Фізико-технологічні особливості формування субмікронних структур великих інтегральних схем

, (4)

де N₀- концентрація іонів кисню в електроліті; D- коефіцієнт дифузії іонів кисню; L_k- характеристична дифузійна довжина; u- рухливість іонів кисню в електроліті; Е- напруженість електричного поля у ванні анодування.

Зменшення розмірів елементів вимагає подальшого удосконалення технології плазмохімічних процесів формування функціональних шарів та анізотропного їх травлення та профілювання контактних вікон. Відомо, що з використанням сухого травлення діелектричних плівок контактні вікна перед металізацією мають вертикальні стінки, що призводить до обриву металізації ВІС. Для різних топологічних рішень розроблена плазмохімічна технологія профілювання контактних вікон з використанням як ерозії фоторезисту, так і вибором відповідних робочих сумішей для комбінованого (ізотропного + анізотропного) плазмохімічного травлення. Досягнута висока прецизійність формування ПХТ металевої і полікремнієвої розводок на основі легованих Al-плівок та силіцидних (поліцидних) шарів.

Досягнення високої відтворюваності розмірів елементів забезпечується прецизійністю фотолітографічних процесів. У зв'язку з цим досліджувалась роздільна здатність як установок оптичної проекційної літографії, так і роздільна здатність амплітудно-фазозсувних ПФО і плівки фоторезиста залежно від умов її формування і складу резиста. Показано, що плазмохімічна модифікація поверхні проекспонованого фоторезиста реакцією силілірування в гексаметилдисилазані підвищує стійкість його до кисневої плазми і збільшує роздільну здатність в 1,5...1,7 рази, при цьому неточність розмірів мінімального елемента досягає ±0,1 мкм. Дослідження амплітудно-фазозсувних ПФО, сформованих з використанням транспарентних і просвітлюючих покриттів на основі легованих плівок оксиду заліза та легованих плівок хромового сплаву ВХ2К (ВХ2У), показали, що роздільна здатність проекційної літографії збільшується на 35-45 % і складає 0,25-0,42 мкм при точності суміщення ± 0,1 мкм.

Подальшого зниження нерівномірності плазмохімічного травлення алюмінієвої металізації із легованих сплавів досягнуто використанням антивідбивних просвітлюючих шарів з введенням рідкісноземельних і перехідних металів та їх анізотропним травленням у високоактивній плазмі на основі SiCl₄:SF₆:BCl₃:Не при кріогенних температурах для зменшення кроку металізації до 2,5 мкм.

Досліджені властивості висококонтрасного однокомпонентного позитивного резиста для відтворення мінімальних розмірів 0,8 мкм і неточностей розмірів до 0,1 мкм. Результати експериментальних досліджень показали, що високий контраст проявлення розмірів елементів забезпечується складом резиста: типом смоли, вмістом світлочутливої добавки НХД, типом і складом розчинника, а також технологічними параметрами (температурою і часом осушення плівки резиста). Розроблена модель проявлення топології ВІС на основі висококонтрастних резиста та проявника.

Висока світлочутливість резиста (менше 50 мДж/см²) забезпечує повне поглинання випромінювання з довжиною хвилі не більше 300 нм заданим складом смоли. Такий фоторезист виготовлявся на основі смол СФ-051 і СФ-141, які етерифікувались 1,2 - нафтохінондіазидом таким чином, що вміст груп НХД складав 15...25 %. На основі такого ефіру світлочутливої композиції виготовлений однокомпонентний позитивний фоторезист ФП-Н1 для висококонтрасного проявника, що забезпечує відтворення субмікронних розмірів 0,6...0,8 мкм з точністю менше ± 0,1 мкм.

Розглянута група плазмохімічних і літографічних процесів повністю забезпечить відтворення субмікронних розмірів елементів 0,25-0,8 мкм, кроку металізації 2,5 мкм і неточності розмірів 0,1 мкм, що дає можливість формувати структури ВІС до 1-4 М. Особливу увагу заслуговують плазмохімічні процеси осадження і травлення плівок з використанням реакторів електронно-циклотронного резонансу в зоні післясвічення плазми, які не вносять радіаційних пошкоджень. Відповідно розроблені моделі проявлення резисту та травлення функціональних шарів субмікронної технології.

