Разработка неразрушающего метода сверхвысокочастотного излучения и устройства контроля неоднородностей электрофизических параметров магнитодиэлектрических покрытий металлов

Анализ современного состояния микроволновых методов контроля электрофизических параметров и их неоднородностей магнитодиэлектрических и диэлектрических материалов и покрытий металлов. Исследование способа интроскопии поверхностной медленной волной.

Рубрика Физика и энергетика
Вид автореферат
Язык русский
Дата добавления 25.07.2018
Размер файла 1,1 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

На правах рукописи
05.11.13 - Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

РАЗРАБОТКА НЕРАЗРУШАЮЩЕГО СВЧ МЕТОДА И УСТРОЙСТВА КОНТРОЛЯ НЕОДНОРОДНОСТЕЙ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ МАГНИТОДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ МЕТАЛЛОВ

Панов Анатолий Александрович

Тамбов 2008

Работа выполнена в государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования Тамбовское высшее военное авиационное инженерное училище радиоэлектроники (ВИ).

Научный руководитель доктор технических наук, доцент Федюнин Павел Александрович

Официальные оппоненты: доктор технических наук, профессор Чернышова Татьяна Ивановна Кандидат технических наук, доцент Ивановский Василий Андреевич

Ведущая организация: ОАО Тамбовский НИИ радиотехники «Эфир»

Защита диссертации состоится «15» мая 2008 г. в 11 часов на заседании диссертационного совета Д212.260.01 Тамбовского государственного технического университета по адресу:

392000 г. Тамбов, ул. Советская, 106, ТГТУ, Большой зал.

Отзывы в двух экземплярах, скрепленные гербовой печатью, просим направлять по адресу:

392000 г. Тамбов, ул. Советская, 106, ТГТУ, большой зал, ученому секретарю совета Д212.260.01.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Тамбовского государственного технического университета.

Автореферат диссертации разослан "14" апреля 2008 г.

Ученый секретарь диссертационного совета А.А. Чуриков

1. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность исследования. Технический прогресс в различных отраслях промышленности (химической, нефтеперерабатывающей, авиационной, лакокрасочной и т.д.) определяется совершенствованием известных и созданием новых технологий. Особое внимание уделяется исследованиям и разработкам методов и средств получения информации о параметрах технологических процессов и показателях качества материалов и изделий. Для повышения эффективности производства и качества выпускаемой продукции требуется получение значительного количества измерительной информации, а к средствам контроля предъявляются все более высокие требования как по быстродействию, так и по точности.

В процессе разработки композиционных материалов, отработки технологии их производства и контроля качества готовой продукции возникает необходимость определения электрофизических параметров гетерогенных дисперсных материалов с потерями, важнейшими из которых являются комплексные диэлектрическая и магнитная проницаемости, а также удельная проводимость г.

Многообразие комбинаций радиопоглощающих магнитодиэлектрических материалов и покрытий, важность задач решаемых ими приводит к необходимости применения специализированных приборов и сложных методик неразрушающего контроля не только их электрофизических и физико-механических параметров, но также и неоднородностей этих параметров, их распределения по толщине слоя материала и по всей площади покрытия, что являются важнейшими критериями качества радиопоглощающих магнитодиэлектрических покрытий металлов.

Все приведенное выше определяет актуальность проведения исследований и разработок бесконтактных методов и устройств неразрушающего контроля электрофизических параметров, а также неоднородностей этих параметров, широкого класса диэлектрических и магнитодиэлектрических материалов и покрытий металлов.

Цель работы. Разработка микроволнового метода и устройства определения электрофизических параметров магнитодиэлектрических и диэлектрических покрытий на металле и их неоднородностей на основе математического описания распространения медленной поверхностной волны в слое магнитодиэлектрика на металле.

Для достижения поставленной цели диссертационной работы необходимо решение следующих задач:

- провести анализ современного состояния микроволновых методов контроля электрофизических параметров и их неоднородностей магнитодиэлектрических и диэлектрических материалов и покрытий металлов, определить тенденции и направления их дальнейшего развития;

- разработать микроволновой бесконтактный метод поверхностной волны для контроля электрофизических параметров магнитодиэлектрических поглощающих покрытий металлов и их неоднородностей - метод микроволновой интроскопии поверхностной медленной волной;

- разработать алгоритм визуализации размещения неоднородностей электрофизических параметров магнитодиэлектрических и диэлектрических покрытий на всей площади сканируемой поверхности по пространственному распределению дисперсии коэффициента нормального затухания поля поверхностной медленной волны;

- разработать измерительно-вычислительную систему, реализующее предложенный метод микроволновой интроскопии поверхностной медленной волной, провести его метрологический анализ.

