реферат  Процессы диффузии и дрейфа в полупроводниках

Общая характеристика полупроводников, их строения и принципа действия. Определение понятий диффузионного и дрейфового токов. Построение соотношения Эйнштейна. Определение диффузии и дрейфа неравновесных носителей заряда с разными вариантами проводимости.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

  #####    #####    #####   #######   #####  
 ##   ##  ##   ##  ##   ##  ##   ##  ##   ## 
 ##   ##  ##   ##  ##   ##      ##   ##   ## 
  #####   ##   ##     ###      ##    ##   ## 
 ##   ##  ##   ##  ##   ##    ##     ##   ## 
 ##   ##  ##   ##  ##   ##    ##     ##   ## 
  #####    #####    #####    ####     #####  
                                             

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Физика и энергетика
Вид реферат
Язык русский
Дата добавления 05.11.2017
Размер файла 303,1 K

Подобные документы

  • Сущность внутреннего фотоэффекта. Фотопроводимость при наличии поверхностной рекомбинации и диффузии носителей заряда. Эффект Дембера. Измерение фотоэлектромагнитного эффекта. Особенности p-n переходов в полупроводниках, барьер Шоттки для электронов.

    курсовая работа [788,8 K], добавлен 27.11.2013

  • Поглощение света свободными носителями заряда. Электрография и фотопроводимость полупроводников. Влияние сильных электрических попей на электропроводность полупроводников. Подвижность носителей в ионных кристаллах и полупроводниках с атомной решеткой.

    реферат [1,6 M], добавлен 28.03.2012

  • Расчет профиля диффузии сурьмы в кремнии, определение основных параметров этого процесса. Использование феноменологической модели диффузии. Влияние параметров на глубину залегания примеси. Численное решение уравнения диффузии по неявной разностной схеме.

    курсовая работа [4,7 M], добавлен 28.08.2010

  • Удельное сопротивление полупроводников. Строение кристаллической решетки кремния. Дефекты точечного типа и дислокации. Носители заряда и их движение в электрическом поле. Энергетические уровни и зоны атома. Распределение носителей в зонах проводимости.

    презентация [150,3 K], добавлен 27.11.2015

  • Классификация веществ по электропроводности. Расчёт эффективной массы плотности состояний электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне, концентраций свободных носителей заряда. Определение зависимости энергии уровня Ферми от температуры.

    курсовая работа [913,5 K], добавлен 14.02.2013

  • Исследование формирования катодолюминесцентного излучения, генерации, движения и рекомбинации неравновесных носителей заряда. Характеристика кинетики процессов возгорания и гашения люминесценции, концентрации легирующих примесей в ряде полупроводников.

    курсовая работа [1,6 M], добавлен 10.06.2011

  • Сущность и особенности явления диффузии как беспорядочного хаотического движения молекул. Исследование зависимости скорости диффузии от температуры в твердых веществах, сущность явления капиллярности. Проявление диффузии в природе и ее применение.

    презентация [688,1 K], добавлен 13.05.2011

  • Понятие о полупроводниках, их свойства, область применения. Активные диэлектрики. Рождение полупроводникового диода. Открытие сегнетоэлектриков и пьезоэлектриков. Исследования проводимости различных материалов. Физика полупроводников и нанотехнологии.

    курсовая работа [94,4 K], добавлен 14.11.2010

  • Энергетические зоны в полупроводниках. Энергетическая диаграмма процесса переноса электрона с энергетического уровня в зону проводимости. Пример внедрения трехвалентного атома в решетку кремния. Эффективная плотность состояний в зоне проводимости.

    реферат [730,0 K], добавлен 26.08.2015

  • История открытия физического явления диффузия. Экспериментальное определение постоянных Больцмана и Авогадро. Закономерности броуновского движения. Схема диффузии через полупроницаемую мембрану. Применение физического явления диффузия в жизни человека.

    реферат [336,4 K], добавлен 21.05.2012

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.