Значне покращення параметрів ВІС внаслідок зниження топологічних розмірів може бути повністю реалізоване подальшим удосконаленням технології безевтектичного монтажу кристалів у корпус або стрічковий носій за рахунок зниження температури посадки та ефективного відведення тепла. Зниження перехідного і теплового опору кристалів при їх монтажі є важливим елементом субмікронної технології. При цьому розроблено ряд оригінальних теплових моделей для багатовивідних ВІС. Моделювання електричної схеми структури потужних ВІС на основі теплопар та теплопереносу корпусного виконання забезпечує працездатність ВІС при крайніх режимах живлення і температурі експлуатації без проведення відбракувальних випробувань мікросхем.

У рамках поставлених задач розроблені матеріали і методи формування контактно-металізованих систем на базі хромових сплавів ВХ-2К, ВХ-2У, що містять РЗМ, та багатозарядної імплантації. Результати експериментальних досліджень показали, що процес його магнетронного розпилення забезпечує перехідний опір 1,8...3,5 Ом. Для нього розроблено новий теплоелектропровідний клей для монтажу кристалів ВІС великої площі ( 20 мм²) при Т 200⁰С на основі фенол-формальдегідного лаку і силіциду перехідного металу.

Удосконалення стрічкових носіїв на основі теплового моделювання, забезпечує ефективне відведення тепла від кристалів ВІС. Це досягається вибором матеріалів стрічкового носія, технології його локальної металізації, пресматеріалу і конструкцією кристалотримачів.

Четвертий розділ присвячений розробці моніторингу субмікронної технології, основаному на аналітичних фізико-технологічних методах контролю електрофізичних параметрів функціональних шарів структур ВІС. Висока ефективність такої технології досягається за рахунок мінімізації дисперсії електрофізичних параметрів і дефектності функціональних шарів структур ВІС. Тут важлива роль відводиться тестовому контролю, на базі якого формується технологічний САПР. Тестові елементи і структури, їх параметри забезпечують не тільки параметричний контроль, але і дозволяють цілеспрямовано прогнозувати як вихід придатних, так і надійність структур ВІС ще на стадії їх формування.

Мінімальної дисперсії електрофізичних параметрів структур ВІС досягають прецизійним їх регулюванням за допомогою радіаційної технології іонної імплантації і -опромінення. На цій основі розроблені і досліджені матеріали і методи тонкого юстування порогових напруг МОН-транзисторів, а саме застосування трифтористого бору 10ВF₃ ізотопу 10 для формування р-областей і контроль іонного легування каналів за величиною провідності каналу МОН-транзисторів, за зміною величини порогової напруги на основі імпульсних нерівноважних вольт-фарадних характеристик, за зміною поверхневого опору шарів на основі радіаційних дефектів імплантованих домішок, струму стоку комплементарних пар, які введені в існуючі технологічні процеси.

Особлива увага зосереджена на використанні багатозарядної імплантації для формування охоронних областей і кишень К-МОН-структур. Високоенергетична багатозарядна імплантація іонами бору, фосфору замінить високотемпературні процеси розгонки охоронних областей і кишень, що зменшить при цьому концентрацію дефектів в структурах ВІС і скоротить технологічний цикл їх виготовлення. Розроблені моделі високоенергетичної імплантації та активації домішок в монокремнії (Ч). Такі багатозарядні профілі визначають з використанням розподілів Гаусса і Пірсона з урахуванням того, що залежно від ступеня іонізації n, доза і енергія іонів визначається співвідношеннями: D_n = Dn, E = (U_вит + U_приск)n. Висока ефективність даного процесу визначається локальним формуванням оксидного і оксинітридного гетерів.

Досліджено вплив -опромінення на електрофізичні параметри приладних структур і на цій основі розроблена унікальна технологія прецизійного регулювання параметрів структур ВІС на спеціально розробленій установці -опромінення АОИС-17Б з використанням радіонуклідного джерела ²³⁸Рu. Показано, що під дією генераційно-рекомбінаційних процесів при -опроміненні змінюються відповідно електрофізичні параметри: час життя носіїв заряду, їх рухливість, m-фактор р-n-переходів, напруга плоских зон і порогова напруга. Вперше за допомогою даної радіаційної технології сформовані n- і p-канальні індуковані МОН-транзистори з нульовою пороговою напругою. На основі результатів досліджень створено зарядову фізичну модель накопичення заряду в МОН-структурі і встановлені критерії оцінки радіаційно стійкої технології формування структур великих інтегральних схем за нерівноважними CV-характеристиками.

