Баричні зміни рефрактивних параметрів діелектричних кристалів

Одновісний тиск _z= 200 бар зсуває точку перетину кривих n_c() і n_a() у бік менших довжин хвиль: n_c = n_a= 1.51492 при 265 нм, що означає відповідне баричне зміщення точки ІЗД.

На підставі баричних і температурних залежностей показників заломлення n_i(, T) проведено аналіз баричних і температурних залеж-ностей ₀₁, В_1і і В_2і, а також оцінено внески УФ і ІЧ осциляторів у дисперсійні, температурні та баричні зміни показників заломлення досліджуваних кристалів. Внески від УФ осциляторів у дисперсійні зміни n_i досліджуваних кристалів зменшуються за зростанням довжини хвилі (20% для = 700 нм і при Т_кімн. для LiКSO₄) і збільшуються за зростанням температури (90% при 900 К для LiКSO₄). З пониженням температури анізотропія внесків збільшується. При 100 К для = 700 нм домінуючими стають внески від ІЧ осциляторів. Для кристалів RbKSO₄ i RbNH₄SO₄ за низьких температур домінуючими в зміни n_i() є внески від ІЧ осциляторів. З підвищенням температури внески від ІЧ осциляторів зменшуються так, що спостерігається вирівнювання внесків від УФ і ІЧ. За кімнатної температури у всьому спектральному діапазоні дисперсія n_i() майже повністю визначається УФ осциляторами, їхні внески становлять 96 - 98%. Прикладання одновісних тисків приводить до зміни внесків у дисперсійні і температурні залежності n_i(,Т), ця зміна не завжди є однозначна. За низьких температур одновісний тиск _х перважно приводить до зростання внесків від ІЧ осциляторів на 7 - 10%. З підвищенням температури зростання внесків від ІЧ осциляторів незначне - на 1 - 2%.

У цьому розділі також наведено результати теоретичних ab initio розрахунків структури енергетичних зон та уявної частини ₂ комплексної діелектричної проникності монокристалів LiRbSO₄ у параелектричній моноклінній фазі І. Встановлено, що вершина валентної зони локалізована у точці D (k = (0.5; 0.5; 0)), дно зони провідності знаходиться у точці Ґ (Е = 5.16 еВ), найменша пряма заборонена щілина (точка Ґ) становить 5.20 еВ. Вершина валентної зони утворена зв'язувальними p-орбіталями сірки. Дно зони провідності сформоване переважно s, p - станами Li та Rb, гібридизованими з антизв'язувальними p станами сірки та кисню.

У шостому розділі розглянено баричні зміни двопроменезаломлення в районі ФП досліджуваних кристалів. Встановлено, що для усіх дослід-жуваних кристалів одновісний механічний тиск уздовж головних кристалофізичних осей приводить до зміщення точок ФП у бік високих або низьких температур. Якщо розглянути сумарні коефіцієнти зміщень точок ФП під дією всіх одновісних тисків уздовж головних кристалофізичних напрямків то для кристалів LiKSO₄, (NH₄)₂BeF₄, LiRbSO₄ вони мають від'ємні значення, що узгоджується з характером впливу гідростатичного тиску на ФП цих кристалів. Однак баричні коефіцієнти зміщень точок ФП під час дії гідростатичних тисків значно менші ніж для одновісних напружень, що свідчить про значну вибірковість впливу останніх на структуру кристала. Оскільки температурні коефіцієнти зміщень точок ФП ПФ-НФ і НФ-СФ різні, то встановлено, що одновісні тиски _m ведуть до розширення НФ і переміщення температурного інтервала існування останньої в бік низьких температур. Для кристалу (NH₄)₂BeF₄ одновісний тиск _z веде до звуження НФ. Шляхом екстраполяції прямих Т_с(_z) встановлено, що за тисків _z ~ 2.3 Кбар і Т ~ 190 К в кристалі ФБА зникне несумірна фаза і буде спостерігатись ФП парафаза - сегнетоелектрична фаза. В кристалі LiKSO₄ НФ зникає за тиску 1.4 кбар і Т = 353 К виникає "потрійна точка" ФП кімнатнотем-пературна сегнетоеластична фаза (рис. 4).

Ці баричні зміщення температур ФП обумовлені впливом одновісних тисків на кристалічну структуру кристалів, що дає змогу пов'язати температурні зміни двопроменезаломлення під час ФП з баричними деформаціями ґратки. В загальних випадках тиски (_z) “пришвидшують” обертання тетраедрів BeF₄^2- чи SO₄^2- а відтак зміщують ФП у бік високих температур, а в інших випадках (_у і _х) вони “гальмують” обертання тетраедрів, а отже зміщують ФП у бік нижчих температур.

