Визначення фізичних властивостей p–n переходу в напівпровідниковому діоді
Вивчення фізичних властивостей напівпровідникового діода шляхом зняття вольт-амперної характеристики та знаходження коефіцієнта випрямлення. Обчислення статичного опору для прямого та зворотного напряму при різних значеннях прикладеної напруги.
Рубрика | Физика и энергетика |
Вид | лабораторная работа |
Язык | украинский |
Дата добавления | 16.07.2017 |
Размер файла | 34,4 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Міністерство освіти і науки України
Вінницький Національний Технічний Університет
Кафедра фізики
Лабораторна робота № 8-4
На тему: Визначення фізичних властивостей p - n переходу в напівпровідниковому діоді
Виконав: Ст. гр. 3ПЗ-04 Тарковський В.А.
Перевірив: Зузяк П.М.
Вінниця 2005
Мета роботи: вивчити фізичні властивості напівпровідникового діода шляхом зняття вольт-амперної характеристики та знаходження коефіцієнта випрямлення.
Прилади та матеріали: досліджуваний діод; установка для одержання вольт-амперної характеристики.
Порядок виконання роботи:
1. Ввімкнути установку в міську мережу.
2. Перемикач поставити в положення ''Прямий".
3. Змінюючи напругу від нуля, фіксувати значення струму через кожні 0,1В.
4. Перемикач поставити в положення "Зворотний".
5. Змінюючи напругу від нуля, фіксувати значення струму через кожні 10В.
6. Всі дані вимірювань занести в таблицю.
Обробка результатів експерименту та їх аналіз:
1. На міліметровому папері (не дотримуючись однакового масштабу для позитивних і негативних значень струму і напруги) побудувати вольт -- амперну характеристику I=f(U) напівпровідникового діода.
2. Обчислити статичний опір для прямого і зворотного напряму при різних значеннях прикладеної напруги за формулою . Побудувати графік R= f(U).
3. Обчислити динамічний опір в певній точці вольт-амперної характеристики за формулою .
4. За формулою (при Uпр=Uзв) для різних значень прикладеної напруги знайти коефіцієнт випрямлення.
5. Зробити аналіз результатів роботи та висновки з нього.
Обробка результатів експерименту:
U,B |
I,мA |
R,Ом |
|
0,2 |
0,4 |
500 |
|
0,3 |
0,7 |
429 |
|
0,4 |
1 |
400 |
|
0,5 |
1,4 |
357 |
|
0,6 |
1,8 |
333 |
|
0,7 |
2,2 |
318 |
|
0,8 |
2,4 |
333 |
|
0,9 |
2,8 |
321 |
|
1,0 |
3,2 |
313 |
|
1,1 |
3,6 |
306 |
|
1,2 |
4 |
300 |
|
1,3 |
4,4 |
296 |
|
1,4 |
4,8 |
292 |
|
1,5 |
5 |
300 |
|
1,6 |
5,4 |
296 |
|
1,7 |
5,8 |
293 |
|
1,8 |
6,3 |
286 |
|
1,9 |
6,6 |
287 |
|
2,0 |
7 |
286 |
|
2,2 |
7,9 |
278 |
|
2,4 |
8,6 |
279 |
|
2,6 |
9,4 |
277 |
|
2,8 |
10,2 |
274 |
|
3,0 |
11 |
272 |
U,B |
I,мA |
R,Ом |
|
40 |
14 |
285*104 |
|
80 |
16 |
500*104 |
|
120 |
17 |
706*104 |
|
160 |
18 |
889*104 |
|
200 |
20 |
1000*104 |
|
240 |
22 |
1091*104 |
|
280 |
26 |
1077*104 |
|
300 |
31 |
968*104 |
напівпровідниковий діод амперний напруга
Масштаб: U=U*10; I=I*10; R=R/10
Масштаб:U=U; I=I; R=R/100
Контрольні запитання
1. Власна та домішкова провідності напівпровідників.
2. Зонна теорія напівпровідників.
3. Фізичні властивості р -- n -- переходу в прямому і зворотному напрямі.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Спостереження броунівського руху. Визначення відносної вологості повітря, руйнівної напруги металу. Вивчення властивостей рідин. Розширення меж вимірювання вольтметра і амперметра. Зняття вольт амперної характеристики напівпровідникового діода.
практическая работа [95,3 K], добавлен 14.05.2009Розрахунок дифузійного p-n переходу. Визначення коефіцієнта дифузії та градієнта концентрацій. Графік розподілу концентрації домішкових атомів у напівпровіднику від глибини залягання шару. Розрахунок вольт-амперної характеристики отриманого переходу.
курсовая работа [675,8 K], добавлен 18.12.2014Характеристика основних властивостей рідких кристалів. Опис фізичних властивостей, методів вивчення структури рідких кристалів. Дослідження структури ліотропних рідких кристалів та видів термотропних.
курсовая работа [1,6 M], добавлен 17.06.2010Загальні відомості, вольт-амперна характеристика, p-i-n структури, фізичний механізм та заряд перемикання напівпровідникового діода. Особливості та експерименти по визначенню заряду перемикання сплавних, точкових, дифузійних та епітаксіальних діодів.
дипломная работа [863,1 K], добавлен 16.12.2009Природа твердих тіл, їх основні властивості і закономірності та роль у практичній діяльності людини. Класифікація твердих тіл на кристали і аморфні тіла. Залежність фізичних властивостей від напряму у середині кристалу. Властивості аморфних тіл.
реферат [31,0 K], добавлен 21.10.2009Вивчення фізичних властивостей галогеносрібних та несрібних фотоматеріалів. Розгляд будови діазоплівки. Характеристика методів ("подвійний", "вибуховий" та негативно-позитивний, з підшаром), причин та способів усунення порушень якості фотолітографії.
курсовая работа [941,7 K], добавлен 12.04.2010Вивчення закономірностей тліючого розряду, термоелектронної емісії. Дослідження основних властивостей внутрішнього фотоефекту, впливу електричного поля на електропровідність напівпровідників. Експериментальне вивчення ємнісних властивостей p–n переходів.
учебное пособие [452,1 K], добавлен 30.03.2009Метод математичного моделювання фізичних властивостей діелектричних періодичних структур та їх електродинамічні характеристики за наявності електромагнітної хвилі великої амплітуди. Фізичні обмеження на управління електромагнітним випромінюванням.
автореферат [797,6 K], добавлен 11.04.2009Вивчення будови та значення деревини в народному господарстві. Опис фізичних та хімічних властивостей деревини. Аналіз термогравіметричного методу вимірювання вологості. Дослідження на міцність при стиску. Інфрачервона та термомеханічна спектроскопія.
курсовая работа [927,3 K], добавлен 22.12.2015Навчальна, розвиваюча та виховна мета уроку. Загальний опір електричного кола з послідовним з’єднанням елементів. Визначення струму та падіння напруги на ділянках кола. Знаходження загального опору кола. Визначення падіння напруги на ділянках кола.
конспект урока [8,5 K], добавлен 01.02.2011