Методы исследований базируются на применении теории электродинамики, математического и машинного моделирования, теории антенно-фидерных устройств, измерений и метрологии.

Научная новизна. На основе теоретических и экспериментальных исследований эффекта распространения ЭМВ в слое магнитодиэлектрика на металле получены следующие научные результаты:

- обоснован и разработан СВЧ метод неразрушающего контроля диэлектрической и магнитной проницаемостей материала и неоднородностей этих параметров по оценке деформации пространственно-временной структуры поля поверхностной медленной волны распространяющейся в исследуемом материале. Метод отличается высоким быстродействием и точностью, а также инвариантностью (нечувствительность) к вариациям зазора между полеобразующими поверхностями проводящих элементов и сканируемой сложной слоистой системой «магнитодиэлектрик-металл»;

- разработан алгоритм визуализации неоднородностей электрофизических параметров по пространственному распределению коэффициента нормального затухания бу поля поверхностной медленной волны, позволяющий минимизировать массогабаритные размеры реализуемого устройства и обеспечивающий высокое быстродействие сканирования больших поверхностей покрытий;

- разработана измерительно-вычислительная система, основным элементом которой является круговая синфазная «внутренняя» антенна, обеспечивающей согласование ЭМВ с объектом контроля.

Практическая ценность. На основе разработанного микроволнового метода неразрушающего контроля электрофизических параметров магнитодиэлектрических покрытий разработана измерительно-вычислительная система, алгоритмическое обеспечение и проведен метрологический анализ метода.

Реализация результатов. Результаты теоретических и экспериментальных исследований прошли производственные испытания и внедрены в в/ч 15401, в ОАО "Завод подшипников скольжения" г. Тамбов, выполнены на основании «Основных направлений развития вооружения и военной техники на период до 2010 года» и планов НИОКР ВВС на период до 2005 г. Основные результаты технических и экспериментальных исследований использованы в НИР «Стержень», «Поверхность», «Дисперсия». Результаты диссертационной работы используются в научно-исследовательской практике Тамбовского ВВАИУРЭ.

Достоверность и обоснованность полученных результатов и выводов подтверждается корректностью физических и математических моделей основанных на электродинамической теории распространения поверхностных медленных волн вдоль магнитодиэлектрического материала, а также экспериментальным подтверждением теоретических результатов при лабораторных и промышленных испытаниях измерительно-вычислительных устройств неразрушающего контроля толщины и электрофизических параметров магнитодиэлектрических покрытий, а также определения и оценки неоднородностей этих параметров.

Апробация работы. Основные научные и практические результаты исследований по теме диссертации докладывались на IX Всероссийской научно-технической конференции «Состояние и проблемы измерений» (Москва, 2004 г.); XIV Всероссийской научно-технической конференции «Проблемы повышения боевой готовности, боевого применения, технической эксплуатации и обеспечения безопасности полетов ЛА» (Иркутск, 2005 г.); 18 Международной научно-технической конференции «Математические методы в технике и технологиях» (Казань, 2005); Международной научно-практической конференции «Качество науки - качество жизни» (Тамбов, 2006 г.); 8 Всероссийской научно-технической конференции «Повышение эффективности средств обработки информации на базе математического моделирования» (Тамбов, 2006 г.).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 13 работ, в том числе имеется 1 патент РФ, 1 работа опубликована в издании рекомендованном ВАК Министерства образования России для опубликования результатов научных исследований по кандидатским диссертациям.

Структура и объем работы. Диссертационная работа содержит введение, 4 главы и заключение. Работа изложена на 173 страницах машинописного текста. Список использованных источников включает 97 источников. Работа содержит 65 рисунков, 8 таблиц.

Во введении обоснована актуальность темы, сформулированы цели и задачи исследования, раскрыта научная новизна и практическая значимость работы, показаны результаты реализации и апробации, изложено краткое содержание глав.