У табл. 2 подано коефіцієнти баричного зміщення точок ФП кристалів ЛРС, а також сумарні коефіцієнти.

Оскільки баричні коефіцієнти зміщення точок ФП різні, (dT_с1/d_z dT_і/d_z), то можна очікувати, що під впливом тиску _z несумірна фаза кристала LiRbSO₄ буде звужуватись. При _z 1000 бар і Т 481 К в крис-талі зникне НФ і буде спостерігатись ФП параелектрична - сегнетоеластична фази, минаючи несумірну. Одновісні тиски _x і _y, у свою чергу, ведуть до розширення НФ у бік нижчих температур. До того ж, оскільки dT₄/d_z dT₃/d_z dT_с1/d_z то і тиск _z буде також звужувати сегнетоелектричну і сумірну фази. Екстраполяція прямих T_i(_z) дала змогу встановити, що при _z 2.71 кбар і Т 496 К зникне сегнетоелектрична фаза - буде спостерігатись ФП сумірна сегнетоеластична - парафази, а при _z 2.13 кбар і Т 488 К зникне сумірна сегнетоеластична фаза і буде спостерігатись ФП несумірна - сегнетоелектрична фази.

Таблиця 2. Коефіцієнти баричного зміщення точок ФП кристалів LiRbSO₄.

Для кристалів RbNH₄SO₄ виявлено, що точка ФП зміщується в ділянку нижчих температур (тиски _x та _y) або в ділянку вищих температур (тиск _z): T_c/_x= - 0.017 K/бар, T_c/_y= - 0.013 K/бар, T_c/_z = 0.015 K/бар, = - 0.015 K/бар.

Оскільки просторова структура цих кристалів не була відома, тому методом порошка було визначено структуру кристалів RbNH₄SO₄ і RbКSO₄, методом найменших квадратів в ізотропному та анізотропному наближенні було уточнено координати важких атомів, температурні поправки і коефіцієнти заповнення правильних систем точок.

Встановлено, що кристал RbКSO₄ належить до ромбічної сингонії, простророва група Pnma з параметрами комірки a = 7.5526(4) Е, b = 5.8048(3) Е, c = 10.1156(6) Е при наступному розподілі атомів: О1 в 8(d) x y z (x = 0.3080, y = 0.0430, z = 0.1530), O2 в 4(с) x ј z (x = 0.0450, z = 0.830), Rb в 4(c) x ј z (x = 0.1728, z = 0.4100), S в 4(c) x ј z (x = 0.2324, z = 0.0815), K в 4(c) x ј z (x = 0.4895, z = 0.7048), O3 в 4(c) z ј z (x = 0.7930, z = 0.5580) при чиннику достовірності (R = 0.09). Об'єм елементарної комірки 441.6(1) Е³, густина кристалу 2.8055(6) г/см³. Кристали RbNH₄SO₄ також належить до ромбічної сингонії, простророва група Pnma з параметрами комірки a = 7.8303(2) Е, b = 10.4677(2) Е, c = 5.9772(1) Е при наступному розподілі атомів: О1 в 8(d) x y z (x = 0.3080, y = 0.0430, z = 0.1530), O2 в 4(с) x ј z (x = 0.0450, z = 0.830), Rb в 4(c) x ј z (x = 0.1728, z = 0.4100), S в 4(c) x ј z (x = 0.2324, z = 0.0815), N в 4(c) x ј z (x = 0.4895, z = 0.7048), O3 в 4(c) z ј z (x = 0.7930, z = 0.5580) при чиннику достовірності (R = 0.09). Об'єм елементарної комірки 489.4(1) Е³, густина кристалу 3.0723(7) г/см³.

Можна вважати, що кристали RbKSO₄ і RbNH₄SO₄ мають характерну для кристалів групи -K₂SO₄ будову елементарної комірки (рис. 5). Визна-чальними в ній є тетраедридричні каркаси, що об'єднюються в шестичленні кільця і які можуть бути повернуті вершинами донизу або догори вздовж с-осі. Характерним для таких типів комірок є псевдогексагональність, характерні "трійники" у вирощених кристалах, що було нами встановлено для кристалу RbKSO₄.

Отже, за аналогією з вище наведеними результатами для кристалів LiKSO₄, LiRbSO₄ і (NH₄)₂BeF₄, та на підставі одержаних експериментальних результатів можна зробити висновок, що ФП у кристалах RbKS0₄ i RbNH₄SO₄ повязаний з поворотом тетраедричних груп SO₄^2-. Справді, оскільки тиски _x та _y зміщують ФП у бік низьких температур, то вони гальмують рухи тетраедрів, і останні повинні б повертатись навколо осей X та Y. Тиск _z підвищує Т_с тобто сприяє поворотам тетраедричних груп Різні числові значення коефіцієнтів Т_с/ можуть вказувати на різну орієнтацію осей обертання тетраедрів SO₄^2- відносно кристалофізичних осей.

