Лазерный метод структурирования поверхности
Разработка метода лазерного структурирования монокристаллического кремния, основанного на самоорганизации поверхности и возникновении спонтанно упорядоченных структур. Формирование в расплаве кремния волнообразных, концентрических, пирамидальных структур.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | статья |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 30.01.2018 |
| Размер файла | 171,3 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Исследование особенностей технологических путей создания микрорельефа на фронтальной поверхности солнечных элементов на основе монокристаллического кремния. Основные фотоэлектрические параметры полученных структур, их анализ и направления изучения.
статья [114,6 K], добавлен 22.06.2015Дифракция быстрых электронов на отражение как метод анализа структуры поверхности пленок в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ температурной зависимости толщины пленки кремния и германия на слабо разориентированой поверхности кремния.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 07.06.2011Значение и использование монокристаллического кремния при производстве солнечных элементов повышенной эффективности. Природа и механизм возникновения дефектов для пар железо-бор в составе элементов при различных условиях эксплуатации и освещения.
реферат [104,0 K], добавлен 23.10.2012Возможность формирования различных структур в стандартных пластинах монокристаллического кремния с использованием дефектов, создаваемых имплантацией водорода или гелия. Поперечная проводимость сформированных структур. Системы нанотрубок в кремнии.
реферат [6,4 M], добавлен 25.06.2010Получение поликристаллического кремния. Методы получения газовых соединений Si, поликристаллических кремния из моносилана SiH4. Восстановление очищенного трихлорсилана. Установка для выращивания монокристаллического кремния. Мировой рынок поликремния.
дипломная работа [2,3 M], добавлен 14.12.2011Особенности частичного насыщения поверхностных атомов кремния метильными группами и методов моделирования кластера минимального размера. Иммобилизация метильных групп на поверхность димеризованного гидрогенизированного кластера в различных соотношениях.
доклад [1,1 M], добавлен 26.01.2011Изучение свойств карбида кремния. Понятие омического контакта. Разработка и оптимизация технологии воспроизводимого получения омических контактов к карбиду кремния n- и р-типа проводимости на основе выявления факторов, влияющих на его формирование.
курсовая работа [165,7 K], добавлен 10.05.2014Создание технических средств метрологического обеспечения контроля качества полупроводниковых материалов. Анализ установки по измерению удельного электрического сопротивления четырехзондовым методом. Измерение сопротивления кремния монокристаллического.
дипломная работа [1,2 M], добавлен 24.07.2012Ge/Si гетероструктуры с квантовыми точками, рост и особенности упорядочения и эффекты самоорганизации. Влияние температуры роста и качества поверхности на формирование квантовых наногетероструктур Ge/Si. Методика и значение дифракции быстрых электронов.
курсовая работа [993,4 K], добавлен 28.08.2015Расчет энергии иона. Количественная интерпретация данных о рассеянии быстрых ионов. Метод спектроскопии обратно рассеянных ионов низких энергий. Форма энергетических спектров двухкомпонентных материалов. Спектр кремния с анатомами на поверхности.
контрольная работа [86,3 K], добавлен 14.11.2011Механизм анодного окисления кремния. Влияние толщины пленки, сформированной методом ионной имплантации и водородного переноса, на ее электрофизические свойства. Электрофизические свойства структур "кремний на изоляторе" в условиях анодного окисления.
дипломная работа [327,8 K], добавлен 29.09.2013Стадии процесса трансформации поглощенной энергии короткого лазерного импульса. Поверхностные и объемные эффекты: отжиг полупроводников; индуцированная аморфизация поверхности; разрушение тел идеально чистых и с локальными макроскопическими примесями.
реферат [1,8 M], добавлен 23.08.2012Сущность технологических приемов химического травления и контроля качества поверхности пластин кремния. Особенности термического вакуумного напыления алюминия на полупроводниковую подложку. Фотолитография в производстве полупроводниковых приборов.
методичка [588,6 K], добавлен 13.06.2013Теоретические основы сканирующей зондовой микроскопии. Схемы сканирующих туннельных микроскопов. Атомно-силовая и ближнепольная оптическая микроскопия. Исследования поверхности кремния с использованием сканирующего зондового микроскопа NanoEducator.
дипломная работа [2,8 M], добавлен 16.08.2014Получение и люминесцентные свойства легированного эрбием монокристаллического кремния. Влияние дефектов и примесей на интенсивность сигнала фотолюминесценции ионно-имплантированных слоев. Безизлучательная передача возбуждений между оптическими центрами.
дипломная работа [1,2 M], добавлен 06.01.2016Расчёт компоновки загрузки из полупроводникового и металлургического кремния для выращивания мультикремния. Количественный химический анализ слитков мультикремния. Анализ профилей распределения примесей в слитках в приближении перемешивания расплава.
дипломная работа [1,1 M], добавлен 08.06.2017Энергетическая зонная структура и абсолютный минимум зоны проводимости у кремния. Измерение спектра собственного поглощения образца кремния с помощью электронно-вычислительного комплекса СДЛ-2. Оценка ширины запрещенной зоны исследуемого полупроводника.
курсовая работа [376,2 K], добавлен 08.06.2011Технологическая реализация проекта "Интерактивный лазерный тир". Использование учебно-методического стрелкового тренажерного комплекса. Режимы осуществления имитационной стрельбы. Структурная схема кабельных соединений мультимедийного лазерного тира.
контрольная работа [1,7 M], добавлен 08.10.2015Назначение, состав и работа лазерного однокомпонентного измерителя вибрации. Пространственное моделирование рассеянного когерентного излучения на сферических микрочастицах. Расчет прохождения неполяризованного лазерного пучка по методу Мюллера и Джонса.
курсовая работа [2,7 M], добавлен 25.04.2012Определение мощности лазерного излучения, подаваемого на образец. Вычисление размеров лазерного пучка на образце. Разработка системы измерения мощности излучения и длительности лазерного импульса, системы измерения температуры в зависимости от времени.
лабораторная работа [503,2 K], добавлен 11.07.2015