В первой главе произведен сравнительный анализ существующих СВЧ методов контроля параметров диэлектрических и магнитодиэлектрических покрытий металлов позволяющий сделать вывод о том, что они обладают такими недостатками как:

-невозможность измерения величин диэлектрической и магнитной проницаемости в требуемом миллиметровом и сантиметровом диапазоне СВЧ, в связи с зависимостью этих величин от частоты измерения;

-нелокальность измерения;

-высокая чувствительность к переменной величине зазора между полеобразующими поверхностями проводящих элементов и сканируемой сложной слоистой системой «магнитодиэлектрик-металл»;

-высокая вероятность загрязнения датчиков и, как следствие, необходимость их периодической чистки;

-невозможность пространственного разделения функций возбуждения полей и сканирования результатов их взаимодействия с измеряемым слоем покрытия.

Обоснована необходимость разработки сверхвысокочастотного (СВЧ) метода определения диэлектрической и магнитной проницаемостей, волнового сопротивления и неоднородностей этих параметров - метода микроволновой интроскопии поверхностной медленной волной, суть которого заключается в том, что мера измеряемой величины есть результат оценки топологической деформации пространственно-временной структуры электромагнитного поля микроволнового излучения взаимодействующего с объектом контроля.

Во второй главе приведено математическое описание распространения медленной поверхностной волны над неограниченной плоской системой «магнитодиэлектрик-проводник» и произведена коррекция результатов расчетов к ограниченной системе для специальной синфазной круговой апертуры с круговой диаграммой направленности.

На основе математического описания распространения медленной поверхностной волны в слое магнитодиэлектрика можно сделать вывод о том, что микроволной метод измерения электрофизических параметров, их неоднородностей и реализующее его устройство:

- обладает возможностью конструктивной развязки возбудителя поверхностной «разлитой» электромагнитной волны и специальной матрицы линейки приемных вибраторов (ЛПВ);

- метод инвариантен к вариациям зазора между первичным измерительным преобразователем (ПИП) и поверхностью материала (объектом контроля (ОК)) и не зависит от расстояния от ЛПВ до поверхности ОК;

- существует возможность микропроцессорного управления сканированием, приемом и обработкой информации в реальном масштабе времени, с выводом трехмерной картины распределения параметров , , и их неоднородностей по всей площади сканирования.

Обоснована техническая реализуемость микроволнового метода контроля электрофизических параметров магнитодиэлектрических покрытий и интроскопии их неоднородностей по толщине слоя, базирующегося на электрофизическом взаимодействии управляемого по частоте и направлению электромагнитного поля с материалом, при одностороннем доступе.

Сущность явления взаимодействия поверхностной медленной волны со слоем магнитодиэлектрика расположенного на металлической поверхности показана на рисунке 1.

микроволновый электрофизический магнитодиэлектрический интроскопия

Рисунок 1. Распространение ЭМВ в слое магнитодиэлектрика на металле

В дальней зоне (ДЗ) излучателя ((1,6…2,5)лг) фронт электромагнитной волны(ЭМВ) можно считать плоским. Согласно принципа Гюйгенса внутри слоя магнитодиэлектрика толщиной b и с комплексными абсолютными диэлектрической и магнитной проницаемостями в ДЗ излучателя в слое магнитодиэлектрика находится параллельная металлической плоскости бесконечная прямолинейная нить синфазного электрического (источник H-мод электромагнитной волны) или фиктивного магнитного тока (источник E-мод электромагнитной волны), которая является источником вторичных ЭМВ.

В соответствии с явлением полного внутреннего отражения в магнитодиэлектрической пластине возникает быстрая волна обычного волноводного типа, распространяющаяся в пластине с фазовой скоростью, превышающей скорость света , а у поверхности пластины образуется медленная волна, распространяющаяся вдоль оси Z, с фазовой скоростью, меньшей скорости света в воздухе. Обе волны (внутренняя и внешняя) образуют единое электромагнитное поле с одной и той же фазовой скоростью.

Важнейшим свойством медленной волны является ее поверхностный характер, т.е. экспоненциальное ослабление поля в нормальной плоскости по отношению к вектору Пойтинга. Это ослабление носит недиссипативный характер, т.е. не связано с распространением в среде с потерями.

Проведен анализ рассчитанных величин коэффициентов ослабления для основной моды волны электрического типа, а также величины произведения коэффициента фазы электромагнитной волны на толщину магнитодиэлектрического покрытия как функции числа мод в рабочем диапазоне длин волн генератора.

