Исследование биполярного транзистора
Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой и с общим эмиттером. Определение параметров высоты прибора графоаналитическим способом по графикам сигналов. Рассмотрение схемы биполярного транзистора.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | лабораторная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 14.09.2017 |
| Размер файла | 198,4 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http: //www. allbest. ru/
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
Ивановский Государственный Энергетический Университет им. В. И. Ленина
Лабораторная работа №3.
«Исследование биполярного транзистора».
Выполнили: студенты гр. 2-28xx
Шаров Г. В.
Галанин Д. В.
Принял: Рыжалов В. В.
Иваново 2014
Цель работы -- снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора БТ, используя включения с общей базой ОБ (рис. 1,а) и с общим эмиттером ОЭ (рис. 1,б). Определение по построенным характеристикам графоаналитическим способом h-параметров.
Рис. 1 а) БТ структуры p - n - p, включение ОБ б) БТ структуры p - n - p, включение ОЭ
ХОД РАБОТЫ
1. На наборном поле стенда собрать схему для снятия входных характеристик для заданного типа БТ при включении его с общей базой ОБ, используя требуемые функциональные модули и измерительные приборы, согласно Рис. 2
Рис. 2
Таблица 1
|
Значение элементов схемы R1чR4 и устанавливаемые пределы измерительных приборов PA1, PV1, PV2 |
R1=100 кOм, R2=50 кОм, R3=0 Ом, R4=100 Oм; PA1 - 2 mA, PV1 - 2 B, PV2 - 2 B |
R1=10 кOм, R2=50 кОм, R3=0 Ом, R4=100 Oм; PA1 - 2 mA, PV1 - 2 B, PV2 - 20 B |
R1=1 кOм, R2=1 кОм, R3= 0 Ом, R4=100 Oм; PA1 - 20 mA, PV1 - 2 B, PV2 - 20 B |
|||||||
|
Uкб = 0 В |
Iэ, мА |
0 |
0,01 |
0,05 |
0,1 |
0,5 |
1,0 |
5,0 |
10,0 |
|
|
Uэб, В |
0 |
0,5 |
0,54 |
0,557 |
0,598 |
0,615 |
0,654 |
0,674 |
||
|
Uкб = 2 В (требуемой полярности) |
Iэ, мА |
0 |
0,01 |
0,05 |
0,1 |
0,5 |
1,0 |
5,0 |
10,0 |
|
|
Uэб, В |
0 |
0,497 |
0,538 |
0,556 |
0,595 |
0,615 |
0,654 |
0,668 |
||
|
Uкб = 10 В (требуемой полярности) |
Iэ, мА |
0 |
0,01 |
0,05 |
0,1 |
0,5 |
1,0 |
5,0 |
10,0 |
|
|
Uэб, В |
0 |
0,494 |
0,534 |
0,551 |
0,59 |
0,609 |
0,617 |
0,628 |
Рис. 3
2. На наборном поле стенда собрать схему для снятия выходных характеристик для заданного типа БТ при включении его с общей базой ОБ, используя требуемые функциональные модули и измерительные приборы, согласно Рис. 3
Рис. 4
Таблица 2
|
Значение элементов схемы R3, R4 и устанавливаемые пределы измерительных приборов PA2, PV1 |
R3=0 Ом, R4=100 Oм |
|||||||||||||
|
Прямая полярность на коллекторном переходе (П2) |
* |
Обратная полярность на переходе (П2) |
||||||||||||
|
Ток инжекции |
* |
Ток экстракции |
||||||||||||
|
PA2 - 20 mА PV1 - 2 B |
PV1 - 2 B |
PV1 - 20 B |
||||||||||||
|
Предел измерений для PA2 соответствует пределу для PA1 |
||||||||||||||
|
Iэ = 0,1 мА, R1=100 кОм, R2=50 кОм, PA1 - 2 mA |
Uкб, В |
0,77 |
0,7 |
0.608 |
0,5 |
0,3 |
0,1 |
0 |
-1 |
-3 |
-5 |
-10 |
-14 |
|
|
Iк, мА |
-14.85 |
-1.96 |
0 |
0.104 |
0.105 |
0.105 |
0.104 |
0.105 |
0.105 |
0.105 |
0.105 |
0.106 |
