курсовая работа  Расчет распределения примесей в бинарных системах полупроводник-примесь при кристаллизационой очистке

Методы кристаллизационной очистки в технологии очистки полупроводниковых материалов и металлов. Методы выращивания монокристаллов из расплавов. Метод Вернейля и Чохральского. Расчет кристаллизационной очистки в бинарных системах полупроводник-примесь.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

    ##     ####     ####    ######    ####   
   ###    ##  ##   ##  ##   ##  ##   ##  ##  
    ##    ##  ##       ##       ##       ##  
    ##    ##  ##     ###       ##       ##   
    ##    ##  ##       ##      ##      ##    
    ##    ##  ##       ##     ##      ##     
    ##    ##  ##   ##  ##     ##     ##      
    ##     ####     ####      ##     ######  
                                             
                                             

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Физика и энергетика
Вид курсовая работа
Язык русский
Дата добавления 01.01.2014
Размер файла 92,4 K

Подобные документы

  • Общие сведения о полупроводниках. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния. Применение полупроводников. Тепловые сопротивления. Фотосопротивления. Термоэлементы. Холодильники и нагреватели.

    реферат [26,8 K], добавлен 25.06.2004

  • Расчёт компоновки загрузки из полупроводникового и металлургического кремния для выращивания мультикремния. Количественный химический анализ слитков мультикремния. Анализ профилей распределения примесей в слитках в приближении перемешивания расплава.

    дипломная работа [1,1 M], добавлен 08.06.2017

  • Обзор методов очистки дымовых газов тепловых электростанций. Проведение реконструкции установки очистки дымовых газов котлоагрегата ТП-90 энергоблока 150 МВт в КТЦ-1 Приднепровской ТЭС. Расчет скруббера Вентури для очистки дымовых газов котла ТП-90.

    дипломная работа [580,6 K], добавлен 19.02.2015

  • Теоретические сведения о свойствах полупроводников. Предоставление энергетических диаграмм p-n перехода в условиях равновесия. Получение вольтамперной и вольтфарадной характеристик по заданным значениям напряжения и тока. Расчет концентрации примеси.

    лабораторная работа [141,4 K], добавлен 21.01.2011

  • Физические основы и практические результаты использования проникающих излучений в технологии ядерного легирования полупроводниковых материалов. Их применение в производстве полупроводниковых приборов, мощных кремниевых диодов, тиристоров и транзисторов.

    курсовая работа [1,9 M], добавлен 08.06.2015

  • Особенности отложения примесей в паровых котлах, методы химических очисток и их влияние на надежность эксплуатации оборудования. Технологии некоторых химических очисток котлов и результаты их проведения, выполненных в ОАО "Сибтехэнерго" в разное время.

    магистерская работа [1,9 M], добавлен 02.08.2015

  • Расчёт производительности ВПУ. Выбор типа предварительной очистки воды и ионообменной части фильтра. Расчет предварительной очистки ВПУ. Водно-химический режим котельной, расчет осветителей. Анализ результатов расчета ВПУ, компоновка оборудования.

    курсовая работа [342,5 K], добавлен 17.09.2012

  • Понятие и функциональные особенности системы очистки продувочной воды 1-го контура, ее технологическая схема, направления взаимодействия со смежными системами. Режимы работы, опробование и испытание, контроль и управление исследуемой системой очистки.

    курсовая работа [287,4 K], добавлен 14.10.2013

  • Характеристики полупроводниковых материалов и источников излучения. Соединение источника с волокном. Конструкции одномодовых лазеров, особенности РБО-лазеров. Расчет параметров многомодового лазера с резонатором Фабри-Перо. Светоизлучающие диоды (СИД).

    реферат [561,8 K], добавлен 11.06.2011

  • Фотоэлектрические свойства неоднородных полупроводниковых образцов. Энергетическая структура омического контакта в присутствии неравномерно распределенных электронных ловушек. Фотоэлектрические свойства кристаллов, обработанных в газовом разряде.

    дипломная работа [3,3 M], добавлен 18.03.2008

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.