Размещено на http://www.allbest.ru/

Національна академія наук України

Інститут фізики

01.04.07 - Фізика твердого тіла

Вплив ізовалентної домішки олова на термічне та радіаційне дефектоутворення в кремнії

Красько Микола Миколайович

Київ 2000

Дисертацією є рукопис

Робота виконана у відділі фізики радіаційних процесів Інституту фізики НАН України

Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук Крайчинський Анатолій Миколайович, провідний науковий співробітник Інституту фізики НАН України

Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор Бабич Вілік Максимович, завідувач відділу Інституту фізики напівпровідників НАН України

доктор фізико-математичних наук, професор Литовченко Петро Григорович, завідувач відділу НЦ ”Інститут ядерних досліджень” НАН України

Провідна установа: Київський національний університет імені Тараса Шевченка, фізичний факультет, кафедра радіаційної фізики

Захист відбудеться “26” жовтня 2000 р. о 1430 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.159.01 в Інституті фізики НАН України за адресою: 03650, МПС, Київ-39, просп. Науки, 46.

З дисертацією можна ознайомитись в бібліотеці Інституту фізики НАН України за адресою: 03650, МПС, Київ-39, просп. Науки, 46.

Автореферат розісланий “26” вересня 2000 р.

Вчений секретар спеціалізованої вченої ради Іщук В.А.

1. Загальна характеристика роботи

легування кремній ізовалентний електрофізичний

Актуальність теми. Основним матеріалом сучасної і перспективної твердотільної мікроелектроніки є кремній (Si). На даний момент встановлено, що зміна електрофізичних властивостей кремнію при опроміненні або термообробці (ТО) зумовлена утворенням стабільних радіаційних або термічних дефектів. Присутність цих дефектів приводить до деградації електричних та рекомбінаційних параметрів Si і визначає поведінку приладів на його основі в реальних умовах експлуатації. Тому дослідження процесів взаємодії різних за походженням дефектів в кремнії є актуальним і перспективним як з точки зору розкриття природи процесів, так і для застосування результатів дослідження на практиці.

Дослідження впливу радіаційних і термічних дефектів на властивості Si постійно поглиблюються і розширюються. Так, детально вивчено характер змін електрофізичних параметрів Si в залежності від його домішкового складу, умов опромінення та характеру термообробок. Ідентифіковані рівні основних термічних і радіаційних дефектів, вивчена їх термічна стабільність. Досягнуто значних успіхів в розумінні будови та властивостей даних дефектів, зв'язку з вихідним домішковим фоном. Результати цих досліджень використовуються для ціленаправленої зміни властивостей напівпровідникових матеріалів і приладів. Але проблема радіаційної і термічної стабільності Si все ще далека від свого остаточного вирішення. Це пов'язано з тим, що залишаються невиясненими багато факторів, які впливають на утворення електрично активних термічних і радіаційних дефектів. В числі таких факторів - легування кремнію ізовалентними домішками (ІВД).

Хоча ІВД в напівпровідникових кристалах не є електрично активними центрами, їх вплив на властивості Si може визначатися полями пружних напружень, які виникають внаслідок невідповідності ковалентних радіусів атомів матриці Si і легуючої домішки. Останні, в свою чергу, можуть суттєво впливати на стан ансамблю точкових дефектів кристалу та процеси дефектно-домішкової взаємодії при опроміненні та ТО. Тим самим відкриваються нові можливості для використання легування ІВД як одного з методів керування властивостями Si, особливо такими важливими при виробництві та експлуатації приладів характеристиками, як термічна та радіаційна стійкість.

Незважаючи на значну кількість проведених досліджень, до цього часу процеси радіаційного і термічного дефектоутворення в кремнії з ізовалентними домішками вивчені недостатньо. Більш того, відсутнє однозначне трактування процесів, які відбуваються при опроміненні чи ТО Si, легованого ІВД. В повній мірі сказане відноситься до легування кремнію оловом (Sn). Легування кремнію важкими ізовалентними домішками має ряд принципових труднощів. Тому на даний момент відомо відносно мало робіт, присвячених вивченню опроміненого чи термообробленого кремнію з домішкою олова (Si<Sn>). Бажання отримати нову інформацію про вплив Sn на процеси термічного та радіаційного дефектоутворення в Si і передумовило мету та конкретні напрямки її реалізації в дисертаційній роботі.

