Дослідження температурної залежності електропровідності напівпровідників і визначення енергії активації
Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Використання установки для вивчення температурної залежності електропровідності. Вимірювання опору напівпровідника мультиметром. Обробка експериментальних даних.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | лабораторная работа |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 16.07.2017 |
| Размер файла | 45,4 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Лабораторна робота № 8-1
На тему: Дослідження температурної залежності електропровідності напівпровідників і визначення енергії активації
Мета роботи: ознайомитись з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках.
Прилади і матеріали: установка для вивчення температурної залежності електропровідності напівпровідників.
Хід роботи:
Термоелектричний напівпровідниковий прилад, опір якого залежить від температури і який може бути використаний для фіксування зміни температури навколишнього середовища, називається терморезистором або термістором. Напівпровідникові терморезистори, як правило, містять обидва види домішок
Для одержання температурної характеристики терморезистор розміщують в термостаті або в нагрівній пічці на одному рівні з термопарним датчиком, з'єднаним з вимірювальним містком. Опір напівпровідника при цьому вимірюється мультиметром. Після ознайомлення з лабораторною установкою вимірюють опір терморезистора і відповідну температуру в пічці починаючи від кімнатної температури і закінчуючи температурою 75-80°С. Результати вимірювань заносять в окрему таблицю.
|
T°C |
20 |
25 |
30 |
35 |
40 |
45 |
50 |
55 |
60 |
65 |
75 |
80 |
|
|
T, K |
293 |
298 |
302 |
308 |
318 |
318 |
323 |
318 |
332 |
338 |
348 |
353 |
|
|
R, Ом |
2 |
10 |
10 |
10 |
8 |
7 |
6 |
5 |
4 |
3 |
3 |
2 |
|
|
lnR |
0,7 |
2,3 |
2,3 |
2,3 |
2,0 |
1,9 |
1,8 |
1,6 |
1,3 |
1,03 |
1,03 |
0,7 |
За одержаним значенням R будують графік R=f(T), а також lnR=f(l/T). Коефіцієнт температурної чутливості В визначають із даних вимірювання опору терморезистора при будь-яких двох температурах Т1 і Т2:
Розділивши почленно ці вирази, одержують
Звідки
Енергію активації знаходять за формулою:
Е=кВ,
де к -- стала Больцмана, рівна 1,38-10'23 Дж/К.
Обробка експериментальних даних:
1. З графіка залежності In R = f -- визначити енергію активації. В цьому випадку
напівпровідник електропровідність опір мультиметр
Одержані результати звіряють із значеннями, відомими з теорії.
2. Визначають коефіцієнт температурної чутливості В терморезистора.
3. Всі розрахунки виконують з допомогою мікроЕОМ.
K=1,38*10-23Дж/К
Енергія активації:
Т1=298 R1=10
Т2=318 R2=7
Коефіцієнт температурної чутливості терморезистора:
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Оцінка ймовірності знайти електрон на рівні Е у власному напівпровіднику при кімнатній температурі. Визначення положення рівня Фермі, розрахунок температурної залежності власної концентрації носіїв заряду у вихідному напівпровіднику та побудова графіка.
контрольная работа [2,8 M], добавлен 18.12.2009Елементи зонної теорії твердих тіл, опис ряду властивостей кристала. Постановка одноелектронної задачі про рух одного електрона в самоузгодженому електричному полі кристалу. Основні положення та розрахунки теорії електропровідності напівпровідників.
реферат [267,1 K], добавлен 03.09.2010Визначення дослідним шляхом питомого опору провідника та температурного коефіцієнту опору міді. Вимірювання питомого опору дроту. Дослідження залежності потужності та ККД джерела струму від його навантаження. Спостереження дії магнітного поля на струм.
лабораторная работа [244,2 K], добавлен 21.02.2009Вивчення зонної структури напівпровідників. Поділ речовин на метали, діелектрики та напівпровідники, встановлення їх основних електрофізичних характеристик. Введення поняття дірки, яка є певною мірою віртуальною частинкою. Вплив домішок на структуру.
курсовая работа [1002,2 K], добавлен 24.06.2008Найпростіша модель кристалічного тіла. Теорема Блоха. Рух електрона в кристалі. Енергетичний спектр енергії для вільних електронів у періодичному полі. Механізм електропровідності власного напівпровідника. Електронна структура й властивості твердих тіл.
курсовая работа [184,8 K], добавлен 05.09.2011Основи вимірювання опору системи захисного заземлення електроустановок, питомого опору ґрунту й опору провідників за допомогою вимірювача заземлення типу МС-08. Суть методів амперметра-вольтметра та трьох земель. Порядок виконання вимірювальних робіт.
лабораторная работа [14,9 K], добавлен 31.08.2009Акумуляція енергії в осередку. Анізотропія електропровідності МР, наведена зовнішнім впливом. Дія електричних і магнітних полів на структурні елементи МР. Дослідження ВАХ МР при різних темпах нагружения осередку. Математична теорія провідності МР.
дипломная работа [252,7 K], добавлен 17.02.2011Визначення методу підсилення пасивації дефектів для покращення оптичних та електричних властивостей напівпровідників. Точкові дефекти в напівпровідниках та їх деформація. Дифузія дефектів та підсилення пасивації дефектів воднем за допомогою ультразвуку.
курсовая работа [312,3 K], добавлен 06.11.2015Визначення статичної модуляційної характеристики транзисторного LС-автогенератора з базовою модуляцією. Визначення залежності амплітуди напруги на коливальному контурі від зміни напруги зміщення, при сталому значенні амплітуди високочастотних коливань.
лабораторная работа [414,3 K], добавлен 25.04.2012Фізико-хімічні основи процесів в галузях хімічних технологій, визначення швидкості законами теплопередачі. Процеси перенесення маси енергії і кількості руху, рівняння нерозривності суцільності потоку. Гідростатична подібність, емпіричні залежності.
лекция [2,3 M], добавлен 17.07.2011