Висока інформативность досягається субмікронною технологією з використанням моніторингу функціональних шарів структур ВІС. У його комплекс входить певний набір спектрометричних методів (інфрачервоної, фотоелектронної, Оже- і мас- спектрометрії), на основі яких розроблені експресні неруйнівні методи контролю електрофізичних параметрів плівок: SiO₂, ФСС, БСС, БФСС, Si_xO_yN_z, Si₃N₄, полі-Si*, BN. На основі імпульсних нерівноважних вольт-фарадних характеристик розроблені методики контролю термопольової стабільності затворної системи МОН ВІС і зарядового стану міжфазної межі Si-SiO₂ за зсувом СV-характеристики, глибиною інверсії та трацепивидною перезарядкою станів.

Високий ступінь інтеграції ВІС вимагає також удосконалення методів відбракувальних випробувань на основі електрофізичного діагностування надійності структур ВІС ще на стадії їх формування. На основі досліджень нелінійності характеристик приладних структур розроблені оригінальні методики діагностування надійності, які повністю замінюють відбракувальні випробування ВІС.

У п'ятому розділі подані результати моделювання елементів і технологічних процесів для забезпечення проектних норм конструкторсько-технологічних обмежень субмікронної топології ВІС. За допомогою першого забезпечується аналіз електричних характеристик елементів проектованої схеми, а за допомогою другого формується оптимальна фізична структура.

Проаналізовані існуючі моделі біполярного транзистора та їх відповідність реальній фізичній структурі. Для забезпечення 100 %-вої відповідності біполярного транзистора в робочому температурному діапазоні динамічного режиму розроблена його модифікована математична модель з урахуванням впливу захованого й епітаксійного пластів, Si-підкладинки та ефектів витіснення межі бази і захованого шару емітером. Така модель являє собою двотранзисторну комплементарну пару з відповідними базовими і колекторним опорами (рис. 4). Якщо в моделі задається опір епітаксійної області і захованого шару, то така модель враховує область квазінасичення, яка є відповідальною за динамічні параметри біполярного транзистора. А додаткові базові опори комплементарної пари, зумовлені витісненням емітером межі бази і захованого шару, визначають зміну активного режиму транзистора.

Забезпечення високої відповідності моделі польового транзистора реальним самосумісним структурам ВІС вимагає подальшого удосконалення їх математичних моделей і еквівалентних схем. Визначено вплив ізоконцентраційних домішок кисню і вуглецю в пластинах кремнію (Ч) та ступеня легування каналу на величину його опору через рухливість носіїв заряду та ефективну довжину каналу.

Досліджено дифузійно-оксидувальні процеси при високих концентраціях домішок бору, фосфору, сурми при наявності ізоконцентраційних домішок кисню і вуглецю в Si-пластинах (Ч). Кисень прискорює дифузію бору та фосфору і сповільнює сурму, а вуглець - навпаки. Визначені їх оптимальні концентрації для дифузійно-оксидувальних процесів польових структур ВІС. Розроблена модель прискореного прооксидування легованого полікремнію для формування локальної ізоляції активних елементів субмікронної технології.

Визначено вплив багатоетапного відпалювання та концентрацій кисню і вуглецю на зміну концентраційного профілю і перерозподілу домішок на міжфазній межі розділу Si-SiO₂, яка має вигляд:

де N₀ - початкова концентація домішки; L₀, L_i - дифузійні довжини на першому та і-тому етапах; q_i - зведений коефіцієнт сегрегації; w_j - товщина оксидної плівки j-ого етапу.