Зв'язок роботи з науковими програмами, темами. Дисертаційні дослідження пов'язані з наступною темою науково-дослідної роботи відділу фізики радіаційних процесів Інституту фізики НАН України: “Дослідження процесів взаємодії радіаційних, технологічних і термічних дефектів в кремнії, германії, сумішах Si-Ge та в мікроелектронних приладах на їх основі” (№ держ. реєстр. 0198U001977).

Мета роботи і задачі дослідження. Метою даної роботи було отримати нову інформацію про механізм впливу ізовалентної домішки олова на процеси термічного та радіаційного дефектоутворення в кремнії та вияснити природу дефектів, які виникають в Si<Sn> при термообробці або опроміненні.

Основні наукові завдання досліджень:

1. Дослідження впливу ізовалентної домішки олова на кінетику генерації та відпалу низькотемпературних кисневих термодонорів (ТД-І) в монокристалах кремнію.

2. Дослідження впливу ізовалентної домішки олова на процеси радіаційного дефектоутворення в кремнії при протонному опроміненні.

3. Дослідження впливу ізовалентної домішки олова на генерацію та відпал радіаційних дефектів в кремнії при гама-опроміненні.

Наукова новизна одержаних результатів:

1. Вперше експериментально встановлено, що наявність у монокристалах кремнію ізовалентної домішки олова (NSn(26,5)1018 см-3) сповільнює генерацію ТД-І. При цьому ступінь cповільнення корелює із концентрацією домішки Sn. На основі запропонованої і розробленої моделі утворення кисневмісних термодонорів (КТД) у Si запропоновано також модель механізму впливу Sn на кінетику генерації КТД. Передбачається, що сповільнення генерації КТД у Si<Sn> відбувається за рахунок утворення метастабільних комплексів OSn.

2. Вперше експериментально виявлено, що наявність у монокристалах кремнію домішки Sn в концентраціях понад 21018 см-3 приводить до значного зменшення частотного фактора та енергії активації Еа відпалу термодонорів. Показано, що даний ефект послаблюється після попередньої термообробки (ПТО) при 800 0С.

3. Вперше експериментально виявлено, що опромінення протонами n-Si<Sn>, вирощеного методом Чохральського, приводить до утворення додаткового радіаційного дефекту, до складу якого входять вакансії та атоми олова. Показано, що цей дефект є подвійним акцепторним центром. Встановлено температуру його відпалу.

4. Вперше експериментально встановлено, що константа деградації часу життя нерівноважних носіїв заряду k в n-Si<Sn> при гама-опроміненні визначається дефектами VSn, які стають основними рекомбінаційними центрами при кімнатній температурі із збільшенням концентрації олова.

5. Вперше експериментально виявлено, що дефекти, які утворюються при відпалі гама-опромінених зразків, є більш стабільними в n-Si<Sn> в порівнянні з дефектами, які утворюються в зразках без домішки Sn. При збільшенні концентрації домішки олова зростає і концентрація таких стабільніших дефектів.

6. Вперше показано, що наявність піку “від'ємного” відпалу часу життя носіїв струму в інтервалі температур 200-360 0С при ізохронному відпалі зумовлено утворенням і відпалом комплексів V2O (в n-Si без Sn) або одночасним утворенням і відпалом V2O і V2Sn (в n-Si<Sn>). Визначено основні параметри, які характеризують дані дефекти.

Практичне значення одержаних результатів. Отримані результати є перспективними як з точки зору фундаментальної науки, так і прикладної. Результати досліджень можуть бути використані в технології вирощування напівпровідникових кристалів, для вдосконалення радіаційної технології у виробництві напівпровідникових приладів, а також для прогнозування зміни основних параметрів кремнію і мікроелектронних приладів на його основі в реальних умовах експлуатації при термо- та радіаційних впливах.

Особистий внесок здобувача в одержання наукових результатів, викладених у дисертації, полягає у виконанні експериментальних досліджень, їх обробці, участі в теоретичному аналізі та написанні статтей. В роботах, виконаних разом із співавторами і включених до дисертації, автор визначив зміну параметрів відпалу кисневих термодонорів, взяв участь в розробці математичної моделі утворення термодонорів і моделі впливу олова на процеси їх генерації, аналізі спектрів DLTS зразків кремнію, опромінених протонами. Провів аналіз впливу ізовалентної домішки олова на поведінку часу життя нерівноважних носіїв струму в кремнії при гама-опроміненні та подальшому ізохронному відпалі. Висновки всіх розділів, загальні висновки та положення сформульовані автором особисто.

