Напівпровідникові лазери з електронним накачуванням на основі сполук груп А2В6 і А3В5 з покращеними експлуатаційними характеристиками

Размещено на http://www.allbest.ru/

ОДЕСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ

АВТОРЕФЕРАТ

дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук

НАПІВПРОВІДНИКОВІ ЛАЗЕРИ З ЕЛЕКТРОННИМ НАКАЧУВАННЯМ НА ОСНОВІ СПОЛУК ГРУП А₂В₆, А₃В₅ З ПОКРАЩЕНИМИ ЕКСПЛУАТАЦІЙНИМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ

Спеціальність 05.27.01 - Твердотільна електроніка

ПАШКОВ Олександр Сергійович

Одеса - 2007

Дисертацією є рукопис

Робота виконана в Національному науково-дослідному центрі оборонних технологій і воєнної безпеки України Міністерства оборони України.

Науковий керівник - доктор технічних наук, професор Мокрицький Вадим Анатолійович, Одеський національний політехнічний університет, професор кафедри “Інформаційні технології проектування в електроніці та телекомунікаціях”.

Офіційні опоненти: доктор технічних наук, професор Назаренко Аскольд Федорович, Одеський національний політехнічний університет, професор кафедри фізики;

кандидат технічних наук, доцент Завадський Віктор Афанасійович, Одеська національна морська академія, завідувач кафедри морської радіоелектроніки.

Захист відбудеться 17 жовтня 2007 р. о 14⁰⁰ годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К 41.052.03 Одеського національного політехнічного університету за адресою: 65044, м. Одеса, просп. Т.Г. Шевченка, 1.

З дисертацією можна ознайомитись в бібліотеці Одеського національного політехнічного університету за адресою: 65044, м. Одеса, просп. Т.Г. Шевченка, 1.

Автореферат розісланий “14”вересня 2007 р.

Вчений секретар спеціалізованої вченої ради О.В.Андріянов

АНОТАЦІЇ

Пашков О.С. Напівпровідникові лазери з електронним накачуванням на основі сполук груп А₂В₆ і А₃В₅ з покращеними експлуатаційними характеристиками. - Рукопис.

Спеціальність 05.27.01 - Твердотільна електроніка. Захист відбудеться в Одеському національному політехнічному університеті, м. Одеса, 2007 р.

Дисертацію присвячено створенню та удосконаленню методів покращення експлуатаційних характеристик напівпровідникових лазерів з електронним накачуванням. Досліджено використання бінарних, трьох- та чотирьохкомпонентних твердих розчинів сполук груп А₂В₆ і А₃В₅ для створення лазерів такого типу на діапазон довжини хвилі випромінювання 0,3-10,6 мкм.

Встановлені залежності спектральних, порогових, енергетичних характеристик напівпровідникових лазерів від фізико-хімічних властивостей напівпровідників, типу домішок і ступеня легування, робочої температури й рівнів збудження активного середовища.

Проведені дослідження процесів деградації лазерів даного типу.

Обґрунтовано вибір і сформульовані вимоги до напівпровідникових матеріалів й умов їхньої роботи для створення ефективних і стабільних лазерів із заданою довжиною хвилі в інтервалі 0,5-4,0 мкм. Розроблені й виготовлені експериментальні зразки лазерів з електронним накачуванням, удосконалено технологіювиготовлення багатоелементних мішеней.

Ключові слова: електрон, накачка енергії, напівпровідникові сполуки, лазер, довжина хвилі, епітаксія.

напівпровідниковий лазер електронний багатоелементний

Пашков А.С. Полупроводниковые лазеры с электронным накачиванием на основе групп А₂В₆, А₃В₅. с улучшенными эксплуатационными характеристиками. - Рукопись.

Специальность 05.27.01 - Твердотельная электроника. Защита состоится в Одесском национальном политехническом университете, г. Одесса, 2007 р.

Диссертация посвящена созданию и совершенствованию методов улучшения эксплуотационных характеристик параметрами полупроводниковых лазеров с электронным накачиванием. Исследовано применение бинарных, трьох- и четырьохкомпонентных твердых растворов соединений групп А₂В₆ і А₃В₅ для создания лазеров такого типа с диапазоном длины волны излучения 0,3-10,6 мкм.

Полупроводниковый лазер с электронным накачиванием (ПЛЕН) быстрыми электронами имеет ряд преимуществ перед приборами с другими методами возбуждения. Одним из таких преимуществ есть возможность использования широкого класса полупроводниковых материалов как чистых, так и однородного легированных, которые имеют любую ширину запрещенной зоны. Кроме того, в этом случае отпадает необходимость создания p - n - переходов и контактов. Сравнительно большой объем активной области, обусловленный энергией и размерами электронного пучка, возможность получения довольно высокого КПД (до 35%), использование специальных многоэлементных схем и конструкций разрешают получать в таких устройствах интенсивные световые потоки с импульсной мощностью несколько мегаватт, малой расходимостью и широким диапазоном значений длины волны излучения.

Определены зависимости спектральных, пороговых, энергетических характеристик полупроводниковых лазеров от физико-химических свойств полупроводников, типа примесей и степени легирования, рабочей температуры и уровня возбуждения активной среды. При высоких уровнях накачивания (10²⁴ _ 5•10²⁸ см^_3.с^_1) определены основные люминесцентные параметры материалов, спектральный состав излучения, внутренний квантовый выход, спектрально-временные характеристики. На этой основе созданы квантовые генераторы с КПД до 30 %, что близко к теоретическому пределу.

Исследования проводились по стандартной методике на высоковольтной вакуумной установке с энергией электронного пучка E₀ = 50 кеВ, длительностью импульса 100 нс, частотой прохождения 50 - 100 Гц. Диаметр луча 0,7-0,8 мм, длина резонаторов 0,6-0,8 мм, толщина 0,2 мм. Использовалась поперечная геометрия накачки резонаторов.