Удосконалена математична модель багатозарядної імплантації для ретроградного формування охоронних областей і кишень К-МОН структур ВІС. При цьому досліджено вплив кисню і вуглецю в Si-пластинах (Ч) на ефекти активації і каналювання домішок при їх імплантації. Показано, що при концентрації кисню N₀₂ 710¹⁷ см^-3 ефект каналювання, як правило, усувається. Розроблена модель формування імплантованих киснево - вуглецевого гетерів.

Фундаментальні дослідження радіаційної технології з використанням багатозарядної імплантації та б-опромінення дозволили розробити їх радіаційні моделі, які довели можливість формування індукованого р-канального МОН транзистора з нульовою пороговою напругою і прецизійно юстувати порогові напруги польових транзисторів з точністю ±0,05 В та розробити радіаційну модель К-МОН транзисторів для оцінки радіаційної стійкості структур ВІС.

На основі досліджень силанової технології формування плівок в реакторах зниженого тиску розроблена універсальна модель формування функціональних шарів SiO₂, ФСС, БФСС, Si₃N₄, Si_xO_yN_z, полі-Si*, поліциду, яка дає змогу замінити високотемпературні процеси на низькотемпературні і знизити дефектність функціональних шарів на один-два порядки при рості конформності покриття 0,95.

Запропоновані моделі приладних структур біполярного і польвого транзисторів та низки технологічних процесів формування субмікронних структур ВІС дозволили мінімізувати проектні норми конструкторсько-технологічних обмежень для різного класу технологій: як для субмікронних розмірів 0,5-1,0 мкм, так і для розмірів 1,0-1,5 мкм середньої інтеграції серійних інтегральних схем.

У додатках розглянуто особливості алгоритмічного та програмного забезпечення розрахунку електрофізичних параметрів заданих областей структур з використанням нерівноважної функції розподілу; електрофізичного діагностування надійності структур ВІС на основі моніторингу тестових структур та імпульсних нерівноважних CV-характеристик; теплового моделювання як структур, так і корпусного виконання ВІС безевтектичним монтажем; технології формування транспарентних і просвітлюючих пластів при виготовленні амплітудно-фазозсувних проміжних фотооригіналів, що дають можливість значно підвищити роздільну здатність оптичної проекційної літографії, як мінімум в два рази; акти впровадження результатів досліджень дисертаційної роботи.

Обгрунтованість наукових положень і висновків дисертації підтверджується використанням конкретних методів фізико-хімічних досліджень, розробленим строгим науковим фізико-технологічним регламентом у вигляді принципів і елементів субмікронної технології, узгоджень розрахунків з реальними експериментальними даними реального виробництва та апробацію основних теоретичних положень і отриманих практичних результатів на міжнародних наукових конференціях.

ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ТА ВИСНОВКИ

На основі комплексних теоретичних і експериментальних досліджень в дисертації наведене вирішення проблеми створення фізико-технологічних основ субмікронної технології формування структур ВІС на основі технологічної САПР, гетерної технології формування функціональних шарів та оптичної проекційної літографії з високою роздільною здатністю й анізотропією, а саме:

1. Обгрунтовано і розроблено наукові фізико-технологічні основи субмікронної технології (0,25 - 1,0 мкм) формування кремнієвих структур великих інтегральних схем, що забезпечують високу виробничу ефективність як за виходом придатних ( 80...90%), так і за їх надійністю (10..50 ppm) [1, 23].

2. Вперше розроблено технологію аероіонізації ламінарного повітряного потоку і проведено оптимізацію параметрів сіткового і голчастого іонізаторів знепиленої комірки для формування локальних чистих зон класу чистоти 1/0,1 з одночасною нейтралізацією електростатичного потенціалу і температурною стабілізацією ламінарного повітряного потоку [47]:

сіткової структури з частотою імпульсів F = 2,5 Гц, шпаровитістю 0,03 (12/400);

голчастої структури з частотою імпульсів F = 0,8 Гц, шпаровитістю 0,33 (200/600).