Для домішкових кристалів ТГС виявлені такі загальні особливості: зміни n_i пропорційні до температури, під час переходу через точку Кюрі змінюється величина похідної n_i/Т; одновісні тиски, змінюючи абсолютну величину n_i, якісно не міняють температурного ходу n_i; під впливом тиску зміщується точка ФП. Під час дії тисків _x і _y точка ФП кристалу LTТГС зміщується в бік нищих температур: Т_с^x = 320.5 К і Т_с^y = 320.2 К, тоді як тиск _z зміщує останню в бік вищих температур Т_с^z = 325.2 К (Т_с⁰ = 321.8 К). При тому температурні коефіцієнти зміщення ФП становлять Т_с/_x= - 0.0064, Т_с/_y = - 0.008 i Т_с/_z = 0.0171 К/бар, = +0.0027 К/бар. Для кристалів LVТГС точка ФП зміщується в бік низьких температур: Т_с^x =321.7 К і Т_с^y = 321.4 К при дії тисків _x і _y, тоді як тиск _z зміщує останню в бік вищих температур Т_с^z = 326.6 К. При тому температурні коефіцієнти зміщення ФП становлять Т_с/_x = - 0.0065, Т_с/_y = - 0.0081 i Т_с/_z = 0.0179, = 0.0033 К/бар. Для кристалів ТГС з домішкою D-серину виявлені такі зміщення точок ФП: Т_с^x = 320.3 К (_x 100 бар), Т_с^y = 320.2 К (_y 100 бар) і Т_с^z = 322.8 К (_z 100 бар) (Т_с⁰ = 321 К); Т_с/_x = - 0.007, Т_с/_y = - 0.008, Т_с/_z = 0.018, = 0.0030 К/бар. Отримані нами коефіцієнти є дещо меншими, ніж для чистих кристалів ТГС, що підтверджує зростання жорсткості кристалів ТГС з внесенням домішок.

Ці зміни зумовлені таким. Домішки L-треоніну, L-валіну чи D-серину вводять у кристал у процесі росту, вони структурно і хімічно подібні з молекулою гліцину і під час введення їх у кристал прикріплюються до гліцина, заміщаючи атом водню. ФП у кристалах ТГС зумовлений упорядкуванням гліцинової групи І уздовж b-осі.

Зрозуміло, що прикладання одновісного тиску _b буде гальмувати рух гліцинових груп у цьому напрямку, а відтак зменшувати ймовірність їхнього впорядкування, що призведе до зміщення точки ФП у бік нижчих температур. Так само діє і тиск у перпендикулярному напрямку уздовж осі а. Одновісний тиск уздовж напрямку с, навпаки, буде пришвидшувати процес впорядкування гліцинових груп, а відтак зміщувати точку ФП у бік вищих температур.

У кристалі СС виявлено, що одновісний тиск _y веде до звуження її сегнетофази. Екстраполювавши криві _y (Т_с1) і _y (Т_с2) і прийнявши до уваги їхню прямолінійну залежність, визначено, що при Т 278 К і 924 бар верхня і нижня точки Кюрі кристалу СС співпадуть, тобто зникне сегнетоелектрична фаза. Одновісні тиски _z також ведуть до звуження сегнетофази, зміщаючи температурний діапазон у бік вищих температур і при _z 2931 бар і Т 322 К сегнетофаза в кристалі також СС зникне.

Така поведінка точок Кюрі під впливом одновісних тисків зумовлена, в першу чергу, впливом останніх на структуру і сегнетоелектричні властивості кристалів СС. Головна роль у виникненні сегнетоелектричних властивостей цієї сполуки належить диполям, зв'язаних з гідроксильною групою. При тому протони гідроксильних груп переміщаються на 0.1 нм уздовж сегнетоелектричної осі Х. Зміни в положенні протонів вказаних груп супроводжуються зміщеннями інших атомів структури. Тепер очевидним стає той факт, що прикладання зовнішніх полів уздовж осі Х буде утруднювати переміщення протонів гідроксильних груп у цьому напрямку. Останні міркування підтверджують виявлений на експерименті той факт, що під час дії одновісних механічних тисків _х точка ФП буде зміщуватись у бік нижчих температур.

У сьомому розділі наведено температурно-спектрально-баричні діаграми ізотропного стану кристалів і запропоновано можливості їхнього практичного використання.