Проведены исследования процессов деградации лазеров данного типа. Это дало возможность оптимизировать условия работы активных сред, предложить материалы, с повышенной оптической прочностью. Найдено, что предельные энергетические характеристики таких лазеров ограничены катастрофической деградацией, которая происходит под влиянием электронного пучка и собственного лазерного излучения, сопровождается значительными механическими разрушениями. Впервые изучено влияние облучения электронами высоких энергий (выше порога образования дефектов) на характеристики лазеров и свойства материалов.

Исследованы параметры лазеров на кристаллах GaAlAs, GaAlSb. Зависимость энергии фотонов стимулированного излучения от пороговой плотности тока j_пор лазеров на твердом растворе Ga_1-xAl_xAs - GaAs показала, что j_пор при Т = 83К для легированных образцов n - типа (hн < 1,8 еВ ев) довольно низкие и составляли 0,6ч0,9 А/см² (скорость генерации см-3.с-1). С увеличением “X” (hн > 1,8 еВ ев) пороговая плотность тока возрастала.

Существует несколько причин снижения значений мощности и КПД лазеров с увеличением ширины запрещенной зоны. Одной из причин низкой эффективности лазеров может быть неравномерное распределение алюминия по толщине активной области - уменьшение содержимого к поверхности и возникновение вследствие этого градиента ширины запрещенной зоны. Неравновесные электроны за время жизни могут стекаться к поверхности кристалла, где, как известно, рекомбинация носит безызлучательний характер.

Для создания лазеров в области длины волн < 1,6 мкм были исследованы эпитаксиальные пленки Ga_1-xAl_xSb переменного состава. Исследовались твердые растворы в области соединений 0<X<0,65, в основном, легированные телуром до концентрации (5-8)•10¹⁷ см^-3.

Выявлено новое явление импульсного радиационного отжига полупроводниковых активных сред, что позволило повысить радиационную стойкость материалов. Благодаря этому, созданы мощные импульсные лазеры. С целью увеличения мощности когерентного излучения, которое выделяется одним элементом лазера, использованы многоэлементные мишени. Предложена их конструкция и технология изготовления.

Обоснован выбор и сформулированы требования к полупроводниковым материалам и условиям их работы для создания эффективных и стабильных лазеров с заданной длиной волны в интервале 0,5-4,0 мкм. Разработаны и изготовлены экспериментальные образцы лазеров с электронным накачиванием.

Ключевые слова: электрон, накачка энергии, полупроводниковые соединения, лазер, длина волны, эпитаксия.

Pashkov O.S. Semiconducting lasers with electronic pumpage on the basis of А₂В₆ and А₃В₅ compound groups with improved exploitation characteristics. - Manuscript.

05.27.01 specialty - Concrete body electronics. Odessa National polytechnic university, Odessa, 2007 y.

Dissertation is dedicated to the creation and developing methods of improving exploitation characteristics of semiconducting lasers with electronic pumpage. The use of binary, tri- and four componential concrete solutions of А₂В₆ and А₃В₅ compound groups for the creation of lasers of this type for the 0,3-10,6 mcm emission waves.

Dependencies of spectral, threshold and energy characteristics of semiconducting lasers from physical and chemical states of semiconductors, types of admixtures, level of alloying, work temperature and level of active environment field are defined.

Research of degradation processes of this type of lasers are conducted.

The choice and demands for semiconducting materials are formulated as well as conditions for their work for creating effective and stable lasers with preset wave length in 0,5-4,0 mcm interval. Experimantal lasers with electronic pumpage are developed and created, technologies for creation of multielement targets are improved.

Key words: electron, electronic pumpage, semiconducting alloys, laser, wave length, epitaxy.

ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

Актуальність теми. Простота пристроїв і компактність напівпровідникових лазерів, широкий вибір матеріалів, придатних у якості активної речовини, обумовлюють значні переваги таким джерелам когерентного випромінювання.

Напівпровідниковий лазер з електронним накачуванням (НЛЕН) швидкими електронами має ряд переваг перед приладами з іншими методами збудження. Однією з таких переваг є можливість використання широкого класу напівпровідникових матеріалів як чистих, так і однорідно легованих, що мають будь-яку ширину забороненої зони. Крім того, в цьому випадку відпадає необхідність створення p-n - переходів і контактів.

Однак створення приладів на основі лазерів з електронним накачуванням вимагає рішення великого кола складних і трудомістких фізичних, конструкторських та технологічних задач.

Дана робота присвячена рішенню задач створення та покрашення експлуатаційних характеристик НЛЕН, які пов'язані з “мікроскопічними” властивостями матеріалів і визначаються, в основному, властивостями самого напівпровідникового посилюючого середовища. Вони стосуються, по-перше, поліпшення вихідних параметрів лазерного випромінювання в широкому діапазоні робочої температури, у тому числі й при кімнатній, по-друге, освоєння нових технічно важливих спектральних діапазонів довжини хвилі, по-третє, дослідження і використання фізичних явищ, що обмежують робочі параметри лазерів і термін їхньої служби.

Проблеми деградації лазерів і їхньої радіаційної стійкості при опроміненні електронами високих енергій вивчалися мало, тому актуальність проведення таких досліджень не викликає сумнівів.

Все наведене вище доводить, що розробка та удосконалення методів, методик і технологічних заходів при створенні напівпровідникових лазерів з електронним накачуванням з метою покращення їх параметрів є актуальними.

Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Робота пов'язана з міжгалузевою науково-технічною “Програмою розвитку найбільш конкурентоспроможних напрямків мікроелектроніки в Україні” (№ 1-14/473 від 24.06.98 р.), та виконана в рамках фундаментальної держбюджетної НДР “Дослідження проблем створення та модифікації властивостей нових багатокомпонентних матеріалів оптоелектроніки та сенсорики” Міністерства освіти і науки України, плановою науково-дослідною роботою Національного науково-дослідного центру оборонних технологій і воєнної безпеки МО України, шифр “Безпека-Комплекс” (ОК № 0205 U 006226. (Особисто автором запропоновані моделі процесів генерації когерентного випромінювання і обґрунтування шляхів підвищення ефективності функціонування напівпровідникових ОКГ).

