без учёта повышающего действия шунтирующего эмиттер конденсатора СЭ2:
(19)
Предварительно принимаем СЭ2=4,7 мкФ.
Можно считать, что входное сопротивление второго каскада по переменному току равно:
Rвх2 = (RЭ2 ||CЭ2) h21 =70*150*1/(6,28*10000*4,7*10-6) / (150+1/(6,28*10000*4,7*10-6)) = 232 Ом (20)
Сопротивление нагрузки для первого входного каскада по переменному току:
RН1 = (21)
1.5 Расчёт входного каскада импульсного усилителя
Номинал резистора RK1 примем из условия:
RK1 >> RН1 . (22)
Тогда RK1 = 10 кОм
Сопротивление эмиттера влияет на коэффициент усиления каскада, поэтому:
RЭ1 = RK1 / (K1-n)= 10 / (6-1)=2 кОм (23)
Где n = 1 учитывает влияние шунтирующих конденсаторов на коэффициент усиления каскада;
К1 - требуемый коэффициент усиления первого каскада, т.к. второго -равен 10 из (19).
Предположим, что в режиме покоя падение напряжения на коллекторе транзистора UK1=7B , тогда ток покоя транзистора будет равен:
IК1П = (UП - UK1) / RK1 = (18-7) / 10000 = 1,1мА (24)
Ток покоя базы:
IБ1П = IК1П /h21 = 1.1/70 =0.015мA (25)
Принимаем, исходя из условия (15), ток делителя Rб1 и Rб2
Iдел1 =20 IБ1П = 0,3мА. (26)
Тогда
Rб1 + Rб2 = UП / Iдел1 = 18 / 0,3 = 60кОм (27)
По условиям термостабилизации по (10) и (11) (UБЭ1=0,8В) получим выражения:
Rб1 Rб2 / (Rб1 + Rб2) = RЭ1(S - 1) (28)
Un Rб2 / (Rб1 + Rб2) = UБЭ1+ IК1ПRЭ1
Откуда
(29)
RБ1=60-10 = 50 кОм принимаем RБ1=51кОм
Мощности резисторов:
РRЭ1 = 2 =0,00112*2000 = 0,002Вт (30)
РRК1 = 2 =0,00112*10000 = 0,012Вт (31)
РRБ1 = Iдел2 Rб1 = 0,00032 *51000 = 0,005Вт (32)
У Rб2 ещё меньше поэтому выбираем сопротивления с номинальной мощностью рассеивания 0,25Вт.
1.6 Расчёт конденсаторов
По условию RЭ1СЭ1>>T или Т/ RЭ1<< СЭ1 (33)
0.0001/2000=50 нФ
Принимаем ёмкость шунтирующую эмиттер СЭ1 = 1мкФ
Ёмкость разделительного конденсатора выбирается из условия не искажения импульса:
Rис<<Rвх1 или
RВН + 1/(6.28*10000*Cp1)<< (RЭ1 ||CЭ1) h21 =70*2000*1/(6,28*10000*1*10-6) / (2000+1/(6,28*10000*1*10-6)) =1106 Ом (34)
откуда Cp1>>16нФ
Принимаем разделительную ёмкость также Ср1 = 1мкФ
Разделительный конденсатор между первым и вторым каскадами принимаем исходя из того:
1/(6.28*10000*Cp2)<< Rвх2 =232
откуда
Cp2>>70нФ
Принимаем разделительную ёмкость также Ср2 = 1мкФ
Проверим выполнение условия (33) для Сэ2:
Сэ2>> T / RЭ2 = 0.0001/150=0.6 мкФ (35)
Условие выполняется, следовательно, остаётся принятое ранее значение.
При определении ёмкости разделительного конденсатора Ср3, обеспечивающего допустимый спад импульса и относительный выброс, необходимо выполнить соотношение:
Ср3 >> T / Rвых3 (36)
или
Ср3 >>0.0001 / (75*800/(75+800)) =1.5мкФ
Принимаем Ср3 =100 мкФ
Проверим работу схемы и правильность расчётов по постоянному току виртуально, по программе Multisim8.0
Рис.1 Схема импульсного усилителя в режиме покоя.
