Релятивістський розрахунок сил електрон-іонних зіткнень для багатозарядних іонів у плазмі

Рубрика	Физика и энергетика
Вид	автореферат
Язык	украинский
Дата добавления	24.07.2014
Размер файла	69,0 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Подобные документы

• Математичне моделювання процесів руху заряджених часток в аксиально-симетричних електростатичних полях

  Розрахунок поля електростатичних лінз методом кінцевих різниць; оптичної сили імерсійних лінзи і об'єктива та лінзи-діафрагми. Дослідження розподілу потенціалів у полях цих лінз та траєкторії руху електронів в аксиально-симетричному електричному полі.
  
  курсовая работа [3,7 M], добавлен 03.01.2014
  

• Гази у зовнішньому силовому полі та основи термодинаміки

  Характеристика та поведінка ідеального газу в зовнішньому електричному полі. Будова атмосфери, іоносфери та навколоземного космічного простору. Перший і другий закони термодинаміки. Максимальний ККД теплової машини. Поняття про ентропію, її застосування.
  
  курс лекций [679,8 K], добавлен 23.01.2010
  

• Дослідження процесів руху електрона в полі магнітних електронних лінз

  Рух електрона в однорідному, неоднорідному аксіально-симетричному магнітному полі. Визначення індукції магнітного поля на основі закону Біо-Савара-Лапласа. Траєкторія електрона у полі соленоїда при зміні струму котушки, величини прискорюючого напруження.
  
  курсовая работа [922,3 K], добавлен 10.05.2013
  

• Зонна теорія твердих тіл

  Найпростіша модель кристалічного тіла. Теорема Блоха. Рух електрона в кристалі. Енергетичний спектр енергії для вільних електронів у періодичному полі. Механізм електропровідності власного напівпровідника. Електронна структура й властивості твердих тіл.
  
  курсовая работа [184,8 K], добавлен 05.09.2011
  

• Вивчення процесів дифузії при спіканні кристалічних тіл

  Дифузія-поширення речовини в якому-небудь середовищі в напрямку зменшення її концентрації, обумовлене тепловим рухом іонів, атомів, молекул, більших часток. Пояснення причин дифузії законами термодинаміки. Звязок дифузійних процесів зі зміною ентропії.
  
  практическая работа [152,9 K], добавлен 17.10.2008
  

• Фізика напівпровідників

  Оцінка ймовірності знайти електрон на рівні Е у власному напівпровіднику при кімнатній температурі. Визначення положення рівня Фермі, розрахунок температурної залежності власної концентрації носіїв заряду у вихідному напівпровіднику та побудова графіка.
  
  контрольная работа [2,8 M], добавлен 18.12.2009
  

• Фізика низькорозмірних структур

  Загальна інформація про вуглецеві нанотрубки, їх основні властивості та класифікація. Розрахунок енергетичних характеристик поверхні металу. Модель нестабільного "желе". Визначення роботи виходу електронів за допомогою методу функціоналу густини.
  
  курсовая работа [693,8 K], добавлен 14.12.2012
  

• Теорема Остроградського-Гаусса, потенціальний характер електростатичного поля та діелектрики в електричному полі

  Поняття та методика виміряння потоку вектора електричного зміщення. Сутність теореми Гауса-Остроградського і її застосування для розрахунку електричних полів. Потенціальний характер електростатичного поля. Діелектрики в електричному полі, їх види.
  
  лекция [2,4 M], добавлен 23.01.2010
  

• Стаціонарне газове плазмове джерело із замкненим дрейфом електронів

  Способи одержання плазми. Загальна характеристика та основні вимоги до плазмових джерел. Фізико-технічні завдання, що виникають при конструюванні плазмових джерел. Відмінні особливості та застосування плазмових джерел із замкненим дрейфом електронів.
  
  дипломная работа [1,4 M], добавлен 20.03.2011
  

• Взаємодія іонізуючого випромінювання з речовинами

  Проходження важких ядерних заряджених частинок через речовину. Пробіг електронів в речовині. Проходження позитронів через речовину. Експозиційна, поглинена та еквівалентна дози. Проходження нейтронів через речовину. Методика розрахунку доз опромінення.
  
