Спиновые эффекты в ионных кристаллах в магнитном поле
Механизмы влияния внешнего магнитного поля на движение дислокаций в пара- и диамагнитных ионных кристаллах. Его роль в процессах, происходящих в системе дислокация-примесь с учетом спин-орбитального взаимодействия как существенного компонента явления.
Рубрика | Физика и энергетика |
Вид | статья |
Язык | русский |
Дата добавления | 23.01.2018 |
Размер файла | 65,9 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Спиновые эффекты в ионных кристаллах в магнитном поле
Целью данной работы является рассмотрение механизмов влияния внешнего магнитного поля на движение дислокаций в пара- и диамагнитных ионных кристаллах. В настоящее время получено большое число экспериментальных фактов, свидетельствующих о заметном влиянии относительно малых магнитных полей ~ 10 kOe на различные характеристики немагнитных кристаллов [1-3].
Рассмотрим случай, когда введенные дислокации, двигаясь в поле внутренних напряжений кристалла, не могут преодолеть локальный потенциальный барьер, возникающий между ионом парамагнитной примеси и атомом, принадлежащим дислокации. Данная ситуация соответствует образованию связи между ними в триплетном состоянии. Для преодоления такого барьера необходимо его понизить за счет примеси низко лежащего синглетного состояния. Другой случай, когда система находится в связанном синглетном состоянии внутри потенциальной ямы, и для открепления необходима примесь высоколежащего триплетного состояния.
Рис. 1. Механизм закрепления ядра дислокации при его движении относительно иона примеси на потенциальном барьере в чистом синглетном a) и триплетном б) состоянии. в) - вид усредненной потенциальной энергии взаимодействия в ситуации сильного смешивания состояний.
Обнаружено, что в изучаемой системе возможен, способ перехода системы из триплетных состояний в синглетно и обратно, обусловленный возникновением при наложении внешнего магнитного поля относительно медленных биений амплитуд в волновой функции валентных электронов.
Рассматривается взаимодействие дислокаций с парамагнитным примесным центром в рамках модели, в которой система двух взаимодействующих атомов, связанна ионной связью. В качестве модели выбран кристалл NaCl с введенными примесями Ca [1]. Процесс дипининга является пороговым и носит эстафетный характер, т.к. происходит под действием внутренних напряжений кристалла в положении предельного равновесия. Для анализа энергетической структуры и волной функции системы взаимодействующих атомов, решается стационарное уравнение Шредингера для двух электронов, описывающее энергетический спектр взаимодействующих частиц в магнитном поле с учетом спин-орбитального взаимодействия между ними. Гамильтониан взаимодействия двух электронов:
, (1)
- содержит слагаемые, отвечающие за кинетическую энергию, кулоновское и обменное взаимодействия, - вектор магнитной индукции налагаемого поля, g - g фактор частиц, - магнетон Бора, , , , - операторы спина и орбитального момента электронов, и - коэффициенты спин-орбитального взаимодействия электронов.
Волновая функция взаимодействующей системы является суперпозицией волновых функций синглетного - и триплетных - состояний.
,
, , (2)
, .
- амплитуды синглетного и триплетных состояний в полной волновой функции, и - одночастичные спиновые функции, S и T - симметричная и антисимметричная пространственные волновые функции пары взаимодействующих электронов, строятся на базисе одноэлектронных волновых функций:
,
(3)
.
и - пространственные волновые функции - электронов образующих связь. Спин-орбитальное взаимодействие в присутствии внешнего магнитного поля приводит к смешиванию волновых функций синглетного и триплетных состояний. Получена зависимость энергии основного и возбужденных состояний от внешнего магнитного поля в первом приближении теории возмущения.
, ,
, ,
, .
Здесь и - энергия уровней без возмущения , , - матричный элемент, - проекция вектора магнитной индукции на ось перпендикулярную оси соединяющей атомы.
Включение магнитного поля приводит к изменению соотношения между связывающей и антисвязывающей компонентами волновой функции и изменению положения равновесия всей системы. Расстояние между ядрами атомов увеличивается на величину :
, (4)
где , - расстояние между ядрами взаимодействующих атомов.
Динамика процесса распада системы дислокация-стопор изучается на основе решения системы уравнений включающих в себя временное уравнение Шредингера и уравнение движения, описывающее движение атома в существующем потенциальном поле.
Пространственная волновая функция электронов в движущемся потенциале раскладывается по базису собственных волновых функций оператора (1) в магнитном поле, получаемых при решении стационарного уравнения Шредингера. Получены уравнения для оценки изменения вклада каждого из состояний системы.
, (5)
. (6)
- масса отрывающегося сегмента дислокации, , , z - масса и координата электрона, - искомые коэффициенты разложения. Данная система уравнений позволяет выяснить возможные условия преодоления сегментом дислокации активационного барьера, препятствующего его движению. Для упрощения решения уравнений (5) и (6) вместо системы из четырех уровней рассматривается система из двух ? основного и возбужденного. Считается, что до включения магнитного поля система полностью находилась в синглетном или одном из триплетных состояний. В области нахождения центра дислокации разлагаем в ряд потенциальную энергию взаимодействия атомов и получаем уравнение (6) в виде:
, (7)
? частота колебаний атома в потенциальной яме.
Для анализа возможных решений системы уравнений (5) будем рассматривать в первом приближении вклады отдельных состояний как одномерные осцилляторы, которые колеблются с одинаковыми частотами 1015 Hz в параболической потенциальной яме.
