Фотоэлектрическое преобразование солнечной энергии

Размещено на http://www.allbest.ru/

Фотоэлектрическое преобразование солнечной энергии

Лунин Л.С.

Марончук И.Е.

Сысоев И.А.

Фотоэлектрический метод преобразования солнечной энергии в настоящее время признан наиболее перспективным среди методов, используемых в нетрадиционной энергетике. За последние шесть лет темпы роста фотоэнергетики составляли около 35% в год. Ожидается, что в течение ближайших 20 лет солнечная фотоэнергетика создаст более 2 млн. рабочих мест, сократит выбросы парниковых газов в атмосферу на 350 млн. тонн СО 2, и к 2030 г. общая мощность солнечной фотоэнергетики превысит 650 ГВт [1].

При современном уровне производства на изготовление кремниевых солнечных элементов, общей мощностью 100 ГВт необходимо не менее 1 млн. тонн кремния высокой степени чистоты. Чтобы достичь ожидаемой мощности солнечной фотоэнергетики 2030 года, необходимо уже сейчас иметь ежегодное производство чистого кремния не менее 200 000 тонн, что представляет не только сложную технологическую и финансовую, но и экологическую проблему, т.к. получение чистого кремния осуществляется экологически вредным производством.

Другим недостатком традиционных кремниевых солнечных батарей является относительно малая энергетическая эффективность - в среднем их КПД составляет около 11%. Использование гетеропереходов [2] позволило в значительной мере улучшить характеристики фотоэлектрических преобразователей. При исследовании фотоэлектрических свойств гетеропереходов GaP-GaAs [3, 4], Ge-GaAs [5] было установлено, что использование гетероструктур может существенно увеличить эффективность фотопреобразователя. Однако только при использовании гетеропереходов в системе AlAs-GaAs удалось создать фотоэлементы, превосходящие аналогичные приборы на основе гомопереходов в Si и GaAs [5].

Переход с кремния на соединение III-V позволит увеличить КПД в 2 раза. Однако применение таких солнечных элементов для преобразования прямого солнечного излучения экономически не выгодно.

Сегодня эффективность каскадных солнечных элементов на основе гетероструктур составляет 35-40%. Главная причина увеличения эффективности каскадных солнечных элементов заключается в том, что большая часть энергии солнечного излучения, попадающего на солнечный элемент, эффективно используется для получения электричества (рис. 1 и 2).

Наногетероструктурные каскадные солнечные элементы широко используются в космических солнечных батареях в качестве альтернативы кремниевым элементам и их эффективность значительно выше (рис.3). Количество электроэнергии, вырабатываемой установками с концентраторами и системами слежения значительно выше (рис. 4), чем в кремниевых солнечных батареях. энергия кремниевый солнечный

В соответствии с отчетом, подготовленным рабочей группой Еврокомиссии (EU PV Technology Platform), системы с концентраторами излучения могут обеспечить минимальную стоимость "солнечной" электроэнергии уже в ближайшие годы (рис. 5).

Ученые ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН предложили солнечные энергоустановки (СФЭУ) на основе высокоэффективных концентраторных фотоэлектрических модулей с линзами Френеля и каскадными солнечными элементами с КПД 36-40% на основе наногетероструктур [6, 7]. Важным достоинством многопереходных солнечных элементов III-V, представленные на рис. 6, является то, что они эффективно преобразуют в электричество концентрированное солнечное излучение со степенью концентрации К = 500-1000 солнц, что не могут делать солнечные элементы на основе кремния.

При степени концентрации солнечного излучения К = 500, вклад стоимости солнечных элементов в стоимость модуля незначительный, и расход полупроводникового материала уменьшается примерно в 400 раз. Себестоимость СФЭУ с модулями и системами слежения составит 75 руб/Вт, что более чем в 2 раза ниже мировых цен (в ценах 2008 года).