У кристалах (NH₄)₂BeF₄ виявлено, що при = const одновісний тиск уздовж осі Z суттєво зміщує точку ІЗД у бік низьких температур. За тисків _z 100 бар точка зміни знака похідної ₀/Т діаграми ₀(Т) ( = 500 нм) зміщується на 4 К (Т = 306 К) у бік нижчих температур, тиск _х зміщує точку ІЗД у бік вищих температур. При Т = const одновісний тиск _х зміщує ₀₁ у довгохвильову область спектра, а ₀₂ - в короткохвильову. Одновісний тиск уздовж осі Z зміщує точки ІЗД у різні боки, але протилежні до зміщень, викликаних дією _х.

Для кристалів LiKSO₄ одновісний механічний тиск уздовж осі Y зміщує точку ІЗД в довгохвильову ділянку спектра. В цьому випадку чутливішими до напруг є короткохвильові (вони ж і високотемпературні) частини діаграми. З пониженням температури d₀/d зростає: 3.5; 8.2 і 15.510-² нмбар-¹ для Т = 294 К, 277 К і 225 К, відповідно. З ростом температури крутизна кривих ₀(Т) зменшується в співвідношенні d₀/dТ = 0.49; 0.44 і 0.34 нмК-¹ для _z = 0; 50 і 100 бар, відповідно. За тисків уздовж осі Х з пониженням температури d₀/d зменшується: 3.3; 7.9 і 13.210-² нмбар-¹ для Т = 294, 270 і 220 К, відповідно. Крутизна кривих ₀(Т) зменшується також з пониженням температури.

У кристалах RbNH₄SO₄ одновісні механічні тиски _x і _z також ведуть до зміщення точок ІЗД, відповідно, в бік нижчих і вищих температур, принципово не змінюючи самого характеру залежності ₀(Т). У температурному діапазоні (183 - 205 К) з високим значенням d₀/dТ = 18.9 нмК-¹ тиск _х зміщує положення ІЗД у середньому на - 7 К, а тиск _z на +5 К, тоді як у ділянці (205 - 230 К) з малим значенням d₀/dТ = 3.1 нмК-¹, тиск _х зміщує ІЗД у бік нижчих температур на - 23 К, а тиск _z - у бік вищих температур на + 20 К. Відповідно, тиск _х зміщує положення ІЗД у коротко-, а _z - довгохвильову ділянку спектру. Коефіцієнти спектрального зміщення ізотропної точки для двох ділянок ₀(Т) суттєво не відрізняються: d₀/d = 0.63 і - 0.56 нмбар-¹ (190 К); 0,27 і - 0,33 нмбар-¹ (210 К) для _х і _z, відповідно.

У кристалах СС шляхом екстраполяції одержаної кривої n_x() до точки перетину з прямою n_x = 0 дало змогу встановити положення другої ізотропної точки (інфрачервоної (ІЧ)) і за кімнатної температури вона знаходиться при ₀₂ 1490 нм.

Встановлено, що одновісний тиск _y зсуває УФ ізотропну точку в ділянку більших довжин хвиль (d/d_y = 0.0725 нмбар-¹), а ІЧ ізотропну точку - в ділянку коротших хвиль (d/d_y = - 0.095 нмбар-¹). Шляхом екстраполяції одержаних залежностей ₀ = f() або розвязування рівняння ₀₁ + (d₀₁/d)_y = ₀₂ + (d₀₂/d)_y встановлено, що за тиску _y 7.2 кбар дві точки ІЗД "зіллються" в одну при 810 нм. Одновісний тиск _z, навпаки розсовує точки ІЗД у різні ділянки спектру: перша з них рухається в близьку УФ, а друга - в ІЧ. За зростанням температури друга точка ІЗД буде зміщуватись у далеку ІЧ ділянку, тоді як за зменшенням температури вона зсуватиметься в видиму ділянку спектру. Дія тиску _y аналогічна пониженню температури - спостерігається звуження спектрального діапа-зону існування ізотропного стану кристалів СС. Температурна оцінка пове-дінки ізотропних точок показала, що при Т 332 К і 737 нм ізотропні точки мехічно вільного кристалу СС також "зіллються" і в кристалі існуватиме "подвійна" ізотропна точка.. На жаль, досягнути температур 332 К чи тисків 8 кбар для кристалів СС неможливо. Тому можна говорити лише про гіпотетичну "подвійну" ізторопну точку в кристалі СС.

Використовуючи вищеприведені залежності ІЗД, побудовані температурно-спектрально-баричні діаграми ізотропного стану досліджуваних кристалів. Вони дають змогу визначити ізотропний стан кристалу в заданому температурному (100 - 800 К), спектральному (200 - 800 нм) та баричному (0 - 200 бар) діапазонах. На рис. 6. зображено таку діаграму ізотропного стану кристалу СС.

