Работа биполярного транзистора в схеме ключа
Изучение основных характеристик и особенностей работы биполярного транзистора в режиме импульсного ключа. Построение схемы измерительной цепи. Определение предельно допустимых значений токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | лабораторная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 21.06.2015 |
| Размер файла | 551,4 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТА
Работа биполярного транзистора в схеме ключа
Студент: Скробов Леонид Артемьевич
Преподаватель: Коренюгин Д.Г.
1. Схема измерительной цепи
G1 - генератор импульсов;
G2 - источник питания 1-50В;
ОСЦ - двухканальный осциллограф;
R1, R2, R3 - резисторы;
VT - исследуемый транзистор (МП114);
VD - диод Шоттки (КД419Б).
1. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора
UСИ МАКС = 10 В; P МАКС = 0.12 Вт;
IС МАКС = 6.6 мА; IЗИ МАКС = 10 мА;
биполярный транзистор импульсный ключ
2. Необходимые расчеты
|
Uг = 3,5 В; Rн=1500 Ом |
|||||
|
tз |
tф |
tр |
tс |
||
|
дел |
3,50 |
2,50 |
8,00 |
5,50 |
|
|
мкС |
1,75 |
1,25 |
4,00 |
2,75 |
|
|
Uг = 3,5 В; Rн=500 Ом |
|||||
|
tз |
tф |
tр |
tс |
||
|
дел |
4,00 |
5,00 |
6,00 |
11,00 |
|
|
мкС |
2,00 |
2,50 |
3,00 |
5,50 |
|
|
Uг = 2 В; Rн=1500 Ом |
|||||
|
tз |
tф |
tр |
tс |
||
|
дел |
2,00 |
2,00 |
1,00 |
8,00 |
|
|
мкС |
1,00 |
1,00 |
0,50 |
4,00 |
Выводы
При работе в малосигнальном режиме, транзистор работает на пологом участке входных характеристик и выходной сигнал получается плавный. В режиме же большого сигнала мы выходим на крутую часть ВАХ.
При изменении величины коллекторного сопротивления, которое собственно говоря имеет токоограничивающий характер(или токозадающий - это больше философский вопрос) меняется максимальный ток проходящий через коллектор, соответственно уменьшая это сопротивление можно ускорить процесс разрядки барьерной емкости.
Однако основным фактором влияющим на быстродействие ключа является состояние насыщения транзистора. Именно для этого коллекторный переход шунтируется диодом Шоттки, имеющем низкое напряжение отпирания и маленькое время включения.
Диод служит ограничителем глубокого насыщения базы: когда транзистор открыт и находится в активном режиме, напряжение коллектор-база положительно, и к диоду приложено обратное напряжение. С ростом коллекторного тока напряжение на коллекторном переходе падает, напряжение коллектор-база становится прямым и диод открывается. Последующее увеличение тока базы приводит к увеличению тока через диод. Поскольку напряжение отпирания диода Шоттки меньше напряжения отпирания коллекторного перехода, последний остается закрытым и накопление неосновных носителей в базе транзистора не происходит.
Таким образом, увеличение быстродействия транзисторного ключа с диодом Шоттки происходит в результате уменьшения времени нарастания тока коллектора при включении и времени рассасывания при выключении.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Понятие и функциональное назначение биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя близкорасположенными электронно-дырочными переходами. Анализ входных и выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером и базой.
лабораторная работа [1,3 M], добавлен 12.05.2016Получение входных и выходных характеристик транзистора. Включение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером. Проведение измерения тока базы, напряжения база-эмиттер и тока эмиттера для значений напряжения источника. Расчет коллекторного тока.
лабораторная работа [76,2 K], добавлен 12.01.2010Изучение методов построения зависимости прямого коэффициента усиления по току и анализ зависимости предельной частоты от тока эмиттера для кремниевого биполярного дрейфового транзистора. Этапы расчета частотных свойств биполярного дрейфового транзистора.
лабораторная работа [68,3 K], добавлен 06.02.2010Параметры транзистора МП–40А, чертеж его основных выводов. Входная и выходная характеристики данного транзистора. Определение параметров для схемы с общим эмиттером. Схема с общим коллектором и общей базой. Расчет параметров для соответствующей схемы.
контрольная работа [642,0 K], добавлен 28.03.2011Порядок получения входных и выходных характеристик транзистора. Методика и основные этапы сборки электрической схемы, определение измерения тока коллектора. Экспериментальное нахождение сопротивления по входной характеристике при изменении базового тока.
лабораторная работа [39,8 K], добавлен 12.01.2010Принцип действия биполярного транзистора. Его статические характеристики и эксплуатационные параметры. Температурные и частотные свойства транзистора. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. Схематическое изображение ПТ с изолированным затвором.
лекция [460,9 K], добавлен 15.03.2009Определение мгновенных значений токов в цепи. Построение совмещенной векторно-топографической диаграммы напряжений и токов. Проверка энергетического баланса мощностей и режимы работы источников электроэнергии. Расчёт цепи с взаимными индуктивностями.
курсовая работа [744,6 K], добавлен 31.01.2016Устройство и принцип действия биполярного транзистора, униполярного транзистора. Силовые полупроводниковые приборы, основные требования, предъявляемые к ним. Характеристика динисторов и транзисторов. Параметры предельных режимов работы транзисторов.
лекция [424,0 K], добавлен 14.11.2008Расчёт токов и напряжений цепи. Векторные диаграммы токов и напряжений. Расчёт индуктивностей и ёмкостей цепи, её мощностей. Выражения мгновенных значений тока неразветвлённой части цепи со смешанным соединением элементов для входного напряжения.
контрольная работа [376,9 K], добавлен 14.10.2012Принцип работы полевого транзистора. Стоковые характеристики транзистора. Причина насыщения в стоковой характеристике полевого транзистора. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Инверсия типа проводимости.
лабораторная работа [37,8 K], добавлен 20.03.2007