Получены трансцендентные выражения величин коэффициентов ослабления поля бу, являющихся функциями е', м', b:

для Е-мод:

,

а для H-мод:

,

где - действительная часть относительной диэлектрической проницаемости слоя, - действительная часть относительной магнитной проницаемости слоя, - длина волны генератора СВЧ, b - толщина слоя.

Геометрическая интерпретация решения трансцендентных уравнений (1) и (2) совместно с уравнением характеристической окружности (кривая 1)

,

где - радиус характеристической окружности,

- фазовый коэффициент, для волн Е и Н типов, представлена на рисунке 2.

Точки, в которых графики пересекаются, соответствуют корням уравнения (4), для длин волн , и .соответственно для двух волн Е типа и одной волны Н типа (рисунок 2).

Решение системы трансцендентных уравнений (1) и (2) для двух Е и одной Н волны дает значения е', м', b диэлектрического или магнитодиэлектрического покрытия при соответствующих значениях вЕb и вНb (рисунок 2).

;

;

.

где , - коэффициенты ослабления поля ЭМВ Е типа (Е1, Е2 моды), - коэффициент ослабления поля ЭМВ Н типа.

Рисунок 2 Геометрическое решение трансцендентных уравнений

Установлено, что в системе «магнитодиэлектрик-проводник», как в замедляющей структуре возможно одновременное существование множества конкурирующих мод и поверхностных волн.

Разработана методика выбора диапазонов одномодовости волн Е и Н типов, а также рабочих длин волн генератора.

Области существования мод, их границы, а также количество мод и условия их конкуренции определяются следующим:

1 Идеальные апертурные излучатели в дальней зоне ДЗ возбуждают дискретный набор только Е-мод при вертикальной поляризации излучения, а Н-моды при горизонтальной поляризации.

2 Реальные апертурные излучатели даже на максимуме ДН имеют наклонную поляризацию, близкую к чисто линейной, и, тем не менее, возбуждают дискретный набор E- и H-мод, с конкуренцией этих мод по мощности излучения. Разработанные излучатели позволяют уменьшить конкуренцию H- и Е-мод от величины развязки с 6 дБ до 40…45 дБ, что позволяет реализовать дискретный набор E-мод от одной излучающей апертуры при значениях их фазового аргумента вЕ:

при n = 0, 1, 2, 3, …;

; ; .

Набор H-мод при тех же условиях (рисунок 2)

.

3 Величина диапазона возможных значений длин волн генератора , численно равная - начальной длине волны генератора, при которой появляется первая мода Е, т.е. Е1-мода, определяется в СВЧ диапазоне физической реализуемостью разработанного метода поверхностных волн, где информативно проявляется эффект зависимости .

4 Все моды ( и ) имеют одно и то же конечное значение, где все моды кроме последней являются «латентными» (поле сильно ослабляется), их поле сосредоточено на расстояниях от слоя столь малых, что в зоне измерения этим полем можно пренебречь (развязка соседних E- и H-мод не хуже 40 дБ, а соседних мод E не хуже 60 дБ) (рисунок 2).

Произведена аппроксимация аналитической модели коэффициентов ослабления электромагнитных волн Е и Н типов в системе «магнитодиэлектрик-проводник» и дана ее метрологическая оценка.

В третьей главе разработаны алгоритмы определения электрофизических параметров ( ) на трех длинах волн (выражения (5)-(7)), а также алгоритмы визуализации неоднородностей по пространственному распределению дисперсии коэффициента нормального затухания поля поверхностной медленной волны. Данные алгоритмы приводят к повышению точности определения электрофизических параметров и их неоднородностей покрытия, позволяют минимизировать габариты и массу измерителя, а также повысить локальность измерения и обеспечивают высокое быстродействие сканирования больших поверхностей.

Разработанный метод реализуется следующим образом: с помощью устройства возбуждения медленных поверхностных волн 1(рисунок 1), возбуждают медленную поверхностную Е - волну, длиной , вдоль расположенного на электропроводящей металлической подложке 2, диэлектрического покрытия 3 с неизвестными параметрами: толщиной слоя b, абсолютными диэлектрической и магнитной проницаемостями, модулем волнового сопротивления ZB. При этом необходимо обеспечить режим её одномодовости, т.е. отсутствия следующей моды волны Н, поэтому длину волны генератора г выбирают из условия:

,

где 'макс, 'макс, bмакс - максимально возможные значения относительной диэлектрической и магнитной проницаемостей и толщины покрытия.

