О кинетике создания центров наведенной люминесценции в сульфатах при возбуждении
Исследование эффекта наведенной люминесценции при облучении фосфора большими дозами ионизирующей радиации. Кинетика создания центров наведенной люминесценции в сульфатах при фотовозбуждении методом термо- и фотостимулированной передачи электронов.
Рубрика | Физика и энергетика |
Вид | реферат |
Язык | русский |
Дата добавления | 22.06.2015 |
Размер файла | 23,1 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
НУУЗ им. Мирзо Улугбека, физический факультет
О кинетике создания центров наведенной люминесценции в сульфатах при возбуждении
Ш.И. Мухамедханова, С.Т. Бойбобоева
Эффект наведенной люминесценции заключается в том, что после облучения фосфора большими дозами ионизирующей радиации в нем появляются новые полосы возбуждении фотолюминесценции [1]. При таком облучении сульфата наблюдалось увеличение эффективности их термо- и фотостимулированной люминесценции (ТСЛ, ФСЛ) [2]. Этот эффект может быть связан или с электронными процессами (заполнение очень глубоких ловушек) или с ионными (создание новых дефектов в диэлектрике).
Исследования глубоких ловушек и центров наведенной люминесценции (ЦНЛ) о сульфатах методом фотостимулированной передачи электронов (ФСПЭ) и фотовозбуждения (ФВ) подробно описаны [2;3].
В настоящей работе рассматривается кинетика создания ЦНЛ в сульфатах при фотовозбуждении.
При ФВ образуются дефекты одного типа, ответственные за наведенную люминесценцию. Эти дефекты создаются за счет неоптической рекомбинации (создание смещений за счет рекомбинации), энергия которой [4]: 8,4 эВ или неоптических переходов с возбуждениями уровней центров рекомбинации (ЦР) с энергией 4,9 эВ и 3,4 эВ [2] со смещением 12,6. В CaSO4 ширина запрещенной зоны Eg = 12 эВ. Однако, при ФВ более длинноволновой, но широкой полосой (5,9-6,8 эВ), хорошо заметно запасание электронов на ловушках.
Прямая ионизация собственного ЦР отпадает т.к. его основной уровень лежит ниже дна запрещенной зоны на 8,4-8,5 эВ. ФВ легко понять как двухступенчатое - сначала поглощение на ЦР (Ее = 6.12эВ) и после туннельной передачи на соседнюю «глубокую» ловушку - фотостимуляция (Еs = 2,5-5 эВ) электрона в запрещенную зону. Электроны из запрещенной зоны или рекомбинируют на ЦР или захватываются соседними «мелкими» ловушками. наведенный люминесценция фотовозбуждение сульфат
Последний этап ФВ по схеме совпадает с ФСПЭ на соответствующие уровни захвата. В такой схеме естественно, что запасание на вторых уровнях должно быть того же порядка, что и ФСПЭ, т.е. на 3 порядка меньше, чем при прямом рентгеновском возбуждении (РВ), а сечения поглощения стимулирующего света, полученные по измеренного ФСПЭ после РВ (1 и 2) и по ФВ должен быть одинаковыми.
В [2] приведена система уравнений для квазистационарного случая:
(1а)
(1в)
(1е)
Здесь 1 - концентрация электронов на донорных центрах захватах (ЦЗ);
2 - концентрация электронов на ЦР;
Еl - энергия возбуждающего света;
ЕS - энергия стимулирующего света;
1 и 2 - вероятности высвечивания электрона в единицу времени с глубокого и мелкого ЦЗ, соответственно;
Коэффициент передачи, т.е. доля переданных электронов на мелкие ЦЗ из числа, запасённых на глубоких ЦЗ;
Аr - вероятность рекомбинации;
Аl2 - вероятность «повторного» захвата.
Для этой системы уравнений возможны два случая:
а) 10 0,El = 0 - эффект очувствления
б) 10 = 0,El 0 - ФСПЭ.
В обоих вариантах есть рекомбинация и возможно создание дефектов. Рассмотрим случай, когда
Здесь 1 - начальное запасание на глубоких ЦЗ;
1 - запасание при .
Расчеты показали, что
Здесь - вероятность туннельного перехода;
n0 - концентрация электронов на ЦР;
- численная величина (0,79 0,07) 103 с-1.
