Ефекти кластеризації радіаційних дефектів в атомарних і бінарних напівпровідниках

На нашу думку, можна запропонувати і такий шлях підвищення радіаційної стійкості детекторів ядерного випромінювання. Для цього потрібно Sі легувати глибокими донорними домішками, а саме: хромом (Cr) (Е_с 0,4 еВ) чи сіркою (S) (Е_с 0,18 еВ) у необхідній концентрації (10¹⁵ 10¹⁶) см^_3, а в процесі опромінення поступово підвищувати температуру детектора, щоб компенсувати радіаційні дефекти. Температуру детектора можна регулювати за допомогою Si_0,7Ge_0,3 термоелектричного перетворювача.

Досліджувалася радіаційна стійкість високоомного р_Sі. Ефективну концентрацію носіїв у залежності від флюенса опромінення швидкими нейтронами реактора було описано в рамках уточненої автором моделі кластерів дефектів. При цьому використовувалися швидкості введення донорного рівня (Е_v + 0,51 еВ) н_d = 0,06 см^_1 та акцепторного рівня (Е_V + 0,42 еВ) н_a = 0,1 см^_1. Кластери дефектів із середнім радіусом R₁ = 36 Е вводилися з імовірністю = 0,15 см^-1. Радіаційна стійкість р_Sі:, де р₀ - концентрація дірок до опромінення; н_a^* , н_d^* - швидкості введення та видалення дірок в та з валентної зони рівнем Е_V + 0,42 еВ і Е_v + 0,51 еВ при температурі 293 К відповідно. Імовірність додаткового перекриття кластерів дефектів дорівнювала ₁ = 10^-3 см^_1, а радіаційна стійкість n^o•см^_2. Дійсно, при дозі 6 • 10¹³ n^o•см^_2 рівень Фермі стабілізується в положенні Е_V + 0,476 еВ (р = 8 • 10¹⁰ см^_3).

Забезпечення космічних апаратів та супутників джерелами електричної енергії завжди є актуальним. Ядерну енергію реакторів чи радіоактивних джерел можна перетворити в електричну енергію за допомогою термоелектричних матеріалів типу Cu₂Se, Si_0,7Ge_0,3, Bi₂Te₃, MnSi_1,75 та інших. Радіаційній стійкості цих сполук завжди приділялася особлива увага.

У цьому відношенні досліджувалися зразки n_ і p_типу провідності твердого розчину Sі_Ge з питомим опором ~10^_3 Омсм, одержані методом високотемпературного спікання (900 ^оС) та леговані природною сумішшю ізотопів фосфору і бору. Опромінення у вертикальних каналах реактора проводилося при температурі (200 550) ^оС. Природно припустити, що, як і у випадку опромінення 24 ГеВ протонами, швидкі нейтрони реактора утворюють зародки дефектів з імовірністю ₀ = 0,15 см^_1, на яких кластеризуються створювані швидкими нейтронами вакансії. Ці зародки стабільні навіть при температурі 900 ^оС. При наявності атомів ¹⁰В за рахунок реакції ¹⁰В(n,б)⁷Li атоми ⁷Lі додатково створюють зародки кластерів дефектів:, де (3838 барн) - переріз захоплення теплових нейтронів ¹⁰В; p - концентрація легуючої домішки (см^_3); - частка атомів ¹⁰В; R - відношення густин потоків теплових та швидких нейтронів; ₀ _ макроскопічний переріз утворення швидкими нейтронами кластерів дефектів. На рис. 10 представлено дозову залежність питомого опору зразків р_Sі_0,7Ge_0,3, легованих: (1) - природною сумішшю ізотопів бору та (2) - які містять 99 % ¹¹В і опромінених реакторним спектром нейтронів при температурах (420 550) ^оС відповідно.

Розрахунок питомого опору проведено в рамках теорії ефективного середовища. У першому випадку 45 Е, = 0,375 см^_1, R = 2, = 0,198, ₀ = 0,15 см^_1, а в другому 49 Е, = 0,152 см^_1 було використано при обчисленнях (Ф). Тоді легко показати, що атоми ⁷Lі з найбільш імовірною енергією ~1 МеВ створюють у p_Sі_0,7Ge_0,3 кластери дефектів із середнім розміром = 42 Е. На рис. 10 представлено дозову залежність питомого опору зразків n_ і р_Si_0,7Ge_0,3 (криві 2 і 1), опромінених при температурі 420 ^оС від флюенса швидких нейтронів реактора. Розрахунок показав, що швидкі нейтрони в зразку n_Sі_0,7Ge_0,3 створюють кластери дефектів із середнім радіусом = 41 Е з імовірністю ₀ = 0,15 см^_1. Збільшення ймовірності анігіляції пар Френкеля за рахунок їх більшої рухливості в негативно зарядженому стані зменшує усереднений радіус кластерів дефектів у n_Sі_0,7Ge_0,3.

Теорія ефективного середовища передбачує зростання рухливості дірок у р_типі та зменшення в n_типі Sі_Ge сплаву при температурі опромінення. Дійсно, після опромінення при вимірюванні при кімнатній температурі рухливість електронів зменшилася в ~ 10 разів, а рухливість дірок зросла в ~ 1,4 рази. Явище збільшення рухливості дірок та зменшення рухливості електронів, очевидно, обумовлюється напругою деформації, яка створюється кластерами дефектів. Електричні та деформаційні поля, що виникли навколо кластерів, не тільки сприяють утриманню дефектів [35], але й надалі вони активно взаємодіють з домішками [36] та радіаційними дефектами, істотно підвищуючи концентрацію дивакансій у розупорядкованій області. Природно припустити, що кластери дефектів можуть слугувати стоками для легуючих домішок бору і фосфору. При високій температурі опромінення (~ 400 ^oC) атоми фосфору залишалися електрично-активними, якщо вони не були захоплені в кластери чи преципітатами, атоми бору теж зберігали свою електричну активність як у провідній матриці зразків, так і при захопленні в кластери. Зміна концентрації носіїв у провідній матриці n_Sі_0,7Ge_0,3 і в кластерах дефектів у р_Sі_0,7Ge_0,3 прямо пропорційна частці об'єму захоплення в кластери чи преципітати:. Тут р - максимальна концентрація бору та фосфору, що висадилися в об'ємі захоплення в кластери чи вийшли з провідної матриці відповідно р_ і n_Si_0,7Ge_0,3. Тоді - концентрація носіїв у провідній матриці напівпровідника, а - концентрація носіїв у кластерах.

Розрахунок термоерс () зразків n_ і р_Sі_0,7Ge_0,3 від флюенса швидких нейтронів з урахуванням перерозподілу легуючих домішок фосфору і бору представлено на рис. 11. Термоерс розраховувалася в рамках теорії ефективного середовища:, де F_1/2 інтеграл Фермі степені 1/2; N_V - густина станів у валентній зоні; - відношення сталих Холла до і після опромінення дозою Ф.

