Сімісторний регулятор потужності

Размещено на http://www.allbest.ru/

"Сімісторний регулятор потужності"

сімісторний регулятор потужність

В сімісторних регуляторах потужності, що працюють за принципом пропускання через навантаження певної кількості півперіодів струму за одиницю часу, повинна виконуватись умова їх парної кількості. В багатьох відомих радіоаматорських (та інших) конструкціях ця умова не дотримується, тобто порушується. До уваги читачів пропонується регулятор, вільний від цього недоліку. Його схема зображена на додатковому аркуші формату А3. Тут є вузол живлення, генератор імпульсів регульованої скважності й формувач імпульсів, що керують сімістором VS1. Вузол живлення виконаний по класичній схемі: струмообмежувальні резистор R2 та конденсатор С1, випрямляч на діодах VD3 та VD4, стабілітрон VD5, згладжуючий конденсатор С3. Частота імпульсів генератора, зібраного на елементах DD1.1, DD1.2 та DD1.4, залежить від ємності конденсатора С2 й опору поміж крайніми виводами змінного резистора R1. Саме цим резистором регулюють скважність імпульсів. Елемент DD1.3 виконує формування імпульсів із частотою мережевої напруги, яка надходить на його вивід «1» через дільник із резисторів R3 й R4, до того ж кожен імпульс починається поблизу переходу миттєвого значення мережевої напруги через нуль. З виводу елемента DD1.3 ці імпульси, через обмежуючі резистори R5 та R6, надходять на бази транзисторів VT1 і VT2. Підсилені транзисторами імпульси керування, через розділювальний конденсатор С4, надходять на керуючий електрод сімістора VS1. Тут їх полярність відповідає знакові мережевої напруги, наразі прикладеної до виводу «2» сімістора VS1.

Завдяки тому, що елементи DD1.1 та DD1.2, DD1.3 та DD1.4 утворюють два тригери, рівень на виході елемента DD1.4, з'єднаного з виводом «2» елемента DD1.3, змінюється на протилежний лише тоді, коли він перебуває у від'ємному півперіоді мережевої напруги.

Припустимо, що тригер на елементах DD1.3 та DD1.4 перебуває в стані з низьким рівнем на виході елемента DD1.3 та високим на виході елемента DD1.4. Для зміни цього стану необхідно, щоби високий рівень на виході елемента DD1.2, з'єднаного з виводом «6» елемента DD1.4, став низьким. А це може статися тільки у від'ємному півперіоді мережевої напруги, яка надходить на вивід «13» елемента DD1.1, незалежно від миті установлення високого рівня на виводі «8» елемента DD1.2.

Формування керуючого імпульсу починається з надходження додатної мережевої напруги на вивід «1» елемента DD1.3. У відповідний момент, у результаті перезарядження конденсатора С2, високий рівень на виводі «8» елемента DD1.2 зміниться, що, власне, й установить на виході елемента високий рівень напруги. Наразі високий рівень на виході елемента DD1.4 також може замінитися низьким, проте тільки у від'ємному півперіоді напруги, яка надходить на вивід «1» DD1.3. Отже, робочий цикл формування керуючих імпульсів завершиться в кінці від'ємного півперіоду мережевої напруги, а загальна кількість півперіодів напруги, прикладеної до навантаження, буде парною.

Основна частина деталей пристрою змонтована на платі з односторонньою печаттю. Діоди VD1 та VD2 припаяні безпосередньо до виводів змінного резистора R1, а резистор R7 - до виводів сімістора VS1. Сімістор забезпечений ребристим тепловідводом заводського виготовлення, з площею тепловідвідної поверхні близько 400 см².

Використані постійні резистори МЛТ, змінний резистор R1 - СП3-4аМ. Його можна замінити іншим такої самої або ж більшої величини опору. Номінали резисторів R3 та R4 повинні бути однаковими. Тип конденсаторів С1 та С2 - К73-17. Якщо потребуватиметься підвищена надійність, то оксидний конденсатор С4 можна замінити плівковим, наприклад К73-17 2,2…4,7 мкФ на 63 В, однак, тоді розміри друкованої плати доведеться збільшити. Натомість діодів КД521А згодяться інші малопотужні кремнієві, а стабілітрон Д814В можна замінити будь-яким сучаснішим із напругою стабілізації 9 В.

Заміна транзисторів КТ3102В та КТ3107Г проводиться іншими малопотужними кремнієвими відповідної структури. Якщо амплітуда імпульсів струму, що відкривають сімістор VS1, виявиться недостатньою, тоді опір резисторів R5 та R6 зменшувати не можна. Краще підібрати транзистори з великим коефіцієнтом протікання струму при напрузі 1 В поміж колектором та емітером. У транзистора VT1 вона повинна відповідати значенню від 150 до 250, а в транзистора VT2 - від 250 до 270.

По закінченню монтажу отримуємо можливість приєднання навантаження до регулятора.

Таблиця

Размещено на Allbest.ru