Апробація результатів дисертації. Основні результати дисертаційної роботи доповідались та обговорювались на: 11 Міждержавній конференції з фізики радіаційних явищ та радіаційному матеріалознавству (310 вересня 1998 р., м. Алушта); Міжнародній школі-конференції з актуальних питань фізики напівпровідників (2330 червня 1999 р., Дрогобич); 8-th International conference of Gettering And Defect Engineering in Semiconductor Technology GADEST'99 (25-28 September, 1999, Hцor, Sweden); General Scientific Meeting (25-26 May, 2000, Leuven, Belgium); 14 Міжнародній конференції з фізики радіаційних явищ та радіаційному матеріалознавству (1217 червня 2000 р., м. Алушта); 2-th European Network on Defect Engineering of Advanced Semiconductor Devices ENDEASD Workshop (2729 Juny, 2000, Kista-Stockholm, Sweden).

Публікації. Основний зміст роботи є узагальненням наукового доробку автора, результати якого опубліковані у 11 статтях, матеріалах і тезах доповідей на наукових конференціях.

Структура та обсяг роботи. Дисертаційна робота складається з вступу, п'яти розділів, заключної частини та списку використаної літератури. Зміст роботи викладено на 107 сторінках друкованого тексту, ілюстрованого 19 рисунками та 10 таблицями. Список літератури містить 137 найменувань.

2. Основний зміст роботи

У вступі обґрунтована актуальність виконаних досліджень, конкретизовані основні наукові завдання, викладені наукова новизна та практична значимість отриманих результатів. Відзначено особистий внесок здобувача, відомості про апробацію, а також кількість публікацій за темою дисертації.

В першому розділі представлено огляд основних літературних даних про вплив термообробок і опромінення на електрофізичні властивості кремнію, легованого різними ізовалентними домішками. Показано, що ці дані переконливо свідчать про значний вплив ізовалентних домішок на термічне та радіаційне дефектоутворення в кремнії. Проте наявні експериментальні результати мають нерідко суперечливий, а у випадку домішки олова і неповний, характер.

Також розглянуто електрично-активні комплекси в кисневмісному термообробленому кремнії. Особливу увагу приділено ролі мікронеоднорідного розподілу домішки кисню та кисневмісних дефектів в монокристалах кремнію, вирощеного методом Чохральського.

На цій основі сформульована постановка задачі дослідження: дослідити вплив ізовалентної домішки олова на процеси утворення та відпалу термічних і радіаційних дефектів в кремнії. Були визначені конкретні експериментальні завдання.

В другому розділі описано експериментальні методики, що використовувались в даній роботі, і викладено методики обробки експериментальних даних. Робота виконана на зразках промислового тигельного бездислокаційного n-кремнію, а також спеціально вирощених монокристалах n-типу, додатково легованих оловом. В якості контрольних зразків також використовувались p+n переходи промислових діодів на основі n-кремнію зонної плавки. Зразки опромінювали -квантами 60Со на установці MPX--25M при густині потоку 1011 см-2с-1 в інтервалі доз (0,16-4,16)1015 см-2 при 30 0С і протонами з енергією 61 МеВ при густині потоку 108 см-2с-1 в інтервалі доз (15)1011 см-2 при кімнатній температурі на прискорювачі протонів. Всі термообробки проводились в повітряній атмосфері або атмосфері аргону. Охолодження зразків проводилось загартуванням на азбесті.

Вимірювання спектрів ІЧ-поглинання проводились на спектрометрі UR-20; часу життя нерівноважних носіїв струму - по релаксації нерівноважної фотопровідності; концентрацій носіїв струму - чотиризондовим методом й із вольтфарадних характеристик бар'єрів Шоткі; енергій перезарядки глибоких рівнів, їх концентрацій і перерізів захоплення ними носіїв заряду - методом ємнісної спектроскопії глибоких рівнів (DLTS); концентрацій домішки олова - методом вторинної іонної масспектроскопії (SIMS).