Іншим перспективним термоелектричним матеріалом, концентрація носіїв в якому може бути змінена шляхом варіювання стехіометричного складу, є селенід міді Cu_{2_}Se, де 2 10²² см^_3 - концентрація дірок у зразках. У припущенні, що кожен розсіяний швидкий нейтрон передає атомам Cu і Se енергію достатню, щоб утворилися шляхом кластеризації дефектні скупчення, одержано переріз утворення кластерів дефектів = 0,239 см^_1 в р_Cu_2-Se. На рис. 12 представлено залежність термоерс р_Cu_{2_}Se від флюенса швидких нейтронів реактора, яка від дози ~1,5 10¹⁹ n^oсм^_2 поступово зменшується. Створення вакансій міді під опроміненням приводить до зростання концентрації дірок, а кластери дефектів слугують для них стоками.

У рамках теорії ефективного середовища було описано дозову залежність термоерс (Ф) при R₁ (27 30) Е, а радіус захоплення атомів міді R_а 46 Е. Атоми ґратки, які оточують кластери дефектів, релаксують, що приводить до розтягування ґратки у деякому об'ємі радіуса R_a. Експериментальні дані показують, що концентрація дефектів у р_Cu_2-Se при повному перекритті кластерів дефектів дорівнювала (6,2 8,3) 10²⁰ см^_3, а в n_ і p_Si_0,7Ge_0,3 - 1,4 10²⁰ см^_3.

У шостому розділі розглянуто термічний, резонансний лазерний, радіаційний відпал простих дефектів та їх скупчень. Визначено параметри відпалу простих дефектів: енергію міграції, частотний фактор, порядок реакції. Розглянуто процеси анігіляції міжвузлових дефектів із матриці з вакансійними дефектами кластерів. Спостерігалася прискорена міграція міжвузлового типу дефектів під опроміненням, а також відпал кластерів при опроміненні при кімнатній температурі _квантами. Визначено ймовірність утворення зародків подальшої кластеризації дефектів після відпалу кластерів дефектів. Коли концентрація дефектів у твердому тілі перевищує рівноважний рівень при даній температурі, то за придатних умов ці дефекти будуть взаємодіяти один з одним і, таким чином, зменшувати вільну енергію кристала. Відпал можна описати за допомогою рівнянь, подібних до тих, які використовують у хімічній кінетиці. Для цього потрібно дефекту передати енергію E_a. Тоді частка дефектів, які мають цю енергію, визначається експоненціальним множником Больцмана exp(-Е_а/kT). Швидкість відпалу властивості "Р" дорівнює, де n - порядок реакції. Значення n знаходять із порівняння кривих відпалу при двох близьких температурах, які відповідають близько 50 % відпалу, де максимальна швидкість відпалу дефектів. Якщо кінетика відпалу першого порядку (n = 1), то А - це частотний фактор, якщо n > 1, то А = const. Експериментально спостерігається і ріст дефектів, і їх відпал, рознесені за температурою.

При цьому концентрація простих дефектів спочатку наростає, а потім зменшується при ізохронному відпалі. При ізотермічному відпалі скупчень дефектів може спостерігатися процес, коли дрібні скупчення відпалюються, а великі - ростуть.

У роботі досліджувався відпал зразків n_Sі<Ge> (N_Ge 2 10²⁰ см^_3), n₀ 5,5 10¹⁴ см^_3, опромінених швидкими нейтронами реактора. Аналіз температурних залежностей ефективної концентрації електронів за різних часів відпалу при температурах 80 і 106 ^оС показав характер зміни концентрації носіїв, видалених кластерами дефектів. Результати ізотермічного відпалу представлено на рис. 13. Відпал кластерів дефектів було описано за допомогою наступних реакцій:; (концентрація V₂ і V₃, у кластерах досягає 85 %), відповідно до рівняння:

Тут, , _ енергії міграції міжвузлових і диміжвузлових атомів та вакансій відповідно; n₀₁ і n₀₂ - число носіїв, які повернулися в зону провідності; n₀₃ - число носіїв, які знову захопилися кластерами, що залишилися.

Одержано: = 0,74 еВ, ₁ = 3,5 10⁶ с^_1; = 0,91 еВ, ₂ = 7 10⁶ с^_1. Вакансії захоплюються у великі кластери дефектів, що залишилися, з утворенням комплексів: V + V₂ V₃; V + V₃ V₄. Оскільки V₃ і V₄ мають більш глибокі енергетичні рівні в забороненій зоні Si<Ge>, то кластери будуть видаляти і більше носіїв.

Аналіз відпалу А_центрів, відповідно до експериментальних результатів роботи [37], показав наступні енергії активації відпалу А_центрів: 0,74; 0,91; 1,1; 1,3; 1,86 еВ. Відпал А_центрів у провідній матриці n_Sі, опроміненого швидкими нейтронами реактора, спостерігається з енергіями 1,1; 1,3; 1,5 еВ. Основними стоками для А_центрів є не атоми кисню O_і, а кластери дефектів, деформаційні поля яких зменшують енергію активації відпалу А_центрів (E_a = 1,5 еВ). А_центри в провідній матриці в процесі анігіляції з міжвузловими та диміжвузловими дефектами переорієнтуються (E = 0,38 еВ [38]), що збільшує енергію відпалу А_центрів.

При відпалі кластерів дефектів, утворених швидкими нейтронами реактора при Т = 287 К, у n_Si (Cz) (n₀ = 1,2 • 10¹⁴ см^_3) спостерігаються три стадії їх відпалу з енергіями активації 0,81; 0,40; 1,3 еВ. Якщо підвищуємо температуру опромінення n_Sі_0,7Ge_0,3 від (200 400) ^оС, коли спостерігаються дві стадії 1,25 і 1,5 еВ, до (450 550) ^оС - тоді спостерігається одна стадія відпалу ~1,9 еВ. Таким чином, при підвищенні температури опромінення в кластерах утворюються більш високотемпературні конфігурації радіаційних дефектів.

Як показано вище, перша стадія відпалу кластерів дефектів у n_Sі пов'язана з анігіляцією дивакансій і тривакансійних дефектів з міжвузловими і диміжвузловими атомами кремнію в n_Sі. Третя стадія (E_a = 1,3 еВ) пов'язана з міграцією дивакансій із кластерів на стоки. Відомо, що дивакансії в кремнії вже рухливі при температурі (450 520) К. Зменшення енергії активації відпалу кластерів пов'язане з кластеризацією дивакансій, відповідно до реакції V₂ + V₂ V₄. Тому енергія активації відпалу зменшується на величину енергії зв'язку дивакансій (Е = 0,9 еВ) у тетравакансії (V₄). Саме в цій температурній області лежить друга стадія відпалу кластерів дефектів.

