Оптические методы исследования наноструктур. Основы фотолюминесценции. Фотолюминесценция квантово-размерных структур

Размещено на http://www.allbest.ru/

Лекция

Оптические методы исследования наноструктур. Основы фотолюминесценции. Фотолюминесценция квантово-размерных структур

План

1. Понятия

2. Классификация явлений

3. Фотолюминесценция свободных экситонов

4. Фотолюминесценция полупроводника с примесями. Электронные уровни примесей

5. Экситонно-примесные комплексы

6. Донорно-акцепторные излучательные переходы

7. Как наблюдать ФЛ

1. Понятия

При взаимодействии электромагнитного излучения с веществом возникает излучение, отличающееся по направлению распространения и по спектральному составу от первоначального. Это излучение называют «вторичным излучением» и оно может быть обусловлено разными процессами: отражением и рассеянием в веществе первоначального излучения, люминесценцией или тепловым испусканием вещества. Возникает вопрос, по каким признакам можно выделить люминесценцию из совокупности процессов вторичного излучения.

В современном изложении люминесценцией обычно называют избыток излучения над тепловым излучением тела, соответствующим его температуре. Т.о. люминесценция относится к свечению макроскопического тела, находящегося в состоянии, близком к тепловому равновесию, т.е. имеющему определенную температуру. Однако, такое определение не отличает люминесценцию от отраженного и рассеянного света.

С.И. Вавилов (ФИАН) предложил дополнить понятие люминесценции критерием длительности.

Согласно Вавилову люминесценцией следует называть избыток излучения в том случае, если после выключения возбуждения свечение продолжается в течении некоторого времени. Это время маленькое: 10^-10 сек. Конечно, есть неопределенность, но это хороший экспериментальный критерий ( как в определении критического тока сверхпроводников ). В смысле элементарного процесса люминесценцией будем называть спонтанное испускание света, происходящее уже после того, как ВСЕ процессы релаксации, кроме электронных перехода, закончились, и установилось тепловое квазиравновесие в возбужденном электронном состоянии.

2. Классификация явлений

Люминесценция классифицируется по длительности:

короткое свечение - флуоресценция;

длительное свечение - фосфоресценция.

По способу возбуждения:

возбуждение светом - фотолюминесценция;

возбуждение электрическим полем - электролюминесценция;

возбуждение рентгеновскими лучами - радиолюминесценция;

возбуждение химическими реакциями - хемилюминесценция;

свечение некоторых веществ в пламени - кандолюминесценция.

Рассмотрим механизм фотолюминесценции на примере прямозонных полупроводников (когда совпадают экстремумы зоны проводимости и валентной зоны).

Нарисуем энергетические зоны в полупроводнике (рис.1).

На полупроводник подает излучение с частотой ₀. Электрон поглощает энергию E₀=h₀ , что приводит к его перебросу в зону проводимости (естественно энергия E₀ должна быть больше ширины запрещенной зоны), при этом в валентной зоне появляется дырка. На рис.1. переход электрона из заполненной зоны v-зоны в пустую c-зону при поглощении фотона изображается вертикальной линией, так как импульс фотона p_ph=2/ пренебрежимо мал. Таким образом, в зоне проводимости появился электрон с импульсом p_е , а в валентной зоне - дырка с импульсом p_h . В процессе поглощения света выполняются законы сохранения энергии и импульса, так что

p_е + p_h= p_ph 0.

Минимальные энергии свободных носителей заряда соответствуют экстремумам зон, так что электрон опускается на дно с-зоны, а дырка всплывает к потолку v-зоны, и в итоге мы имеем в прямозонном полупроводнике электрон и дырку с импульсами, близкими к нулевым. Излишек тепла идет на усиление тепловых колебаний решетки - что означает рождение фононов.

Далее мы рассмотрим процесс, обратный фотогенерации, - рекомбинацию, в результате которой электрон вернется в зону проводимости (тем самым исчезнет и дырка) и полупроводник окажется в исходном состоянии. В рекомбинации конкурируют различные излучательные и безизлучательные механизмы. Если процесс содержит излучательную и безизлучательную составляющие, то часть энергии уйдет в тепло, но оставшаяся часть излучится в виде фотона. На этом основании Дж. Г. Стокс сформулировал закон, согласно которому ФЛ характеризуется большей длиной волны (меньшей энергией фотона). по сравнению с возбуждающим светом. Разница в энергиях возбуждающего и излученного фотонов называется стоксовыми потерями. Это правило не является безусловным и нарушается, когда, например, к энергии возбуждающего фотона добавляется энергия тепловых колебаний кристаллической решетки или когда энергия двух фотонов складывается для образования одной пары электрон-дырка. В этих условиях говорят об антистоксовой ФЛ. Увеличение тепловых колебаний кристаллической решетки увеличивает вероятность безизлучательной рекомбинации, поэтому ФЛ полупроводников при охлаждении становится более яркой.