Мета і завдання дослідження.

Метою дисертаційної роботи є вдосконалення методів та засобів створення лазерів з електронним накачуванням на основі сполук груп А₂В₆ і А₃В₅, дослідження процесів і явищ генерації випромінювання для покращення їх характеристик.

Завдання, які необхідно вирішити для досягнення поставленої мети:

1. Дослідження фізичних процесів і явищ в активних середовищах на основі сполук груп А₂В_{6 і} А₃В₅.

2. Вибір досконалих активних середовищ із сполук груп А₂В₆, А₃В₅ для створення на їх основі НЛЕН з покращеними характеристиками.

3. Розробка моделей процесів деградації, засобів підвищення порогів оптичного руйнування для збільшення ресурсу роботи лазерів.

4. Створення на основі досліджуваних матеріалів експериментальних зразків лазерів з електронним накачуванням.

Об'єкт дослідження - фізичні явища, методи і засоби створення, параметри та характеристики лазерів з електронним накачуванням на основі сполук А₂В₆ та А₃В₅.

Предмет дослідження - процеси генерації випромінювання в монокристалах сполук груп А₂В₆ і А₃В₅ під дією електронів з високою енергією, процеси деградації лазерів даного типу.

Методи дослідження. Методи сучасного матеріалознавства, фізичного та математичного моделювання; теорія подоби - для розробки методів прискорення розвитку прихованих та потенційних дефектів у активних середовищах лазера; теорії ймовірності і математичної статистики - для розробки математичних моделей, дослідження технологічних процесів виготовлення НЛЕН.

Наукова новизна одержаних результатів.

1. Удосконалено моделі, що описують залежності основних характеристик напівпровідникових лазерів з електронним накачуванням на основі сполук груп А₂В₆ і А₃В₅ від фізико-хімічних властивостей матеріалу активного середовища та умов його збудження.

Наукова новизна полягає у тому, що на відміну від відомих, удосконалені моделі визначають комплексно залежність спектральних і енергетичних характеристик приладів від зонної структури, умов легування матеріалу активного середовища, а також від рівня його збудження електронним пучком.

2. Запропоновані моделі фізичних процесів деградації активного середовища таких лазерів.

Відмінною особливістю цих моделей, що визначає їх наукову новизну, є встановлення ефекту самофокусування і руйнування матеріалу у світлових каналах, проявлення деградації через пластичну деформацію кристалу, уточнення фізичного явища повільної деградації для CdS та GaAs.

3. Визначені закономірності впливу електронів з енергією вище порога утворення дефектів на властивості матеріалів активного середовища та характеристики лазерів даного типу. Розроблена методика підвищення стійкості властивостей сполук А₂В₆ і А₃В₅ шляхом імпульсного радіаційного відпалу.

Наукова новизна результатів досліджень полягає у визначені порогу виникнення дефектів в умовах електронного накачування кристалів CdS та GaAs, граничної дози їх опромінення до зміни властивостей, встановленні ефекту відпалу дефектів при імпульсному опроміненні.

4. Науково обґрунтовані конструкторські та технологічні засоби, що дозволяють покращувати основні параметри лазерів даного типу.

Особливістю цих результатів, що визначає їх наукову новизну, є формулювання вимог до матеріалу, конструкції та технології виготовлення приладів, визначення умов усунення побічної (повздовжньої) генерації випромінювання, пропозиції застосування та технології виготовлення приладів з багатоелементними мішенями.

Практичне значення одержаних результатів.

1. Запропоновано методики вибору властивостей та технології виготовлення активного середовища ефективних напівпровідникових лазерів з електронним накачуванням. Доведені переваги технології рідкофазної епітаксії для виготовлення матеріалів активних середовищ лазерів даного типу.

2. Створені експериментальні зразки лазерів з електронним накачуванням на основі чотирьохкомпонентних твердих розчинів сполук типу А₃В₅, наприклад, Ga_xIn_1-xAs_eP_1-y-InP для області довжини хвилі випромінювання 0,9-1,7 мкм.

3. Підтверджена можливість створення неохолоджуваних лазерів з електронним накачуванням на основі кристалів CdS із параметрами: 200-300 Вт, пороговим струмом накачування 2,0 А/см², коефіцієнтом корисної дії до 22%.

4. Забезпечено підвищення терміну служби лазерів даного типу шляхом використання оптично однорідних кристалів сполук із щільністю дислокацій не більш 10⁴ см^-2, виготовлених за технологією рідкофазної епітаксії, легованих оптимальними за типом та концентрацією домішками.

5. Запропоновано технологію виготовлення лазерів даного типу з багатоелементною мішенню з параметрами, наприклад, на основі CdS: максимальна імпульсна потужність 9 МВт (енергія світлового імпульсу 55 мДж) з площі випромінюючої поверхні 7 см², при робочій щільності струму 150 А/см² та енергії електронів накачування 400 кеВ; на основі GaAs, відповідно, - 5,2 МВт (45 мДж), 1 см², 200 А/см², 400 кеВ.

Визначені результати рекомендується використовувати в науково-дослідних та дослідно-конструкторських роботах пов'язаних з покращенням експлуатаційних характеристик напівпровідникових лазерах, а також при їх виробництві.

Удосконалені на основі запропонованих в дисертації методів і засобів оптичні квантові генератори з електронним накачуванням на основі сполук А₂В₆, А₃В₅ використані при розробці системи захисту та знімання інформації в експериментальному спеціальному пристрої (акт ВАТ “Завод “Маяк” від 15 березня 2007 р.), а також в учбовому процесі Одеського національного політехнічного університету.