3. Науково обгрунтована, оптимізована і реалізована на практиці технологічна САПР топології структур ВІС у вигляді амплітудно-фазозсувних проміжних фотооригіналів (ПФО), яка включає в себе [3, 13, 30]:

· електричне та теплове моделювання структур і моделювання субмікронних технологічних процесів формування функціональних шарів;

· функціональну, логічну (часову), схемотехнічну верифікацію, топологічну екстракцію та параметричну оптимізацію тестових структур;

· генерацію тестової послідовності функціонування структур ВІС;

· тестовий топологічний контроль проектних норм КТО та прогнозуючий розрахунок виходу придатних на основі багаточинної цільової функції дефектності функціональних шарів;

· формування топології ВІС у вигляді амплітудно-фазозсувних ПФО, що забезпечують високу роздільну здатність оптичної проекційної літографії (0,18-0,5 мкм) при точності суміщення ± 0,1 мкм;

· прогнозування надійності структур (10-50 ppm) за нелінійностями вольтамперних і нерівноважних вольтфарадних характеристик приладних структур.

4. Досліджено механізми преципітації ізоконцентраційних домішок кисню і вуглецю в Si-пластинах Чохральського і їх вплив на фізико-технологічні процеси оксидування, активації і гетерування домішок і дефектів при формуванні структур ВІС, і вперше визначені критерії допустимих їх концентрацій для [1, 20, 28, 33]:

· забезпечення високої електричної міцності підзатворного діелектрика (інжекційного чи тунельного) 610⁶ В/см для його товщини 10-25 нм;

· збільшення коефіцієнта активації ( 0,85) і зменшення каналювання домішок при багатозарядній імплантації іонів;

· зниження перерозподілу домішок, термічних напружень та зарядового стану на міжфазній межі розділу Si-SiO₂;

· формування внутрішнього оксидного і оксинітридного гетерів.

5. Розроблено радіаційно стійку технологію формування структур К-МОН ВІС з використанням легованих полікремнієвих екранів та оксидних спейсерів. Встановлено, що висока термопольова стабільність затворної системи забезпечується нітридизацією підзатворного діелектрика та формуванням поліцидного затвору, про що свідчить малий дрейф напруги плоских зон та порогової напруги (U_FB 0,01 В, U_T 0,05 В). Досліджено вплив радіаційних чинників багатозарядної імплантації і -опромінення на стабільність електрофізичних параметрів структур ВІС біполярної і К-МОН технологій та розроблені їх зарядові моделі. Вперше реалізовані n- і p-канальні індуковані МОН транзистори з “нульовими” пороговими напругами із зниженням їх величин до рівня U_T 0,50,05 В [2, 9, 31].

6. Зниження дефектності функціональних шарів ВІС 0,01 см^-2 досягнуто заміною високотемпературних процесів дифузії при формуванні стік-витокових, охоронних областей і кишень на більш контрольовані процеси багатозарядної імплантації, імпульсної фотонної активації імплантованих домішок та низько температурні ( 600⁰С) силанові процеси газохімічних реакцій в реакторі зниженого тиску для різних функціональних шарів. Розроблена модель для приведеної швидкості осадження провідних і діелектричних шарів; удосконалено локальну і міжшарову ізоляції. Вперше реалізовані процеси формування оксидних легованих шарів самопоширюючим фронтом горіння при Т 100⁰С та дисиліциду титану поліцидного затвору на основі аморфного кремнію з мінімальним значенням питомого опору 10 мкОмсм [24, 26].

7. Вперше реалізовано технологію формування високоякісних кремнієвих епітаксійних структур (КЕС) типу n^--n^---p^-, що дозволяє формувати високовольтні транзистори з U_CB 120 В, сумістити біполярну та К-МОН технологію, Ві-К-МОН та Д-МОН технології, усунути явища автолегування та зміщення захованого n⁺- шару за рахунок імплантації ізовалентної домішки вуглецю в захований n⁺- шар та ізолюючі області [7, 29, 41].

8. Для забезпечення високої відтворюваності топологічних розмірів структур (0,25-1,0 мкм) вперше розроблено для впровадження [22, 32, 35, 46]:

· новий склад висококонтрастного ( 4,5) і чутливого ( 50 мДж/см²) однокомпонентного резиста та технологію його висококонтрастного проявлення;

· нові транспарентні та просвітлюючі покриття, сформовані піролізом пентакарбонілу заліза і магнетронним розпиленням легованих РЗМ хромових сплавів ВХ2К (ВХ2У) для амплітудно-фазозсувних ПФО установок оптичного проекційного друку, що збільшує їх роздільну здатність до 0,18-0,48 мкм;

· анізотропне ( 0,95) та селективне ( 8) високочастотне (2,45 гГц) плазмове травлення функціональних шарів в зоні післясвічення реакторів електронно-циклотронного резонансу і відповідні їм моделі процесів.