Одним із шляхів підвищення радіаційної стійкості є використання відпалу для відновлення електрофізичних властивостей приладів. Відпал n_ і p_Sі_0,7Ge_0,3 при 900 ^оС свідчив про повне відновлення їх фізичних властивостей. Після опромінення флюенсом швидких нейтронів Ф 10¹⁹ n^o•см^_2 зразки p_Sі_0,7Ge_0,3 відпалювалися при 920 та 850 ^оС і повторно опромінювалися. Залежності питомого опору p_Si_0,7Ge_0,3 від флюенса представлено на рис. 14. Розрахунок питомого опору в рамках теорії ефективного середовища в припущенні, що зберігається середній радіус R₁ = 45 Е кластерів дефектів, дозволив визначити число зародків наступного утворення скупчень дефектів, які залишилися після цих відпалів. Переріз їх уведення для n_Sі, опроміненого швидкими нейтронами реактора, дорівнював = 2,5 • 10^-2 см^_1. Ці зародки будуть слугувати не тільки стоками для вакансій, але, можливо, на них буде відбуватися й анігіляція пар Френкеля, тобто, іншими словами, зародки будуть мати певну ємність.

Розрахунок показує, що необхідно зразок n_Sі попередньо опромінити флюенсом Ф 3 • 10¹⁵ n^o•см^-2 і відпалити при 850 ^оC на протязі години, щоб середній шлях пробігу вакансії для захоплення на цей стік склав S = 10³ Е, тобто був приблизно в 5 разів меншим, ніж середній шлях пробігу у випадку відсутності цих стоків.

Відомо [31], що в процесі опромінення вакансії та міжвузлові атоми мають малу енергію міграції, тобто дуже рухливі. Старіння зразків кремнію при кімнатній температурі обумовлюється відпалом кластерів дефектів, а під опроміненням можливе прискорення їх відпалу. На рис. 15 представлені температурні залежності рухливості електронів ( ) у n_Sі (Cz) до опромінення і після, спочатку швидкими нейтронами реактора, а потім різними дозами _квантів ⁶⁰Со. У роботі [39], показано, що, а оскільки, то Т_сr (d / ₀ = 0) визначає число кластерів в одиниці об'єму n_Sі. Тут А = 0,24 (Si (FZ)) і А = 0,44 (Si (Cz)).

У результаті розрахунку отримано, що після першої і другої дози _опромінення частка об'єму, зайнятого кластерами дефектів, зменшилася на 10 і 23 % відповідно. Таким чином, при _опроміненні зменшується енергія міграції міжвузлових атомів кремнію в провідній матриці, що прискорює відпал вакансійних дефектів у кластерах, оскільки _опромінення проводилося при кімнатній температурі не більше трьох годин.

Розрахунок температурних залежностей ефективної концентрації носіїв у p_Sі (FZ), опроміненому різними дозами швидких нейтронів реактора при температурі 287 К, показав різке зменшення швидкості введення рівнів дефектів: Е_V + 0,42 еВ; Е_v + 0,51 еВ і Е_V + 0,45 еВ при малих дозах опромінення. Витримка зразків при кімнатній температурі протягом трьох місяців привела до повного відпалу цих дефектів, які, згідно з табл. 3, належать акцепторному рівню I-^/0, донорним рівням I₂O_i^0/+ і I₂^0/+ відповідно. Відмінність енергій донорних рівнів Е_V + 0,45 еВ і Е_v + 0,51 еВ на ДЕ = 0,06 еВ, очевидно, пов'язана з присутністю кисню. Отже ([40], стор. 200) енергія міграції І⁰ дорівнює ~1,5 еВ, I- - 0,85 еВ, а I⁼ - 0,4 еВ. На рис. 16 представлена залежність швидкості видалення дірок з валентної зони p_Sі (FZ) (р₀ = 3,0 • 10¹² см^_3) від часу опромінення на горизонтальному каналі реактора швидкими нейтронами при температурі 287 К.

Під опроміненням дефекти міжвузлового типу змінюють зарядовий стан, що прискорює їх відпал. Одержані наступні значення енергії активації відпалу під опроміненням: I⁼ - E_a = 0,4 еВ, = 2 • 10³ с^_1; I₂⁰ - E_a = 0,42 еВ, = 4 • 10³ с^_1; I₂O_i⁰ - E_a = 0,42 еВ, = 2,5 • 10³ с^_1.

При витримці зразків p_Sі при кімнатній температурі відпалилися I₂, I, I₂O_i⁰ дефекти і кластери дефектів. Можливо, при відпалі I₂O_i⁰ дисоціює.

У випадку реакцій, які лімітуються дифузією [40], константу швидкості можна записати у вигляді, де R_eff - ефективний радіус взаємодії радіаційного дефекту зі стоком; D _ коефіцієнт дифузії дефекту. Середня довжина дифузії дефекту дорівнює радіусу атомного об'єма стоку:, де N_i - концентрація стоків у зразку за умови, що.

При концентрації стоків значно більшій, ніж концентрація дефектів, відпал дефектів можна представити [40] за допомогою рівняння:, де D₀ - частотний множник; E_m - енергія міграції дефекту на стоки; t - час відпалу.

За умови, що енергія активації міграції дефекту (E_m) дорівнює енергії активації відпалу, коефіцієнт дифузії (D) визначався при температурі максимальної швидкості відпалу дефекту (50 % відпалу дефекту), якщо не відома частота стрибків дефекта. При відсутності сильно корельованих пар Френкеля ефективний радіус взаємодії, згідно з [41], після інтегрування, можна визначити як, де U_b - енергія взаємодії; R₀ _ радіус захоплення на стік.

Дослідження відпалу радіаційних дефектів за даними, отриманими різними авторами, показали, що радіус захоплення міжвузловим киснем, вузловим вуглецем радіаційних дефектів у кремнії (вакансій, дивакансій, А_центрів) лежить у межах (3 4)_х постійних ґратки і енергетичним бар'єром, близьким до нуля. У випадку відпалу Е_центрів шляхом захоплення міжвузлового атома (I_Si) бар'єр зростає з 0,09 еВ до 0,4 еВ, якщо Е_центр знаходиться у від'ємному зарядовому стані. Аналіз ізотермічного відпалу кластерів дефектів, створених швидкими нейтронами реактора в n_Sі<Ge> при температурах 353 К і 379 К, показав, що радіус захоплення I_Si та I₂ у кластери дорівнює, [см]. Визначені коефіцієнти дифузії I_Si та I₂:;, [см²/c].