С помощью системы приёмных вибраторов 4 в начальной точке измерения в ДЗ измеряют напряжённость поля Е(у) поверхностной волны в нормальной плоскости относительно направления её распространения (в точке y=ymin). Делают первоначальный шаг y=d и измеряют напряженность поля поверхностной волны в точке y+d (рисунок 1) - Е(у+d).

Рассчитывают коэффициент нормального затухания 1 из выражения:

.

Проводят аналогичные измерения коэффициента ослабления поля в (n-1) точках в нормальной плоскости относительно плоскости поверхности объекта контроля и получают дискретный набор значений бj, где j [1,…,n-1]; n - количество точек измерения по оси у (в каждой точке измерений).

Далее вычисляют среднее значение коэффициента нормального затухания ср напряжённости поля поверхностной медленной волны и определяют максимальное отклонение коэффициента затухания макс:

макс = j макс- ср,

где j макс - максимальное значение коэффициента нормального затухания из всех возможных измеренных значений, и сравнивают его величину с пороговой:

11 = порог - макс.

В микропроцессорном устройстве запоминаются координаты начальной точки сканирования и значение 11.

Делая последовательно шаги zm по оси Z в направлении максимума ДН и xi по оси X, где m[1,…,M-1]; М - количество точек измерений вдоль оси Z, i[1,…,K-1]; K - количество точек измерений по оси X, производят сканирование всей поверхности в пределах заданного размера покрытия.

Для оценки неоднородности электрофизических и геометрических параметров магнитодиэлектрических покрытий металлов вычисляют массив дискретных значений im, определяют границы неоднородности и площади поверхностей S1, где im0, и S2, где im=0 , и по соотношению S1/(S1+S2) судят об относительных размерах локализованной в области S1 неоднородности. Вычисляют "информативный" объём

Рисунок 3 Алгоритм интроскопии неоднородности

и определяют интегральный параметр, характеризующий неоднородность эфф= V/S1.

С целью визуализации размещения неоднородностей электрофизических параметров магнитодиэлектрических покрытий металлов по поверхности разработан алгоритм позволяющий визуализировать их размещения по всей поверхности покрытия в каждой точке измерений по значениям коэффициентов нормального затухания электрического поля поверхностной волны j определяют математическое ожидание (среднее значение)

и дисперсию коэффициента затухания как функцию геометрических и электрофизических параметров неоднородностей:

.

По матрице значений дисперсии коэффициента затухания поля по всей поверхности сканирования с помощью простейших программ обработки полученных данных строят пространственное распределение дисперсии коэффициента нормального затухания поля поверхностной медленной волны, пространственная картина которой визуально отображает неоднородности и геометрические размеры, и расположение внутри слоя магнитодиэлектрического покрытия и по всей их поверхности покрытия.

На рисунке 3 представлен алгоритм интроскопии неоднородностей поверхностной медленной волной и их визуализации по пространственному распределению дисперсии коэффициента нормального ослабления поля поверхностной медленной волны. На рисунке 4 представлена экспериментальная зависимость дисперсии коэффициента нормального затухания как функции геометрических и электрофизических параметров неоднородностей в координатах XYZ полученная при сканировании поверхности диэлектрического покрытия с различными неоднородными включениями.

Основным источником погрешности определения электрофизических параметров магнитодиэлектрических покрытий является шероховатость их поверхности. Для увеличения точности определения диэлектрической проницаемости разработана методика определения магнитодиэлектрического покрытия с учетом шероховатости его поверхности методами фрактального анализа по предложенному критерию минимума отраженной мощности:

где Rнз=kнзR, kнз - коэффициент незеркальности, связанный детерминированно с экспериментально определяемой величиной фрактальной размерности Df, учитывающий стохастическую шероховатость поверхности;

R - коэффициент отражения электромагнитной волны;

F (лг, Ди) - нормированная диаграмма направленности;

Ди - угол качания луча диаграммы направленности антенны;

иТ - текущий угол;

Ди0,5 - ширина диаграммы направленности.

Рисунок 4 Экспериментальная зависимость дисперсии коэффициента нормального затухания

Для реализации метода разработана круговая синфазная внутренняя антенна с углом излучения 360°. Показаны ее преимущества по сравнению с узко-направленными «внутренними» рупорными антеннами и «внешними» излучателями.

Схема, реализующего СВЧ метод определения электрофизических параметров и их неоднородностей магнитодиэлектрических покрытий металлов и оценки их относительной величины представлена на рисунке 5.