9. Вперше реалізовано технологію формування високонадійних уніполярних тонкоплівкових конденсаторів (ТПК) для динамічних схем пам'яті (ОЗП) на кремнії високої ємності 1 М та стійкості до б-опромінення на основі оксиду легованих танталових плівок, що забезпечують _s 24, С_пит 0,16 мкФ/см² та U_проб 120 В на рівні струмів втрат І_втр 10^-11А, яка не має аналогів за кордоном [10, 43].

10. На основі досліджень електрокорозійних явищ в структурах ВІС вперше розроблено технологію формування корозійностійкої металізації з використанням просвітлюючого покриття, сформованого магнетронним розпиленням легованих РЗМ алюмінієвих сплавів, яка дозволяє зменшити крок металізації з 4,5 до 2,5 мкм. Для оцінки корозійної надійності металізації розроблено відповідну модель її електрохімічного руйнування [15, 39, 40, 44].

ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ДОСЛІДЖЕННЯ ВИСВІТЛЕНІ В ТАКИХ ПУБЛІКАЦІЯХ АВТОРА

Новосядлий С.П. Фізико-технологічні основи субмікронної технології великих інтегральних схем.- Івано-Франківськ.-Сімик.-2003.-351с.

Новосядлий С.П. Радіаційна зарядова модель К-МОН транзисторів субмікронної технології великих інтегральних схем. //Фізика і хімія твердого тіла.-2003.-Т.4,-№1.-С.401-403.

Новосядлый С.П. Маршрут проектирования топологии БИС средствами САПР на основе персонального компьютера // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.- 1997. - №3.- С.14-16.

Новосядлый С.П. Использование полиимидных композиций в технологии многоуровневой коммутации БИС // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.- 1997.- №4.- С.31-34.

Буджак Я.С., Стахів О.В., Новосядлий С.П. Термодинамічні потенціали та кінетичні властивості актуальних кристалів твердотільної електроніки // Вісник Державного університету “Львівська політехніка”. Елементи теорії та прилади твердотільної електроніки.- 1998.- №325.- С.28-37.

Новосядлый С.П. Цифровой телефонный аппарат на основе БМК и -модуляции // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.- 1998.- №1.- С.52-54.

Новосядлый С.П. Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.- 1998.- №3-4.- С.23-26.

Новосядлый С.П., Буджак Я.С. Юстировка пороговых напряжений в технологии высокого уровня БИС // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.- 1999.- №1. - С.27-35.

Новосядлий С.П. Радіаційна технологія при формуванні структур великих інтегральних схем // Науковий вісник Чернівецького університету. Збірник наукових праць. Фізика, електроніка.- 1999.- Вип.63.- С.8-21.

Буджак Я.С., Новосядлий С.П. Технологічні особливості і модель анодного оксидування легованих базових шарів -танталу для ТПК ЗПДВ // Вісник Державного університету “Львівська політехніка”. Автоматика, вимірювання та керування.- 1999.- №366.- С.87-93.

Новосядлий С.П. Математичне моделювання технологічних процесів формування структур ВІС та електрофізичне діагностування їх надійності // Вісник Державного університету “Львівська політехніка”. Комп'ютерні системи проектування. Теорія і практика.- 1999.- №373.- С.64-68.

Новосядлий С.П. Підвищення ефективності локальної ізоляції активних елементів ВІС // Оптоелектроніка і напівпровідникова техніка.- 1999.- Вип.34.- С. 177-185.

Новосядлий С.П. Сучасні комп'ютерні системи автоматизованого проектування топології ВІС // Вісник Державного університету “Львівська політехніка”. Комп'ютерна інженерія та інформаційні технології.- 1999.- №386.- С.29-37.

