Формування домішково-дефектної підсистеми та фізичні властивості слабколегованих монокристалів і монокристалічних шарів багатошарових композицій

Внаслідок високої концентрації кисню в підкладках кремнієвих композицій, він може істотно впливати на невідповідність періодів кристалічних ґраток підкладки та шару. Враховуючи його високий коефіцієнт дифузії в кремнії при температурах епітаксійного осадження, можна очікувати, що профіль спотворень ґратки у перехідній області буде значною мірою визначатися розподілом кисню. Нами проведене моделювання профілів розподілу кисню та профілів спотворень ґратки у композиціях Si<Sb,O>/Si<P> та Si<Sb,O>/Si<Ge,P>. Зважаючи на те, що зміна об'єму кристалу при доданні кисню дорівнює добутку кількості атомів кисню на їхній атомний об'єм, ми отримали для відносної зміни періоду ґратки при введенні кисню співвідношення:

a/a=N_i (r_i/r_Si) ³/N_Si=N_i,(13)

де N_i, N_Si - кількість атомів кисню та кремнію в одиниці об'єму, а r_i, r_Si - їхні атомні радіуси. Отримані значення параметру для кисню у кремнії, а також для домішок проникнення у ніобії перебувають у добрій відповідності з наявними в літературі експериментальними даними.

Концентрація германію в епітаксійному шарі обиралася такою, щоб періоди кристалічних ґраток підкладки та шару були рівними. Видно, що поблизу межі поділу внаслідок дифузійного перерозподілу кисню з'являється область не монотонній зміни періоду. Внаслідок дифузії пригранична область епітаксійного шару збагачується киснем, що призводить до збільшення в ній періоду ґратки. Навпаки, пригранична область підкладки збіднюється киснем і період ґратки в ній зменшується. Це може суттєво впливати на формування дислокацій невідповідності у перехідній області композиції. Можна очікувати, що профіль спотворень ґратки, який формується при цьому, виявиться сприятливим для захоплення у приграничній області домішкових атомів, причому в області розтягу ґратки будуть збиратися атоми заміщення, що мають більший, ніж у кремнію, атомний радіус, та елементи проникнення, а в області її стиску - атоми заміщення з малими атомними радіусами. Таке припущення підтверджується наявними у літературних джерелах даними про вплив концентрації германію на час життя нерівноважних носіїв заряду в слабколегованих шарах кремнієвих композицій.

У п'ятому розділі дисертації "Особливості процесів формування та властивостей слабколегованих кристалів та слабколегованих шарів багатошарових композицій" наводяться результати експериментального дослідження особливостей процесів одержання та фізичних властивостей слабколегованих монокристалів кремнію та слабколегованих шарів кремнієвих композицій, одержаних за методами водневого відновлення трихлорсилану та дихлорсилану, стійкості слабколегованих епітаксійних шарів і пластин кремнію до високотемпературного відпалу та інших зовнішніх дій, а також впливу умов одержання та термічної обробки на фізичні властивості твердих розчинів проникнення на основі ніобію.

Осадження слабколегованих автоепітаксійних шарів кремнію має ряд особливостей та пред'являє додаткові вимоги до використовуваних матеріалів та обладнання. При інших однакових умовах питомий електричний опір шару, який осаджується в фонових (без введення легуючої домішки) процесах, залежить від типу реактора та товщини шару. Значення питомого електричного опору шарів, що осаджуються на підкладках з різними типом та концентрацією легуючої домішки, виявляються різними (рис. 4). У окремих випадках при високих (більше за 5 кОм*см для p-n композицій) значеннях питомого електричного опору нами спостерігалося зростання епітаксійних шарів з різним типом провідності при осаджені їх в одному процесі на розташованих поруч одна з одною пластинах КЕС-0,01 і КДБ-10. Осадження проводилося на підкладкотримачі, вкритому товстим (10...15 мкм) шаром нелегованого кремнію, який у процесі осадження епітаксійного шару переходив на зворотний бік підкладки, що повинно було пригнічувати випаровування домішки із нього.

