контрольная работа Динамический диапазон точечной термопары металл-полуметалл bisb
Исследование электрофизических свойств полуметаллов, в особенности висмута и сурьмы. Процессы протекания тока через точечные контакты металл-полуметалл bisb. Анализ участков отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперной характеристики.
Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.
Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"
Рубрика | Физика и энергетика |
Вид | контрольная работа |
Язык | русский |
Дата добавления | 24.10.2010 |
Размер файла | 47,8 K |
Подобные документы
Определение величины обратного тока диодной структуры. Расчет вольт-амперной характеристики идеального и реального переходов. Зависимости дифференциального сопротивления, барьерной и диффузионной емкости, толщины обедненного слоя от напряжения диода.
курсовая работа [362,1 K], добавлен 28.02.2016Устройство структуры металл-диэлектрик–полупроводник. Типы полупроводниковой подложки. Экспериментальное измерение вольт-фарадных характеристик и характеристика многослойных структур. Методология электрофизических измерений, описание их погрешности.
курсовая работа [1,5 M], добавлен 07.01.2011Диапазон параметров приборов, дифференциальное сопротивление на участке стабилизации. Температурный коэффициент напряжения стабилизации, примеры практического применения прибора. Обратная ветвь вольт-амперной характеристики при разных температурах.
курсовая работа [740,7 K], добавлен 21.02.2023Методы и средства изучения свойств наноструктур. Экспериментальное исследование электрофизических параметров полупроводниковых материалов. Проведение оценочных расчетов теоретического предела минимального размера изображения, получаемого при литографии.
дипломная работа [810,6 K], добавлен 28.03.2016Прохождение тока через электролиты. Физическая природа электропроводности. Влияние примесей, дефектов кристаллической структуры на удельное сопротивление металлов. Cопротивление тонких металлических пленок. Контактные явления и термоэлектродвижущая сила.
реферат [24,0 K], добавлен 29.08.2010Напряжение тока и сопротивление диода. Исследование вольтамперной характеристики для полупроводникового диода. Анализ сопротивления диода. Измерение напряжения и вычисление тока через диод. Нагрузочная характеристика параметрического стабилизатора.
практическая работа [2,0 M], добавлен 31.10.2011Понятие p-n перехода и методы его создания. Резкие и плавные p-n переходы, их зонные диаграммы. Зонная диаграмма несимметричного p-n перехода. Потенциальный барьер и распределение контактного потенциала. Методика расчета вольт-амперной характеристики.
курсовая работа [566,6 K], добавлен 19.12.2011Понятие квантового размерного эффекта (КРЭ). Выбор висмута, его обоснование. Требуемые улучшения в исследовании КРЭ. Расширенная зонная структура висмута вдоль различных кристаллографических направлений. График зависимости сопротивления от толщины плёнки.
дипломная работа [2,5 M], добавлен 26.08.2017Определение свойств объекта, подлежащего исследованию. Изменение сопротивления медного проводника. Процессы распространения тепловой энергии. Идентификация типа дифференциального уравнения. Входной и выходной параметры. Размерность входного возмущения.
курсовая работа [190,5 K], добавлен 13.03.2014Диффузия как физическое явление, особенности протекания в твердых телах. Практические методы исследования диффузионных процессов в многослойных структурах. Получение позитивного или негативного изображения на бессеребряных светочувствительных слоях.
дипломная работа [1,1 M], добавлен 12.04.2012