Рисунок 5 Схема, реализующего СВЧ метод определения электрофизических параметров и их неоднородностей магнитодиэлектрических покрытий металлов

Разработанная апертурно-измерительная система позволяет не только обеспечивать согласование при локализации неоднородностей с малыми и большими градиентами и определение комплексных величин диэлектрической (действительной части) и магнитной проницаемостей и их неоднородностей, но также дает возможность определения комплексной диэлектрической проницаемости покрытия по минимуму мощности отраженной волны и минимальной длине волны генератора с учетом влияния на точность измерения электрофизических параметров стохастической шероховатости поверхности покрытия.

В четвёртой главе была произведена экспериментальная оценка метода определения электрофизических параметров и толщины покрытия, а также его метрологический анализ.

В данной главе проводится анализ причин и источников возникновения погрешностей экспериментального определения , а также приведена методика вычисления коэффициента ослабления поля поверхностной медленной волны.

Приведен расчет относительной погрешности косвенных измерений. Максимальная ее величина для диапазона толщин покрытий от 10 до 50 мм, не превышает 4 %, относительная погрешность измерения диэлектрической проницаемости не превышает 2 %, относительная погрешность измерения магнитной проницаемости не превышает 4 %, погрешность определения диссипативных величин составила , погрешность модуля волнового сопротивления составляет Z = 10%, точность определения границ неоднородностей не превышает 8%.

Показано соответствие санитарным нормам при работе с источниками электромагнитного излучения СВЧ диапазона.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ

1 Разработано математическое описание распространения медленной поверхностной волны над неограниченной плоской системой «магнитодиэлектрик-проводник» и произведена адаптация результатов расчетов к ограниченной системе для синфазной круговой антенны с круговой диаграммой направленности.

2 Создан СВЧ-метод неразрушающего контроля диэлектрической и магнитной проницаемостей материала и неоднородностей этих параметров по оценке деформации пространственно-временной структуры поля поверхностной медленной волны распространяющейся в материале. Метод отличается высоким быстродействием и точностью, а также инвариантностью (нечувствительность) к вариациям зазора между полеобразующими поверхностями проводящих элементов и сканируемой сложной слоистой системой «магнитодиэлектрик-металл».

3 Разработан алгоритм визуализации неоднородностей электрофизических параметров по пространственному распределению коэффициента нормального затухания бу поля поверхностной медленной волны, позволяющий минимизировать габариты, массу измерителя и обеспечивающий высокое быстродействие сканирования больших поверхностей покрытий.

4 Разработана измерительно-вычислительная система, реализующая предложенный метод и экспериментально подтверждена адекватность расчетных математических зависимостей исследуемому физическому процессу. Относительная погрешность измерения диэлектрической проницаемости не превышает 2%, относительная погрешность измерения магнитной проницаемости не превышает 4%.

5 Разработана круговая синфазная «внутренняя» антенна, с круговой диаграммой направленности обеспечивающая согласование электромагнитной волны с объектом контроля и предложен ряд усовершенствований с целью повышения ее эффективности.

ОСНОВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ОТРАЖАЮЩИЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ, ПРИВЕДЕНЫ В СЛЕДУЮЩИХ ПУБЛИКАЦИЯХ

1 Дмитриев Д.А. Информативная обработка поля поверхностной волны - микроволновая интроскопия при диагностировании и прогнозировании технического состояния вооружения и военной техники/ Дмитриев Д.А., Федюнин П.А., Панов А.А.// Радиосистемы (журнал в журнале). Вып. 110. Обработка сигналов и полей: журнал Тамбовского высшего военного авиационного инженерного училища радиоэлектроники, №10, 2007.- ISSN 0869-7220// Радиотехника: ежемесячный научно-технический журнал/ Учредитель РНТО РЭС им.А.С.Попова.-М., 2006, № 3.- ISSN 1680-2721.Обработка сигналов и полей, №10, 2007. С. 40-43.

2 Панов А.А. Микроволновая интроскопия при неразрушающем контроле качества магнитодиэлектрических материалов и покрытий// Панов А.А., Федюнин П.А., Дмитриев Д.А./Вестник ТГТУ. 2007. №7.

3 Панов А.А. Алгоритмы сканирования неоднородностей магнитодиэлектрических покрытий на металле (тезисы) / Панов А.А., Федюнин П.А./ Математические методы в технике и технологиях: Тезисы докладов XVIII международной научно-технической конференции/ Казань: Казанский ГТУ, 2005. С.182-183, т.4.

