Радиационная стойкость кремния, легированного германием, с высокой концентрацией свободного кислорода
Анализ влияния нейтронного облучения на радиационную стойкость кремния. Изучение изотермического отжига образцов при разных температурах с целью определения основных параметров отжига дефектов. Зависимость эффективной концентрации носителей от флюенса.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | статья |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 14.11.2013 |
| Размер файла | 305,2 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Изучение свойств карбида кремния. Понятие омического контакта. Разработка и оптимизация технологии воспроизводимого получения омических контактов к карбиду кремния n- и р-типа проводимости на основе выявления факторов, влияющих на его формирование.
курсовая работа [165,7 K], добавлен 10.05.2014Значение и использование монокристаллического кремния при производстве солнечных элементов повышенной эффективности. Природа и механизм возникновения дефектов для пар железо-бор в составе элементов при различных условиях эксплуатации и освещения.
реферат [104,0 K], добавлен 23.10.2012Получение и люминесцентные свойства легированного эрбием монокристаллического кремния. Влияние дефектов и примесей на интенсивность сигнала фотолюминесценции ионно-имплантированных слоев. Безизлучательная передача возбуждений между оптическими центрами.
дипломная работа [1,2 M], добавлен 06.01.2016Получение поликристаллического кремния. Методы получения газовых соединений Si, поликристаллических кремния из моносилана SiH4. Восстановление очищенного трихлорсилана. Установка для выращивания монокристаллического кремния. Мировой рынок поликремния.
дипломная работа [2,3 M], добавлен 14.12.2011Расчёт компоновки загрузки из полупроводникового и металлургического кремния для выращивания мультикремния. Количественный химический анализ слитков мультикремния. Анализ профилей распределения примесей в слитках в приближении перемешивания расплава.
дипломная работа [1,1 M], добавлен 08.06.2017Дифракция быстрых электронов на отражение как метод анализа структуры поверхности пленок в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ температурной зависимости толщины пленки кремния и германия на слабо разориентированой поверхности кремния.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 07.06.2011Проектирование системы электроснабжения завода машиностроения. Расчет нагрузок цехов по методу коэффициента спроса и их графическое изображение. Проверка линий электропередач на термическую стойкость. Определение молниезащиты заземляющего устройства.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 07.09.2010Особенности частичного насыщения поверхностных атомов кремния метильными группами и методов моделирования кластера минимального размера. Иммобилизация метильных групп на поверхность димеризованного гидрогенизированного кластера в различных соотношениях.
доклад [1,1 M], добавлен 26.01.2011Применение полупроводникового кремния. Характерные значения и методы определения ширины запрещенной зоны в полупроводниках, ее зависимость от температуры в кремнии. Экспериментальные и теоретические методы исследования зонной структуры твердых тел.
контрольная работа [301,6 K], добавлен 11.02.2014Энергетическая зонная структура и абсолютный минимум зоны проводимости у кремния. Измерение спектра собственного поглощения образца кремния с помощью электронно-вычислительного комплекса СДЛ-2. Оценка ширины запрещенной зоны исследуемого полупроводника.
курсовая работа [376,2 K], добавлен 08.06.2011Исследование особенностей технологических путей создания микрорельефа на фронтальной поверхности солнечных элементов на основе монокристаллического кремния. Основные фотоэлектрические параметры полученных структур, их анализ и направления изучения.
статья [114,6 K], добавлен 22.06.2015Физические процессы, происходящие при взаимодействии ускоренных ионов с нанокомпозитными материалами. Размерные эффекты в наночастицах. Анализ температурного разогрева наночастиц материала при радиационном воздействии. Радиационная стойкость материалов.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 16.05.2017Возможность формирования различных структур в стандартных пластинах монокристаллического кремния с использованием дефектов, создаваемых имплантацией водорода или гелия. Поперечная проводимость сформированных структур. Системы нанотрубок в кремнии.
реферат [6,4 M], добавлен 25.06.2010Удельное сопротивление полупроводников. Строение кристаллической решетки кремния. Дефекты точечного типа и дислокации. Носители заряда и их движение в электрическом поле. Энергетические уровни и зоны атома. Распределение носителей в зонах проводимости.
презентация [150,3 K], добавлен 27.11.2015Взаимодействие заряженных частиц с веществом. Радиационное дефектообразование в ZnO. Расчет радиационных характеристик движущегося протона и концентрации наведенных дефектов с помощью программы SRIM. Концентрации дефектов в ZnO по спектрам поглощения.
отчет по практике [2,3 M], добавлен 15.01.2014Создание технических средств метрологического обеспечения контроля качества полупроводниковых материалов. Анализ установки по измерению удельного электрического сопротивления четырехзондовым методом. Измерение сопротивления кремния монокристаллического.
дипломная работа [1,2 M], добавлен 24.07.2012Нахождение содержания кислорода в продувочном аргоне. Определение функции концентрации кислорода в сосуде по времени продувки. Выражение объема кислорода в сосуде дифференциальным уравнением. Построение графика функции, таблицы по концентрациям кислорода.
задача [19,2 K], добавлен 23.08.2015Механизм анодного окисления кремния. Влияние толщины пленки, сформированной методом ионной имплантации и водородного переноса, на ее электрофизические свойства. Электрофизические свойства структур "кремний на изоляторе" в условиях анодного окисления.
дипломная работа [327,8 K], добавлен 29.09.2013Исследование возможностей плазменной визуализации различных типов дефектов для проводов и промышленных кабелей. Анализ методов дефектоскопии, основанных на электромагнитных явлениях. Адаптация комплекса оборудования для обнаружения механических дефектов.
дипломная работа [2,4 M], добавлен 08.07.2014Экспериментальные методы измерения подвижности носителей зарядов в диэлектриках. Эффект переключения диэлектрических пленок в высокопроводящее состояние. Исследование подвижностей носителей заряда времяпролетным методом. Изготовление пленочных образцов.
дипломная работа [484,3 K], добавлен 13.10.2015