Інтерес до поведінки в активній зоні реактора при підвищених температурах n_ і p_Si_0,7Ge_0,3 обумовлений, у першу чергу, пошуком високотемпературних радіаційно-стійких термоелектричних перетворювачів [42]. Досліджено зразки n_ і p_типу провідності твердого розчину Sі_0,7Ge_0,3 з питомим опором ~(4 7) 10^_3 Омсм, отримані методом високотемпературного спікання та леговані природною сумішшю ізотопів фосфору і бору, які не зазнали довготривалого відпалу при 900 ^оС. Швидкі нейтрони передають при розсіюванні енергію атомам твердого тіла. У каскаді зміщених атомів відбувається інтенсивне перемішування атомів ґратки і легуючої домішки. Ці дискретні стохастичні події, пов'язані з миттєвим локальним підвищенням температури (_спалахи), статистично однорідно розподілені в об'ємі твердого тіла. Математичну сторону задачі було вирішено в роботі [43]. Показано, що форма тіла і граничні умови визначають лише середню температуру матеріалу і не позначаються на густині ймовірності _спалаху. Температура в цих локальних областях збільшується за короткий час до температури плавлення. Але тільки високі температури, близькі до температури Si_0,7Ge_0,3 плавлення, вносять основний вклад у частоту стрибків домішки. Можна припустити, що всі зміни, які мали місце в локальних областях розплаву, обумовленого _спалахами, почнуть проявлятися за умови, що їх частка в об'ємі зразка буде близькою до одиниці. Тоді радіаційне перемішування можна описати за допомогою дифузійних і релаксаційних процесів. У такому наближенні "фронт" температури в зразку в залежності від дози (Ф) буде змінюватися пропорційно частці об'єму перекристалізації і може бути представлений як;;, де флюенс швидких нейтронів реактора; V - об'єм радіуса R₂ області інтенсивного перемішування атомів; Т_ir, Т_m - температура опромінення і плавлення зразків. Тоді характеристичний час релаксації вивільнення атомів домішок із радіаційних пасток (₁) стане функцією дози опромінення:, де ₀ - постійна часу; Е_а - енергія активації відпалу.

Питомий опір зразків зростає зі збільшенням дози опромінення. Коли об'ємна частка термічних піків наближається до 70 %, питомий опір провідної матриці _m(Ф) зменшується:, де ₀ - питомий опір зразка до опромінення; _а _ зміна питомого опору зразка до опромінення, якби він пройшов відпал після термічного спікання. На рис. 17 представлено залежність питомого опору n_Si_0,7Ge_0,3 від флюенса швидких нейтронів. Розрахунки виконано в рамках теорії ефективного середовища при використанні параметрів: R₂ = 50 Е; ₀ = 1,5 • 10^_5 с; ₂ = 7 • 10^_3 с; = 3,3 еВ; T_ir = 810 K; У = 0,15 см^_1; I = 3,1 • 10¹³ n^o•см^_2•с^_1.

Процеси відпалу легуючих домішок завершуються при цілком визначеній дозі опромінення n_ та p_Si_0,7Ge_0,3 швидкими нейтронами реактора і їх можна характеризувати постійними часовими проміжками відновлення електричної активності фосфору = 1,25 10⁶ c і бору = 1,29 10⁶ c. Такий процес відновлення здійснюється в кожній області, яка дорівнює розміру теплового клина, і коефіцієнт радіаційно-стимульованої дифузії можна обчислити, відповідно до виразу, де R - радіус теплового клина; - постійна часу радіаційно-стимульованої дифузії. Тоді коефіцієнт радіаційно-стимульованої дифузії для фосфору в Si_0,7Ge_0,3 дорівнює = 1,96 10^_18 см²/c і для бору = 1,66 10^_18 см²/c при температурі 810 К. Отримані значення близькі до розрахунків В. М. Ленченко і Т. С. Пугачової, а також Дінса й Вінйарда [43, 44].

ВИСНОВКИ

Розглянуто і досліджено ефекти кластеризації радіаційних дефектів у n_ і p_Sі, вирощеному різними методами; у бінарних напівпровідниках ІnSb, ІnР і сплавах Sі_0,7Ge_0,3 при взаємодії ядерного випромінювання з твердим тілом. Визначено критерії радіаційної стійкості, термічної стабільності кластерів дефектів і окремих простих дефектів. Досліджено модифікацію радіаційних дефектів за рахунок фонових домішок вуглецю і кисню.

1. Розв'язано проблему взаємодії радіаційних дефектів з екрануючими центрами в областях просторового заряду кластерів дефектів. У рамках уточненої моделі кластерів дефектів уперше розраховано ефективну концентрацію носіїв у залежності від температури й дози опромінення кремнію високоенергетичними ядерними частинками. Визначено ймовірність додаткового перекриття областей просторового заряду кластерів, обумовлену точковими дефектами.

2. Запропоновано методи і способи підвищення радіаційної стійкості кремнію в полях ядерного випромінювання. Визначено критерії й причини, які впливають на радіаційну толерантність ядерних детекторів. Оцінено дозу попереднього опромінення швидкими нейтронами реактора (~ 10¹⁶ n^o см^-2), що дозволило експериментально підвищити радіаційну стійкість кремнію в ~ 2 рази.

3. Уперше експериментально знайдено положення рівня Фермі в кластерах щодо зони провідності й наведено формулу для його визначення. Отримано вирази для обчислення середнього радіуса області скупчення дефектів і для визначення швидкості видалення носіїв кластерами в Sі, ІnSb, ІnР.

4. Визначено довжину пробігу міжвузлового атома в n_Sі (FZ) L_I 10⁴ Е і в n_Sі (Cz) L_I 8,8 • 10³ Е з аналізу кінетики накопичення дефектів із глибокими рівнями в залежності від флюенса швидких нейтронів реактора. Довжина пробігу вакансії дорівнювала L_V 1/2 L_I.

5. Визначено положення в забороненій зоні n_Sі (FZ) бістабільного дефекту C_iC_s у нейтральному стані: Е_с 0,123 еВ і в негативно зарядженому стані: Е_с 0,147 еВ. Показано, що висока концентрація кисню, комплексів C_sO_2i та підвищена деформація ґратки пригнічують утворення бістабільного дефекту C_iC_s у n_Sі (Cz).

6. Запропоновано схему рівнів власних дефектів у кремнії, модифікованих фоновими домішками (вуглецем і киснем). Показано, що енергія амфотерних рівнів змінюється на величину 0,33/n, де n - число первинних дефектів (V, І) у скупченні при захопленні одного чи двох електронів.

7. Обґрунтовано, що положення рівня Фермі у високоомному кремнії при високих флюенсах опромінення швидкими нейтронами визначають акцепторні (Е_с 0,426 еВ) і (Е_с 0,315 еВ) та донорні рівні (E_V + 0,25 еВ) і (E_V + 0,45 еВ) дивакансій та диміжвузлових атомів.

8. Запропоновано спосіб підвищення радіаційної стійкості ядерних детекторів шляхом легування n_Sі донорними домішками (Е_с 0,4 еВ) Cr (хром) чи (Е_с 0,18 еВ) S (сірка). Компенсація радіаційних дефектів може здійснюватися поступовим підвищенням температури детектора.