Особистий внесок здобувача. Основні наукові та прикладні результати дисертаційної роботи здобувачем отримані самостійно. Із спільних публікацій здобувачу належить наступне: у 1 - удосконалення моделі залежності спектральних, порогових, енергетичних характеристик напівпровідникових лазерів з електронним накачуванням на основі сполук груп А₂В₆ і А₃В₅ від особливостей зонної структури, фізико-хімічних властивостей матеріалу; у 2 - запропонована структура побудови випромінювача інфрачервоного діапазону на CdS; у 4 - запропоновано удосконалення пасивації поверхні напівпровідникового кристалу; у 5 - встановлено закономірності впливу електронів з енергією вище порога утворення дефектів на властивості матеріалів активного середовища та характеристики лазерів даного типу; у 8 - вдосконалені моделі процесів деградації активного середовища приладів ІЧ діапазону; у 9 - запропонована методика імпульсного радіаційного відпалу.

Апробація результатів дисертації. Основні наукові результати дисертаційної роботи оприлюднені на науково-технічних конференціях та семінарах Національного науково-дослідного центру оборонних технологій і воєнної безпеки України (2005-2006 р.р.); Міжвузівській науково-практичній конференції “Сучасні напрямки розвитку Сухопутних військ Збройних Сил України” (28-29 листопаду 2006 р.), м. Одеса; на постійно діючому семінарі Військового інституту Київського національного університету імені Тараса Шевченка (17 січня 2007 р., вип. 5); Міжнародній науковій конференції “СІЕТ - 2007” (21-25 травня 2007 р.), м. Одеса.

Публікації. Основні наукові результати опубліковані в одній монографії, семи статтях (3 статті без співавторів) у фахових виданнях, у 2 тезах доповідей та наукових нотатках постійно діючого семінару ВІКНУ.

Структура дисертації. Дисертація складається зі вступу, чотирьох розділів, висновків, списку використаних джерел і додатків. Повний обсяг дисертації складає - 143 сторінки, з яких - 17 сторінок займають ілюстрації, таблиці, додатки, список використаних літературних джерел, що складається з - 82 найменувань.

ОСНОВНИЙ ЗМІСТ

У вступі обґрунтовано актуальність дисертаційної роботи за обраною темою, визначене наукове завдання, розв'язанню якого присвячена дисертація, сформульовано мету і завдання дослідження, наукову новизну і практичне значення одержаних результатів. Наведені дані про впровадження результатів роботи, особистий внесок здобувача і відомості про апробацію та публікації за темою дисертації.

У першому розділі проведено аналіз сучасного стану науки і практики напівпровідникової оптоелектроніки. Розглянуто теоретичні засади створення умов інверсної заселеності та генерації когерентного випромінювання в напівпровідникових активних середовищах. Показано особливості цих процесів для прямозонних напівпровідникових сполук.

У загальному вигляді ККД лазерів з електронним накачуванням дорівнює відношенню випромінюваної потужності до потужності, що падає на кристал.

(1)

Таким чином, граничний ККД у лазерах з електронним накачуванням може досягати величини 29%. Це є досить високим значенням для практичної побудови різних оптоелектронних приладів на цьому принципі збудження.

Принцип дії НЛЕН не відрізняється від оптичних квантових генераторів (ОКГ) з іншими активними середовищами: багаторазове проходження електронів через прямозонний напівпровідник, у якому забезпечена умова інверсної заселеності. В залежності від роду напівпровідника, розмірів активного кристалу (резонатора), НЛЕН може генерувати випромінювання з довжиною хвилі в одному з діапазонів спектра електромагнітних коливань. Проведено порівняльний аналіз різних типів сучасних лазерів.

Накачування напівпровідникового лазера швидкими електронами має ряд переваг перед іншими методами збудження. Однією з таких переваг є можливість використання широкого класу напівпровідникових матеріалів як чистих, так і однорідно легованих, що мають будь-яку ширину забороненої зони. Крім того, в цьому випадку відпадає необхідність створення p-n - переходів і контактів.

Однак створення приладів на основі лазерів з електронним накачуванням вимагає рішення великого кола складних і трудомістких задач. Дана робота присвячена рішенню задач удосконалення характеристик НЛЕН, пов'язаних з “мікроскопічними” властивостями матеріалів. Вони стосуються, по-перше, поліпшення вихідних параметрів лазерного випромінювання в широкому діапазоні робочої температури, по-друге, освоєння нових технічно важливих спектральних діапазонів довжини хвилі і, по-третє, дослідження фізичних процесів, що обмежують робочі параметри лазерів і термін їхньої служби. Проблема деградації лазерів і їхньої радіаційної стійкості при опроміненні електронами високих енергій вивчалася мало, тому актуальність проведення таких досліджень не викликає сумнівів.

Сформульоване загальне наукове завдання дисертації, що поділяється на ряд часткових взаємопов'язаних задач: проведення досліджень фізичних процесів та явищ у різних активних середовищах, розробки методів їх вибору серед напівпровідникових сполук груп А₂В₆ і А₃В₅, вивчення явищ деградації при їх роботі у НЛЕН, розробки конструкції та технології виготовлення деяких виробів напівпровідникової оптоелектроніки.

У другому розділі наведені удосконалені моделі процесів генерації когерентного випромінювання в напівпровідникових сполуках в умовах електронного накачування. Вихідні умови моделювання пов'язані з вибором матеріалу активного середовища, способом накачки його електронами та розрахунком іонізаційних втрат при їх проходженні крізь кристал.

Розподіл щільності втрат енергії електронів на іонізацію можна апроксимувати формулою:

, (2)

де E₀ - початкова кінетична енергія електронів; б і b - емпіричні константи.

Енергія електронів, що використовується для збудження генерації, як правило, знаходиться в межах 10-300 кеВ. Нижня границя обумовлена необхідністю створення інверсної населеності в шарі достатньої товщини. Верхня границя для E₀ збігається з порогом утворення радіаційних дефектів, що підвищують поріг і знижують потужність генерації, а також ведуть до швидкої деградації лазера.

Геометрія поперечного і поздовжнього накачування напівпровідникових кристалів електронним пучком представлена на рисунку 2. Розрахунки показали, що при поперечному накачуванні дифракційні втрати великі і при енергії пучка E₀ ? 50 кеВ становлять 100-300 см^-1.