  курсовая работа [248,4 K], добавлен 23.12.2015
  

• Осцилятор терагерцового діапазону на основі надрешітки AlAs/GaAs

  Загальна характеристика терагерцового випромінювання. Напівпровідникові гетероструктури. Загальна характеристика речовин GaAs, AlAs. Будова надрешітки. Рух електронів у статичному електричному полі та у терагерцових полях. Використання осцилятора.
  
  курсовая работа [3,2 M], добавлен 04.12.2014
  

• Фізика атомів і молекул

  Теорія Бора будови й властивостей енергетичних рівнів електронів у водневоподібних системах. Використання рівняння Шредінгера, хвильова функція та квантові числа. Енергія атома водню і його спектр. Виродження рівнів та магнітний момент водневого атома.
  
  реферат [329,9 K], добавлен 06.04.2009
  

• Электронная подсистема твердого тела

  Зонная теория твердого тела. Теорема Блоха. Методы приближения сильной и слабой связи. Образование зон. Собственная и примесная проводимость. Квазичастицы: електрон проводимости, дырка, экситон Френкеля и Ванье-Мотта, полярон. Экситонные уровни и зоны.
  
  презентация [538,5 K], добавлен 15.10.2013
  

• Фазовий склад, електро- і магніторезистивні властивості плівкових матеріалів із спін-залежним розсіюванням електронів

  Експериментальне дослідження й оцінка термо- і тензорезистивних властивостей двошарових плівкових систем на основі Co і Cu, Ag або Au та Fe і Cr та апробація теоретичних моделей. Феноменологічна модель проміжного шару твердого розчину біля інтерфейсу.
  
  научная работа [914,9 K], добавлен 19.04.2016
  

• Магнітні властивості речовини. Феромагнетики

  Обертання атомних електронів навколо ядра, що створює власне магнітне поле. Поняття магнітного моменту атома. Діамагнітні властивості речовини. Величини магнітних моментів атомів парамагнетиків. Квантово-механічна природа магнітоупорядкованих станів.
  
  курсовая работа [79,6 K], добавлен 03.05.2011
  

• Експериментальні методи вивчення електронної структури шаруватих напівпровідників

  Дослідження стану електронів за допомогою фотоелектронної й оптичної спектроскопії. Аналіз електронної й атомної будови кристалічних і склоподібних напівпровідників методами рентгенівської абсорбційної спектроскопії. Сутність вторинної електронної емісії.
  
  реферат [226,5 K], добавлен 17.04.2013
  

• Тунельний ефект та його застосування

  Проходження частинки через потенціальний бар'єр. Холодна емісія електронів з металу. А-розпад важких ядер. Реакція злиття тяжкого та надважкого ізотопів водню. Скануючий тунельний мікроскоп. Вивчення квантової механіки в курсі фізики середньої школи.
  
  курсовая работа [2,0 M], добавлен 19.05.2015
  

• Параметри тунельного ефекту

  Поведінка частки при проходженні через потенційний бар'єр, суть тунельного ефекту, його роль в електронних приладах. Механізм проходження електронів крізь тонкі діелектричні шари, перенос струму в тонких плівках. Суть тунельного пробою і процеси в діоді.
  
  реферат [278,0 K], добавлен 26.09.2009
  

• Розрахунок струмів і напруг у складному електричному колі

  Системи рівнянь для розрахунку струмів і напруг в простому і складному електричних колах. Умови використання методу обігу матриці і формул Крамера. Оцінка вірогідності значення струмів згідно закону Кіргхофа. Знаходження комплексного коефіцієнта передачі.
  
  курсовая работа [255,3 K], добавлен 28.11.2010
  

• Електрика і магнетизм

  Знаходження заряду, який розміщується у центрі трикутника, щоб система знаходилася у рівновазі. Визначення кроку гвинтової лінії по якій буде рухатися електрон. Електромагнітна індукція Фарадея-Максвелла. Теорема косинусів. Розрахунок напруженості поля.
  
  контрольная работа [218,1 K], добавлен 18.06.2014
  

• главная
• рубрики
• по алфавиту
• вернуться в начало страницы
• вернуться к началу текста
• вернуться к подобным работам