Перспективные направления в создании материалов с особыми электрическими свойствами

Структура высокотемпературных сверхпроводников. Германий и кремний как элементы IV группы, имеют кристаллическую решетку алмаза с ковалентным типом межатомной связи. Выращивание монокристалла методом Чохральского. Стабильность структуры диэлектриков.

Рубрика Физика и энергетика
Вид контрольная работа
Язык русский
Дата добавления 11.09.2020
Размер файла 2,2 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

1. ПЕРСПЕКТИВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ В СОЗДАНИИ МАТЕРИАЛОВ С ОСОБЫМИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ СВОЙСТВАМИ

1.1 Сверхпроводники и «горячие» сверхпроводники

Сверхпроводимость - это явление потери сопротивления при температуре 9,7 К (-263,3 С). Переход металлов в сверхпроводящее состояние обусловлен тем, что свободные электроны перестают взаимодействовать с ионами кристаллической решетки, но вступают во взаимодействие между собой. В результате этого электроны с противоположно направленными спинами спариваются, и результирующий спиновый момент становится равным нулю.

В 1933 г. Было обнаружено, что в сверхпроводящем состоянии внутри проводника магнитное поле равно нулю (=0, В=0); магнитное поле как бы «выталкивается» из сверхпроводника - это явление получило название - эффект Мейснера. Сверхпроводники являются идеальным диамагнетиком.

Температура сверхпроводимости (ТС) зависит от природы сверхпроводника и от напряженности магнитного поля Н. При некоторой НС сверхпроводимость исчезает.

1.2 Структура высокотемпературных сверхпроводников

В каждом случае требовались эксперименты по дифрактации нейтронов, так как расположение атомов не влияет на данные по дифракции рентгеновских лучей. Соединения лантана имеют В1987 г. Беднорц и Мюллер были удостоены Нобелевской премии по физике за то что они установили, что система La-Ba-Cu-O испытывает сверхпроводящий переход при охлаждении ниже 35 К.

Первоначально отношение к работе Беднорца и Мюллера было несколько скептическим. Было известно, что попытки открытия сверхпроводимости при высоких температурах в других веществах оказались безуспешными. Например, в CuCl наблюдалась значительная диамагнитная аномалия при температуре - 250 К. Работа вызвала большой интерес, хотя исследователи, обнаружившие этот эффект, понимали, что нет достаточных оснований претендовать на открытие высокотемпературной сверхпроводимости. Действительно, в CuCl никогда не наблюдались полный диамагнетизм и уменьшение электрического сопротивления до нуля, так что окончательные доказательства сверхпроводимости отсутствовали. Другой причиной неверия в важность результатов Бендорца и Мюллера явилось то, что электрическое сопротивление La-Ba-Cu-O становилось равным нулю лишь при 11 К.

Тем не менее, данные, полученные Беднорцем и Мюллером, были подтверждены в конце 1986 г. В Токийском и Хьюстонском университетах.В начале 1987 г. Исследовательские группы в разных лабораториях обнаружили, что замена бария на стронций в системе La-Ba-Cu-O приводит к увеличению величины перехода в сверхпроводящее состояние при 40 К. Последующие попытки увеличить температуру перехода, предпринятые главным образом в Китае, Японии и США, увенчались успехом - открытием группой исследователей из Университета шт. Алабамы соединения, являющегося сверхпроводником при температуре жидкого азота. Величина температуры перехода зависит от режима термообработки и концентрации кислорода. Следует отметить, что некоторые исследователи сообщают «температуру начала перехода», при которой электрическое сопротивление начинает резко уменьшаться; другие исследователи используют в качестве критической температуру, при которой электрическое сопротивление становится неизмеримо малым.

После открытия вышеупомянутых сверхпроводников с необычайно высокой температурой перехода последовало открытие двух классов соединений, имеющих еще более высокие значения температуры начала перехода. Первый класс соединений представляет собой систему Bi-Sr-Ca-O с температурой начала резкого уменьшения электрического сопротивления 120 К и полным диамагнетизмом, также являющимся характеристикой сверхпроводников, при 110 К. Вскоре за этой работой последовало открытие группы ученых в Арканзасском университете соединения Ti-Ba-Ca-Cu-O с температурой перехода по электрическому сопротивлению - 140 К и температурой диамагнитного перехода 118 К.