Ця діаграма дає змогу встановити співвідношення між деформаціями оптичної індикатриси, зумовленої змінами температури за постійного тиску _m і довжині хвилі , змінами механічного навантаження за постійної температури T і довжині хвилі , а також деформаціями, зумовленими зміною за постійної температури T і механічного навантаження _m.

У праці для відомого поляризаційно-оптичного методу вимірювання температури запропоновано як робочий матеріал кристали RbКSO₄ і RbNH₄SO₄. Результати досліджень показали, що ці кристали прозорі в широкій ділянці спектру, приблизно від 170 нм до 860 нм і володіють ІЗД в широкій температурній (150 - 230 К) і спектральній (200 - 800 нм) ділянках. В видимій ділянці спектра дисперсія n_i нормальна, а n_i змінює свій знак (табл. 3).

Аналіз температурно-спектральних змін n_i і поведінка ІЗД показує, що найпридатнішим температурним діапазоном використання кристала RbNH₄SO₄ як кристалооптичний датчик температури є діапазон 150 - 500 К, а кристала RbКSO₄ - 116 - 800 К оскільки температурні зміни n тут майже лінійні, а спектральним діапазоном - 300 - 800 нм, оскільки дисперсія n тут нормальна і майже не залежить від .

Запропоновано пристрій для вимірювання одновісних тисків на підставі баричної залежності інверсії знака n_і, подібно до того, як для задання і вимірювання температури використовують температурну залежність її спектрального положення.

Таблиця 3. Дисперсійні і температурні зміни двопропоменезаломлення кристалів RbNH₄SO₄ і RbКSO₄, dn_y/d, 10-⁶ нм-¹

Принцип реалізації оптичного методу вимірювання тиску у випадку кристала (NH₄)₂BeF₄ такий. Встановлюємо кристал між схрещеними поляризаторами в діагональне положення. Далі в таке ж положення встановлюємо компенсатор, наприклад, /4, задаємо температуру кристала в одній з точок його температурно-спектральної діаграми ІЗД і за допомогою монохроматора (чи фільтра) встановлюємо довжину хвилі, для якої коноскопічна картина матиме форму систем концентричних кілець і темного хреста.

Навантажуємо кристал і, змінюючи довжину хвилі, відтворюємо таку ж картину в іншому кольорі. За відомою довжиною хвилі ₀ знаходимо з графіка тиск _m. Чутливість пропонованого методу становить Р = 0.01 атм. Запропонований метод має такі переваги порівняно з відомими:

стабільнішу чутливість на кривій J sin²/2;

неперіодичну (однозначну) залежність інтенсивності від тиску;

відсутня потреба “зшивання” лінійних ділянок півперіодів синусоїди і використання рухомих частин оптичної схеми (введення- виведення фазової пластинки /4) і двох каналів з чутливими і нечутливими датчиками;

поскільки виміри здійснюють за мінімумом фотоструму, а не за його абсолютним значенням, то зникає потреба стабілізації джерела і чутливості приймача.

Показано, що в точці ІЗД кристали мають високі пєзооптичні коефі-цієнти, особливо у випадку слабких полів. Запропоновано акустооптичний пристрій на базі кристалу LiКSO₄.

діелектричний кристал електронний рефракція

ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ТА ВИСНОВКИ

Робота присвячена дослідженню баричних залежностей показників заломлення, двопроменезаломлення, точок ФП та ІЗД діелектричних фероїків в широкій ділянці спектру (250 - 850 нм) і температур (77 - 1000 К). Використано інтерференційну методику досліджень у поляризованому світлі та метод Обреїмова. Визначено параметри оптичних індикатрис деяких кристалів, розраховано параметри ефективних осциляторів, їхню баричну чутливість. Виявлені зміни пов'язано зі структурою кристалів, запропоновано використання результатів роботи у вимірювальній техніці, зокрема в термометрії. Тобто:

1. Вперше досліджено баричні зміни показників заломлення n_i та двопроменезаломлення n_i ряду кристалів з ІЗД в широкому температурному (77 - 1000 К) і спектральному (250 - 850 нм) діапазонах. Встановлено, що:

- дисперсія n_i() нормальна і добре описується двоосциляторною формулою Зельмейєра, що містить УФ та ІЧ осцилятори. Внески від УФ осциляторів в дисперсійні зміни n_i() кристалів зменшуються зі зростанням довжини світла і зростають зі збільшенням температури;

- одновісні тиски ведуть до зменшення ефективної сили УФ і зростання ІЧ осциляторів;

- n_i досліджуваних кристалів достатньо чутливе до дії одновісних тисків, відтак дія тисків уздовж взаємноперпендикулярних напрямків приводить до різних за напрямком і величиною змін n_i;

- зміни n_i під впливом одновісних тисків, зазвичай, обумовлені зростанням найбільшого N_g і зменшенням найменшого показника заломлення N_p.