В роботі досліджено процеси генерації випромінювання на прикладі кристалів GaAs. Для дослідження механізму генерації в GaAs, оптимізації властивостей активної області докладно вивчався вплив типу провідності, виду і концентрації легуючої домішки на параметри випромінювання в широкому діапазоні рівнів збудження та температури.

Дослідження на GaAs, вирощеному за методом Чохральського, показали, що при підвищенні рівня легування від 10¹⁶ до (2-4)•10¹⁸ см^-3 поріг генерації як при 80К, так і при 300К знижується в 4-5 разів, а потужність і ККД зростають.

Мінімальна порогова щільність струму j_пор = 06-09 A/см² при 80К була у кристалів з n=(1-2)•10¹⁸см^-3, при 300К - j_пор = 3 A/см² у зразків з концентрацією (2-4)•10¹⁸ см^-3. При подальшому збільшенні ступеня легування поріг зростав, а лазерний ефект зникав. На зразках з оптимальною концентрацією при T=85 К були отримані значення потужності випромінювання 400-500 Вт при ефективності 25-35%.

На основі дослідження люмінесцентних і структурних властивостей GaAs визначені, відповідно до випромінювальних характеристик, оптимальні режими росту кристалів. Показано, що саме дефекти нестехіометрії були відповідальні за зниження квантового виходу в об'ємних злитках.

Лазерний ефект в кристалах групи А₂В₆ вивчався на спеціально легованих кристалах. Для дослідження впливу домішок на лазерні характеристики були вивчені зразки CdS, спеціально леговані мілкою донорною домішкою - хлором і мілким акцептором - натрієм N_дом ~10¹⁷-10¹⁸ см^-3. Було встановлено, що при 300К мінімальні пороги ~2-3 A/см² і максимальні ККД до 10-12% досягаються в кристалах з високим вмістом акцепторних домішок N_A ~10¹⁸ см^-3. Потужність випромінювання досягала 200-300 Вт. При 80К у таких кристалів також виявилися низькі пороги 0,5-0,8 A/см² і високі ККД біля граничних значень 25ч30%. У той же час, у нелегованих зразках при 300К j_пор становили 25-30 А/см², генерація практично не була досягнута, а спостерігався лише початок звуження лінії люмінесценції. При 80К параметри випромінювання в цих кристалах також були істотно гірші - j_пор ~ 2-3 А/см², ефективність не вище 5%.

Досліджені параметри лазерів на кристалах GaAlAs, GaAlSb. Залежність енергії фотонів стимульованого випромінювання від порогової щільності струму j_пор лазерів на твердому розчині Ga_1-xAl_xAs - GaAs показала, що j_пор при T = 83 К для легованих зразків n - типу (hн < 1,8 еВ) досить низькі і становили 0,6ч0,9 А/см² (швидкість генерації G=(4,8-7,2)•10²⁵ см^-3.с^-1). Зі збільшенням “” (hн < 1,8 еВ) порогова щільність струму зростала.

Існує кілька причин зниження значень потужності й ККД лазерів зі збільшенням ширини забороненої зони. Однією з причин низької ефективності лазерів може бути нерівномірний розподіл алюмінію по товщині активної області - зменшення вмісту Al до поверхні й виникнення внаслідок цього градієнта ширини забороненої зони. Нерівноважні електрони за час життя можуть стікатися до поверхні кристала, де, як відомо, рекомбінація носить безвипромінювальний характер.

Для створення лазерів в області довжини хвиль < 1,6 мкм були досліджені епітаксійні плівки Ga_1-xAl_xSb змінного складу. Досліджувалися тверді розчини в області сполук 0<X<0,65, в основному, леговані телуром до концентрацій (5-8)•10¹⁷ см^-3.

Саме короткохвильове випромінювання, що було зафіксовано в Ga_1-xAl_xSb, становило 0,84 мкм (X=0,645). Лазерний ефект у n - Ga_1-xAl_xSb спостерігається тільки в зразках з 0<X<0,2, при цьому довжина хвилі генерації поблизу порога лежала в діапазоні 1,57-1,122 мкм. Зміна ширини забороненої зони твердого розчину Ga_1-xAl_xSb від складу при T = 85 К можна описати наступною залежністю:

E_g(X) = E_g⁰ + kx (3)

Порогова щільність струму у Ga_1-xAl_xSb виявилася порівняно низькою, а ККД досить високим: в зразках з малим вмістом Al (x<0,1) становили j_пор < 0,1-0,2 А/см², а ККД ~25-15%.

Досліджено процес генерації лазерів на четверних твердих розчинах груп А₂В₆ і А₃В₅.

Твердий розчин Ga_xIn_1-xAs_yP_1-y на підкладці InP дозволяє створювати джерела випромінювання з довжиною хвилі 0,9-1,7 мкм. В епітаксійних шарах Ga_xIn_1-xAs_yP_1-y - InP забезпечується повна відповідність параметрів гратки підкладки й епітаксійного шару в інтервалі ширини забороненої зони 0,8-1,35 еВ (300К). Експериментальні дослідження спонтанного й лазерного випромінювання епітаксійних структур Ga_xIn_1-xAs_yP_1-y - InP продемонстрували високі люмінесцентні властивості цієї сполуки й перспективність її використання як активного середовища для лазерів.

Четверний твердий розчин Ga_1-xIn_xSb_1-yAs_y - GaSb дозволяє створювати джерела, що працюють у спектральному діапазоні 1,8ч3,2 мкм. Досліджувалися структури як спеціально нелеговані (p - тип, p₀ ? 10¹⁷ см^-3), так і леговані телуром з n₀ = (0,5 -1)•10¹⁸ см^-3. Генерація лазерного випромінювання спостерігалася у всьому діапазоні температури від 80 до 300К, причому параметри випромінювання практично не залежали від типу провідності. При 80К довжина хвилі генерації знаходилася в діапазоні 1,8ч2,2 мкм, при 300К - в області 2,05-2,36 мкм. Пороги були порівняно невисокі і у найбільш досконалих структурах становили ~0,1-0,2 А/см² при 80К и 0,7-2 А/см² при 300К. Однак диференційна ефективність лазерів, усереднена по всій опроміненій поверхні, не досягала граничних значень і становила 10% при 80К и 6% при 300К. Значення локального ККД були вище ~15% і 8%, відповідно. Однак, на відміну від своїх бінарних аналогів GaSb і InAs, у четверній сполуці Ga_1-xIn_xSb_1-yAs_y - GaSb спостерігається більш слабка залежність порогової щільності струму й диференційної ефективності від температури.