Из предложенной теории следует, что в известных высокотемпературных и «горячих» сверхпроводниках электроны фактически не чувствуют ионный остов самого материала и поэтому они могут двигаться как в кристаллических, так и аморфных телах. Причем совершенно не важно, органический это материал или неорганический. Основным требованием к материалу является наличие полупроводящих свойств выше критической температуры, их технологичность и низкая стоимость. Другими словами, для того, чтобы возникала «горячая» сверхпроводимость, необходимо иметь заданную концентрацию электронов в материале. При превышении заданной концентрации возрастает сечение взаимодействия электронов, они не могут развернуться в полный кольцевой электрон и образовать токовую нить. На рис. 14.1 показан пример реализации горячей сверхпроводимости на нанотрубках.

При концентрации электронов, меньше заданной, электроны могут разворачиваться в кольца, но не могут образовать токовую нить. Отсюда следует, что легирование материалов определенным образом может придать сверхпроводящие свойства широкому классу материалов от диэлектриков до полупроводников, включая органические материалы.

«Горячие» сверхпроводники могут обладать свойствами сверхпроводников 1 и 2 рода, как и обычные сверхпроводники. Токовые нити у них могут располагаться на поверхности (1 рода) или распределяться по всему объему материала (2 рода).

С помощью наноструктурирования материала самих «горячих» сверхпроводников (1 рода) можно создавать условия сверхпроводимости токовых нитей на нанодефектах или на нанокластерах. Тем самым их можно преобразовывать в «горячие» сверхпроводники 2 рода.

Рисунок 1 - Сверхпроводящий кабель на основе легированных нанотрубок

Использование «горячих» сверхпроводников 1 рода позволит увеличить добротность резонаторов СВЧ приборов на пять порядков, доведя ее до 3х109 . Такие резонаторы на «горячих» сверхпроводниках можно использовать в радиотелефонах, радиолокационных станциях, измерительных приборах и т.п.

Активные элементы (транзисторы) на «горячих» сверхпроводниках 1 рода имеют граничную частоту 3,5х1011 Гц практически при полном отсутствии тепловых шумов. Использование таких транзисторов в СВЧ приемниках резко увеличивает их чувствительность, что уменьшает требования к мощности передатчиков.

Большое количество логических элементов и энергонезависимую память для компьютеров можно также создать на «горячих» сверхпроводниках. Кроме того, большой класс логических элементов для компьютеров из обычных сверхпроводников был разработан и запатентован фирмой IBM до 1980 года. Затем фирма IBM свернула работы в этой области как не перспективные из-за необходимости создания криогенных температур. Срок действия этих патентов заканчивается. А все разработки фирмы IBM можно реанимировать на «горячих» сверхпроводниках, не нарушая авторских прав.

Логические уровни переключения в сверхпроводящих чипах, по крайней мере, в 10 раз ниже, чем у современных кремниевых чипов. Вследствие этого, потребление энергии у них уменьшается, как минимум, в 100 раз. Кроме того, быстродействие у таких чипов также выше, как минимум, в 10 раз. А в режиме отключенного питания они сохраняют исходную информацию неограниченное время.

Важно, что логические уровни у чипов из «горячих» сверхпроводников близки к биологическим потенциалам живой клетки. Их рабочие температуры совместимы с температурами человека. Отсюда открывается принципиальная возможность создания биоэлектрических вычислительных систем и биологически совместимых управляемых протезов, а в будущем - и нейрокомпьютеров.

Не менее значимой проблемой является скорость передачи сигналов в интегральных чипах и между ними. В настоящее время для этого используются алюминиевые или медные проводники, что приводит к временным задержкам и затуханию сигналов. Эта проблема полностью решается при замене проводников «горячими» сверхпроводниками.

В настоящее время самыми современными линиями передачи информации на большие расстояния являются оптоволоконные линии связи, которые имеют пропускную способность на одной длине волны до 1 Гбит/с. Многоволновые оптоволоконные линии связи позволят пропускать порядка 100 Гбит/с. Сейчас, на больших расстояниях оптоволокно полностью вытесняет линии связи на металлических проводниках. Это происходит из-за больших потерь широкополосного сигнала при распространении в металлических коаксиальных кабелях. При замене в линиях связи металла на «горячие» сверхпроводники, затухание сигналов в полосе 350 ГГц практически будет отсутствовать. Качество таких линий связи не будут уступать оптоволоконным. Важно, что в таких линиях связи не надо делать преобразования электрического сигнала в оптический и обратно. Это резко упрощает проблему передачи и коммутации цифровой информации.