4 Панов А.А. Измерительные микроволновые алгоритмы идентификации неоднородностей магнитодиэлектрических покрытий/ Панов А.А., Федюнин П.А., Каберов С.Р., Дмитриев Д.А. // Состояние и проблемы измерений. Тез. докл 9 Всероссийской НТК./М.: МГТУ им. Баумана,2004. С.124-126.

5 Дмитриев С.А. Информативное сканирование и обработка неоднородных полей микроволновых поверхностных волн. Методы фрактального анализа в индикации и идентификации неоднородностей поглощающих покрытий военной техники/ Дмитриев С.А., Панов А.А., Федюнин П.А., Дмитриев Д.А.// Повышение эффективности средств обработки информации на базе математического моделирования. Сборник докл. 8 Всероссийской НТК /Тамбов: ТВВАИУ, 2006. С.409-418.

6 Панов А.А. Алгоритм интроскопической визуализации неоднородностей по пространственному распределению дисперсии коэффициента нормального затухания поля поверхностной медленной волны/ Панов А.А., Дмитриев С.А., Федюнин П.А., Ревушкин С.В./ Проблемы повышения боевой готовности, боевого применения, технической эксплуатации и обеспечения безопасности полетов летательных аппаратов: Сборник докладов XIV Всероссийской научно - технической конференции./ Иркутск: ИВАИИ. 2005. С. 220-223.

7 Способ сканирования волнового сопротивления и толщины радиопоглощающих и неотражающих покрытий: отчет о НИР (заключительный)./ Дмитриев Д.А., Федюнин П.А., и др// Шифр “Поверхность”; Тема № 20314. - Тамбов: Тамбовский ВАИИ, 2005, 136 с.

8 Федюнин П.А. Алгоритмы микроволновой интроскопии неоднородностей поверхностной медленной волны (тезисы)/Федюнин П.А.. Панов А.А., Тетушкин В.А./ Тезисы докладов международной научно-практической конференции «Качество науки - качество жизни». Тамбов: ТГТУ. 2006. С.71-73.

9 Панов А.А. Разработка апертурных излучателей СВЧ методов неразрушающего контроля неоднородностей покрытий по дисперсии и оценки их фрактальной размерности, а также адаптивного учета переменного радиуса кривизны. Сообщение 1: разработка внешних апертур/ Панов А.А., Дмитриев Д.А., Федюнин П.А.// - Тамбов: Тамбовское ВВАИУРЭ. 2005. 23 с. Деп. в ЦВНИ МО РФ 18.05.05, № В 5987.

10 Федюнин П.А. Разработка апертурных излучателей СВЧ методов неразрушающего контроля неоднородностей покрытий по дисперсии и оценки их фрактальной размерности, а также адаптивного учета переменного радиуса кривизны. Сообщение 2: разработка внутренних апертур/ Федюнин П.А., Панов А.А., Дмитриев Д.А.// - Тамбов: Тамбовское ВВАИУРЭ. 2005. 21 с. Деп. в ЦВНИ МО РФ 18.05.05, № В 5986.

11 Панов А.А. Микроволновой способ определения диэлектрической и магнитной проницаемостей, а также толщины диэлектрических покрытий на металле/ Панов А.А., Дмитриев Д.А., Федюнин П.А.// - Тамбов: Тамбовское ВВАИУРЭ. 2005. 15 с. Деп. в ЦВНИ МО РФ 10.03.05, № В 5929.

12 Дмитриев С.А. Многосвязная классификация микроволновых неразрушающих волноводных методов и устройств контроля веществ, материалов и изделий / Дмитриев С.А., Федюнин П.А., Дмитриев Д.А., Панов А.А.// - Тамбов: Тамбовское ВВАИУРЭ. 2005. 35 с. Деп. в ЦВНИ МО РФ 01.09.05, № В 6080.

13 Пат. 2301987 Российская Федерация, МПК7 G01В15/08, G01R27/32. СВЧ способ интроскопии неоднородности диэлектрических и магнитодиэлектрических покрытий поверхностной медленной волной / П.А.Федюнин [и др.]; патентообладатель Тамбовский ВВАИУРЭ. - №2005132355/09; заявл. 19.10.05; опубл. 27.06.07, Бюл. №18. - 7 с.

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.