Кроме того, как указывает Ж. Алферов [8], "многопереходные фотоэлементы действительно очень сложны по структуре. Более того, они являются самыми сложными полупроводниковыми приборами". Это не позволяет экспериментально достичь результатов, предсказываемых теорией. Так солнечный элемент с 6-ти каскадами должен иметь эффективность свыше 50% [8], а полученные в настоящее время рекордные значения эффективности такого элемента составляют только 40,8% [9].

К солнечным элементам III поколения относят солнечные элементы с квантовыми точками. В работе [10] теоретически было показано, что введение квантовых точек (КТ) узкозонного полупроводникового материала (например, InAs) в солнечный элемент, изготовленный из широкозонного полупроводникового материала (например, GaAs), позволяет достичь эффективность более 70% за счет суммирования энергии 2-х длинноволновых квантов света, которые не поглощаются в материале широкозонного полупроводника, а поглощаются материалом КТ (рис.7 а, б).

Технология изготовления наногетероструктур включает выращивание массива КТ из узкозонного материала с поверхностной плотностью до 1012 см-2 на монокристаллической подложке широкозонного матричного материала. Затем массив КТ заращивается наноразмерным слоем матричного материала (спейсерным слоем). Многократное последовательное повторение стадий выращивание массива КТ, зарощенного спейсерным слоем, позволяет сформировать активную часть наногетероструктур (рис. 7,а).

Рис. 7 (а, б) Структура с квантовыми точками для солнечных элементовПопытки получения высокоэффективных солнечных элементов на основе GaAs с КТ InAs методами газофазной эпитаксии показали [11], что в таких солнечных элементах происходит поглощение излучения на КТ в инфракрасной области спектра. Теоретический анализ показывает, что утилизация длинноволновой и коротковолновой части спектра солнечного излучения с помощью КТ позволяет достичь эффективности солнечного элемента близкой к термодинамическому пределу 93%.

Список использованных источников

1. Reported by Shell International Petroleum Co. and the G8 Renewable Energy Task Force Energy from the Desert, James & James 2003 (Science Publishers) Ltd 8-12 Camden High Street, London NW1 OJH, UK www.jxj.com

2. В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Советское радио, 1975, 327 с.

3. Ж.И. Алферов и др. Некоторые фотоэлектрические свойства р-n-гетеропереходов фосфид-галлия - арсенид-галлия. ФТП, 1965, т. 7. № 4. С. 1235.

4. Ж.И. Алферов и др. р-n-гетеропереходы GaAs-GaP. В кн.: Физика р-n-переходов. Рига, "Зинатне", 1966, С. 220.

5. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, М.Б. Каган и др. Солнечные преобразователи на основе гетеропереходов рAlxGa1-xAs-nGaAs - ФТП, 1970, т. 4 № 12, С. 2378.

6. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев и др. Патент РФ на полезную модель № 47497 "Солнечная фотоэлектрическая установка". Дата приоритета от 22.02.2005 г.

7. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев. Патент РФ на изобретение № 2286517 "Солнечная фотоэлектрическая установка". Дата приоритета 21.02.2005 г.

8. Ж.И. Алферов. Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики/ В.М. Андреев, В.Д. Румянцев//ФТП, 2004, т.38, в.8, С.937- 948

9. R.R. King,. Pathways to 40% Efficient Concentrator Photovoltaics // D.C. Law, C.M. Fetzez, R.A. Sherif, K.M. Edmondson, S. Kurtz // Proceedings 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference 6-10 June, 2005, Barcelona, Spain

10. Cuadra L, Marti A., Lopez N. II 3rd World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion. Osaka, Japan, 2003. PCD IPL-B2-01.

11. A.G. Norman. InGaAs/GaAs QD Superlattices: MOVPE Growth, Structural and Optical Characterization, and Application in Intermediate-Band Solar Cells // M.C. Han-na, P. Dippo, D.H. Levi, R.C. Reedy, J.S. Ward, and M.M. Al-Jassim Prepared for the 31 IEEE Photovoltaics Specialists Conference and Exhibition Lake Buena Vista, Florida January 3-7, 2005 February 2005 * NREL/CP-520-37405

Размещено на Allbest.ru