фотолюминесценция полупроводник примесь излучательный

Рисунок 1.

Для правильного понимания явления ФЛ следует еще раз подчеркнуть ее отличие от теплового электромагнитного излучения тела, спектральный состав которого определяется только температурой и описывается известной формулой Планка. Эта формула, в частности, устанавливает связь между температурой тела и энергией фотона, соответствующего максимуму теплового излучения. ФЛ является холодным свечением, спектральное положение которого определяется не температурой кристалла, а шириной запрещенной зоны Е_g и энергетическим спектром примесей. Тепловое излучение - излучение тела, находящегося в равновесном состоянии, ФЛ - свечение тела, состояние которого стало неравновесным в результате поглощения им фотонов. В принципе, электрон может перейти из v-зоны в с-зону и тогда, когда тело находится в равновесном состоянии за счет получения большой порции тепла от кристаллической решетки. Однако, вероятность такого события, пропорциональная exp(-Е_g/kT), где к- постоянная Больцмана, при величине Е_g порядка 2 эВ для комнатной температуры исчезающе мала.

Итак, спектр ФЛ полупроводников определяется рекомбинацией созданных светом неравновесных электронов и дырок. Рассмотрим ее механизмы на примере кристаллов элементов IV группы (Si и др.), групп III и V (GaAs и др.) и групп II и VI (CdS и др.) Периодической таблицы.

3. Фотолюминесценция свободных экситонов

Казалось бы естественно обнаружить в ФЛ прямую рекомбинацию электронов и дырок после их охлаждения в зонах. Оказалось, однако, что прежде, чем реализуется такая излучательная рекомбинация, электроны и дырки успевают образовать экситоны - связанные состояния электронов и дырок, которые оказываются устойчивыми благодаря кулоновскому притяжению и могут свободно перемещаться по кристаллу. Кулоновский потенциал имеет вид

где е - заряд электрона, - диэлектрическая проницаемость, определяющая ослабление притяжения электрона и дырки кристаллической решеткой, r_eh - радиус экситона. Экситон можно рассматривать как квазиатом водорода, где роль ядра играет роль дырка (как более тяжелая). При этом, как и в атоме, имеются определенные значения радиусов экситона

r_eh=h²n²/(e²)

(^-1=m_e^-1+m_h^-1 )- приведенная масса, n - целые главные квантовые числа). Радиуса экситонов соответствуют стационарным орбитам частиц. Энергии связи электронов и дырок в экситоне для таких орбит составляют

Самое нижнее (основное) экситонное состояние соответствует n=1, и именно в этом состоянии происходит излучательная рекомбинация электрона и дырки в экситоне. Таким образом, в ФЛ полупроводников при низких температурах должна наблюдаться линия излучения свободных экситонов (СЭ), смещенная относительно E_g на энергию связи электрона и дырки Е₁. Под низкой понимается температура, при которой средняя тепловая энергия в расчете на одну частицу (это величина порядка кТ) меньше Е₁, то есть экситон в основном состоянии устойчив. Эти представления согласуются с экспериментальным спектром ФЛ полупроводникового кристалла CdS, приведенного на рис. 1. Величина кТ при 60 К равна 0.005 эВ, а энергия связи в экситоне Е₁ для CdS составляет около 0,03 эВ. Кроме экситонной линии СЭ с энергией фотонов h=E_g-E₁ в ФЛ кристалла сернистого кадмия наблюдаются линии с энергиями, меньшими E_g-E₁ на энергию фонона E_ph. Эти линии, называемые фононными повторениями, соответствуют рекомбинации электрона и дырки в экситоне с рождением одного или двух фононов и превращением оставшейся энергии в фотон. Типичное время затухания люминесценции свободного экситона в прямозонных полупроводниках составляет 10^-9 сек.

4. Фотолюминесценция полупроводника с примесями. Электронные уровни примесей

Если считать кристаллическую решетку идеальной, то в спектре ФЛ должны проявляться только свободные экситоны. Однако, на практике мы имеем дело с реальными кристаллами, которые содержат вакансии, атомы в нерегулярных позициях, искажения атомных плоскостей (дислокации), инородные атомы - примеси. Диапазон возможных концентраций примесей в полупроводниках огромен - от 10¹¹ в сверхчистых материалах, до 10¹⁹ ат/см³ в сильно легированных полупроводниках (в 1 куб. см. кристалла содержится 10²² атомов основного вещества).