9. Описано відпал кластерів дефектів, утворених швидкими нейтронами реактора, як процес анігіляції дивакансій і тривакансій з міжвузловими та диміжвузловими дефектами кремнію, і визначено енергії активації відпалу та частотні фактори цих процесів = 0,74 еВ, ₁ = 3,5 10⁶ с^_1 і = 0,91 еВ, ₂ = 7 10⁶ с^_1. Показано, що ефективний радіус захоплення міжвузлових і диміжвузлових атомів у кластери дорівнює, [см].

10. Визначено енергії міграції і частотні фактори власних дефектів у процесі опромінення p_Sі (FZ) швидкими нейтронами реактора при 287 К: I-^/0 (Е_v + 0,42 еВ), E_m = 0,4 еВ, = 2 • 10³ с^_1; I₂^0/+ (Е_v + 0,45 еВ), E_m = 0,42 еВ, = 4 • 10³ с^_1; I₂O_i^0/+ (Е_v + 0,51 еВ), E_m = 0,42 еВ, = 2,5 • 10³ с^_1. Дефекти змінюють свій зарядовий стан при захопленні електронів у процесі опромінення.

11. Показано, що коефіцієнт радіаційно-стимульованої дифузії бору і фосфору в твердому розчині Sі_0,7Ge_0,3 при опроміненні в реакторі при 810 К становить близько 2 • 10^_18 см²/с. Він є прямо пропорційним квадрату радіуса теплових клинів (R 60 Е) і обернено пропорційним постійній часу ( = 1,25 10⁶ c і = 1,29 10⁶ c) відновлення електричної активності фосфору і бору.

СПИСОК ЦИТОВАНОЇ ЛІТЕРАТУРИ

Gossick B. R. Disordered Regions in Semiconductors Bombarded by Fast Neutrons // J. Appl. Phys. - 1959. - Vol. 30, № 8. - P. 1214-1218.

Juretschke H. J., Landauer R., Swanson J. A. Hall Effect and Conductivity in Porous Media // J. Appl. Phys. - 1956. - Vol. 27, № 7. - P. 838-839.

Долголенко А. П. О поляризуемости кластеров дефектов // Радиационные повреждения в твердых телах: Республиканское совещание. Тезисы докладов. - Киев: ИФ АН УССР, 1974. - С. 47-49.

Пипа В. И. Экранирование заряженных примесей в полупроводниках в присутствии тока // ФТТ. - 1970. - Т. 12, № 5. - C. 1323-1328.

Долголенко А. П., Фищук И. И. О среднем радиусе кластеров дефектов // Письма в ЖТФ. - 1975. - Т. 1, В. 2. - С. 101-105.

Джандиери М. Ш., Церцвадзе А. А. Исследование подвижности носителей заряда в полупроводниках с разупорядоченными областями // ФТП. - 1971. - Т. 5, В. 7. - С. 1445-1453.

Шик А. Я. Статистика носителей и термические релаксации в неоднородных полупроводниках // ЖЭТФ. - 1976. - Т. 71, В. 9. - С. 1159-1165.

Вавилов В. С., Кекелидзе Н. П., Смирнов Л. С. Действие излучений на полупроводники: Учеб. руководство. - М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1988. - 192 с.

Коноплева Р. Ф., Литвинов В. Л., Ухин Н. А. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. Под ред. Ухина Н. А. - М.: Атомиздат, 1971. - 176 с.

Crawford J. H., Jr., Cleland J. W. Nature of Bombardment Damage and Energy Levels in Semiconductors // J. Appl. Phys. - 1959. - Vol. 30, № 8. - P. 1204-1213.

Брайловский Е. Ю., Долголенко А. П., Конозенко И. Д., Карапетян Ф. К., Торунян А. А. Исследование радиационных дефектов в кристаллах n_InP, облученных высокоэнергетическими электронами // Ученые записки Ереванского государственного университета. Естественные науки. Физика. - Ереван: ЕГУ, 1983. - С. 52-59.

Долголенко А. П., Оганесян О. В., Памбухчан Н. Х. Кластеры дефектов и кинетика накопления дефектов донорного типа в n_ p_InSb, облученном электронами 50 МэВ при 292 К // Радиационная физика полупроводников и родственных материалов: Труды международной конференции (13_19 сентября 1979 г.). - Тбилиси: Изд. Тбилисского университета, 1980. - С. 695-697.

Mackinley W. A., Feshbach H. The Coulomb Scattering of Relativistic Electrons by Nuclei // Phys. Rev. - 1948. - Vol. 74, № 6A - P. 1759-1763.

Holmes R. R. Carrier removal in neutron irradiated silicon // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1970. - Vol. 17, № 6. - P. 137-143.

V. A. J. van Lint, Leadon R. E., Colwell J. F. Energy dependence of displacement effects in semiconductors // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1972. - Vol. NS-19, № 6. - P. 181-185.

Song L. W., Zhan X. D., Benson B. W., Watkins G. D. Bistable interstitial-carbon-substitutional-carbon pair in silicon // Phys. Rev. B. - 1990. - Vol. 42, № 9. - P. 5765-5783.

Kaminski P., Kozlowski R., Jelenski A., Mchedlidze T., Suezawa M. High-Resolution Photoinduced Transient Spectroscopy of Electrically Active Iron-Related Defects in Electron Irradiated High-Resistivity Silicon // Jpn. J. Appl. Phys. - 2003. - Vol. 42, № 9A. - P. 5415-5419.

Bleichner H., Jonsson P., Keskitalo N., and Nordlander E. Temperature and injection dependence of the Shockley-Read-Hall lifetime in electron irradiated n_type silicon // J. Appl. Phys. - 1996. - Vol. 79, № 12. - P. 9142-9148.

Londos C. A. Annealing studies of Defects Pertinent to Radiation Damage in Si:B // phys. stat. sol. (a). - 1987. - Vol. 102. - P. 639-644.

Moll M., Feick H., Fretwurst E., Lindstrom G., Schutze C. Comparison of defects produced by fast neutrons and ⁶⁰Co_gammas in high-resistivity silicon detectors using deep-level transient spectroscopy // Nucl. Instrum. Methods. Phys. Res. A - 1997. - Vol. 388, № 3. - P. 335-339.

Trauwaert M.-A., Vanhellemont J., Maes H. E., Van Bavel A.-M., Langouche G., Clauws P. Low-temperature anneal of the divacancy in p-type silicon: A transformation from V₂ to V_xO_y complexes? // Appl. Phys. Lett. - 1995. - Vol. 66, № 22. - P. 3057-3058.

Asghar M., Zafar Iqbai M., Zafar N. Characterization of deep levels introduced by alpha radiation in n_type silicon // J. Appl. Phys. - 1993. - Vol. 73, № 8. - P. 3698-3708.