Наиболее просто получить комнатную сверхпроводимость можно на длинных волокнах из нанотрубок. Технологии изготовления нанотрубок, пригодных для создания горячих сверхпроводников только начала развиваться. Стоимость на рынке калиброванных углеродных нанотрубок составляет не менее 500 долларов за грамм. Безусловно, со временем технологии усовершенствуются. Себестоимость должна упасть до приемлемого при широком промышленном использовании до 1 доллара за грамм. Возможно, существует и более простой путь создания калиброванных нанопроволок произвольной длины путем синтеза их из белков типа тубулин. Оказалось, что тубулин является основным белком, из которого построены нервные волокна, каркас клеток, по которым осуществляется внутриклеточный транспорт компонентов, органы их передвижения типа жгутиков и т.п. Этот важный белок, как оказалось, образует нанотрубки любой длины.

Из тубулиновых нанотрубок формируются аксоны, по которым распространяются без затухания нервные импульсы, причем процесс осуществляется в электролите. Физика этого процесса до сих пор не раскрыта полностью. Возможно, что здесь осуществляется горячая сверхпроводимость при температуре человеческого тела. Мозг человека и весь мыслительный процесс не вписывается в классические теории передачи и обработки информации. Рабочая температура мозга (информационная) оказалась значительно ниже, чем тепловой шум, создаваемый мозгом при физиологическом функционировании. В мозге человека существует 1010 нейронов, причем каждый нейрон имеет в среднем 104связей, при тактовой частоте порядка 100 возбуждений за 1 секунду. Это составляет 1016 операций в секунду при потреблении энергии всего несколько джоулей, что близко к термодинамическому пределу 3,4 1020 операций на джоуль. В среднем, вычислительные системы на кремниевых интегральных схемах по сравнению с мозгом потребляют на одну логическую операцию энергии в 109 - 1010 раз больше. Например, один из самых крупных суперкомпьютеров IBM ASCI Purple совершает 1014 операций в секунду, весит 195 тон и потребляет киловатты энергии.

2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Из простых полупроводников наиболее распространены германий(Се) и кремний (Si).

Германий и кремний - элементы IV группы, имеют кристаллическую решетку алмаза с ковалентным типом межатомной связи.

Появление электрического тока в полупроводнике возможно лишь тогда, когда часть электронов покидает заполненную валентную зону и переходит в зону проводимости, где они становятся носителями электрического тока. Для такого перехода электроны должны пройти зону запрещенных энергий ДЕ, для чего необходима определенная энергия, которую полупроводник может получить в виде света или теплоты. При нагреве увеличивается концентрация носителей

Примеси элементов V группы в германии и кремнии определяют электронный тип проводимости, так как отдают в валентную зону четыре электрона, а пятый становится носителем электрического тока. Такие примеси называют донорными. Для германия ими являются мышьяк и сурьма, а кремния - фосфор и мышьяк. Полупроводники, в которых преобладают донорные примеси, называются электронными или n-типа.

Примеси элементов III группы обусловливают дырочный тип проводимости, т.к. они отдают в валентную зону только три электрона. В кристалле образуются незаполненные связи - «дырки», что вызывает ряд последовательных перемещений соседних электронов. В результате дырка перемещается подобно положительному заряду. Такие примеси называют акцепторными. Для германия ими служат галлий и индий, для кремния - бор и алюминий. Полупроводники с преобладанием акцепторных примесей называются дырочными или р-типа.

Полупроводники с наличием p-n-переходов важные материалы в радиоэлектронике. Для получения p-n переходов используют диффузионный или сплавно - диффузионный методы и ионное легирование в тлеющем разряде.

Рисунок 2 - Алмазоподобный полупроводник

Методы получения полупроводников:

Метод Чохральского;

Метод зонной плавки;

Выращивание из газовой фазы;

Жидкофазная эпитаксия;

Нормальная направленная кристаллизация;

Химические методы;

Метод без тигельной зонной очистки

Рисунок 3 - Кристаллы - полупроводники

Рисунок 4 - Выращивание монокристалла методом Чохральского

Рисунок 5 - Обработка детали лазером с прямозонным полупроводником на основе соединения GaSb

3. ДИЭЛЕКТРИКИ

Диэлектриками называют вещества, у которых зона проводимости отделена от валентной зоны осень широкой зоной запрещенных энергий.