Эксперименты по распаду ЦЗ при больших дозах РВ по ТСЛ и дальнейший расчет показывает, что
;
Здесь: Н - концентрация ЦНЛ;
-доля рекомбинаций, приводящих к преобразованию ЦЗ;
-коэффициент восстановления или коэффициент распада ЦНЛ.
Из сравнения постепенного распада ЦНЛ «в темноте» и переданной ТСЛ, а также фотовозбуждения >> , т.е.
Литература:
1. Красная А.Р - «Влияние собственных и примесных дефектов на термостимулированную люминесценцию и термостимулированную экзоэмиссию сульфатных фосфоров - Автореферат диссертации, на соискание уч. степени к.ф. - м.н, Ташкент - 1970 г.
2. Мухамедханова Ш.И. - Люминесцентно активные центры в люминафорах на основе CaSO4 - Автореферат диссертации, на соискание уч. степени к.ф.- м.н, Ташкент - 1994 г.
3. Ш.И. Мухамедханова, В.Я. Ясколко -Центры захвата в люминесценции щелочноземельных сульфатов. -Вестник НУУЗ, №3, 2005 г.
4. V.Ya. Yaskolkо - Two - Stage Photoexcitation of Thermo - Stimulated Luminescence in CaSO4. - Phys. Stat. Sol(a), 157, 507 (1996)
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Уровни свободного иона. Мощность поглощения планковской радиации. Универсальное соотношение между спектрами поглощения и люминесценции. Параметры экситонов в различных полупроводниковых материалах. Образование центров люминесценции в результате прогрева.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 10.06.2011Общие положения теории люминесценции. Разгорание и затухание люминесценции. Зависимость интегральной и мгновенной яркости электролюминесценции от напряжения, частоты, температуры. Действие на люминофоры инфракрасного излучения. Электрофотолюминесценция.
дипломная работа [51,1 K], добавлен 05.04.2008Основные понятия люминесценции кристаллов. Квантовый и энергетический выход люминесценции. Способы возбуждения электролюминесценции. Влияние внешних электрических полей и высоких гидростатических давлений на характеристики галофосфатных люминофоров.
дипломная работа [1,7 M], добавлен 07.07.2015Яркость люминесценции кристаллов. Основные физические характеристики люминесценции. Изучение спектра, кинетики и поляризации излучения люминесценции. Яркость фосфоресценции органических молекул. Начальные стадии фосфоресценции кристаллофосфоров.
реферат [36,8 K], добавлен 05.06.2011Сущность и законы флуоресценции, принципы регистрации данного явления, кинетика и поляризация. Спектры возбуждения люминесценции. Фотообесцвечивание красителей. Зависимость флуоресценции от микроокружения молекулы. Иммуно-флуоресцентная микроскопия.
контрольная работа [1,4 M], добавлен 19.08.2015Основные элементы конструкции волоконных лазеров. Фотонно-кристалические активированные волокна. Энергетические уровни ионов иттербия в кварцевом стекле. Влияние нагрева на спектры поглощения и люминесценции, на эффективность генерации волоконных лазеров.
дипломная работа [1,7 M], добавлен 09.10.2013Общее понятие о люминесценции. Лазерные кристаллы, активированные ионами Ln3+. Соединения cемейства шеелита. Редкоземельные оптические центры. Явление комбинационного рассеяния света. Метод полиэдров Вороного-Дирихле. Главные свойства молибдатов.
курсовая работа [2,8 M], добавлен 18.07.2014Физическая природа поглощения и люминесценции. Состав стекла, легированного висмутом, и спектры поглощения. Структурирование висмутовых стекол с помощью фемтосекундного лазера. Исследование температурной зависимости спектрального коэффициента поглощения.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 14.01.2014Классический, полуклассический и квантово-механический принципы Франка-Кондона. Физическая природа распределения интенсивностей электронно-колебательных молекулярных спектров. Энергетические условия возможности безызлучательного электронного перехода.
реферат [408,0 K], добавлен 03.03.2014Источники холодного свечения. Возбуждение люминесценции. Фотолюминесценция, катодолюминесценция, радиолюминесценция, рентгенолюминесценция, хемилюминесценция, биолюминесценция, электролюминесценция.
доклад [9,5 K], добавлен 20.05.2007