Відмінність питомих опорів слабколегованих епітаксійних шарів спостерігається навіть у тому випадку, коли на підкладкотримачі встановлювали по одній підкладці КЕС-0,01 і КДБ-10, розташовуючи їх в одному горизонтальному ряді, що виключало вплив домішок, які випаровувались із зворотного боку підкладок. Ми вважаємо, що підвищення значення фонового питомого електричного опору із зростанням товщини шару, що спостерігається, та відмінність питомих електричних опорів шарів, що осаджуються на підкладках різного типу пов'язані з особливостями процесу автолегування. На нашу думку, поряд із звичайними механізмами - дифузією домішки із сильнолегованого шару та її випаровуванням із зворотного боку підкладки, при осадженні слабколегованого шару необхідно враховувати також випаровування домішки з боку шару, котрий осаджується, що призводить до збагачування приповерхневої області газової фази.

Ще однією особливістю процесу автолегування при зростанні слабколегованих епітаксійних шарів кремнію є систематичне зменшення питомого опору шару в напрямку руху газового потоку в реакторі (рис. 5). Це викликане переносом домішкових атомів, які випаровуються з підкладок.Нами було проведене зіставлення впливу відпалу у потоці високочистого водню (точка роси < 200 К)) на питомий електричний опір слабколегованих пластин БЗВ кремнію та епітаксійних шарів, одержаних за методом водневого відновлення трихлорсилану. Термообробка викликає різке зменшення значення питомого електричного опору на всьому протязі епітаксійного шару, за винятком приповерхневої області товщиною близько 5 мкм (рис. 6, 7). Із збільшенням тривалості відпалу значення питомого електричного опору епітаксійних шарів стабілізується на рівні 20...30 Ом*см, незалежно від його вихідної величини. Спостерігається також суттєве зменшення часу життя неосновних носіїв заряду від 15 - 20 мкс до < 1 мкс.

Нами була досліджена кінетика зміни концентрації нескомпенсованих донорів при високотемпературному відпалі слабколегованих пластин та епітаксійних шарів кремнію. Концентрацію нескомпенсованих донорів розраховували, використовуючи виміряні значення питомого опору та відомі з літературних джерел дані про рухливості електронів. Кінетика зміни концентрації нескомпенсованих донорів (рис. 8) задовільно описується рівнянням

= N^* - N(t) - No = N^*exp (- t/t), (14)

де N^* - концентрація насичення; N_o - концентрація нескомпенсованих донорів у слабколегованому шарі до відпалу; N(t) - концентрація після відпалу тривалістю t, t - час релаксації. Параметри рівняння (14) для пластин склали: N^* = 1,5*10¹⁴ см^-3; t = 2*10⁴ c, а для епітаксійних шарів - N^* = 6*10¹⁴ см^-3; t = 3*10³ c. Одержані дані узгоджуються з наявними у літературі даними про утворення глибокорівневих донорних центрів внаслідок формування комплексів домішок з власними точковими дефектами під час високотемпературного відпалу. Це підтверджується значеннями параметрів рівняння (14), більш легким утворенням центрів у епітаксійних шарах, які містять у вихідному стані дислокації, кисень, що дифундує з підкладки під час відпалу, та інші дефекти, а також поступовим зростанням значення питомого електричного опору під час витримки при кімнатної температурі після відпалу. Останнє може бути пов'язане з розпадом комплексів, що утворилися при відпалі. На поверхні епітаксійних шарів після відпалу спостерігалися характерні дефекти, які, на нашу думку, утворилися завдяки випаровуванню кисню.

Нами були досліджені деякі закономірності формування ліній ковзання у слабколегованих автоепітаксійних шарах кремнію. Було встановлено, що в зразках з малою (менш за 100 см^-2) густиною дислокацій сумарна довжина ліній ковзання суттєво підвищується. Це може бути пов'язане із зменшенням впливу взаємодії дислокацій на ковзання. Існує зворотна кореляція між імовірністю утворення ліній ковзання та імовірністю утворення поверхневих дефектів епітаксійного шару (пагорбки зростання, висип, окислення поверхні, розтравлення зворотної сторони композицій). На нашу думку, це може бути пов'язане з тим, що підвищення температури по різному впливає на формування дефектів. Імовірність формування ліній ковзання із зростанням температури підвищується через зменшення межі текучості кремнію. У той же час, підвищення температури сприяє переведенню процесу в область чисто дифузійного контролю, що веде до зниження ролі поверхневих процесів у формуванні морфології та структурної досконалості шару, та, відповідно, до зниження імовірності утворення поверхневих дефектів.