- заміщення в підґратці катіонів та аніонів веде до змін n_i, у середньому, на 3 - 510-³, електронної поляризовності _і на 0.2 - 0.310-²⁴ см³ і рефракції зв'язків R_і - на 0.3 - 0.7см³.

2. Досліджено спектральні та температурні зміни комбінованих і абсолютних _im. Показано, що:

- у точці ІЗД зменшується анізотропія тензора _im (IV ранг);

- виявлено значну аномалію ⁰₁₃ у точці Т_с для кристалів ЛКС, що обумовлена зміною індукованого n_i за рахунок виникнення спонтанної деформації, а також значним впливом одновісного напруження на солітонну структуру кристалу при ФП сумірна-несумірна фази;

- домішки (L-треонін, L-валін і D-серин) у кристалах ТГС ведуть до зменшення баричних змін n_i під час ФП за рахунок зменшення спонтанної поляризації Р_с та росту жорсткості структури;

- викликані домішками внутрішні механічні напруги оцінюють у межах 100 бар.

3. Показано, що електронна поляризовність кристалів зростає під впливом одновісних тисків, що зумовлено баричною зміною густини дисперсійних центрів та зменшенням ширини забороненої зони кристалів E_g (10-⁵ ев/бар). Розраховано зонно-енергетичну структуру механічно вільних і затиснутих кристалів LiRbSO₄. Встановлено, що найменша пряма заборонена щілина (точка Ґ) становить 5.20 еВ. Вершина валентної зони утворена зв'язувальними p-орбіталями сірки. Дно зони провідності сформоване переважно s, p - станами Li та Rb, гібридизованими з антизв'язувальними p станами S та O.

4. Показано, що величина і знак баричного зміщення температури ФП визначається напрямком стиску зразка. Експериментальні факти можна пояснити конкуренцією і взаємодією температурних і баричних змін структури кристала з наближенням до положення рівноваги. Встановлено тенденцію до зникнення несумірної фази в кристалах LiKSO₄ і (NH₄)₂BeF₄ за дії тисків _z, передбачуваною феноменологічною теорією.

5. Досліджено вплив одновісного механічного тиску на поведінку точки ІЗД кристалів-фероїків. Побудовано температурно - спектрально - баричні діаграми одновісного стану цих кристалів і запропоновано нові кристали (RbКSO₄ і RbNH₄SO₄) для вимірювання температури в діапазоні 120 - 800 К. Визначено параметри елементарної комірки, просторову симетрію кристалів RbКSO₄ і RbNH₄SO₄ і запропоновано, що ФП у цих кристалах обумовлений поворотом тетраедра (SO₄)²- навколо кристалофізичної осі Y в площині XZ.

6. Запропоновано пристрій для вимірювання одновісних тисків на основі баричної залежності точки ІЗД кристалів (NH₄)₂BeF₄. Точність вимірювання тисків становить 0.01 атм. Запропонований метод має такі переваги порівняно з відомими: неперіодичну (однозначну) залежність інтенсивності від тиску; надійне встановлення нульового тиску; використання джерела світла з довільною довжиною випромінювання; оскільки вимірювання здійснюють за мінімумом фотоструму, а не за його абсолютним значенням, то зникає потреба стабілізації джерела та чутливості приймача.

ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ДИСЕРТАЦІЇ ОПУБЛІКОВАНІ У ПРАЦЯХ

1. Габа В.М., Стадник В.И., Романюк Н.А. Кристаллоптические исследования кристаллов с несоразмерными фазами. // Изв. АН СССР, сер.физ.- 1991. - Т. 55, № 3. - С. 559-563.

2. Стадник В.И., Романюк Н.А. Показатели преломления кристаллов Rb₂ZnCl₄. // Опт. и спектр. - 1992. - Т. 72, вып. 5. - С. 1166 - 1170.

3. Романюк Н.А., Стадник В.И., Вахулович В.Ф. Электронная поляризуемость кристаллов LiKSO₄ и LiRbSO₄. // Изв. РАН. - 1992. - Т. 56, № 10. - С. 56 - 60.

4. Стадник В.Й., Романюк Н.А., Вахулович В.Ф. Поведінка ізотропної точки кристалів LiKSO₄. // Укр.фіз. журнал. - 1992. - Т. 37, вип. 9. - С. 1334 - 1338.

5. Романюк Н.А., Габа В.М., Стадник В.И. Температурно-спектральные характеристики кристаллов LiKSO₄. // Кристаллография. - 1992. - Т. 37, вып. 4. - С. 1039 - 1040.

6. Stadnyk V.Y., Romanjuk M.O., Vachulovych V.F. Benaviour of an isotropic point of LiKSO₄ crystals. // Acta Physica Polonica. - 1993. - Vol. 83, N 4. - Р. 469 - 475.