Напівпровідникові лазери на структурі InAs_1-x-ySb_xP_y - InAs були створені в спектральному діапазоні 3,1-3,7 мкм (80К), що дозволило просунутися в більш довгохвильову область у порівнянні з InAs. Потужність випромінювання була досить високою і у кращих зразків перебувала на рівні 100 Вт, а ККД ?8%, щільність порогового струму лазерів була не більше 0,3 А/см² (з врахуванням площі випромінюючих областей ККД - ?10-15%).

Досліджено залежність характеристик НЛЕН від умов збудження.

Дослідження проводилися на прискорювачі типу “Еліт-1”, що працює в імпульсному режимі з наступними параметрами електронного пучка: енергія електронів у пучку 250-800 кеВ, тривалість імпульсу струму 10-100 нс, частота проходження 1-25 Гц. Діаметр пучка 8 мм при максимальній щільності струму ~25 А/см² .

Досліджено залежність потужності випромінювання від дози електронів і їхньої енергії в пучку. Падіння потужності лазера з дозою опромінення пов'язано, в основному, із зменшенням квантового виходу випромінювальної рекомбінації й збільшенням порога генерації. Ці зміни відбуваються за рахунок того, що в процесі опромінення утворюються радіаційні порушення, які вносять додаткові канали рекомбінації нерівноважних носіїв заряду.

Виявилося, що опромінення кристалів при охолодженні рідким азотом приводило до більш значної, ніж при 300К, зміни параметрів лазерів: швидкість падіння потужності і збільшення порога зростали приблизно в 4-5 разів у порівнянні з 300К.

У третьому розділі представлені моделі деградації напівпровідникових лазерів з електронним накачуванням (НЛЕН). Вивчення процесів деградації джерел когерентного випромінювання й можливих шляхів їхнього усунення - фундаментальна проблема лазерної техніки. Рішення цієї проблеми обумовлює практичне застосування лазерів у різних галузях науки й техніки, підвищення терміну служби, надійності їхньої роботи й стабільності вихідних параметрів у режимі максимальної потужності. У цей час немає єдиного теоретичного уявлення про механізми деградації, як у твердотільних, так і інжекційних лазерах. У випадку напівпровідників ці труднощі збільшуються тим, що напівпровідникові кристали більш неоднорідні, ніж твердотільні.

В розділі наведені результати дослідження катастрофічної деградації лазерів на основі GaAs і CdS. Для охолоджуваних лазерів на GaAs критична щільність потужності руйнування при 80К становила 5-15 МВт/см², при цьому диференційна квантова ефективність знижувалася, а поріг генерації залишався без зміни. Процеси катастрофічної деградації при 80К супроводжувалися значними механічними руйнуваннями поверхні дзеркал резонатора, які іноді поширювалися за межі активного шару (тобто >5 мкм), і ушкодженнями полірованої поверхні, яку опромінює електронний пучок.

Було виявлено, що величина критичної щільності потужності випромінювання залежала від вихідних властивостей арсеніду галію і, у першу чергу, від щільності дислокацій. У зразках, де щільність дислокацій становила ?10⁵ см^-2, вона була вкрай низкою 2-4 МВт/см² у порівнянні із кристалами з N_{D =} (1-5)•10³ см^-2, де 10-15 МВт/см².

Величина залежала від типу легуючої домішки: у кристалах типу, легованих цинком, вона була нижче 2-9 МВт/см². З ростом рівня легування (телур, n > 10¹⁸ см^-3) значення зменшувалося. Це обумовлено збільшенням щільності й розміру мікронеоднорідностей.

Аналіз експериментальних результатів дозволяє виділити три основних процеси деградації: на дефектах обробки поверхні; на мікронеоднорідностях; у світлових каналах в однорідних кристалах.

Явище повільної деградації, тобто поступове падіння потужності випромінювання протягом тривалої роботи лазерів у докритичних режимах, в охолоджуваних кристалах виявлено не було. Виготовлені на основі кращих кристалів GaAs відпаяні джерела когерентного випромінювання проробили більше 200 годин й ознак деградації не виявили.

Дослідження неохолоджуваних лазерів при кімнатній температурі показали, що значення критичних світлових потоків руйнування були істотно менше, ніж при низькій температурі, і становили (2-9)•10⁶ Вт/см². Виявлені ознаки повільної деградації.

Вплив власного лазерного випромінювання може привести до виникнення в кристалі термічних напруг, які залежно від пластичності матеріалу викликають або крихке руйнування зразка, або утворення і розмноження дислокацій. Ознак поступової деградації за умови не спостерігалося. Поріг генерації в таких лазерах після випробувань протягом 5 годин не збільшувався.

Характер деградації лазерів із CdS трохи відрізнявся від аналогічного явища в арсеніді галію. В охолоджуваних лазерах також спостерігалася катастрофічна деградація під дією власного лазерного випромінювання, пороги були значно нижче й становили 2-4 МВт/см². Більш низькі значення щільності потужності руйнування обумовлені неоднорідністю кристалів CdS. Крім того, теплопровідність CdS нижче, ніж GaAs. І, нарешті, кристали CdS мають меншу механічну міцність.

На основі експериментальних результатів створена аналітична модель процесу деградації лазерів з електронним накачуванням. Експериментально доведено, що процес деградації напівпровідникових лазерів прямо пов'язаний з генерацією й розмноженням дислокацій під час роботи лазера. При критичних значеннях і щільності дислокацій відбувається механічне руйнування матриці кристала.