Нами була встановлена відсутність однозначної відповідності між наявністю макроскопічних східців зсуву на поверхні епітаксійного шару та ліній ковзання, що виявляються за методами металографії. Часто спостерігаються лінії ковзання, для яких висота східця менше за межу чутливості інтерферометра Лінника, що складає близько 0,03 мкм. Значення елементарного зсуву при виході на поверхню однієї дислокації D = bn/n, де n = a [111]. Виконані нами розрахунки показали, що для лінії ковзання, утвореної похилими крайовими дислокаціями, значення елементарного зсуву дорівнює нулеві, для лінії ковзання, утвореної похилими ґвинтовими дислокаціями, воно дорівнює , а для шістдесятиградусних дислокацій значення елементарного зсуву дорівнює нулю або в залежності від орієнтації вектора Бюргерса. Висота східця зсуву виявляється суттєво більшою за значення, яке одержують як добуток значення елементарного зсуву на число дислокацій, що пройшли через точку, у якій виконуються виміри. Це можна пояснити припущенням, що при осадженні епітаксійного шару поряд з генерацією дислокацій протікає паралельний процес, який призводить до їх анігіляції і переважає над генерацією дислокацій та формуванням дислокаційних диполів. Металографічне дослідження смуг ковзання дозволило виявити такі особливості. Для простих ліній ковзання, які спостерігаються у вигляді ланцюжка дислокаційних ямок, відзначається суттєве збільшення відстані між сусідніми дислокаціями в міру відходу від джерела Франка - Ріда. Всередині смуги в окремих випадках спостерігається упорядковане розташування дислокаційних ямок травлення, які утворюють ряди, паралельні напрямку [112]. Таке розташування дислокацій характерно для малокутових меж зерен у кремнії, що формуються в процесі полігонізації.

Нами був також досліджений вплив цирконію та нікелю на процес утворення низькотемпературних термодонорів у слабколегованих кристалах кремнію. Одержані результати свідчать про те, що при малих концентраціях домішки перехідних металів призводять до помітного збільшення швидкості утворення термодонорів. Це може бути пов'язане з тим, що атоми перехідного металу є центрами зародження термодонорів.

Дослідження впливу умов одержання на фізичні властивості сплавів на основі ніобію показало, що під час їх відпалів при температурах вище за 2000 К у вакуумі та інертних атмосферах утворюються метастабільні дефекти. Це призводить до суттєвого розширення і ускладнення релаксаційного максимуму внутрішнього тертя та зміщення його в область високих температур за рахунок появи додаткових релаксаційних піків. У приповерхневій області формується поруватість, причиною якої, на нашу думку, є сублімація ніобію при відпалі.

слабколегований кремнієвий домішка розчин

Висновки

Одержані в роботі результати дозволяють зробити наступні основні висновки.

У слабколегованих монокристалах та слабколегованих монокристалічних шарах багатошарових композицій можуть спостерігатися аномалії фізичних властивостей, у тому числі:

- відхилення від властивостей ідеальних розбавлених твердих розчинів при малих концентраціях легуючого елементу, які обумовлені взаємодією атомів легуючого елементу із фоновими домішками та дефектами;

- вплив густини структурних дефектів на температуру дисоціації домішкових атмосфер на цих дефектах;

- суттєвий вплив перерозподілу домішок між позиціями різного типу, а також між іонізованим та нейтральним станами на коефіцієнт їхньої термодинамічної активності.

Присутні на поверхні слабколегованих шарів багатошарових композицій чи в об'ємі суміжних шарів фонові домішки можуть виявляти суттєвий вплив на формування перехідної області слабколегованого шару, у тому числі:

- під час формування композиції та її високотемпературних обробок викликати формування прошарків, в яких фонова домішка є основною і визначає фізичні властивості, якщо концентрація фонової домішки перевищує критичне значення, яке визначається умовами процесу та параметрами композиції; характер залежностей критичної концентрації від цих умов і параметрів суттєво розрізняється для об'ємних та поверхневих фонових домішок;

- дифузія фонового кисню з підкладки може суттєво впливати на профіль спотворень ґратки у перехідній області кремнієвих композицій і, таким чином, на формування дислокацій невідповідності та сегрегацію домішок в її перехідній області.

Існує оптимальний інтервал температур гетерування швидкодифундуючих домішок з слабколегованих шарів твердотільних структур, відхилення від якого знижують ефективність процесу за рахунок зниження ефективної товщини гетеруючого шару при низьких температурах та за рахунок намагання домішкових атомів до більш рівномірного розподілу між слабколегованим шаром і гетером при високих.