Stahl J., Fretwurst E., Lindstrom G., Pintilie I. Deep defect levels in standard and oxygen enriched silicon detectors before and after ⁶⁰Co__irradiation // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. - 2003. - Vol. 512. - P. 111-116.

Watkins G. D., Corbett J. W. Defects in Irradiated Silicon: Electron Paramagnetic Resonance of Divacancy // Phys. Rev. - 1965. - Vol. 138, № 2A - P. 543-544.

Lee Y. H., Corbett J. W., Brower K. L. EPR of a Carbon-Oxygen-Divacancy Complex in Irradiated Silicon // phys. stat. sol. (a). - 1977. - Vol. 41, № 2. - P. 637-647.

Poirier R., Avalos V., Dannefaer S., Schiettekatte F., Roorda S., Misra S. K. Divacancies in proton irradiated silicon: variation of EPR signal with annealing time // Physica B. - 2003. - Vol. 340-342. - P. 752-755.

Xu Jian-Guo, Lu Fang, and Sun Heng-Hui. Electrical and optical properties of defects in silicon introduced by high-temperature electron irradiation // Phys. Rev. B. - 1988. - Vol. 38, № 5. - P. 3395-3399.

Young R. C., Corelli J. C. Photoconductivity Studies of Radiation-Induced Defects in Silicon // Phys. Rev. B. - 1972. - Vol. 5, № 4. - P. 1455-1467.

Frens A. M., Bennebroek M. T., Zakrzewski A., Schmidt J., Chen W. M., Janzen E., Lindstrom J. L., Monemar B. Observation of Rapid Direct Charge Transfer between Deep Defects in Silicon // Phys. Rev. Lett. - 1994. - Vol. 72, № 18. - P. 2939-2942.

Kimerling L. C., Blood P., Gibson W. M. Defect states in proton-bombarded silicon at T<300 K // Proc. Conf. “Defects and Radiation Effects in Semiconductors”. - 1978. - Ser. No. 46. Bristol-London, Inst. of Phys., 1979. - P. 273-280.

Watkins G. D., Troxell J. R., Chatterjel A. P. Vacancies and Interstitials in Silicon // Proc. Intern. Conf. "Defects and Radiation Effects in Semiconductors". Ser. № 46 (Nice, 1978). - Inst. of Phys. Bristol and London, 1979. - P. 16-30.

Monakhov E. V., Avset B. S., Hallen A., Svensson B. G. Formation of a double acceptor center during divacancy annealing in low-doped high-purity oxygenated Si // Phys. Rev. B. - 2002. - Vol. 65. - P. 233207-4.

Абдуллин Х. А., Мукашев Б. Н., Тамендаров М. Ф., Ташенов Т. Б., Чихрай Е. В. Исследование радиационных дефектов в p_Si методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней // ФТП. - 1990. - Т. 24, В. 2. - С. 391-392.

Баранов А. И., Смирнов Л. С. Накопление дефектов и процессы аморфизации при бомбардировке полупроводников ионами. // Новосибирск, 1978. - 43 с. Препр. АН СССР, Сибирское отделение, Ин_т физики полупроводников; 13-18). - С. 1-43.

Артемьев В. А., Михнович В. В., Титаренко С. Г. Модель кинетики формирования областей разупорядочения в полупроводниках с учетом деформаций // ФТП. - 1988. - Т. 22, В. 4. - С. 750-753.

Kimerling L. C. Electronic Stimulation of Defect Processes in Semiconductors // Proc. Intern. Conf. "Defects and Radiation Effects in Semiconductors". Ser. № 46 (Nice, 1978). - Inst. of Phys. Bristol and London, 1979. - P. 56-73.

Whan R. E. Oxygen-Defect Complexes in Neutron-Irradiated Silicon // J. Appl. Phys. - 1966. - Vol. 37, № 9. - P. 3378-3382.

Yong R. C., Corelli J. C. Photoconductivity Studies of Radiation Induced Defects in Silicon // Phys. Rev. B. - 1972. - Vol. 5, № 4. - P. 1455-1467.

Долголенко А. П., Галушка А. П. Радиационные повреждения в n_Si, созданные быстрыми нейтронами // Радиационные дефекты в полупроводниках: Расширенные тезисы докладов Всесоюзного симпозиума (20-22 сентября 1972 г.). - Минск: Изд. БГУ им. Ленина, 1972. - С. 45-47; Влияние кислорода на кластеры дефектов, созданные быстрыми нейтронами. - С. 23-25.

Винецкий В. Л., Холодарь Г. А. Радиационная физика полупроводников: Монография. - К.: Наукова думка, 1979. - 336 с.

Пекар С. И. Исследования по электронной теории кристаллов. - М._Л.: Гостехиздат, 1951. - 256 c.

Кекуа М. Г., Хуцишвили Э. В. Твердые растворы полупроводниковой системы германий-кремний. - Тбилиси: Изд. "Мецниереба", 1985. - 174 c.

Ленченко В. М., Пугачева Т. С. Радиационные эффекты в твердых телах. - Ташкент: Изд. "ФАН" Уз. ССР, 1963. - 78 c.

Динс Дж. и Винйард Дж. Радиационные эффекты в твердых телах. // Пер. с англ. А. Х. Брегера. Под ред. Г. С. Жданова. - М.: ИЛ, 1960. - 243 с.

Лифшиц И. М. О температурных вспышках в среде, подвергнутой действию ядерного излучения, // ДАН СССР. - 1956. - Т. 109, В. 6. - С. 1109-1111.

СПИСОК РОБІТ, ОПУБЛІКОВАНИХ ЗА ТЕМОЮ ДИСЕРТАЦІЇ

Dolgolenko A. P., Fishchuk I. I. Defect Clusters and Simple Defect Build-Up Kinetics in Fast-Neutron Irradiated n_Si // phys. stat. sol. (a). - 1978. - Vol. 50. - P. 751-755.

Витовский Н. А., Долголенко А. П., Машовец Т. В., Оганесян О. В. Дефекты в кристаллах антимонида индия, образующиеся под действием облучения быстрыми нейтронами // ФТП. - 1979. - Т. 13, В. 10. - С. 1958-1965.

Dolgolenko A. P., Fishchuk I. I. A-Centres Build-Up Kinetics in the Conductive Matrix of Рulled n-Type Silicon with Calculation of Their Recharges at Defect Clusters // phys. stat. sol. (a). - 1981. - Vol. 67. - P. 407-411.

Долголенко А. П., Павлович В. Н., Резонансный лазерный отжиг радиационных дефектов // ФТП. - 1981. - Т. 15, В. 8. - С. 1603-1606.

Долголенко А. П., Марчук Н. Д. Изучение радиационных дефектов в селениде меди p_типа // Весці АН БССР, сер. физ.-мат. наук. - 1991. - № 3. - С. 35-45.

