Три режима работы транзистора
Комплексное исследование физических процессов схем усилителя для трех режимов транзистора. Составление уравнения Кирхгофа по напряжению и току для входной и выходной цепей. Рассмотрение трех режимов работы транзистора: отсечка, насыщение, активный.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | контрольная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 23.03.2022 |
| Размер файла | 1,1 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектронники (ТУСУР)
Кафедра промышленной электроники (ПрЭ)
Контрольная работа
Три режима работы транзистора
Выполнил:
Студент гр. 368-2
Д.А. Грохотов
Проверил:
Доцент кафедры ПрЭ
В.М. Саюн
2020
Исходные данные
усилитель транзистор напряжение ток
Задание
Контрольная работа
«Три режима работы транзистора»
Цель: изучить физические процессы схемы усилителя для трех режимов транзистора
Примечание. Ниже: Требования к выполнению контр. работы, Варианты, Порядок оформления контрольной работы, Титульный лист (приложение).
Требуется:
Составить уравнения Кирхгофа по напряжению и току для входной и выходной цепи
Рассмотреть три режима работы транзистора: отсечка, насыщение, активный.
Для каждого режима указать:
- положение рабочей точки на нагрузочной прямой;
- составить схему замещения и записать Iбэ, Iкэ, Uкэ, Rкэ;
Выбор транзистора
определить максимальные значения напряжения и тока в схеме;
записать условие выбора транзистора;
выбрать транзистор по напряжению и току из электронного сайта (например, чип и дип).
Режим насыщения
записать условие насыщения транзистора Iкэ= Еп* Кнас/ ( Rк*), Кнас= 2;
определить ток Iкэ, Iбэ, Rб;
определить для Rб номинал, мощность, тип, типовую запись.
определим мощность, рассеиваемую на транзисторе, и площадь радиатора охлаждения.
Активный режим (напряжение Uкэ задано в таблице)
записать уравнение связи тока коллектора и базы в схеме с ОЭ для активного режима ;
определить ток Iкэ, Iбэ, Rб;
определить для Rб номинал, мощность, тип, типовую запись.
определить для Rк номинал, мощность, тип, типовую запись.
Решение
Составить уравнения Кирхгофа по напряжению и току для входной и выходной цепи
Рассмотреть три режима работы транзистора: отсечка, насыщение, активный.
Для каждого режима указать:
- положение рабочей точки на нагрузочной прямой;
- составить схему замещения и записать Iбэ, Iкэ, Uкэ, Rкэ;
Рис. 1. ВАХ транзистора с ОЭ
Рис. 2. Нагрузочная прямая по постоянному току
Режим насыщения
Условие насыщения:
,
Условие выбора транзистора по напряжению и току
Выберем транзистор модели КТ3102ГМ
, , ,
Ом
Активный режим (напряжение Uкэ задано в таблице)
IКЭ = IБЭ ? в
UКЭ+URK=Еп
UКЭ + IКЭ ? RK =EП IКЭ ? RK = EП - UКЭ
EГ = URБ + UБЭ
URБ = EГ - UБЭ = 3 - 0.7 = 2.3 В
Из ряда Е24 2.4 кОм +/- 1%
P = URБ ? IБЭ = 2.3 ? 0.001 = 0.0023 Вт
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Принцип работы полевого транзистора. Стоковые характеристики транзистора. Причина насыщения в стоковой характеристике полевого транзистора. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Инверсия типа проводимости.
лабораторная работа [37,8 K], добавлен 20.03.2007Расчет каскада транзисторного усилителя напряжения, разработка его принципиальной схемы. Коэффициент усиления каскада по напряжению. Определение амплитуды тока коллектора транзистора и значения сопротивления. Выбор типа транзистора и режима его работы.
контрольная работа [843,5 K], добавлен 25.04.2013Порядок получения входных и выходных характеристик транзистора. Методика и основные этапы сборки электрической схемы, определение измерения тока коллектора. Экспериментальное нахождение сопротивления по входной характеристике при изменении базового тока.
лабораторная работа [39,8 K], добавлен 12.01.2010Устройство и принцип действия биполярного транзистора, униполярного транзистора. Силовые полупроводниковые приборы, основные требования, предъявляемые к ним. Характеристика динисторов и транзисторов. Параметры предельных режимов работы транзисторов.
лекция [424,0 K], добавлен 14.11.2008Изучение методов построения зависимости прямого коэффициента усиления по току и анализ зависимости предельной частоты от тока эмиттера для кремниевого биполярного дрейфового транзистора. Этапы расчета частотных свойств биполярного дрейфового транзистора.
лабораторная работа [68,3 K], добавлен 06.02.2010Характеристика біполярного транзистора - напівпровідникового елементу електронних схем, з трьома електродами, один з яких служить для керування струмом між двома іншими. Особливості принципу роботи, технології виготовлення на прикладі транзистора-КТ3107.
реферат [18,3 K], добавлен 02.02.2010Общее представление о мощных БИП-транзисторах Зависимость эффективности эмиттера от концентрации примеси в нем. Характеристика падения коэффициента усиления по току при больших плотностях тока. Сущность монолитного мощного транзистора Дарлингтона.
курсовая работа [676,6 K], добавлен 04.04.2015Понятие и функциональное назначение биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя близкорасположенными электронно-дырочными переходами. Анализ входных и выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером и базой.
лабораторная работа [1,3 M], добавлен 12.05.2016Параметры транзистора МП–40А, чертеж его основных выводов. Входная и выходная характеристики данного транзистора. Определение параметров для схемы с общим эмиттером. Схема с общим коллектором и общей базой. Расчет параметров для соответствующей схемы.
контрольная работа [642,0 K], добавлен 28.03.2011Получение входных и выходных характеристик транзистора. Включение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером. Проведение измерения тока базы, напряжения база-эмиттер и тока эмиттера для значений напряжения источника. Расчет коллекторного тока.
лабораторная работа [76,2 K], добавлен 12.01.2010