Відпал слабколегованих шарів кремнієвих композицій та твердих розчинів проникнення на основі ніобію при температурах, близьких до температури плавлення, з наступним швидким охолодженням призводить до формування поруватості та метастабільних центрів різної природи, які суттєво впливають на фізичні властивості кристалу.

Існує ряд особливостей в закономірностях формування та властивостях слабколегованих шарів кремнієвих композицій, у тому числі:

- можливість автолегування слабколегованих епітаксійних шарів кремнієвих композицій за рахунок випаровування домішки з підкладки з боку шару, що осаджується, формування в газовій фазі у поверхні підкладки шару, збагаченого домішкою, та вбудові атомів цієї домішки в епітаксійний шар;

- можливість формування прошарків із провідністю протилежного типу у слабколегованих шарах кремнієвих та германієвих n⁺-n і p⁺-p композицій, які одержуються за методами епітаксійного осадження та термокомпресійного з'єднання;

- формування у слабколегованих шарах кремнієвих композицій під час високотемпературних (більш за 1000 ^оС) термічних обробок донорних центрів, кінетика накопичення яких суттєво відрізняється від кінетики накопичення донорних центрів під час відпалу пластин з слабколегованих монокристалів кремнію.

Під час осадження слабколегованих автоепітаксійних шарів кремнію поряд з процесами генерації та ковзання дислокацій, відбуваються процеси анігіляції, що можуть призводити до виникнення упорядкованого розташування дислокацій у смузі ковзання. Можливість виявлення ліній ковзання за існуючими методами, а також їх вплив на процеси виготовлення та властивості напівпровідникових приладів залежать від типу та орієнтації дислокацій, які утворюють лінію ковзання.

Результати виконаної роботи можуть бути використані при вивченні термодинамічних, електрофізичних і оптичних властивостей, структурної досконалості та процесів формування слабколегованих монокристалів та монокристалічних шарів багатошарових композицій, а також при розробці технологій виготовлення кремнієвих композицій. Результати, одержані при вивченні загальних властивостей слабколегованих кристалів, можуть використовуватися для дослідження широкого класу розбавлених розчинів, у тому числі рідин та газів.

Література

Основні результати дисертації опубліковані в таких роботах:

Бахрушин В.Е. Получение и свойства слаболегированных слоев кремниевых структур (монографія).- Запоріжжя: Видавець, 1997.- 270 с.;

Новиков А.В., Павлов Ю.А., Бахрушин В.Е. Внутреннее трение сплавов ниобий- азот // Известия вузов. Черная металлургия, 1982.- N 7.- С. 113 - 116;

Новиков А.В., Павлов Ю.А., Бахрушин В.Е. Внутреннее трение сплавов ниобий- азот и ниобий- гафний- азот // Известия вузов. Черная металлургия, 1982.- N 11.- С.154 - 155;

Бахрушин В.Е., Новиков А.В., Павлов Ю.А. Влияние температуры закалки на температурную зависимость внутреннего трения сплавов ниобий - азот // Металлофизика, 1985.- Т. 7, N 3.- С. 109 - 110;

Бахрушин В.Е., Павлов Ю.А. Влияние примесей замещения на величину модуля нормальной упругости ниобия // Известия вузов. Черная металлургия, 1985.- N 11.- С. 142;

Бахрушин В.Е., Павлов Ю.А. Статистический анализ температурной зависимости коэффициентов диффузии кислорода в ниобии // Известия вузов. Черная металлургия, 1986.- N 1.- С. 155;

Новиков А.В., Бахрушин В.Е., Павлов Ю.А. Взаимодействие азота со сплавами ниобия при высоких температурах // Известия АН СССР. Металлы, 1986.- N 5.- С. 206 - 207;

Диффузия кислорода в ниобии / В.Е. Бахрушин, А.В. Новиков, Ю.А. Павлов, Н.В. Рослякова // Известия АН СССР. Металлы, 1986.- N 5.- С. 71 - 74;

Бахрушин В.Е. Уширение сноековских пиков, связанное с образованием межатомных комплексов // Металлофизика, 1988.- Т. 10, N 5.- С. 106 - 108;

Бахрушин В.Е., Новиков А.В., Павлов Ю.А. Исследование взаимодействия и диффузии примесей в сплавах на основе ниобия методом внутреннего трения // В кн. "Внутреннее трение в исследованиях металлов и неорганических материалов". - М.: Наука, 1989.- С. 146 - 150;