Долголенко А. П. Влияние кластеров дефектов на перераспределение легирующей примеси в n_ и p_Si_0,7Ge_0,3 в процессе реакторного облучения // ФТП. - 1999. - Т. 33, В. 4. - С. 405-409.

Dolgolenko A. P. Variation of Carrier Removal Rate with Irradiation Dose in Fast-Pile Neutron Irradiated n-Si // phys. stat. sol. (a). - 2000. - Vol. 179. - P. 179-188.

Litovchenko P. G., Wahl W., Groza A. A., Dolgolenko A. P., Karpenko A. Ja., Khivrich V. I., Litovchenko A. P., Lastovezky V. F., Sugakov V. I., Dubovoj V. K. Influence of preliminary irradiation on radiation hardness of silicon and indium antimonide // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. - 2001. -Vol. 4, № 2. - P. 85-90

Dolgolenko A. P., Litovchenko P. G., Litovchenko A. P., Varentsov M. D., Lastovetsky V. F., Gaidar G. P. Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. - 2004. - Vol. 7, № 1. - P. 8_15.

Dolgolenko A., Varentsov M., Gaidar G. The energy-level position of bistable defect (C_iC_s)^o in B configuration in the forbidden band of n-Si // phys. stat. sol. (b). - 2004. - Vol. 241, No. 13 - P. 2914-2922.

Олих Я. М., Тимочко Н. Д., Долголенко А. П. Акустостимулированное преобразование радиационных дефектов в _облученных кристаллах кремния n_типа // Письма в ЖТФ. - 2006. - Т. 32, В. 13. - С. 67-73. (Technical Physics Letters. - 2006. - Vol. 32, № 7. - P. 586-589).

Варенцов М. Д., Гайдар Г. П., Долголенко А. П., Литовченко П. Г. Радиационная стойкость кремния, легированного германием, с высокой концентрацией свободного кислорода // Ядерна фізика та енергетика (Nuclear Physics and Atomic Energy). - 2006. - № 1 (17). - С. 60-66.

Долголенко А. П., Литовченко П. Г., Варенцов М. Д., Ластовецкий В. Ф., Гайдар Г. П., Литовченко А. П. Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n_Si, облученного быстрыми нейтронами реактора // Вопросы атомной науки и техники. - 2006. - № 4. - Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (89), с. 175-181.

Dolgolenko A. P., Litovchenko P. G., Varentsov M. D., Gaidar G. P., Litovchenko A. P. Particularities of the formation of radiation defects in silicon with low and high concentrations of oxygen // phys. stat. sol. (b). - 2006. - Vol. 243, No. 8. - P. 1842-1852.

Dolgolenko A. P. The annealing of high-level doped materials on the base of the n_ and p_Si_0.7Ge_0.3 solid solution under reactor irradiation // Вопросы атомной науки и техники. - 2006. - № 4. - Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (89), с. 65-70.

Litovchenko P. G., Bisello D., Candelori A., Litovchenko A. P., Groza A. A., Dolgolenko A. P., Khivrich V. I., Barabash L. I., Lastovetsky V. F., Polivtsev L. A., Wahl W., Wyss J. Radiation hardening of silicon for detectors by preliminary irradiation // Solid State Phenomena. - 2004. - Vols. 95-96. - P. 399-404.

Бабич В. М., Долголенко О. П., Оліх Я. М., Тимочко М. Д. Вплив ультразвуку на електричну активність радіаційних дефектів у _опромінених кристалах кремнію n_типу // Ядерна фізика та енергетика. - 2007. - № 1 (19). - С. 95-102.

Варенцов М. Д., Гайдар Г. П., Долголенко О. П., Литовченко П. Г. Відпал кластерів дефектів у зразках Si та Si<Ge>, вирощених методом Чохральського // Укр. фіз. журн. - 2007. - Т. 52, N 4. - С. 372-377; Ukr. J. Phys. - 2007. - Т. 52, N 4. - С. 372-377.

Долголенко А. П., Варенцов М. Д., Гайдар Г. П., Литовченко П. Г. Скорость введения дефектов в зависимости от дозы облучения р_Si быстрыми нейтронами реактора // Ядерна фізика та енергетика. - 2007. - № 2 (20). - С. 89-96.

Dolgolenko A. P., Gaidar G. P., Varentsov M. D., Litovchenko P. G. The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium // Semicond. Phys. Quantum. Electr. & Optoel. - 2007. - V. 10, N 1. - P. 5-13.

Долголенко А. П., Литовченко П. Г., Литовченко А. П., Ластовецкий В. Ф. Зависимость электрофизических свойств высокоомного n_Si, полученного различными методами, от флюенса быстрых нейтронов реактора // Збірник наукових праць Інституту ядерних досліджень. - 2002. - № 2 (8). - С. 105-109.

Долголенко А. П., Литовченко П. Г., Варенцов М. Д., Гайдар Г. П. Энергетическое положение в запрещенной зоне n_Si бистабильного дефекта (C_iC_s)⁰ в "В" конфигурации // Збірник наукових праць Інституту ядерних досліджень. - 2003. - № 1 (9). - С. 63-68.

Долголенко А. П., Литовченко П. Г., Варенцов М. Д., Гайдар Г. П., Литовченко А. П Особенности образования радиационных дефектов в кремнии с низкой и высокой концентрацией свободного кислорода // Збірник наукових праць Інституту ядерних досліджень (Scientific Papers of the Institute for Nuclear Research). - 2005. - № 2 (15). - С. 106-114.

Долголенко А. П., Фищук И. И. Кинетика накопления А_центров в кремнии n_типа, облученном быстрыми нейтронами реактора // Депонирована в ЦНИИ "Электроника", ДЭ-2387/78; аннотация в ФТП, т. 12, в. 7 (1978) с. 1452.

Долголенко А. П., Литовченко П. Г., Варенцов М. Д., Ластовецкий В. Ф. Кинетика накопления дефектов в проводящей матрице n_Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора // Збірник наукових праць Інституту ядерних досліджень. - 2002. - № 2 (8). - С. 110-114.

Марчук Н. Д., Долголенко А. П., Поливцев Л. А. Радиационная и термическая стабильность р_Si_0,7Ge_0,3 в нейтронном поле реактора // Жур. Прямое преобразование различных видов энергии в электрическую (ППРВЭЭ). - 1988. - № 6 (146). - С. 100-107.

Брайловский Е. Ю., Долголенко А. П., Конозенко И. Д., Карапетян Ф. К., Торунян А. А. Исследование радиационных дефектов в кристаллах n-InP, облученных высокоэнергетичными электронами // Ученые записки. - 1983. - № 1 (152). - Ереван: ЕГУ. - С. 52-59.

Долголенко А. П., Жуков В. Ф., Колычев Н. Н., Лалыкин С. П., Марчук Н. Д., Поливцев Л. А., Рубанов Ю. К., Титаренко Ю. Д., Цимбал А. П. Реакторные испытания высокотемпературных термоэлектрических модулей из сплава Si_0.7Ge_0.3 // Жур. Прямое преобразование различных видов энергии в электрическую (ППРВЭЭ). - 1988. - № 3 (143). - С. 94-101.