||
|
Iэ = 0,5 мА, R1=10 кОм, R2=50 кОм, PA1 - 2 mA |
Uкб, В |
0,77 |
0,7 |
0.655 |
0,5 |
0,3 |
0,1 |
0 |
-1 |
-3 |
-5 |
-10 |
-14 |
|
|
Iк, мА |
-13.3 |
.-1.29 |
0 |
0.499 |
0.503 |
0.504 |
0.505 |
0.506 |
0.506 |
0.506 |
0.506 |
0.506 |
||
|
Iэ = 1 мА, R1=10 кОм, R2=50 кОм, PA1 - 2 mA |
Uкб, В |
0,77 |
0,7 |
0.676 |
0,5 |
0,3 |
0,1 |
0 |
-1 |
-3 |
-5 |
-10 |
-14 |
|
|
Iк, мА |
-13.38 |
-1.13 |
0 |
1.004 |
1.008 |
1.009 |
1.01 |
1.014 |
1.016 |
1.017 |
1.017 |
10.18 |
||
|
Iэ = 5 мА, R1=1 кОм, R2=10 кОм, PA1 - 20 mA |
Uкб, В |
0,77 |
0,7 |
0,729 |
0,5 |
0,3 |
0,1 |
0 |
-1 |
-3 |
-5 |
-10 |
-14 |
|
|
Iк, мА |
-10.63 |
2.67 |
0 |
4.92 |
4.93 |
4.93 |
4.94 |
5.03 |
5.1 |
5.06 |
4.98 |
5 |
||
|
Iэ = 10 мА, R1=1 кОм, R2=1 кОм, PA1 - 20 mA |
Uкб, В |
0,77 |
0,7 |
0.752 |
0,5 |
0,3 |
0,1 |
0 |
-1 |
-3 |
-5 |
-10 |
-14 |
|
|
Iк, мА |
-6.38 |
7.44 |
0 |
10.03 |
9.91 |
9.91 |
9.92 |
9.93 |
9.99 |
.9.97 |
9.93 |
9.96 |
Рис. 5
биполярный транзистор эмиттер
3. На наборном поле стенда собрать схему для снятия входных характеристик для заданного типа БТ при включении его с общим эмиттером ОЭ, используя требуемые функциональные модули и измерительные приборы, согласно Рис.
Рис. 6
Таблица 3
|
Значение элементов схемы R1чR4 и устанавливаемые пределы измерительных приборов PA1, PV1, PV2 |
R1=100 кOм, R2=50 кОм, R3=1 кОм, R4=100 Oм; PA1 - 2 mA, PV1 - 2 B |
||||||||||
|
Uкэ = 0 В PV2 - 2 B |
Uбэ, мВ (требуемой полярности) |
-420 |
-450 |
-475 |
-500 |
-525 |
-550 |
-575 |
-600 |
-612 |
|
|
Iб, мкА |
0 |
0 |
-1 |
-4 |
-9 |
-21 |
-44 |
-86 |
-124 |
||
|
Uкэ = 2 В (требуемой полярности) PV2 - 20 B |
Uбэ, В (требуемой полярности) |
-450 |
-500 |
-550 |
-575 |
-600 |
-625 |
-650 |
-670 |
||
|
Iб, мкА |
0 |
0 |
-1 |
-2 |
-8 |
-25 |
-68 |
-122 |
|||
|
Uкэ = 10 В (требуемой полярности) PV2 - 20 B |
Uбэ, В (требуемой полярности) |
-450 |
-500 |
-550 |
-600 |
||||||
|
Iб, мкА |
0 |
0 |
-3 |
-21 |
Рис. 7
4. На наборном поле стенда собрать схему для снятия выходных характеристик для заданного типа БТ при включении его с общим эмиттером ОЭ, используя требуемые функциональные модули и измерительные приборы, согласно Рис. 5
Рис. 8
Таблица 4
|
Значение элементов схемы R1чR4 и устанавливаемые пределы измерительных приборов PA1, PA2, PV1 |
R1= 47 кОм, R2= 50 кОм, R3= 1 кОм, R4= 100 Ом |
|||||||||||||
|
PV1 - 2 B |
PV1 - 20 B |
|||||||||||||
|
Iб=20 мкА PA1-2mA |
Uкэ, В (требуемой полярности) |
0 |
-0,1 |
-0,2 |
-0,3 |
-0,5 |
-0,75 |
-1,0 |
-2,0 |
-3,0 |
-5,0 |
-10,0 |
-14,0 |
|
|
Iк, мА PA2 - 2…20mА |
0 |
-1,12 |
-2,88 |
-2,92 |
-2,95 |
-2,96 |
-3 |
-3,11 |
-3,2 |
-3,36 |
-3,75 |
-3,75 |
||
|
Iб=50, мкА PA1-2mA |
Uкэ, В (требуемой полярности) |
0 |
-0,1 |
-0,2 |
-0,3 |
-0,5 |
-0,75 |
-1,0 |
-2,0 |
-3,0 |
-5,0 |
-10,0 |
-14,0 |
|
|
Iк, мА PA2 - 20mА |
0,96 |
-4,38 |
-6,79 |
-6,91 |
-7 |
-7,11 |
-7,23 |
-7,91 |
-8,38 |
-8,58 |
-9,75 |
-10,8 |
||
|
Iб=80, мкА PA1-2mA |
Uкэ, В (требуемой полярности) |
0 |
-0,1 |
-0,2 |
-0,3 |
-0,5 |
-0,75 |
-1,0 |
-2,0 |
-3,0 |
-5,0 |
-10,0 |
-14,0 |
|
|
Iк, мА PA2 - 20mА |
0 |
-6,6 |
-10,68 |
-10,96 |
-11,11 |