Хорошо известно, что примесные атомы разделяются на доноры и акцепторы. Если электрон и дырка находятся соответственно на доноре и акцепторе, то донор и акцептор нейтральны. Энергии E_d и E_a требуемые для ионизации донора (отрыв электрона с переходом в с-зону) и акцептора (отрыв дырки с переходом в v-зону), характеризуют глубину примесного уровня. В типичном полупроводнике E_d и E_a имеют порядок 0.1 эВ. В реальном кристалле могут быть несколько сортов доноров или акцепторов.

5. Экситонно-примесные комплексы

Свободный экситон может быть захвачен примесным атомом, при этом образуется экситон, связанный на примеси, или экситонно-примесный комплекс (ЭПК). Энергия связи экситона с примесью определяется соотношением масс электрона и дырки. Было показано, что ЭПК типа экситон-нейтральный донор и экситон-нейтральный акцептор устойчивы всегда, но для первого энергия связи возрастает с уменьшением отношения m_e/m_h, а для второго уменьшается. Для ЭПК, образованных экситоном и ионизированными донором или акцептором, критерии устойчивости более жесткие и существование в конкретном полупроводнике обоих типов ЭПК невозможно.

В спектрах ФЛ и поглощения света ЭПК проявляется в виде узких линий, расположенных по энергии ниже линии свободных экситонов на величины энергий связи экситона Е₀ с различными нейтральными и ионизированными примесями. При низких температурах (кТ<Е₀) типичной является ситуация, когда экситон успевает образовать ЭПК, после чего происходит рекомбинация электрона и дырки с излучением фотона, энергия которого равна E_g-E₁-E₀. По этой причине в спектрах низкотемпературной ФЛ слабо по сравнению с излучением ЭПК.

Рассмотрим важный вопрос об идентификации примесей с помощью спектров ФЛ. Эксперимент и теория показывают, что E_d и E_a , а следовательно и Е₀ индивидуальны для различных доноров и акцепторов в одном и том же полупроводнике. Таким образом, появляется возможность по положению узких линий ЭПК в спектре низкотемпературной ФЛ определить, на каких химических элементах связываются экситоны в исследуемом образце. Оказалось возможным по линиям излучения различных ЭПК оценить и концентрацию примесей. Энергия связи экситона с донором (акцептором) составляет приблизительно десятую часть E_d (E_a), то есть Е₀ является величиной порядка 0.01 эВ. По этой причине линии связанных экситонов в спектрах полупроводников расположены близко к линиям свободных экситонов (см. рис. 3). Энергия связи электрона и дырки в свободном экситоне Е₁ также значительно превышает энергию ЭПК Е₀. На рис. 5 приведены значения E_d и E_a для кристалла кремния, легированного различными элементами III и V групп, и соответствующие этим донорам и акцепторам величины Е₀.

При высокой температуре колебания решетки столь интенсивны (можно говорить о высокой концентрации фононов), что это мешает образованию связанных состояний. Ясно, что чем меньше энергия связи Е₀, тем меньшая температура требуется для разрушения (диссоциации) ЭПК, и этим определяется качественное изменение спектра ФЛ при постепенном повышении температуры полупроводника. При очень низкой Т в спектре видны узкие линии излучения ЭПК, при нагревании кристалла они исчезают и усиливаются линии свободных экситонов (трансформация спектра на рис.4 в спектр на рис. 1), при еще большей Т происходит диссоциация свободных электронов.

6. Донорно-акцепторные излучательные переходы

В легированных полупроводниках наблюдается ФЛ типа примесный уровень - зона. В ФЛ полупроводников со значительным содержанием и доноров и акцепторов ярко проявляются переходы электронов с доноров на акцепторы. Механизм этой ФЛ (рис.2) состоит в следующем. После поглощения фотона в кристалле образуются электрон в с-зоне и дырка в v-зоне. Через некоторое время электрон и дырка захватываются соответственно донором и акцептором. Если донор и акцептор расположены близко друг к другу, орбиты донорного электрона и акцепторной дырки перекрываются и происходит переход с излучением фотона ( расстояние между донором и акцептором называют радиусом донорно-акцепторной пары (ДАП)). Энергия фотона, излученного ДАП с радиусом R

h_R=E_g-E_d-E_a+e²/R

Рассмотрим причину появления последнего члена. Если считать, что первым захватывается электрон, то он не только притягивается донором, но и отталкивается отрицательно заряженным ( не успевшим захватить захватить дырку) акцептором, находящимся на расстоянии R, вследствие чего связь электрона с донором уменьшается и становится равной E_d-e²/R. Аналогичное рассуждение можно провести для случая, когда первой захватывается дырка. Весь возможный набор дискретных значений R определяется строением кристаллической структуры полупроводника.