По химическому составу диэлектрики разделяют на органические и неорганические, К органическим относятся полимеры, резина, шелк. К неорганическим - слюда, керамика, стекло, ситаллы.

По электрическим свойствам диэлектрики подразделяют на низкочастотные (электротехнические) и высокочастотные (радиотехнические).

Для электроизоляционных материалов решающее значение имеют их нагревостойкость, т.е. способность без ущерба для свойств выдерживать нагрев в течение длительного времени.

Стабильность структуры и свойств диэлектриков определяет сроки их эксплуатации. Наибольшую стабильность имеют керамика и ситаллы, в стеклах под влиянием поля мигрируют ионы щелочных металлов и образуются электропроводящие мостики.

Установочная керамика применяется для изготовления изоляторов, колодок, плат, каркасов, катушек. Она должна иметь низкие потери, хорошие электроизоляционные свойства и прочность.

Для работы при низких частотах используют электрофарфор, который дешевле и имеет неплохие электрические свойства. Его недостатки - большие потери, возрастающие при нагреве выше 200°С, и низкая механическая прочность.

Основным материалом, используемым для изготовления деталей, предназначенных для работы при высоких частотах, является стеатит, который получают из талька. Стеатиты не содержат вредных примесей, их свойства стабильны до 100 °С.

Конденсаторная керамика должна иметь большую диэлектрическую проницаемость, обеспечивающую повышенную удельную емкость, низкие потери. Применение такой керамики увеличивает надежность работы и теплостойкость конденсаторов, уменьшает их размеры. Наилучшие свойства имеет керамика на основе ТiO2. Эту керамику подразделяют на две группы: тиконды (Т-60, Т-80, Т-150) и термоконды.

Диэлектриком в емкостных накопителях энергии часто служит тщательно очищенная деионизированная вода. Однако для современных накопителей энергии мегаамперного - мегавольтного класса, получаемая в чистой воде плотность энергии уже является недостаточной. В воду вводят аминокислоты (глицерин, гистирин, триптофан).

4. ПЬЕЗОЭЛЕКТРИКИ

сверхпроводник кремний германий диэлектрик

Пьезоэлектрики - вещества, у которых под действием механических напряжений возникает поляризация (прямой пьезоэффект) и под действием электрического поля изменяются размеры (обратный пьезоэффект). К пьезоэлектрикам относятся поляризованные сегнетоэлектрики с остаточной поляризацией, а также кристаллы, не имеющие центр симметрии. В основе пьезоэффекта лежит смещение ионов в кристаллической решетке при упругой деформации. Пьезоэффект анизотропен и характеризуется пьезомодулем - зарядом, который появляется на поверхности пластин пьезоэлектрика под действием единичной силы.

В настоящее время выращены монокристаллы нового эффективного пьезоэлектрика La3Ga5SiO14 имеющего структуру аналогичную кварцу, используемого обычно как материал для лазеров.

Интенсивность электроакустического взаимодействия в La3Ga5SiO14 кристаллах превышает соответствующий показатель в кварце, ниобате лития и тантале лития в 1,5-3 раза.

Пьезоэлектрики широко применяются для возбуждения ультразвуковых колебаний (применение ультразвука для дефектоскопии, т.е. обнаружения внутренних трещин и других скрытых повреждений в твердых телах), для стабилизации частоты колебательных контуров в радиотехнике, для целей измерения в автоматике и для многих других технических целей (рис. 6).

Рисунок 6 - Области применения пьезоэлектриков

ВОПРОСЫ ДЛЯ САМОПРОВЕРКИ

Какие материалы применяются в радиоэлектронике, какими свойствами они должны обладать?

Что такое сверхпроводимость, для чего она может быть использована, особенно эффект Мейсера?

Что такое «горячие» сверхпроводники, области их применения?

Где применяются полупроводники,какие их свойства обеспечивают такое их применение?

Что такое диэлектрики? Где они применяются?Какими свойствами обладают?

Пьезоэлектрики, их свойства и области применения?

ПЕРЕЧЕНЬ ССЫЛОК

1. Мощалков В.В. Высокотемпературные сверхпроводники / В.В. Мощалков // Физика научно-поулярная серия. - Москва, 1987. - 63 с.