Новосядлий С.П. Електрофізичне діагностування надійності структур ВІС // Вісник Державного університету “Львівська політехніка”. Радіоелектроніка та телекомунікації.- 1999.- №367.- С.187-197

Новосядлий С.П. Розроблення нових матеріалів і методів формування бездефектної корозійностійкої металізації ВІС // Металофізика і новітні технології.- 2000. - Т.22,- №1. - С.51-59.

Новосядлий С.П. Тестовий контроль електрофізичних параметрів в системній технології високого рівня // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах.- 1999.- №2,- Розд.2.- С.58-64.

Новосядлий С.П. Високоефективна технологія створення самосуміщеної ізоляції легованими полікремнієвими екранами для швидкодійних К-МОН ВІС // Технологія приладобудування.- 1999.- №1.- С.3-5..

Новосядлий С.П. Радіаційна технологія формування прецизійних тонкоплівкових резисторів для великих інтегральних схем // Технологія приладобудування.- 2000.- №2.- С.23-27.

Новосядлий С.П. Фізико-технологічні особливості формування локальної ізоляції активних областей ВІС канавками // Оптоелектроніка і напівпровідникова техніка.- 2000.- №35.- С.122-127.

Новосядлий С.П. Модель внутрішнього гетера, сформованого преципітацією кисню в структурах ВІС // Вісник Державного університету “Львівська політехніка”. Радіоелектроніка та телекомунікації.- 2000.- № 387.- С.116-122.

Новосядлий С.П. Аналітичні фізико-хімічні методи аналізу і контролю в системній технології великих інтегральних схем // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах.- 1999.- №3.- С.30-38.

Новосядлий С.П. Фізико-технологічні особливості плазмо-хімічних процесів субмікронної системної технології ВІС // Теоретична електротехніка. Міжвідомчий науково-технічний збірник.- 2000.- №55.- С.21-27.

Novosiadlyi S., Mykhalchuk M., Fedasyuk D. Basic Principles and Elements of highly effective System Technology of VLSI Microelectronics // Proceedings of the 6-th International Conference “Mixed Design of Integrated Circuits and Sistems MIXDES'-99”.- Krakow, Poland.- 1999.- P.267-270.

Новосядлий С.П. Модель газофазного осадження плівок функціональних шарів ВІС в реакторах зниженого тиску //Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. Комп'ютерні системи проектування. Теорія і практика. -2000.-№398.- С.35-41.

Новосядлий С.П., Курило І.В. Фізико-хімічні особливості субмікронної оптичної літографії ВІС //Вісник Державного університету “Львівська політехніка”. Хімія, технологія речовин та їх застосування.- 2000.- №395.- С.78-82.

Новосядлий С.П. Механізми формування плівок дисиліциду титану в реакторі зниженого тиску на основі аморфного кремнію //Металофізика і новітні технології.- 2001.- Т.23,- №5.- С.597-608.

Новосядлий С.П., Мельник П.І., Іванців Н.І. Конструкторсько-технологічні особливості формування схем пам'яті з ультрафіолетовим і електричним стиранням на “Flash” і ”Flotox” комірках //Фізика і хімія твердого тіла.- 2001.- Т.2,-№2.- С.299-302.

Новосядлий С.П. Активація домішок в субмікронній технології формування структур ВІС // Металофізика і новітні технології.- 2002.-Т.24,-№6.- С.777-794.

Новосядлий С.П. Формування кремнієвих епітаксійних структур для суміщених Ві-К-МОН ВІС // Металофізика і новітні технології.- 2002.- Т.24,- №3.-С.353-365.

Новосядлий С.П. Технологічний САПР на основі тестових структур //Фізика і хімія твердого тіла.- 2002.- Т.3,- №1.- С.179-189.

Новосядлий С.П. Радіаційна технологія при формуванні субмікронних структур ВІС // Металофізика і новітні технології. - 2002.- Т.24,- №7 - С.1003-1013.

Новосядлий С.П. Шляхи підвищення роздільної здатності проекційної літографії // Металофізика і новітні технології.- 2002.- Т.24,- №8 - С.1073-1082.

Новосядлий С.П., Мельник П.І. Вуглець в кристалічній гратці монокристалічного кремнію // Фізика і хімія твердого тіла. - 2002.- Т.3,- №2.- С.338-340.