В третьому розділі представлено результати дослідження особливостей кінетики генерації і відпалу кисневих термодонорів (КТД) в n-кремнії, легованому оловом (n-Si<Sn>).

Використовувались зразки n-Si (вихідна концентрація вільних електронів n0 = (610)1013 см-3, леговані Sn в процесі вирощування із розплаву) двох груп з концентрацією олова NSn=1,71018 см-3 (Sn-1) і NSn=6,51018 см-3 (Sn-2). Концентрації фонових домішок кисню NO для Sn-1 становили (6,57)1017 см-3, для Sn-2 (66,5)1017 см-3; вуглецю NC - менше 51016 см-3 для обох груп зразків. В якості контрольних були використані зразки промислового n-Si, вирощеного методом Чохральського, з подібними характеристиками.

В експерименті реєструвалися залежності зміни концентрації вільних електронів n у зразках досліджуваних матеріалів від тривалості ізотермічної термообробки (ТО) при 450 0С (під час генерації КТД), а потім від температури при ізохронній ТО (під час відпалу КТД). Концентрація вільних електронів n визначалася з вимірювань питомого електроопору зразків чотиризондовим методом при кімнатній температурі. Значення величини рухливості електронів приймали рівним 1350 см2/Вс. Частину досліджуваних кристалів піддавали після вирощування попередній ТО (ПТО) при 800 0С протягом 30 хвилин.

Наведено залежності сумарної концентрації КТД NТД від часу t ТО при 4500С. Сумарну концентрацію усіх видів КТД, що формуються при 450 0С в зразках з різною концентрацією домішки олова, визначали із співвідношення NТД = nТО n0, де n0 різниця концентрацій всіх донорів і акцепторів (у тому числі і ростових КТД) у вихідних зразках, а nТО значення після чергового етапу ТО. Як видно з рисунка, генерація КТД у Si <Sn> істотно сповільнена в порівнянні з контрольним матеріалом. При цьому ступінь сповільнення корелює з концентрацією домішки Sn. Попередня ТО при 800 0С пригнічує генерацію КТД у всіх зразках.

Тут показано залежності швидкостей генерації КТД (dNТД/dt ) від часу термообробки. Видно, що, по-перше, темп генерації КТД в Si <Sn> вже в початковий момент нижчий, ніж у контрольному Si, а, по-друге, в Si <Sn> якісно відрізняється кінетика генерації КТД на самих ранніх етапах ТО. Саме ці етапи найбільш чутливі до присутності в кристалі так званих зародків КТД [1,2]. Спостерігається три типи поведінки dNТД/dt після початку ТО: 1) зменшення з виходом на стаціонарне значення (Sn-2); 2) збільшення з виходом на стаціонарне значення (Sn-1); 3) різке збільшення, потім плавний спад із виходом на стаціонарне значення, близьке до початкового (NSn = 0). Попередня ТО при 800 0С, поряд із значним зменшенням початкового темпу генерації КТД, приводить залежності dNТД/dt(t) в усіх зразках до другого типу.

Для вивчення впливу домішки Sn на кінетику відпалу КТД-450 реєструвалися залежності NТД = nТО - n0 від температури ізохронного відпалу, де nТО концентрація вільних електронів у зразках після чергового етапу ізохронного відпалу протягом 5 хвилин в інтервалі температур 500570 0С із кроком 5 0С. Результати наведено в одному масштабі. У табл.1 наведено значення енергії активації (Eа) і частотного фактора (), визначені з експериментів по відпалу КТД-450, для кристалів з різною концентрацією олова без ПТО. З табл.1 видно значне зменшення параметрів Eа і із збільшенням концентрації Sn. Дифузія атомів кисню є основним чинником, що лімітує як генерацію, так і відпал КТД в Si [3]. Тому даний результат може означати прискорення дифузії Oі при введенні домішки Sn. Таке прискорення може бути результатом збільшення внутрішніх пружних напружень в кристалі внаслідок введення ІВД з більшим ковалентним радіусом. Вплив домішки Sn на параметри відпалу КТД значно зменшується після ПТО-800. У табл.2 приведено аналогічні параметри, отримані при відпалі КТД в зразках, попередньо термооброблених при 800 0С.