Пропонується наступна модель досліджуваного явища. У ядрі дислокації виникають більші напруги, що ведуть до зсуву окремих атомів і деформації гратки кристала. Деформація гратки в ядрі дислокації приводить до зміни ширини забороненої зони на величину ?E₁:

, (4)

де E_g - ширина забороненої зони напівпровідникового кристала; б - період гратки; ?б - його зміна при деформації.

Ця зміна порядку 10^-2 еВ для гвинтової дислокації й 10^-1 еВ - для крайової. Це, у свою чергу, приводить до збільшення ширини забороненої зони на ?E₂, що за порядком величини дорівнює ?E₁:

, (5)

де , б₀ - коефіцієнт поглинання при незаповненій зоні, б - коефіцієнт поглинання при заповненій зоні.

Таким чином, коли лазер починає працювати, вихідні дислокації, які перебувають у кристалі, не можуть поглинати лазерне випромінювання через те, що ширина забороненої зони в ядрі дислокації більше ширини забороненої зони напівпровідникового кристала E_g й енергії лазерного кванта :

(6)

Однак, у процесі роботи лазера, коли щільність потужності його випромінювання наближається до критичної , напруженість електричного поля в лазерному промені стає значною:

В/см (7)

Величина для напівпровідникових лазерів змінюється в межах ~ (10³-10⁵) В/см. Вплив цього поля на дислокацію полягає в тім, що в ньому зрушується край власного поглинання ядра дислокації убік меншої енергії фотонів, тобто більш довгих хвиль. Інакше кажучи, ширина забороненої зони в ядрі дислокації зменшується на величину:

(8)

Вірогідність утворення дислокаційної лавини із щільністю дислокацій , необхідних для утворення й розвитку мікротріщин, має вигляд:

, (9)

де с_Д - щільність дислокацій, що утворяться в напівпровіднику за 1 секунду; - початкова (вихідна) щільність дислокацій; L - середній розмір дислокаційної лавини, що припадає на 1 см².

З (9) одержимо середній час поширення дислокаційної лавини:

(10)

Середню швидкість процесу руйнування кристала (число міжатомних зв'язків, що розриваються в одиницю часу) можна представити формулою (за аналогією з механізмом дифузійного руйнування металів):

, (11)

де N - число напружених зв'язків на довжині в 1 см; - частота власних теплових коливань атомів у кристалічній гратці; E₀ - енергія розриву міжатомних зв'язків у гратці; - постійна Больцмана; T - абсолютна температура.

З виразів (10) і (11) знайдемо середню довжину утворених мікротріщин:

(12)

Таким чином, лавиноподібний процес розмноження дислокацій під дією власного випромінювання напівпровідникового лазера визначає лавиноподібний характер розвитку й розмноження мікротріщин у кристалі. Цей процес триває безупинно до загального механічного руйнування поверхні торців лазерного резонатора. Запропонована модель механізму деградації дозволить зробити вибір напівпровідника й оцінку режиму роботи лазера в умовах підвищеної потужності випромінювання.

У четвертому розділі науково обгрунтовані конструкторські та технологічні заходи покращення характеристик НЛЕН: зменшення порогів генерації, збільшення потужності випромінювання, стійкості до дії зовнішних та внутрішних факторів. На підставі виконаних досліджень обгрунтовані вибір і сформульовані вимоги до напівпровідникових матеріалів й умов їхньої роботи для створення ефективних і стабільних лазерів із заданою довжиною хвилі випромінювання в інтервалі 0,5-4,0 мкм. (табл.1).

Таблиця 1. Параметри напівпровідникових лазерів з електронним накачуванням (НЛЕН)

№ з/п	Робоча речовина напівпровідникової мішені	Положення максимуму спектра випроміню-вання, нм	Максимальна потужність випро-мінювання при ф=10-7с, Вт	Тривалість імпульсів, с	Частота проходження импульсів, Гц
1	GaAs	830	300	2. 10-10 - 10-6	10-500
2	GaSb	1620	50-100	2. 10-8 - 10-6	10-1000
3	Ga1-xAlxSb	1120-1590	-- “ --	10-9 - 10-6	10-500
4	Ga1-xInxSb1-yAsy	1950-2040	20-60	2. 10-8 - 10-6	10-500
5	GaxIn1-xAsyP1-y	1060	100	-- “ --	-- “ --

Конструкція напівпровідникових активних елементів визначається як видом накачування (поперечним або поздовжнім), так і призначенням приладу. У приладах з поперечним накачуванням, у яких діаметр променя становив 1-2 мм, мішень являє собою одиночний напівпровідниковий кристал, виконаний у вигляді резонатора Фабри-Перо. У приладах з великим діаметром електронного променя (5-10 мм) використовувалася багатоелементна мішень, що складається з одиночних резонаторів, припаяних на окремі молібденові кристалотримачі або на монолітний металевий тримач, який має посадкові місця для кристалів у вигляді “драбинки”.

Технологія виготовлення лазерів з електронним накачуванням має специфічні вимоги до напівпровідникових резонаторів, збуджуваних електронним променем.

Розглянуто принцип підвищення потужності когерентного випромінювання шляхом використання у НЛЕН багатоелементних мішеней.

Поділ напівпровідникової пластини на окремі комірки, оптично незалежні одна від одної, є практичною реалізацією багатоелементного лазера. На мішенях досить великого розміру можна одержати потужність випромінювання ~ 105 - 2,3.106 Вт і більше.

Повна оптична ізоляція елементів мішені, що досягається шляхом виготовлення прохідних пазів і заповнення їх поглиначем, а також оптимізація геометричних розмірів окремого елемента й коефіцієнта відбиття R₂ дозволили досягти питомої потужності лазерного випромінювання, порога генерації і ККД на багатоелементних мішенях, близьких до параметрів лазерного випромінювання вихідного матеріалу.

