Электрические свойства наноструктурированного Au-Ga2O3-N-GaAs0.6P0.4 диода Шоттки

Изучение фотоэлектрических свойств наноструктур Аu-оксид-n-GaP0.4As с разной толщиной окисного слоя в видимой и ультрофиолетовой областях спектра. Вольт-амперные, -фарадные характеристики и спектр фототока короткого замыкания в диапазоне энергий фотонов.

Рубрика Физика и энергетика
Вид статья
Язык русский
Дата добавления 24.02.2025
Размер файла 771,0 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.