Бахрушин В.Е., Новиков А.В. Влияние примесных атомов на диффузию кислорода и азота в ниобии // Известия АН СССР. Металлы, 1989.- N 3.- С. 173 - 175;

Бахрушин В.Е., Галкин П.Н., Токарев В.П. Получение кремниевых эпитаксиальных структур методом термического разложения трихлорсилана и дихлорсилана // Цветные металлы, 1990.- N 2.- С. 63 - 66;

Дефектообразование при росте кремниевых многослойных эпитаксиальных композиций / Галкин П.Н., Головко О.П., Рожков А.И., Токарев В.П., Бахрушин В.Е. // Цветные металлы, 1990.- N 12.- С. 74 - 76;

Образование прослоек с проводимостью дырочного типа в кремниевых эпитаксиальных n⁺-n структурах / Бахрушин В.Е., Галкин П.Н., Токарев В.П., Скворцов И.М., Рожков А.И. // Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы, 1991. - Вып. 1 (210).- С. 10 - 14;

Бахрушин В.Е., Галкин П.Н., Токарев В.П. Влияние термической обработки на свойства кремниевых эпитаксиальных структур // Электронная техника. Сер. Материалы, 1991.- Вып. 6.- С. 5 - 7;

Получение высокоомных автоэпитаксиальных слоев кремния методом водородного восстановления трихлорсилана / В.Е. Бахрушин, П.Н. Галкин, В.П. Токарев, В.И. Бакуменко // Цветные металлы, 1992.- N 6.- С. 44 - 45;

Получение кремниевых обращенных эпитаксиальных структур с малодислокационным рабочим слоем / П.Н. Галкин, О.П. Головко, В.П. Токарев, В.Е. Бахрушин // Цветные металлы, 1992.- N 7.- С. 48 - 49;

Дефектообразование в процессе получения новых кремниевых композиций / Бахрушин В.Е., Базылева И.В., Булаев И.Ю., Головко О.П., Токарев В.П., Цаболова М.Ю. // Электронная техника. Сер. Материалы, 1992.- Вып. 2 - 3.- С. 61 - 63;

Влияние термической обработки на структуру и свойства высокоомных эпитаксиальных слоев кремния / Бахрушин В.Е., Галкин П.Н., Токарев В.П., Саенко О.В., Цыганок Д.В. // Цветные металлы, 1995.- N 4.- С. 60 - 62;

Получение высокоомных эпитаксиальных слоев кремния с малой плотностью структурных дефектов / В.Е. Бахрушин, В.И. Бакуменко, П.Н. Галкин, В.П. Токарев // Цветные металлы, 1995.- N 5.- С. 44 - 46;

Бахрушин В.Е. Термодинамические свойства неидеальных разбавленных растворов // Сборник научных трудов ЗГУ. Математика, Физика. - Запорожье: 1995.- С. 97 - 100;

Бахрушин В.Е. Роль фоновых примесей подложки в формировании переходной области малолегированных эпитаксиальных слоев кремния и германия // Неорганические материалы, 1996.- Т. 32, N 6.- С. 650 - 652;

Бахрушин В.Е. Термодинамические свойства примесей в твердых растворах системы Si<Ge,O> // Неорганические материалы, 1996.- Т. 32, N 8.- С. 913 - 915;

Бахрушин В.Е., Горбань А.Н., Цыганок Д.В. Влияние приповерхностного слоя подложки на формирование переходной области малолегированных эпитаксиальных слоев кремния // Неорганические материалы, 1997.- Т. 33, N 10.- С. 1171 - 1173;

Бахрушин В.Е., Ольховой В.А. Линии скольжения в слаболегированных автоэпитаксиальных слоях кремния // Неорганические материалы, 1997.- Т. 33, N 11.- С. 1291 - 1293;

Бахрушин В.Е. Влияние хаотических деформаций решетки на термодинамические свойства разбавленных твердых растворов // Придніпровський науковий вісник. Сер. Природничі та технічні науки, 1997.- N 21.- С. 43 - 48;

Бахрушин В.Е. Влияние плотности дефектов на температуру конденсации примесной атмосферы // Придніпровський науковий вісник. Сер. Природничі та технічні науки, 1997.- N 21.- С. 14 - 20;

