Расчет распределения примесей в бинарных системах полупроводник-примесь при кристаллизационой очистке
Методы кристаллизационной очистки в технологии очистки полупроводниковых материалов и металлов. Методы выращивания монокристаллов из расплавов. Метод Вернейля и Чохральского. Расчет кристаллизационной очистки в бинарных системах полупроводник-примесь.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Предмет | Основы технологии материалов |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | Набитов Аслан |
| Дата добавления | 01.01.2014 |
| Размер файла | 92,4 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Общие сведения о полупроводниках. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния. Применение полупроводников. Тепловые сопротивления. Фотосопротивления. Термоэлементы. Холодильники и нагреватели.
реферат [26,8 K], добавлен 25.06.2004Расчёт компоновки загрузки из полупроводникового и металлургического кремния для выращивания мультикремния. Количественный химический анализ слитков мультикремния. Анализ профилей распределения примесей в слитках в приближении перемешивания расплава.
дипломная работа [1,1 M], добавлен 08.06.2017Обзор методов очистки дымовых газов тепловых электростанций. Проведение реконструкции установки очистки дымовых газов котлоагрегата ТП-90 энергоблока 150 МВт в КТЦ-1 Приднепровской ТЭС. Расчет скруббера Вентури для очистки дымовых газов котла ТП-90.
дипломная работа [580,6 K], добавлен 19.02.2015Теоретические сведения о свойствах полупроводников. Предоставление энергетических диаграмм p-n перехода в условиях равновесия. Получение вольтамперной и вольтфарадной характеристик по заданным значениям напряжения и тока. Расчет концентрации примеси.
лабораторная работа [141,4 K], добавлен 21.01.2011Физические основы и практические результаты использования проникающих излучений в технологии ядерного легирования полупроводниковых материалов. Их применение в производстве полупроводниковых приборов, мощных кремниевых диодов, тиристоров и транзисторов.
курсовая работа [1,9 M], добавлен 08.06.2015Особенности отложения примесей в паровых котлах, методы химических очисток и их влияние на надежность эксплуатации оборудования. Технологии некоторых химических очисток котлов и результаты их проведения, выполненных в ОАО "Сибтехэнерго" в разное время.
магистерская работа [1,9 M], добавлен 02.08.2015Расчёт производительности ВПУ. Выбор типа предварительной очистки воды и ионообменной части фильтра. Расчет предварительной очистки ВПУ. Водно-химический режим котельной, расчет осветителей. Анализ результатов расчета ВПУ, компоновка оборудования.
курсовая работа [342,5 K], добавлен 17.09.2012Понятие и функциональные особенности системы очистки продувочной воды 1-го контура, ее технологическая схема, направления взаимодействия со смежными системами. Режимы работы, опробование и испытание, контроль и управление исследуемой системой очистки.
курсовая работа [287,4 K], добавлен 14.10.2013Характеристики полупроводниковых материалов и источников излучения. Соединение источника с волокном. Конструкции одномодовых лазеров, особенности РБО-лазеров. Расчет параметров многомодового лазера с резонатором Фабри-Перо. Светоизлучающие диоды (СИД).
реферат [561,8 K], добавлен 11.06.2011Фотоэлектрические свойства неоднородных полупроводниковых образцов. Энергетическая структура омического контакта в присутствии неравномерно распределенных электронных ловушек. Фотоэлектрические свойства кристаллов, обработанных в газовом разряде.
дипломная работа [3,3 M], добавлен 18.03.2008