7. Стадник В.И., Романюк Н.А., Вахулович В.Ф. Преломляющие свойства кристаллов LiRbSO₄. // Опт. и спектр. - 1993. - Т. 75, № 4. - С. 800 - 804.

8. Стадник В.И., Романюк Н.А., Брезвин Р.С., Курляк В.Ю. RbNH₄SO₄ - новый кристалл с инверсией двупреломления. // Опт. и спектр. - 1994. - Т. 77, № 5. - С.830 - 832.

9. Романюк М.О., Стадник В.Й., Брезвін Р.С. Вплив тиску на оптичні властивості кристалів LiKSO₄. // Укр. фіз. журнал - 1995. - Т. 40, № 10. - С. 1068 - 1070.

10. Стадник В.И., Романюк Н.А., Брезвин Р.С. Пьезооптические константы кристаллов LIKSO₄ в несоразмерной фазе. // Опт. и спектр. -1995. - Т. 79, № 6. - С.942 - 944.

11. Романюк Н.А., Стадник В.И., Брезвин Р.С., Кардаш В.И. Инверсия двупреломления в кристаллах RbNH₄SO₄ и RbKSO₄. // Кристалл-лография. - 1996. - Т. 81, № 5. - С. 882 - 886.

12. Стадник В.Й., Романюк М.О. Ізотропність п'єооптичних констант кристалів LiKSO₄. // Укр.фіз. журнал - 1996. - Т. 41, № 2. - С. 232 - 236.

13. Стадник В.Й., Кардаш В.І., Романюк М.О., Станковська Я. Вплив домішки L-треоніну на рефрактометричні характеристики кристалів тригліцинсульфату. // Укр.фіз.журнал - 1996. - Т. 41, № 10. - С. 940 - 943.

14. Stadnyk V.Y., Romanjuk M.O. Piezooptic properties of (NH₄)₂BeF₄ crystals. // Phys.st.sol.(a). - 1996. - Vol. 158. - P. 289 - 296.

15. Стадник В.И., Романюк Н.А., Брезвин Р.С., Курляк В.Ю. Механически индуцированные изменения двупреломляющих свойств кристаллов (NH₄)₂BeF₄. // Опт. и спектр. - 1996. - Т. 81, № 4. - С. 667 - 669.

16. Стасюк І.В., Левицький Р.Р., Зачек І.Р., Дуда А.С., Моїна А.П., Романюк М.О., Стадник В.Й., Червоний Р.Г. Вплив одновісного тиску на фазовий перехід і фізичні властивості високодейтерованих сегнетоелектриків з водневими зв'язками типу K(DXH_1-X)₂PO₄ // Препринт, ІСМР-96-18Е, Львів, 1996. - 31 с.

17. Стадник В.И., Романюк Н.А., Вахулович В.Ф. Изменение показателей преломления кристаллов (NH₄)₂BeF₄ в области фазовых переходов. // Опт. и спектр. - 1996. - Т. 81, № 6. - С. 1000 - 1002.

18. Стадник В.И., Романюк Н.А., Кардаш В.И. Термическое расширение примесных кристаллов ТГС. // Кристаллография. 1996.- Т. 41, № 6. - С. 1146 - 1147.

19. Stadnyk V.Y., Romanjuk M.O., Brezvin R.S. Optical and electronic parametrs of RbNH₄SO₄ crystals. // Ferroelectrics. - 1997. - Vol. 192, N. 1-4. - Р. 203 - 207.

20. Стадник В.И., Романюк Н.А., Брезвин Р.С. Измерения давления с использованием инверсии двупреломления кристалла (NH₄)₂BeF₄. // ЖПС. - 1997. - Т. 64, № 3. - С. 551 - 554.

21. Романюк М.О., Стадник В.Й., Брезвін Р.С. Деформація оптичної індикатриси (NH₄)₂BeF₄ під дією одновісного тиску. // Укр. фіз. журнал -1997. - Т. 42, № 3. - С. 334 - 337.

22. Romanjuk M.O., Stadnyk V.Y. The action of mechanical stress and other influences on birefringence inversion of LiKSO₄ and (NH₄)₂BeF₄ crystals. // Ferroelectrics - 1997.- Vol. 192, N. 1-4. - Р. 235 - 241.

23. Andrievsky B.V., Romanjuk M.O., Kurljak V.Yu., Stadnyk V.Y. New resources of the optical refraction method for investigation of phase transition in dielectrics: K₂SO₄ and LiKSO₄ crystals. // Ferroelectrics. - 1997. - Vol. 192, N. 1-4. - Р. 209 - 219.

24. Stadnyk V.Y., Brezvin R.S., Romanjuk M.O. Optical method of pressure measurements using the birefringence inversion. // Functional materials. -1997. - Vol. 4, N.1. - P. 97 - 99.

