Влияние облучения медленными электронами на состояние нанопленок KCl и LiF на поверхности Si(111)

Изучение и определение условий образования точечных дефектов и их кластеров на поверхности тонких нанопленок KCl и LiF, сформированных на поверхности Si(111) при облучении медленными электронами. Зависимости образования поверхностных точечных дефектов.

Рубрика Физика и энергетика
Вид статья
Язык русский
Дата добавления 12.08.2020
Размер файла 118,6 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Дифракция быстрых электронов на отражение как метод анализа структуры поверхности пленок в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ температурной зависимости толщины пленки кремния и германия на слабо разориентированой поверхности кремния.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 07.06.2011

  • Физический аспект образования сил тяги и торможения поезда. Форма и величина опорной поверхности, в которой колесо опирается на рельс. Ориентация опорной поверхности в форме эллипса, ее размеры. Классификация сил сопротивления движению, его составляющие.

    презентация [213,0 K], добавлен 14.08.2013

  • Порядок и закономерности движения зарядов в газе, связанные с ним физические законы. Ионизация газа электронами путем отрыва одного электрона. Зависимости коэффициента ионизации газа электронами от напряженности электрического поля и давления неона.

    реферат [142,5 K], добавлен 14.11.2011

  • Эффективное излучение, радиационный и тепловой баланс земной поверхности. Закономерности распространения тепла вглубь почвы. Пожарная опасность леса. Расчет температуры поверхности различных фоновых образований на основе радиационного баланса Земли.

    дипломная работа [1,9 M], добавлен 01.03.2013

  • Анализ противоречий в механизмах протекания электрического тока в проводниках. Обзор изменения состава и структуры поверхности многокомпонентных систем, механизма диффузии и адсорбции. Исследование поверхности электродов кислотных аккумуляторных батарей.

    контрольная работа [25,0 K], добавлен 14.11.2011

  • История исследований физических процессов в квантовых структурах. Особенности взаимодействия электромагнитного поля с электронами. Правила отбора для внутризонных переходов в квантовых ямах. Собственные значения и собственные функции гамильтониана Рашбы.

    дипломная работа [378,5 K], добавлен 24.03.2012

  • Достижения современной планарной технологии и значение в них физики поверхностей. Трехслойная система как базовая структура микроэлектроники. Влияние поверхности на работу полупроводниковых приборов: оптоэлектронные приборы, сверхпроводящие пленки.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 17.05.2009

  • Понятие и классификация дефектов в кристаллах: энергетические, электронные и атомные. Основные несовершенства кристаллов, образование точечных дефекто, их концентрация и скорость перемещения по кристаллу. Диффузия частиц за счет движений вакансий.

    реферат [571,0 K], добавлен 19.01.2011

  • Метод неразрушающего контроля состояния поверхности полупроводниковых пластин, параметров тонких поверхностных слоёв и границ раздела между ними. Методика измерений на эллипсометре компенсационного типа. Применение эллипсометрических методов контроля.

    реферат [1,1 M], добавлен 15.01.2009

  • Определение внутреннего диаметра корпуса теплообменника. Температура насыщенного сухого водяного пара. График изменения температур теплоносителя вдоль поверхности нагрева. Вычисление площади поверхности теплообмена Fрасч из уравнения теплопередачи.

    контрольная работа [165,6 K], добавлен 29.03.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.