Новосядлий С.П., Іванців Н.І., Іванців В.М. Особливості і моделі травлення в субмікронній технології великих інтегральних схем // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. Комп'ютерні системи проектування. Теорія і практика. - 2002.- №444.- С.48-56.

Новосядлий С.П. Амплітудно-фазозсувні маски для ПФО проекційної літографії субмікронної технології ВІС //Фізика і хімія твердого тіла.- 2002.- Т.3, - №3 - С.433-437.

Способ изготовления МДП-структур. А.с. 1771333 СССР, МКИ Н01L 21/18. / Новосядлый С.П., Когут И.Т., Худин В.Н. (СССР).- №4791028; Заявлено 27.11.1989; Опубл. 22.06.1992; ДСП - 4с.

Структура интегральной схемы на МДП-транзисторах. А.с. 1777518 СССР, МКИ H01L 27/085. / Новосядлый С.П., Когут И.Т. (СССР).-№4464908; Заявлено 27.01.1989; Опубл. 22.06.1992; ДСП - 4с.

Патент №3767, Україна. (МКИ⁵ СО9 І 161/06). Теплоелектропроводний клей для мікроэлектроніки / Новосядлий С.П., Остапчук А.И., Благий Б.С., Бірковий Ю.Л. Дата реєстрації 15.07.1994. Бюл. №8 від 27.12.94.

Способ формирования металлизации БИС. А.с. 1831205 СССР, МКИ Н01L 21/283. / Новосядлый С.П., Савчин Б.П., Шпакович Р.С., Прокипчин В.С. (СССР).- №4646544; Заявлено 2.12.1988; Опубл. 13.10.1992; ДСП - 2с.

Патент №3900, Україна. (МКВ⁵ Н01 L21/28). Спосіб формування металізації для високострумових біполярних ІС /Новосядлий С.П., Бірковий Ю.Л., Маскович С.М., Гуменяк М.В., Прокіпчин В.В. Дата реєстрації 15.07.1994. Бюл. №6 від 27.12.94.

Позитивне рішення експертизи винаходів по заявці № 94020445 від 9.03. 93. МКВ⁵ H01L 21/205. (9.03. 93). Спосіб виготовлення кремнієвих епітаксійних структур /Новосядлий С.П., Василів Я.О., Романюк Б.М., Бірковий Ю.Л., Маскович С.М. Бюлетень Українського інституту промислової власності (УКРПАТЕНТ) №7 від 28.12.94.

Позитивне рішення експертизи винаходів по заявці № 94076328 від 21.07. 94. МКВ⁵ H01L 21/82. (12.09. 95). Спосіб виготовлення структур інтегральних схем /Новосядлий С.П., Бірковий Ю.Л., Василів Я.О. Бюлетень Українського інституту промислової власності (УКРПАТЕНТ) №1 від 22.03.96.

Позитивне рішення експертизи винаходів по заявці № 93006892 від 13.12. 93. МПК H01L 29/68. (19.10. 95). Спосіб виготовлення накопичувального конденсатора комірки пам'яті динамічного запам'ятовуючого пристрою довільної вибірки (ЗПДВ) /Новосядлий С.П., Василів Я.О. Бюлетень Українського інституту промислової власності (УКРПАТЕНТ) №3 від 29.09 95.

Позитивне рішення експертизи винаходів по заявці № 93005036 від 23.04.93. МКВ H01L 21/90. (12.07.94). Спосіб формування дворівневої металізації інтегральних схем /Новосядлий С.П., Василів Я.О., Бірковий Ю.Л., Когут І.Т., Маскович С.М. Бюлетень Українського інституту промислової власності (УКРПАТЕНТ) №8 від 29.12.94.

Новосядлий С.П. Моделі транзисторів в субмікронній технології великих інтегральних схем // Фізика і хімія твердого тіла.- 2002.-Т.3,-№4- С. 710-717.

Новосядлый С.П. Плазменная технология формирования субмикронных структур больших интегральных схем // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. -2002.-№6- С. 57-63.

Новосядлий С.П. Аероіонізація ламінарних потоків чистих приміщень субмікронної технології великих інтегральних схем // Фізика і хімія твердого тіла.- 2003.-Т.4,-№2.- С.365-368.

Размещено на Allbest.ru