Структура аморфних плівок напівпровідників системи Ge-Sb-Se
Встановлення загальних закономірностей формування структури різного масштабу в аморфних напівпровідникових плівках системи Ge-Sb-Se. Закономірності впливу вихідної структури конденсатів на фазові переходи, стимульовані зміни і релаксаційні процеси в них.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 28.09.2015 |
| Размер файла | 50,9 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Ключевые слова: халькогенидные полупроводники, аморфные пленки, структура, ближний порядок, промежуточный порядок, нанонеоднородности, полиаморфизм.
SUMMARY
Kovtunenko V.S. Structure of amorphous films semiconductors of Ge-Sb-Se system. Manuscript.
Thesis for Candidate of Science degree in physics and mathematics in speciality 01.04.10 - Physics of semiconductors and insulators. - Uzhgorod National University, Uzhgorod, 2009.
Complex experimental researches regularities formation structure of thin amorphous films semiconductors on the whole triple system on three levels (shot-range level, intermediate level and nanostructure) were conducted. In Gibbs triangle of Ge-Sb-Se system for the first time the main concentration areas were discovered, in every of which condensation with substantially different structure types of atomic network and amorphous matrix is realized. Suggested model, according to which substantially differences in amorphous films structures of different groups are caused by different mass spectrometric steam phase composition.
For all amorphous films Ge-Sb-Se system in the glass-formation field the existence of intermediate level was discovered in the form of spatial correlation statistically distributed in the space of different molecular and quasi-molecular structural fragments. Chemical composition, correlation of different fragments and the nature of their combination in disordering network of amorphous structure are determined by parameters of vapor stream on the surface and by the condensation's conditions. The discovered formation regularities of intermediate level for amorphous condensation Ge-Sb-Se system repeat tendencies typical for semiconductors films and glasses of others chalcogenides systems.
Structural model is substantiated, according to which amorphous films formations in all Ge-Sb-Se system is determined by the complex activity of the whole set of internal and external factors, which cause multiparameters atomic network formation processes and amorphousation condensates of the given system.
Display regularities formation mechanism and quantitative parameters amorphous films nano-inhomogeneity in Ge-Sb-Se system are determined. In nano-homogeneous films of many compositions display effect of phase division was discovered, which lead to formation of structurally homogeneous but phase inhomogeneous amorphous condensates. In nano-inhomogeneous films phase division of amorphous matrix was not discovered.
Key words: chalcogenides semiconductors, amorphous films, structure, shot-range level, intermediate level, nano-inhomogeneity, polyamorphism.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Зміни властивостей на передкристилізаційних етапах. Причини високої корозійної стійкості аморфних сплавів. Феромагнетизм і феримагнетизм аморфних металів. Деформація і руйнування при кімнатній температурі. Технологічні особливості опору аморфних сплавів.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 20.12.2013Вивчення процесу утворення і структури аморфних металевих сплавів. Особливості протікання процесу аморфізації, механізмів кристалізації та методів отримання аморфних і наноструктурних матеріалів. Аморфні феромагнетики. Ноу-хау у галузі металевих стекол.
курсовая работа [2,3 M], добавлен 09.05.2010Вивчення зонної структури напівпровідників. Поділ речовин на метали, діелектрики та напівпровідники, встановлення їх основних електрофізичних характеристик. Введення поняття дірки, яка є певною мірою віртуальною частинкою. Вплив домішок на структуру.
курсовая работа [1002,2 K], добавлен 24.06.2008Розмірні і температурні ефекти та властивості острівцевих плівок сплаву Co-Ni різної концентрації в інтервалі товщин 5-35 нм та температур 150-700 К. Встановлення взаємозв’язку морфології, структури та електрофізичних властивостей надтонких плівок.
дипломная работа [1,2 M], добавлен 12.12.2011- Моделювання перехідних процесів у системі електропривода ТП-Д за допомогою програмного пакету MatLab
Система електропривода ТП-Д. Введення структури моделі системи ТП-Д у програму MatLab. Перехідний процес розгону системи ТП-Д з нерухомого стану до сталого при подачі на систему східчастого впливу. Наростання вихідного сигналу. Напруга на вході системи.
лабораторная работа [713,1 K], добавлен 19.09.2013 Електроживлення об’єкту - сукупність електроустаткування, технічно взаємозв'язаного між собою. Загальні відомості про системи електроживлення: структура, види, характеристики. Особливості узагальненої структури системи електроживлення військового об’єкту.
лекция [56,3 K], добавлен 17.02.2012Класифікація напівпровідникових матеріалів: германія, селену, карбіду кремнію, окисних, склоподібних та органічних напівпровідників. Електрофізичні властивості та зонна структура напівпровідникових сплавів. Методи виробництва кремній-германієвих сплавів.
курсовая работа [455,9 K], добавлен 17.01.2011Фазові перетворення, кристалічна структура металів. Загальний огляд фазових перетворень. Стійкість вихідного стану. Фазово-структурні особливості в тонких плівках цирконію. Динаміка переходів цирконію, розрахунок критичної товщини фазового переходу.
курсовая работа [3,7 M], добавлен 02.02.2010Навчальна програма для загальноосвітніх шкільних закладів для 7-12 класів по вивченню теми "Напівпровідники". Структура теми: електропровідність напівпровідників; власна і домішкова провідності; властивості р-п-переходу. Складання плану-конспекту уроку.
курсовая работа [3,2 M], добавлен 29.04.2014Електрофізичні властивості гранульованих плівкових сплавів в умовах дії магнітного поля. Дослідження електрофізичних властивостей двошарових систем на основі плівок Ag і Co, фазового складу та кристалічної структури. Контроль товщини отриманих зразків.
дипломная работа [3,9 M], добавлен 08.07.2014