25. Романюк М.О., Романюк М.М., Стадник В.Й. Про параметричні ефекти у кристалах з інверсією знака двозаломлення. // Журнал фіз. досл. - 1997. - Т. 1, № 4. - С. 596 - 598.

26. Романюк Н.А., Стадник В.И., Курляк В.Ю. Температурно-спектрально-барическая диаграммма изотропного состояния кристаллов (NH₄)₂BeF₄. // Кристаллография. - 1997. - Т.42, № 2. - С. 313 - 315.

27. Стадник В.Й., Романюк М.О., Вахулович В.Ф. Вплив одновісних механічних тисків на оптичні властивості кристалів сегнетової солі. // Укр.фіз.журнал - 1997. - Т. 42, № 10. - С. 1245 - 1251.

28. Стадник В.И., Романюк Н.А., Брезвин Р.С., Кардаш В.И. Механически индуцированное изменение двупреломления кристаллов LiKSO₄. // Кристаллография. - 1997. - Т. 42, № 4. - С.720 - 722.

29. Стадник В.Й. Баричні зміни оптичної індикатриси кристалів RbNH₄SO₄. // Укр.фіз.журнал. - 1998. - Т. 43, № 2. - С. 213 - 218.

30. Стадник В.И., Романюк Н.А., Червоный Р.Г. Влияние дейтерирования и одноосного давления на двупреломление кристаллов KDP. // Оптика и спектр. - 1998. - Т. 84, № 2. - С. 317 - 320.

31. Стадник В.Й. Рефрактометрія механічно затиснутих кристалів (NH₄)₂BeF₄. // Вісник Львівського університету, серія фізична. - 1998. - Вип. 30. - С. 85 - 91.

32. Стадник В.И. Показатели преломления механически деформированных кристаллов RbNH₄SO₄. // Кристаллография. - 1999. - Т. 44, № 6. - С. 1 - 5.

33. Romanjuk M.O., Stadnyk V.Yo. The refractometry of the uniaxially stressed ferroelectrics. // Condensed Matter Physics. - 1999. - Vol. 2, N 4 (20). - P. 711 - 720.

34. Stasyuk I.V., Levitskii R.R., Moina A.P., Zachek I.R., Duda A.S., Romanjuk M.O., Stadnyk V.Yo. Uniaxial pressure influence on KH₂PO₄ - type ferroelectrics. // Journal of Physical Studies. - 1999. - Vol. 3, N 4. - P. 502 - 512.

35. Стадник В., Романюк М., Курляк В. Про другу ізотропну точку в кристалах сегнетової солі. // Вісник Львівського університету, серія фізична. - 2004. - Вип. 37. - С. 274 - 280.

36. Стадник В.И. Влияние одноосных давлений на фазовые переходы в кристаллах (NH₄)₂BeF₄. // Кристаллография. - 2000. - Т. 45, № 6. - С. 1050 - 1052.

37. Stadnik V.Y. Absolute piezooptic constants of Rochelle salt crystals. // Crystallography Reports. - 2000. - Vol. 45, N 5. - P. 833 - 838.

38. Стадник В.Й., Романюк М.О. Рефрактометрія механічно деформованих кристалів RbNH₄SO₄. // Журнал фіз. досліджень. - 2001. - Т. 5, № 1. - С. 65 - 69.

39. Romanyuk M.O., Andriyevsky B.V., Kostetsky O., Romanyuk M.M., Stadnyk V.Yo. Crystal optical method for temperature measuring. // Condenced Matter Physics. - 2002. - Vol. 5, N 3 (31). - Р. 579 - 586.

40. Стадник В.Й., Романюк М.О., Карплюк Л.Т. Кристалооптичне вивчення несумірної фази кристалів LiRbSO₄. // Журнал фіз. досліджень - 2003. - Т. 7, № 3. - С. 349 - 352.

41. Романюк М.О., Стадник В.Й., Романюк М.М. Пєзооптика полідо-менних кристалів КDP. // Журнал фіз. досліджень - 2003. - Т. 7, № 4. - С. 449 - 455.

42. V.I.Kardash, G.M.Romanyuk, Brezvin R.S., Kurlyak V.Yu. and V.Y.Stadnyk. Baric changes in the optical indicatrix of TGS crystals with L-threonine admixture. // Ukranian Journal of Physical Optics. - 2003. - Vol. 4, N 4. - Р. 173 - 176.

43. Стадник В.Й., Романюк М.О., Карплюк Л.Т. Рефрактометрія кристалів LiRbSO₄. // УФЖ. - 2004. - Т.49, № 8. - С. 808 - 814.

Размещено на Allbest.ru