Рассмотрим некоторые примеры. Для получения ДАП в германии или кремнии эти кристаллы легируют элементами III и IV групп; при введении в кристалл группы III-V GaAs элемента IV группы образуются одновременно и доноры и акцепторы. Из энергетического соотношения видно, что фотоны с большей энергией соответствуют близко расположенным донорам и акцепторам, а с меньшей - ДАП с большими R. Типичный спектр ФЛ ДАП, зарегистрированный при импульсном возбуждении с различными временными задержками в кристалле GaP, легированном элементами IV и VI групп, приведен на рис.2. Характерной является зависимость времени затухания ФЛ ДАП от R. У ДАП с малым R орбиты электронов и дырок перекрываются сильно, и вероятность перехода электрона с донора на акцептор велика. вследствие чего ФЛ ДАП с малыми R затухает быстрее (рис.2).

Суммарная схема возможных переходов показана на рис.6.

Фотолюминесценция позволяет также идентифицировать наличие уровней размерного квантования. Так, на рис. 7 и 8 показана зонная структура квантовой ямы и соответствующий спектр ФЛ, который нам однозначно показывает переход, связанный с квантовыми уровнями и полосу, соответствующую примесям непреднамеренного легирования.

7. Как наблюдать ФЛ

Для оптической накачки используют лазеры:

Алюмо-иттриевый гранат с неодимом

Y₃Al₅O₁₂: Nd³⁺ =1.06 мкм Е=1170 мэВ P=1 Вт

Полупроводниковые лазеры

=0.662 мкм Е=1880 мэВ P=70 мВт

=0.8 мкм Е=1550 мэВ P=300 мВт.

Блок-схема установки показана на рис. Исследуемый образец (1) помещается в криостат, снабженный оптическими окнами, и располагается таким образом, чтобы прямое излучение возбуждающего лазера не попало в линзу, собирающую рекомбинационное излучение образца на входную щель монохроматора МДР-2 (2). некоторая часть падающего излучения рассеивается поверхностью образца, поэтому перед входной щелью монохроматора помещается кремниевый фильтр (20), эффективно поглощающий лазерное излучение, чтобы ослабить связанные с ним оптические помехи. Рекомбинационное излучение фильтр пропускает. В качестве возбуждающего источника используется твердотельный лазер на алюмо-иттриевом гранате, легированном неодимом, типа ЛТ-2 (13), либо полупроводниковые лазеры, устанавливающиеся вместо зеркала 18'. Для улучшения спектрального состава возбуждающего излучения и сужения спектральной области, где существуют оптические помехи, излучение неодимового лазера пропускается через две стеклянные призмы (14) и диафрагму (23). Диафрагма (22) устраняет отражение излучения юстировочного гелий-неонового лазера (16) от второй поверхности стеклянной пластины (17), что облегчает визуальную юстировку.

Отражение от передней грани первой призмы фокусируется на фотоприемник-монитор (15), сигнал которого используется в качестве опорного при синхронном детектировании сигнала фотолюминесценции. С помощью монитора осуществляется также контроль величины мощности лазера. Модуляция излучения сигнала осуществляется с утроенной частотой питающего напряжения (150 Гц) за счет пульсаций питания лампы накачки лазера, однако возможна также работа в режиме стабилизированного тока питания и механической модуляции (прерывания) излучения. При использовании полупроводниковых лазеров модуляция излучения осуществляется за счет модуляции тока накачки.

Вышедшее из монохроматора излучение регистрируется охлаждаемым жидким азотом pin-фотодиодом (3) из высокочистого кремния, обладающим высокой чувствительностью в спектральном диапазоне 1-1.8 мкм. Для регистрации в области 1.8-2.5 мкм используется охлаждаемый жидким азотом фоторезистор из PbS. Сигнал фотоприемника усиливается и детектируется с помощью усилителя с синхродетектором (5) и оцифровывается 13-разрядным АЦП (6). Регистрацию сигналов и программное управление монохроматором осуществляется ЭВМ РС (8), которая через заданные промежутки времени считывает сигнал на выходе АЦП, после чего передвигает шаговый двигатель (11), вращающий барабан монохроматора, на заданное число шагов. Одно деление барабана проходится за 64 шага двигателя. Это позволяет проводить подробные измерения даже очень узких спектральных линий.

Размещено на Allbest.ru