Эллипсометрия процессов молекулярно-лучевой эпитаксии Cd1-xHgxTe
Разработка комплекса методических и аппаратных средств, направленных на создание эллипсометрического контроля при выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур на основе теллуридов кадмия и ртути. Оптические постоянные пленок КРТ.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Предмет | Приборы и методы экспериментальной физики |
| Вид | автореферат |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | Швец В.А. |
| Дата добавления | 15.02.2018 |
| Размер файла | 405,9 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Проведение исследования механических и пароструйных вакуумных насосов. Анализ высоковакуумной установки для молекулярно-лучевой эпитаксии и импульсного-лазерного испарения "Smart NanoTool MBE/PLD". Роль вакуума в методе молекулярно-лучевой эпитаксии.
курсовая работа [1,8 M], добавлен 18.11.2021Методы получения монокристаллов. Структурные характеристики материала. Эпитаксиальные методы выращивания слоев GaAs. Особенности процесса молекулярно-лучевой эпитаксии. Строение, физические свойства пленок арсенида галлия и его основное применение.
презентация [2,8 M], добавлен 26.10.2014Технология изготовления, свойства и сферы применения квантовых ям, нитей и точек. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии для выращивания кристаллических наноструктур. Использование двойной гетероструктуры полупроводниковых лазеров для генерации излучения.
дипломная работа [290,4 K], добавлен 05.04.2016Дифракция быстрых электронов на отражение как метод анализа структуры поверхности пленок в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ температурной зависимости толщины пленки кремния и германия на слабо разориентированой поверхности кремния.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 07.06.2011Термодинамическая модель роста соединения GaхIn1-хPуAs1-у. Константы равновесия реакций образования бинарных соединений, используемые при расчетах. Влияние переиспаренных потоков элементов на стехиометрический состав, тонкости технических проблем.
курсовая работа [388,8 K], добавлен 28.10.2014Как создаются квантовые структуры. Квантовые ямы, точки и нити. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии. Мосгидридная газофазная эпитаксия. Метод коллоидного синтеза. Энергетические зоны на границе двух полупроводников. Методы изготовления квантовых нитей.
курсовая работа [203,3 K], добавлен 01.01.2014Молекулярная физика как раздел физики, в котором изучаются свойства вещества на основе молекулярно-кинетических представлений. Знакомство с основными особенностями равновесной термодинамики. Общая характеристика молекулярно-кинетической теории газов.
курсовая работа [971,8 K], добавлен 01.11.2013Сутність технології GаАs: особливості арсеніду галію і процес вирощування об'ємних монокристалів. Загальна характеристика молекулярно-променевої епітаксії, яка потрібна для отримання плівок складних напівпровідникових з’єднань. Розвиток технологій GаАs.
курсовая работа [3,4 M], добавлен 25.10.2011Определение достоинств метода фазоразностной лучевой радиотомографии: простая интерполяция экспериментальной доплеровской частоты при разрывах в регистрации. Исследование структурных особенностей и динамики ионосферы в области приэкваториальных широт.
доклад [696,0 K], добавлен 04.07.2010Определения молекулярной физики и термодинамики. Понятие давления, основное уравнение молекулярно-кинетической теории. Температура и средняя кинетическая энергия теплового движения молекул. Уравнение состояния идеального газа (Менделеева - Клапейрона).
презентация [972,4 K], добавлен 06.12.2013