Бахрушин В.Е., Янус А.В. Статистико-термодинамический анализ эффективности геттерирования быстродиффундирующих примесей в полупроводниковых структурах // Придніпровський науковий вісник. Сер. Технічні науки, 1997.- N 25.- С. 11 - 15;

Бахрушин В.Е., Пятигорец Р.А., Янус А.В. Моделирование формирования прослоек с проводимостью дырочного типа в кремниевых N⁺-N структурах // Придніпровський науковий вісник. Сер. Технічні науки, 1997.- N 25.- С. 16 - 21;

Бахрушин В.Е., Криворучко В.Н., Янус А.В. Влияние внешних воздействий на электрофизические свойства слаболегированных монокристаллов и монокристаллических слоев кремния // Придніпровський науковий вісник. Сер. Технічні науки, 1997.- N 25.- С. 5 - 10;

Моделирование процессов формирования переходной области полупроводниковых структур / В.Е. Бахрушин, В.А. Ольховой, Р.А. Пятигорец, А.В. Янус // Известия вузов. Электроника, 1997.- N 6.- С. 44 - 48;

Бахрушин В.Е., Пятигорец Р.А. Построение и анализ ИК спектров при отражении от кремниевых эпитаксиальных структур // Известия вузов. Материалы электронной техники, 1998.- N 2.- С. 34 - 36.

Однородность толщины эпитаксиальных слоев кремния, получаемых при водородном восстановлении трихлорсилана / В.Е. Бахрушин, В.И. Бакуменко, В.П. Токарев, В.А. Ольховой // Цветные металлы, 1998.- N 1.- С. 56 - 57;

Гетерування швидкодифундуючих домішок у кремнієвих сплавах / Бахрушин В.Є., Ігнахіна М.О., Криворучко В.М., Янус О.В., Яценко О.О. // Вісник Запорізького державного університету, 1998.- N 1.- С. 87 - 88;

Бахрушин В.Є., Ольховий В.О. Спотворення ґратки у перехідній області кремнієвих структур, обумовлені перерозподілом фонових домішок // Вісник Запорізького державного університету, 1998.- N 1.- С. 89 - 90;

Бахрушин В.Е. Исследование твердых растворов внедрения в ОЦК металлах методом внутреннего трения // Тезисы докладов научно-технической конференции "Современные методы исследования в металловедении". Устинов, 1985.- С. 55 - 56;

Бахрушин В.Е. Термодинамика примеси, распределенной между узлами и междоузлиями алмазоподобной решетки // Тезисы докладов XIV Всесоюзного совещания по теории полупроводников. Донецк: ДонФТИ АН УССР, 1989.- С. 161;

Образование поликристаллических включений при эпитаксии кремния / В.П. Токарев, П.Н. Галкин, В.Е. Бахрушин, И.В. Базылева // Тезисы докладов областной научной конференции "Компоненты и материалы электронной техники". Запорожье: ЗИИ, 1990.- С. 25 - 26;

Рентгеностpуктуpное исследование поликристаллических слоев полупроводниковых приборов и интегральных схем / Бахрушин В.Е., Богун С.В., Савин В.В., Токарев В.П., Рожков А.И. // Тезисы докладов VI Всесоюзной конференции "Аналитические методы исследования материалов и изделий электронной техники". Кишинев: Мезон, 1991.- С. 33;

Bakhrushin V.E. Redistribution Effect on the Specific Heat of Solutes in Solid Solutions // 14^th European Crystallographic Meeting Abstracts.- Enschede, Тhe Netherlands, 1992.- P. 410;

Получение и свойства монокристаллов кремния, легированного германием / В.Е. Бахрушин, В.Е. Кустов, Т.В. Критская, Б.Л. Шкляр // Тезисы докладов III Межгосударственного семинара "Материалы для термоэлектрических преобразователей"- Санкт-Петербург: ФТИ РАН, 1993.- С. 55;

Бахрушин В.Е. Влияние фоновых примесей на эффективность кремниевых детекторов // Тезисы докладов 6 межотраслевого семинара "Радиационные процессы в электронике". М., 1994.- С. 77 - 78;

Бахрушин В.Е. Проблемы получения эпитаксиальных структур для кремниевых фотоприемников // Тезисы докладов VI Международной конференции "Волоконно-оптические линии связи и системы передачи информации. Запорожье, 1995.- С. 46.

Размещено на Allbest.ru