(8)
X, Y - обобщенные координаты, соответствующие колебаниям волновых функций синглетного и триплетного состояний электронов. частота колебаний, зависящая от магнитного поля и спин-орбитального взаимодействия, <<.
Спин-орбитальное взаимодействие между электронами приводит к тому, что в такой системе могут возникнуть относительно медленные биения амплитуд колебаний. Это приводит к периодическому нарастанию вклада синглетных и триплетных состояний.
Для оценки частоты биений , возникающих после наложения магнитного поля, полагаем, что величина спин-орбитального взаимодействия является постоянной ~10-3-10-4 eV, и определяется начальным сдвигом плотности электронов (4). Частота биений быстро растет с увеличением магнитной индукции . При выбранных значениях энергий взаимодействия оценка среднего времени таких биений дает величину ~ 10-6-10-8 s, что на несколько порядков больше среднего времени колебаний сегмента дислокации ~ 10-9 s. Полученная оценка среднего времени такого рода переходов между состояниями, дает величины между известными значениями для g-механизма ~10-9 s и релаксационного механизма ~10-5-10-4 s [1], которые отождествляют со среднем временем открепления дислокации. При оценке времени биений мы пренебрегали сложной зависимостью поведения величины спин-орбитального взаимодействия во времени и от самих изменений вкладов состояний в полную волновую функцию. Учет этого обстоятельства приводит к сложному поведению вкладов состояний с течением времени и увеличению среднего времени перехода между синглетным и триплетными состояниями.
Предложенный механизм влияния магнитного поля на процессы, происходящие в системе дислокация-примесь, предполагает учет спин-орбитального взаимодействия как существенного компонента явления. Полученная оценка для характерного времени открепления дислокации от точечного дефекта по порядку величины близкa к экспериментальному значению и ранее сделанным оценкам в рамках других моделей.
Список литературы
кристалл дислокация магнитный поле
1. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Колдаева М.В., Петржик Е.А. Магнитопластический эффект: основные свойства и физические механизмы // Кристаллография. - 2003. - Т. 48, № 5. - С. 826-854.
2. Фёклин В.Н., Даринский Б.М. Резонансные эффекты при отрыве дислокации от точечного стопора при наложении магнитного поля в немагнитных кристаллах // Изв. РАН. Сер. физ. - 2005. - Т. 69, № 8. - С. 1179-1182.
3. Фёклин В.Н., Даринский Б.М. Влияние магнитного поля на движение дислокаций в немагнитных кристаллах // Вестник ВГУ. - 2006. № 1. - С. 21-26.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Описание магнитопластического эффекта (МПЭ) в немагнитных кристаллах. Частичное подавление двойникования в кристаллах висмута при длительном воздействии сосредоточенной нагрузки с одновременным приложением слабого постоянного магнитного поля (МП).
реферат [415,8 K], добавлен 21.06.2010Эквивалентность движения проводника с током в магнитном поле. Закон Фарадея. Угловая скорость вращения магнитного поля в тороидальном магнитном зазоре. Фактор "вмороженности" магнитных силовых линий в соответствующие домены ферромагнетика ротора, статора.
доклад [15,5 K], добавлен 23.07.2015Поглощение света свободными носителями заряда. Электрография и фотопроводимость полупроводников. Влияние сильных электрических попей на электропроводность полупроводников. Подвижность носителей в ионных кристаллах и полупроводниках с атомной решеткой.
реферат [1,6 M], добавлен 28.03.2012Возбуждение ядер в магнитном поле. Условие магнитного резонанса и процессы релаксации ядер. Спин-спиновое взаимодействие частиц в молекуле. Схема устройства ЯМР-спектрометра. Применение спектроскопии ЯМР 1H и 13CРазличные методы развязки протонов.
реферат [4,1 M], добавлен 23.10.2012Характеристики магнитного поля и явлений, происходящих в нем. Взаимодействие токов, поле прямого тока и круговой ток. Суперпозиция магнитных полей. Циркуляция вектора напряжённости магнитного поля. Действие магнитных полей на движущиеся токи и заряды.
курсовая работа [840,5 K], добавлен 12.02.2014Действие магнитного поля. История открытия эффектов Холла, Эттингсгаузена, Нернста и Риги-Ледюка. Количественная теория гальваномагнитных явлений. Техническое применение эффекта магнетосопротивления. Изменение траекторий носителей в магнитном поле.
реферат [570,0 K], добавлен 02.03.2013История открытия магнитного поля. Источники магнитного поля, понятие вектора магнитной индукции. Правило левой руки как метод определения направления силы Ампера. Межпланетное магнитное поле, магнитное поле Земли. Действие магнитного поля на ток.
презентация [3,9 M], добавлен 22.04.2010Магнитное поле Земли и его характеристики. Понятие геомагнитных возмущений и их краткая характеристика. Механизм возмущения магнитного поля Земли. Влияние ядерных взрывов на магнитное поле. Механизм влияния различных факторов на геомагнитное поле Земли.
контрольная работа [30,6 K], добавлен 07.12.2011Понятие и основные свойства магнитного поля, изучение замкнутого контура с током в магнитном поле. Параметры и определение направления вектора и линий магнитной индукции. Биография и научная деятельность Андре Мари Ампера, открытие им силы Ампера.
контрольная работа [31,4 K], добавлен 05.01.2010Магнитное поле — составляющая электромагнитного поля, появляющаяся при наличии изменяющегося во времени электрического поля. Магнитные свойства веществ. Условия создания и проявление магнитного поля. Закон Ампера и единицы измерения магнитного поля.
презентация [293,1 K], добавлен 16.11.2011