Видно, що енергія активації і частотний фактор відпалу після ПТО-800 збільшуються в усіх зразках, а різниця між легованими і нелегованими оловом матеріалами зменшується. Вплив ПТО на відпал КТД детально розглянуто в [2]. Використовуючи висновки цієї роботи, можна стверджувати, що домішка олова впливає на дифузію кисню головним чином в областях з його підвищеною концентрацією - мікрофлуктуаціях концентрації домішки кисню (МФК). Це може означати корельований розподіл домішок олова і кисню в кремнії. Тобто в МФК підвищеною є не тільки локальна концентрація кисню, але і олова.

Далі було запропоновано модель утворення КТД в кремнії. У якості базових використано уявлення моделі [3] про КТД як комплекси, що містять чотири атоми кисню.

Термодонори утворюються одночасно гетерогенним і гомогенним механізмами. Генерація ТД в першому випадку відбувається в результаті захоплення кисню на зародки, а в другому внаслідок комплексоутворення із дисперсних атомів кисню, які знаходяться у МФК. Кінцевий вираз, що дозволяє описати кінетику генерації КТД в кремнії на початкових етапах з врахуванням як гетерогенного (перший доданок), так і гомогенного (другий доданок) механізмів утворення КТД має вигляд.

Звідси ясно, що форма залежності визначається співвідношенням ефективності гетерогенної і гомогенної складових. Це пояснює різноманіття цих форм для кристалів із різною тепловою передісторією [1,2]. Після ПТО домінує гомогенний механізм. Використання (1) для кількісного аналізу експериментальних даних по генерації КТД дозволяє зробити висновок, що ПТО-800 зменшує не тільки загальну концентрацію зародків, але і локальну концентрацію кисню в МФК.

На основі розробленої моделі утворення КТД запропоновано також модель механізму впливу Sn на кінетику генерації КТД у Si. Передбачається, що вплив домішки олова на кінетику генерації КТД в Si при 450 0С може бути пояснено уповільненням як гомогенної так і гетерогенної преципітації кисню за рахунок утворення метастабільних комплексів кисень-олово.

А стаціонарна швидкість генерації термодонорів:

Видно, що збільшення концентрації Sn повинно приводити до зменшення стаціонарної швидкості генерації КТД. Саме це і спостерігається в експерименті.

У даному розгляді враховано вплив домішки Sn тільки на кінетику утворення комплексів О4. Насправді виникнення і розпад комплексу OSn може вплинути і на утворення комплексів О2 і О3, які ще не є термодонорами. Врахування цих обставин істотно ускладнює розв'язок, однак не змінює його якісно.

У початковий момент генерації КТД. Це означає, що початкова швидкість генерації не залежить від вмісту олова, що і спостерігається в експерименті (рис.2, кр.2 і 3). Значно менше значення початкових швидкостей генерації КТД в Si<Sn> у порівнянні з контрольним матеріалом може бути зумовлено різним вмістом зародків.

У четвертому розділі представлено результати дослідження радіаційного дефектоутворення в n-типі Si<Sn> при опроміненні високоенергетичними протонами (Н+).

Використовувалися зразки двох груп з концентрацією олова NSn=1,71018 см-3 (Sn-1) і NSn=6,51018 см-3 (Sn-2) (характеристики даних зразків описані вище). В якості контрольних зразків були використані p+n переходи промислових діодів на основі n-Si зонної плавки (n-Si-FZ) без домішки Sn. Генерація радіаційних дефектів (РД) проводилась опроміненням H+ з енергією 61 МеВ і густиною потоку 108 см-2с-1 в інтервалі доз (15)1011 см-2 при кімнатній температурі. Контроль за накопиченням РД здійснювали методом DLTS.

Після опромінення протонами з'являється ряд піків на спектрах як n-Si<Sn> так і n-Si-FZ зразків.

Позначення дефектів, енергії активації перезарядки Еа, їх концентрації N та швидкості введення .

На спектрах FZ діодів спостерігаються три піки добре відомих РД: А-центрів (Е2), двозарядного V2--/- (E3) і однозарядного V2-/0 (E5) станів дивакансій.