Litovchenko P. G., Bisello D., Candelori A., Litovchenko A. P., Groza A. A., Khomenkov V., Dolgolenko A. P., Khivrich V. I., Barabash L. I., Lastovetsky V. F., Polivtsev L. A., Rando R., Wahl W., Wyss J., Boscardin M., Zorzi N., Dalla Betta G. F. Radiation Hardening of Silicon for Detectors by Preliminary Irradiation // IEEE Conference - 14th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X- and Gamma-Ray Detectors. - ROME. - 2004. - P. 45.

Dolgolenko A. P., Fishchuk I. I. Simple defect storage kinetics in fast-pile neutron irradiated n type Si // Proc. of the X Intern. Conf. on Defects and Radiation Effects in Semiconductors. Nice, 1978. (Inst. of Phys. Conf., Ser. 46, Bristol & London & New York. - 1979. - P. 287-291).

Долголенко А. П., Оганесян О. В., Памбухчан Н. Х. Кластеры дефектов и кинетика накопления дефектов донорного типа в n_ и p_InSb, облученном электронами 50 МэВ при 292 К // Радиационная физика полупроводников и родственных материалов: Труды международной конференции (13_19 сентября 1979 г.). - Тбилиси: Изд. Тбилисского университета, 1980. - С. 695-697.

Марчук Н. Д., Долголенко А. П., Колычев Н. Н. Терморадиационная стабильность материала на основе твердого раствора кремний-германий n_ и p_типа проводимости в нейтронном поле реактора // Proc. of the Intern. Conf. on Radiation Materials Science. (Alushta, May 22-25, 1990). - Kharkov. - 1991. - Vol. 9. - P. 113-122.

Marchuk N. D., Dolgolenko A. P., Kolychev N. N. Thermo-Radiative Stability of the Materials Based on Solid Alloy of Silicon-Germanium n_ and p_type in Reactor Neutron Field // Proceeding of the X Intern. Conf. on Thermoelectrics. -- Cardiff, U. K. - 1991. - P. 54-59.

Marchuk N. D., Basov M. V., Dolgolenko A. P. Radiation defect study in the p type copper selenide // Proceeding of XII International Conference on Thermoelectrics. - Yokohama, Japan. - 1993 - P. 76-81.

Marchuk N. D., Dolgolenko A. P. Defect clusters influence on redistribution of doping impurities in n_ and p_Si_0.7Ge_0.3 under reactor irradiation // Proceeding of XII International Conference on Thermoelectrics. - Yokohama, Japan. - 1993. - P. 66-68.

Dolgolenko A. P., Kolychev N. N., Polivtsev L. A. The annealing of high level doped materials on the base of the n_ and p_Si_0.7Ge_0.3 solid solution during reactor irradiation // Second International School Conference "Physical problems in material science of Semiconductors". - Chernivtsi, Ukraine. - 8^th_12^th of September 1997. - P. 22.

Долголенко А. П., Варенцов М. Д., Гайдар Г. П. Энергетическое положение в запрещенной зоне n_Si бистабильного дефекта (C_iC_s)⁰ в "В" конфигурации // Материалы международной конференции "Физика электронных материалов" (1_4 октября 2002 г., Калуга, Россия). Под. ред. Никифорова К.Г. - Калуга: Изд. КГПУ имени К. Э. Циолковского, 2002. - С. 150-151.

Долголенко А. П. Распределение кластеров дефектов по размерам в n_Si (FZ, Cz), облученном быстрыми нейтронами // Материалы международной конференции "Физика электронных материалов" (1_4 октября 2002 г., Калуга, Россия). Под. ред. Никифорова К. Г. - Калуга: Изд. КГПУ имени К. Э. Циолковского, 2002. - С. 192-193.

Долголенко А. П., Колычев Н. Н., Поливцев Л. А. Отжиг высоколегированных материалов n_ и p_Si_0,7G_0,3 в процессе реакторного облучения // Матеріали щорічн. наук. конф. ІЯД НАНУ. Збірник наукових праць. Київ. - 1998. - С. 196-198.

Долголенко А. П., Литовченко П. Г., Литовченко А. П. Влияние облучения 24 ГэВ протонами на электрофизические свойства высокоомного кремния n_типа // Матеріали щорічн. наук. конф. ІЯД НАНУ. Збірник наукових праць. Київ. - 1998. - С. 184-186.

Долголенко А. П., Литовченко П. Г., Литовченко А. П. Концентрация дефектов в скоплениях, созданных в no облученном n_Si // Матеріали щорічн. наук. конф. ІЯД НАНУ. Збірник наукових праць. Київ. - 1999. - С. 200-202.

Долголенко А. П., Варенцов М. Д., Гайдар Г. П. Энергетическое положение в запрещенной зоне n Si бистабильного дефекта (C_iC_s)⁰ в "В" конфигурации // 1_а Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (УНКФН_1) (з міжнародною участю). (10_14 вересня 2002 р., Одеса). - Тези доп. - Т. 2. - С. 106.

Litovchenko P. G., Lemeilleur F., Dolgolenko A. P., Barabash L. I., Kolychev N. N., Litovchenko A. P., Lastovezky V. F., Kibkalo T. I., Polivtsev L. A. Dose dependence of the concentration of carriers in high resistivity Si irradiated by 24 GeV protons and properties of the detectors of its base // 3rd ROSE Workshop on Radiation Hardening of Silicon Detectors. - DESY Hamburg. - 12_14 Feb. 1998. - Р. 20-24.

Litovchenko P. G., Lemeilleur F., Dolgolenko A. P., Litovchenko A. P., Barabash L. I., Khivrich V. I., Lastovezky V. F., Ruzin A. Radiation hardness of high resistivity of neutron transmutation doping silicon // 4^rd ROSE Workshop on Radiation Hardening of Silicon Detectors. - CERN. - 2_4 Dec. 1998 - P. 161-168.

Litovchenko P. G., Lemeilleur F., Dolgolenko A. P., Litovchenko A. P., Barabash L. I., Khivrich V. I., Lastovezky V. F., Ruzin A., Glaser M. The possibility to raise the radiation hardness of silicon // ROSE Meeting on Radiation Hardening of Silicon Detectors. - CERN. - 14_15 June 1999. - P. 443-451.

Голышкина Т. В., Долголенко А. П. Огородник С. С., Понов В. Д. Исследование влияния энергетического состава потока _излучения на концентрацию носителей тока в кремнии n_типа // Тезисы Всесоюзного семинара "Методика и техника реакторных и послереакторных экспериментов в радиационном материаловедении" - г. Димитроград: Изд. ГК АЭ СССР, НИИАР им. В. И. Ленина, 1983. - С. 8.