2. Гинзберг Д.М. Введение, история открытия и обзор свойств высокотемпературных сверхпроводников / Д.М. Гинзберг. - Москва, 1999. - 32 с.

3. Chu C.W., Hor P.H., Meng R.L., Gao L., Phys. Rev. Lett., 58, 403 (1987).

4. Wu M.K., Ashburn J.R., Torng O.J., Horn P.H., Meng R.L., phys. Rev. Lett., 58, 908 (1987) p.908.

5. Cava R.J., Batlogg B., Chen C.H., Rietman E.A., Zahurak S.M., Werder D., Phys. Rev., B36, 5719 (1987).

6. Тинкхам М. Введение в сверхпроводимость. - М.: Мир, 1980. - 310 с.

7. Де Жен П. Сверхпроводимость металлов и сплавов. - М.: Мир, 1968. - 280 с.

8. Горьков Л.П., ЖЭТФ, 1959, т. 36, - С. 1918.

9. R.Nast, S.I.Schlachter, S.Zimmer, H.Reiner, W.Goldacker. Mechanically reinforced MgB 2 wires and tapes with high transport currents, Physica. Р. 372-376 (2002), 1241-1244.

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

  • Выращивание кристаллов из расплава. Методы нормальной направленной кристаллизации, оценка их главных достоинств и недостатков. Способ выращивания монокристаллов германия с использованием формообразователя, методом осевого теплового потока вблизи фронта.

    курсовая работа [443,1 K], добавлен 29.11.2014

  • Открытие сверхпроводников, эффект Мейснера, высокотемпературная сверхпроводимость, сверхпроводящий бум. Синтез высокотемпературных сверхпроводников. Применение сверхпроводящих материалов. Диэлектрики, полупроводники, проводники и сверхпроводники.

    курсовая работа [851,5 K], добавлен 04.06.2016

  • История развития сверхпроводников. Создание генераторов переменного тока и магнитно-резонансного томографа на основе использования сверхпроводящего магнита. Применение высокотемпературных сверхпроводников. Внедрение ВТСП в вычислительную технику.

    презентация [1,0 M], добавлен 22.01.2016

  • Представление кристалла в обратном пространстве, получение выражения для характеризующих кристаллическую решетку объемных, плоскостных, линейных и угловых параметров. Правило для определения индексов плоскости и индексов лежащего в ней направления.

    презентация [255,5 K], добавлен 23.09.2013

  • Деление твердых тел на диэлектрики, проводники и полупроводники. Собственная и примесная проводимость полупроводниковых материалов. Исследование изменений сопротивления кристаллов германия и кремния при нагревании, определение энергии их активации.

    лабораторная работа [120,4 K], добавлен 10.05.2016

  • Роль кристаллохимических параметров высокотемпературных сверхпроводников в повышении температуры перехода в сверхпроводящее состояние. Взаимосвязь между кристаллохимическими параметрами и сверхпроводящим состоянием для таллиевой керамики, влияние фтора.

    реферат [1,5 M], добавлен 25.06.2010

  • Методы получения высокотемпературных сверхпроводников. Псевдощель и фазовая диаграмма. Аномалии физических свойств, связываемые в настоящее время с образованием псевдощелевого состояния. Экспериментальная установка для измерения электросопротивления.

    курсовая работа [1,1 M], добавлен 14.03.2012

  • Создание новых многофункциональных материалов с необычными свойствами. Трансляции и кристаллические решетки. Особенности структуры квазикристаллов и свойств. История открытия квазикристаллов. Построение одномерного квазикристалла методом сечений.

    реферат [6,9 M], добавлен 31.12.2014

  • Сверхпроводники и возможности их применения в электротехнике. Зависимость пробивного напряжения в твердом диэлектрике от температуры и частоты. Поляризация диэлектриков и диэлектрическая проницаемость. Нагревостойкость твердых и жидких диэлектриков.

    реферат [968,8 K], добавлен 12.02.2013

  • Создание технических средств метрологического обеспечения контроля качества полупроводниковых материалов. Анализ установки по измерению удельного электрического сопротивления четырехзондовым методом. Измерение сопротивления кремния монокристаллического.

    дипломная работа [1,2 M], добавлен 24.07.2012

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.