Максимальна імпульсна потужність лазерного випромінювання, отримана на мішені із сульфіду кадмію, становила 9 МВт при площі випромінюючої області ~ 7 см², а на мішені з арсеніду галію - 1,7 МВт при площі ~ 1 см². При цьому енергія світлового імпульсу, обмірювана каліброваним калориметром, була 55 мДж на CdS й 17 мДж на GaAs.Використовувалося пасивне охолодження активного елемента, при якому енергія електронного пучка, що виділилася, йде на розігрів сапфірової підкладки.

(13)

ВИСНОВКИ

Сучасна оптоелектроніка експлуатує напівпровідникові інжекційні лазери (НІЛ). Окрім відомих переваг, їм властивий ряд суттєвих недоліків, пов'язаних з необхідністю створення p-n - переходу та омічних контактів. Для усунення таких недоліків слід використовувати напівпровідникові лазери з електронним накачуванням (НЛЕН). При цьому з'являється можливість використання значно більшого кола напівпровідникових з'єднань груп А2В6 і А3В5 і твердих розчинів на їх основі, суттєво розширити діапазон значень довжини хвилі випромінювання, збільшити потужність випромінювання, термін служби приладів тощо.

У дисертаційній роботі наведене теоретичне узагальнення і нове вирішення актуальної наукової задачі, що полягає в удосконаленні методів, методик конструкторських і технологічних заходів покращення експлуатаційних характеристик НЛЕН.

Головні наукові та практичні результати роботи.

1. Удосконалено моделі, що описують залежності основних характеристик напівпровідникових лазерів з електронним накачуванням на основі сполук груп А₂В₆ і А₃В₅ від фізико-хімічних властивостей матеріалу активного середовища та умов його збудження.

Наукова новизна полягає у тому, що на відміну від відомих, удосконалені моделі визначають комплексно залежність спектральних і енергетичних характеристик приладів від зонної структури, умов легування матеріалу активного середовища, а також від рівня його збудження електронним пучком.

2. Запропоновані моделі процесів деградації активного середовища таких лазерів.

Відмінною особливістю цих моделей, що визначає їх наукову новизну, є встановлення ефекту самофокусування і руйнування матеріалу у світлових каналах, проявлення деградації через пластичну деформацію кристалу, уточнення механізму повільної деградації для CdS та GaAs.

3. Визначені закономірності впливу електронів з енергією вище порога утворення дефектів на властивості матеріалів активного середовища та характеристики лазерів даного типу. Розроблена методика підвищення стійкості властивостей сполук А₂В₆ і А₃В₅ шляхом імпульсного радіаційного відпалу.

Наукова новизна результатів досліджень полягає у визначенні порогу виникнення дефектів в умовах електронного накачування кристалів CdS та GaAs, граничної дози їх опромінення до зміни властивостей, встановленні ефекту відпалу дефектів при імпульсному опроміненні.

4. Науково обґрунтовані конструкторські та технологічні засоби, що дозволяють покращувати основні параметри лазерів даного типу.

Особливістю цих результатів, що визначає їх наукову новизну, є формулювання вимог до матеріалу, конструкції та технології виготовлення приладів, визначення умов усунення побічної (повздовжньої) генерації випромінювання, пропозиції застосування та технології виготовлення приладів з багатоелементними мішенями.

5. На основі отриманих наукових результатів запропоновано методики вибору властивостей те технології виготовлення активного середовища ефективних НЛЕН, створені експериментальні зразки лазерів на основі сполук А2В6 і А3В5 та їх твердих розчинів, забезпечено підвищення надійності приладів, запропоновано технологію виготовлення багатоелементних мішеней для підвищення потужності випромінювання лазерів.

Таким чином, сукупність отриманих у дисертації нових наукових результатів, їх наукова та практична значимість дозволяють вважати, що сформульоване вище наукове завдання вирішено, а мета дослідження досягнута.

СПИСОК ОПУБЛІКОВАНИХ АВТОРОМ ПРАЦЬ ЗА ТЕМОЮ ДИСЕРТАЦІЇ

1. Напівпровідникові лазери з електронним накачуванням. Том 1. Механізми генерації, властивості випромінювання. Монографія / О.С. Гаркавенко, С.В. Лєнков, В.А. Мокрицький, О.С. Пашков. - Одеса, Поліграф, 2006.- 442 с.

2. Лєнков С.В., Пашков О.С., Видолоб В.В. Дослідження модуляційних властивостей кристалів CdS в інфрачервоному діапазоні при оптичному накачуванні // Збірник наукових праць Військового інституту Київського національного університету імені Тараса Шевченка. - К., 2006. - №3. - С. 56-59.

3. Пашков О.С. Моделі деградації інфрачервоних випромінювачів// Збірник наукових праць Військового інституту Київського національного університету імені Тараса Шевченка. - К.: 2006. - №4. - С. 92-98.

4. Лукомський Д.В., Мариненко О.А., Пашков О.С. Пасивація поверхні фотоелектричних перетворювачів за допомогою окислу кремнію в умовах серійного виробництва // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Військово-спеціальні науки. - К.: 2007. - №14. - С. 17-19.

5. Лєнков С.В., Видолоб В.В., Пашков О.С. Дослідження впливу термічних градієнтів при виготовленні електронних приладів на процеси дефектоутворення // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Військово-спеціальні науки. - К.: 2006. - №15. - С. 77-80.

6. Пашков О.С. Аналіз природи переходів в задачах підвищення ефективності генерації в лазерах GaAs // Нові технології. - Кременчук. - 2006. - №4 (14). - С. 16-20.

7. О.S. Pashkov. Investigation of laser effect in specially neat and doped crystals СdS // Межведомственный научный сборник “Фотоэлектроника”. - Одеса. - 2007. - № 16. - С. 19-21.

8. Мокрицький В.А., Лепіх Я.І., Пашков О.С. Властивості оптичних вікон для сенсорів ІЧ діапазону фазометрів // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - Одеса. - 2007. - № 1. - С. 35-37.