-11,26 |
-11,43 |
-11,86 |
-12,25 |
-13,16 |
-15,4 |
-17,5 |
Рис.9
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Понятие и функциональное назначение биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя близкорасположенными электронно-дырочными переходами. Анализ входных и выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером и базой.
лабораторная работа [1,3 M], добавлен 12.05.2016Получение входных и выходных характеристик транзистора. Включение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером. Проведение измерения тока базы, напряжения база-эмиттер и тока эмиттера для значений напряжения источника. Расчет коллекторного тока.
лабораторная работа [76,2 K], добавлен 12.01.2010Параметры транзистора МП–40А, чертеж его основных выводов. Входная и выходная характеристики данного транзистора. Определение параметров для схемы с общим эмиттером. Схема с общим коллектором и общей базой. Расчет параметров для соответствующей схемы.
контрольная работа [642,0 K], добавлен 28.03.2011Изучение методов построения зависимости прямого коэффициента усиления по току и анализ зависимости предельной частоты от тока эмиттера для кремниевого биполярного дрейфового транзистора. Этапы расчета частотных свойств биполярного дрейфового транзистора.
лабораторная работа [68,3 K], добавлен 06.02.2010Порядок получения входных и выходных характеристик транзистора. Методика и основные этапы сборки электрической схемы, определение измерения тока коллектора. Экспериментальное нахождение сопротивления по входной характеристике при изменении базового тока.
лабораторная работа [39,8 K], добавлен 12.01.2010Принцип действия биполярного транзистора. Его статические характеристики и эксплуатационные параметры. Температурные и частотные свойства транзистора. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. Схематическое изображение ПТ с изолированным затвором.
лекция [460,9 K], добавлен 15.03.2009Устройство и принцип действия биполярного транзистора, униполярного транзистора. Силовые полупроводниковые приборы, основные требования, предъявляемые к ним. Характеристика динисторов и транзисторов. Параметры предельных режимов работы транзисторов.
лекция [424,0 K], добавлен 14.11.2008Общее представление о мощных БИП-транзисторах Зависимость эффективности эмиттера от концентрации примеси в нем. Характеристика падения коэффициента усиления по току при больших плотностях тока. Сущность монолитного мощного транзистора Дарлингтона.
курсовая работа [676,6 K], добавлен 04.04.2015Расчет каскада транзисторного усилителя напряжения, разработка его принципиальной схемы. Коэффициент усиления каскада по напряжению. Определение амплитуды тока коллектора транзистора и значения сопротивления. Выбор типа транзистора и режима его работы.
контрольная работа [843,5 K], добавлен 25.04.2013Принцип работы полевого транзистора. Стоковые характеристики транзистора. Причина насыщения в стоковой характеристике полевого транзистора. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Инверсия типа проводимости.
лабораторная работа [37,8 K], добавлен 20.03.2007