Опромінення протонами Чохральського n-Si<Sn> приводить до утворення двох додаткових радіаційних рівнів (Е4 і Е6) з енергією активації перезарядки 0,290.01 і 0,610.02 еВ (табл.3) нижче зони провідності відповідно. Той факт, що вони з'являються тільки в Si<Sn>, може означати, що ці центри включають атоми олова. Це підтверджується і тим, що їх концентрації зростають в матеріалі з більшою концентрацією Sn (табл.3). Крім того, це є комплекси точкових дефектів, які включають також вакансію. Доказом про можливу участь вакансій в складі даних РД є той факт, що дефекти Е4, Е5 і Е6 мають подібні концентраційні профілі.

Така поведінка концентраційних профілів спостерігалась при генерації V2 в n-Si і пояснювалась із розгляду профілю дифузії вакансій поблизу поверхні [4]. Встановлено, що температура відпалу даних РД становить приблизно 120 0С. Подібність концентрацій, одночасний відпал цих РД, відсутність польової залежності для положення енергетичних рівнів і більш високе значення n для глибшого (прямі експерименти по визначенню перерізу захоплення для електронів (n) на рівень Е6 дають значення n10-15 см2, а значення n для Е4 на два порядки менше) свідчить про те, що ці два рівні належать одному і тому ж подвійному акцепторному центру.

Виявлено (див. табл.3), що легування Si ізовалентною домішкою Sn приводить до зменшення ефективності утворення основних РД А-центрів і V2, які виникають при протонному опроміненні.

Слід зазначити, що пік Е1, який відповідає глибшому рівню ростових КТД, спостерігається в Sn-1 до і після опромінення Н+ (рис.5). При чому концентрації ростових термодонорів до і після опромінення практично не відрізняються. Це підтверджує дані про відсутність взаємодії між КТД і первинними РД [5].

В п'ятому розділі представлено результати дослідження впливу ІВД Sn на поведінку часу життя нерівноважних носіїв струму (ННС) в n-Si при опроміненні -квантами та подальшому ізохронному відпалі.

Використовувалися ті ж групи зразків, що і при попередніх дослідженнях. Опромінювання проводилось -квантами 60Со при 30 0С з в інтервалі доз (0,16-4,16)1015 см-2. Час життя ННС визначався по релаксації нерівноважної фотопровідності в умовах низького рівня іонізації. З експериментальних дозових залежностей величини ()-1 визначали константу деградації часу життя.

Проведені оцінки показали, що основними рекомбінаційними дефектами при кімнатній температурі в -опромінених зразках кремнію n-типу, як легованих оловом (NSn1,71018 см-3), так і нелегованих оловом, є Е-центри. Тільки при концентрації олова NSn=6,51018 см-3 основними рекомбінаційними дефектами є комплекси VSn. З цієї точки зору стає зрозумілим менше значення k в зразку з меншою концентрацією Sn. Атоми олова, будучи ефективним стоком для V, створють конкуренцію утворенню основних центрів рекомбінації Е-центрів.

Встановлено (рис.8), що відпал -опромінених зразків n-Si без Sn до 360 0С приводить до відновлення часу життя носіїв струму майже до вихідного значення. В той же час відпал зразків n-Si<Sn> до тієї ж температури показує, що відпалюються не всі дефекти, які обумовлюють зміну при гама-опроміненні. В Sn-1 (кр.2) на 55 60 %, а в Sn-2 (кр.3) стає навіть трохи меншим, ніж після опромінення. Відпал Е-центрів і VSn-центрів в n-Si не приводить до зміни часу життя носіїв струму при кімнатній температурі. Це свідчить про те, що в результаті їх відпалу утворюються РД з подібними рекомбінаційними характеристиками.

Показано, що наявність піку “від'ємного” відпалу часу життя носіїв струму (де Тчас життя ННС після кожного кроку відпалу) в інтервалі температур 200-360 0С при ізохронному відпалі зумовлено утворенням і відпалом комплексів V2O (в n-Si без Sn) або одночасним утворенням і відпалом V2O і V2Sn (в n-Si<Sn>). Визначено основні параметри, які характеризують дані дефекти. Комплекси V2O і V2Sn утворюються при відпалі дивакансій, які самі дають незначний вклад в рекомбінацію через малий переріз захоплення дірок. При цьому перерізи захоплення нерівноважних дірок цими центрами відповідно дорівнюють 310-13 і 210-13 см2.

В заключній частині наведено перелік головних результатів досліджень та загальні висновки.

Висновки