Результаты совпали с небольшой погрешностью так по расчётам IБ1П=15мкА а на рис.2 IБ1П = 9,3мкА это объясняется приблизительностью инженерного расчёта.
На рис.2 показан рабочий режим усилителя, на функциональном генераторе данные входные импульсы , их осциллограмма красная, а выходной сигнал - синяя осциллограмма. По ней видно, что амплитуда в допустимых пределах спада импульса т.е. более 5% от 12В (11,857 >11,4), а выброс почти отсутствует - это следствие идеализации некоторых элементов схемы программой.
.
Рис.2 Усилитель импульсов в рабочем режи
Список использованных источников
В.В. Богданов. Расчет усилительных схем на дискретных элементах: Методические указания. - Пенза, 1991. -18 с.
Н.И. Чистяков. Справочник радиолюбителя - конструктора. - Москва, 1983. - 560 с.
Горюнов Н.Н., Клейман А.Ю., Комков Н.Н. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. - Москва, 1976. -744 с.
Подобные документы
Усилительный каскад с применением транзистора как основа электроники. Расчет импульсного усилителя напряжения с определенным коэффициентом усиления. Выбор схемы усилителя и транзистора. Рабочая точка оконечного каскада. Расчет емкостей усилителя.
курсовая работа [497,5 K], добавлен 13.11.2009Сущность процесса усиления - получения копии входного сигнала большей мощности. Расчет импульсного усилителя, рассчитанного на транзисторах и на базе интегральных микросхем. Расчет структурной схемы, оконечного, предоконечного, предварительного каскада.
контрольная работа [148,2 K], добавлен 18.12.2011Проектирование многокаскадного усилителя. Выбор режима работы выходного каскада по постоянному и переменному току. Разработка и расчет электрической схемы усилителя импульсных сигналов. Расчёт входного сопротивления и входной ёмкости входного каскада.
курсовая работа [4,7 M], добавлен 25.03.2012Алгоритм аналитического расчёта импульсного усилителя по заданным требованиям. Разработка принципиальной готовой схемы усилителя с известными номиналами элементов при помощи использования специальных транзисторов, имеющих высокую граничную частоту.
курсовая работа [2,8 M], добавлен 27.12.2010Структурная схема импульсного усилителя. Выбор типа транзистора для выходного каскада усилителя. Расчёт схемы температурной стабилизации рабочей точки предварительного каскада. Определение числа предварительных каскадов. Расчет вспомогательных цепей.
курсовая работа [126,3 K], добавлен 21.04.2015Режим работы выходного каскада по постоянному и переменному току. Определение низкочастотных и высокочастотных параметров транзистора выходного каскада. Выбор транзистора для предварительных каскадов. Определение показателей рассчитываемого усилителя.
курсовая работа [3,3 M], добавлен 09.11.2014Разработка и расчет схемы двухтактного усилителя мощности с заданными параметрами. Расчет оконечного, промежуточного и входного каскада. Выбор цепи стабилизации тока покоя. Результирующие характеристики усилителя. Требования к мощности источника питания.
курсовая работа [617,9 K], добавлен 16.10.2011Основные понятия и определения важнейших компонентов усилителя. Проектирование и расчет усилителя низкой частоты (УНЧ) с заданными параметрами. Выбор и обоснование принципиальной электрической схемы выходного каскада, изучение его основных свойств.
курсовая работа [864,0 K], добавлен 13.01.2014Расчет многокаскадного импульсного усилителя видеосигналов в транзисторном и микросхемном варианте. Составление принципиальных схем, определение входных и выходных характеристик транзисторов. Разработка устройства и конструкции печатной платы прибора.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 21.02.2013Проектирование импульсного усилителя: общие положения, технические показатели; разработка принципиальной схемы подмодулятора: критерии задания; анализ и электрический расчёт схемы, подбор элементной базы; расчёт выходного каскада, усилителя-инвертора.
курсовая работа [148,8 K], добавлен 09.10.2011